技术领域
[0001] 本
发明涉及
太阳能电池领域，尤其涉及不合格多晶扩散方块电阻的返工方法。
背景技术
[0002] 在
太阳能电池制作过程中，扩散方块是非常重要的一个参量，方块，即方块电阻。考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层，如果该薄层材料的
电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为 而在
硅片背面用一定比例的
硝酸、
氢氟酸和
硫酸混合液处理以去
除
硅片背面和侧面磷的效果，同时去除磷硅玻璃。
[0003] 太阳能电池片的制作依次包括化学清洗及表面织构化处理→扩散→周边
刻蚀及去磷硅玻璃→沉积减反射膜→印刷
电极→
烧结等工艺，各工艺的具体作用如下：
[0004] 化学清洗及表面织构化处理，即通过化学反应使原本光亮的硅片表面形成凸凹不平的结构，以增加光的吸收；
[0005] 扩散，即，通过对P型硅片进行扩散后，表面变成N型，形成
PN结，使得硅片具有光伏效应；
[0006] 周边刻蚀及去磷硅玻璃，该工艺的目的在于去掉扩散时留在硅片边缘形成的将PN结两端
短路的导电层，然后过HF槽，去除在扩散工艺中形成的磷硅玻璃；
[0007] 沉积减反射膜，主要有包括两类减反射膜，即氮化硅膜和
氧化
钛膜，主要作用在于
钝化和减反射；
[0008] 印刷电极，包括
正面电极印刷、背面电极印刷和背
电场印刷；
[0009] 烧结，即，使印刷的电极与硅片之间形成
合金的过程。
[0010] 在上述太阳能电池片的制作过程中，扩散是制作太阳能电池片时的核心工艺，因为该工艺形成PN结，检验扩散方块的大小对整个太阳能电池片的效率起到了至关重要的作用，因此，若经过扩散后测得扩散方块不合格，则对不合格扩散方块的返工也成为了提高整体效率的重要步骤。
[0011] 目前扩散工艺大多采用背靠背扩散，但背面(不应进行扩散的一面)也能扩散上一些磷，而扩散方块不合格有如下三种情况：
[0012] 1)扩散方块偏大；
[0013] 2)扩散方块偏小；
[0014] 3)扩散方块的不均匀度过大。
[0015] 对于第1)种情形，现有的返工方法是在返工时继续扩散，对于第2)和3)种情形，通常是采用四槽HF清洗后用
反面返工。
[0016] 然而，若采用四槽HF清洗后用反面返工，对于背面扩散上的磷没有办法去掉，而对不合格的扩散方块重新扩散将增加方块的不均匀度。
发明内容
[0017] 本发明
实施例提供一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法，以彻底除去扩散面上的磷，使得扩散方块变得均匀。
[0018] 本发明实施例提供一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法，所述方法包括以下步骤：(1)配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液，所述硫酸的用量为50～100L，所述硫酸的浓度为
质量分数为98％的工业浓硫酸，所述硝酸和氢氟酸的用量为300L，所述硝酸的浓度为300～550g/L，所述氢氟酸的浓度为20～60g/L；(2)将所述刻蚀液盛入
温度为5～20℃的槽体；(3)将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背
腐蚀，所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为0.8～2m/min。
[0019] 可选地，所述将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀包括包括：将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝下置入所述刻蚀液进行背腐蚀。
[0020] 可选地，所述将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀包括：将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝上置入所述刻蚀液进行背腐蚀。
[0021] 可选地，配置所述刻蚀液时所述硫酸的用量为80L。
[0022] 可选地，配置所述刻蚀液时所述硝酸的浓度为400g/L，所述氢氟酸的浓度为30g/L。
[0023] 可选地，将所述刻蚀液盛入温度为5～20℃的槽体具体为：将所述刻蚀液盛入温度为8℃的槽体。
[0024] 可选地，进行背腐蚀时所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为1.3m/min。
[0025] 可选地，配置所述刻蚀液时所述硫酸的用量为80L，所述硝酸的浓度为400g/L，所述氢氟酸的浓度为30g/L，所述将所述刻蚀液盛入温度为5～20℃的槽体具体为：将所述刻蚀液盛入温度为8℃的槽体，所述进行背腐蚀时所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为1.3m/min。
[0026] 从上述本发明实施例提供的不合格多晶扩散方块电阻的返工方法可知，由于上述方法是将不合格多晶扩散方块电阻置入由硫酸、硝酸和氢氟酸配置而成的刻蚀液进行背腐蚀，以去除硅片背面和侧面磷的效果，同时去除磷硅玻璃。因此，与
现有技术采用四槽HF清洗后用反面返工相比，本发明实施例提供的方法可以有效地去除不合格多晶扩散方块电阻正面或背面扩散上的磷，使得在返工时不合格多晶扩散方块电阻具有一个干净的扩散面，后续重新进行扩散时方块的均匀度较高。
附图说明
[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对现有技术或实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，还可以如这些附图获得其他的附图。
[0028] 图1是本发明实施例提供的一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法流程示意图。
具体实施方式
[0029] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0030] 请参阅附图1，是本发明实施例提供的一种不合格多晶扩散方块电阻的返工方法流程示意图，主要包括步骤：
[0031] S101，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液，所述硫酸的用量为50～100L，所述硫酸的浓度为质量分数为98％的工业浓硫酸，所述硝酸和氢氟酸的用量为
300L，所述硝酸的浓度为300～550g/L，所述氢氟酸的浓度为20～60g/L。
[0032] S102，将所述刻蚀液盛入温度为5～20℃的槽体。
[0033] 在本发明实施例中，可以将步骤S101中配置好得刻蚀液盛入链式低温
酸洗设备的酸洗槽槽体中，例如，可以将步骤S101中配置好得刻蚀液盛入Rena厂家生产的链式低温酸洗设备的酸洗槽槽体中。槽体的温度可控制在5～20℃之内。
[0034] S103，将不合格多晶扩散方块电阻置入所述刻蚀液进行背腐蚀，所述不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度为0.8～2m/min。
[0035] 在本发明实施例中，所谓不合格多晶扩散方块电阻是指
多晶硅片在进行了多晶扩散工艺、经测试人员检测后，检测结果不符合相关要求的扩散方块电阻，进行扩散工艺时其正面(即进行扩散工艺的一面)和背面(即没有进行扩散工艺的一面，与进行扩散工艺的一面相对)也扩散了一定量的磷。在将不合格多晶扩散方块电阻置入刻蚀液进行背腐蚀时，可以将其在所述刻蚀液中的漂移速度控制在0.8～2m/min，以便能够充分进行背腐蚀。具体地，可以将Rena厂家生产的链式低温酸洗设备的带速控制在0.8～2m/min。
[0036] 作为本发明一个实施例，将不合格多晶扩散方块电阻置入刻蚀液进行背腐蚀可以是将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝下置入所述刻蚀液进行背腐蚀，从而彻底清洗掉进行扩散工艺时该多晶扩散方块电阻正面扩散的磷，后续的扩散工艺使用已清洗掉磷的正面进行扩散。
[0037] 作为本发明另一个实施例，将不合格多晶扩散方块电阻置入刻蚀液进行背腐蚀可以是将所述不合格多晶扩散方块电阻正面朝上置入所述刻蚀液进行背腐蚀，从而彻底清洗掉进行扩散工艺时该多晶扩散方块电阻背面扩散的磷，后续的扩散工艺使用已清洗掉磷的背面进行扩散。
[0038] 在本发明实施例中，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时，硫酸的用量可以为80L，硝酸和氢氟酸的用量为300L，硝酸的浓度为300～550g/L，氢氟酸的浓度为20～60g/L，槽体
温度控制在5～20℃，不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在0.8～2m/min。
[0039] 在本发明另一实施例中，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时，硫酸的用量可以为80L，硝酸和氢氟酸的用量为300L，硝酸的浓度为400g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，槽体温度控制在5～20℃，不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在0.8～2m/min。
[0040] 在本发明另一实施例中，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时，硫酸的用量可以为80L，硝酸和氢氟酸的用量为300L，硝酸的浓度为300～550g/L，氢氟酸的浓度为20～60g/L，槽体温度控制在8℃，不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在0.8～2m/min。
[0041] 在本发明另一实施例中，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时，硫酸的用量可以为80L，硝酸和氢氟酸的用量为300L，硝酸的浓度为300～550g/L，氢氟酸的浓度为20～60g/L，槽体温度控制在5～20℃，不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在1.3m/min。
[0042] 在本发明另一优选实施例中，配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时，硫酸的用量可以为80L，硝酸和氢氟酸的用量为300L，硝酸的浓度为400g/L，氢氟酸的浓度为30g/L，槽体温度控制在8℃，不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在
1.3m/min。
[0043] 从上述本发明实施例提供的不合格多晶扩散方块电阻的返工方法可知，由于上述方法是将不合格多晶扩散方块电阻置入由硫酸、硝酸和氢氟酸配置而成的刻蚀液进行背腐蚀，以去除硅片背面和侧面磷的效果，同时去除磷硅玻璃。因此，与现有技术采用四槽HF清洗后用反面返工相比，本发明实施例提供的方法可以有效地去除不合格多晶扩散方块电阻正面或背面扩散上的磷，使得在返工时不合格多晶扩散方块电阻具有一个干净的扩散面，后续重新进行扩散时方块的均匀度较高。
[0044] 为了更加清楚地说明本发明提供的不合格多晶扩散方块电阻的返工方法方法与现有技术提供的方法的效果，以下以配置由硫酸、硝酸和氢氟酸混合而成的刻蚀液时硫酸的用量为80L、硝酸和氢氟酸的用量为300L、硝酸的浓度为400g/L、氢氟酸的浓度为30g/L、槽体温度控制在8℃、不合格多晶扩散方块电阻在所述刻蚀液中的漂移速度控制在1.3m/min为例。第一组(A组)不合格多晶扩散方块置入刻蚀液进行背腐蚀时，正面朝下；第二组(B组)不合格多晶扩散方块置入刻蚀液进行背腐蚀时，正面朝上；第三组(C组)不合格多晶扩散方块是采用四槽HF清洗后用反面返工，洗完后甩干，然后使用背面作为扩散面进行扩散。
[0045] 在太阳能电池制作工艺中，合格的多晶扩散方块其平均方块(Ω/□)为65±5，方差不超过5，以下表一是返工前A、B和C三组不合格多晶扩散方块的平均方块及其方差值。
[0046]组别 平均方块(Ω/□) 方差
A 49.23 2.21
B 50.21 2.14
C 49.34 1.25
[0047] 表一
[0048] 以下表二是A、B和C三组不合格多晶扩散方块进行背腐蚀之后再进行扩散测得的平均方块及其方差值。
[0049]组别 平均方块(Ω/□) 方差
A 64.59 0.95
B 63.29 1.01
C 63.54 1.92
[0050] 表二
[0051] 返工时背腐蚀刻蚀的厚度A组的平均值为1.23μm，B组的平均值为1.27μm，而目前的扩散工艺结深在600nm(0.6μm)以下，因此，本发明实施例提供的背腐蚀可以将扩散上的磷全部刻蚀掉。
[0052] 下表三是A、B和C三组不合格多晶扩散方块在返工后测得的电性能对比[0053]
[0054]
[0055] 表三
[0056] 从上述表三示出的电性能对照可知，A组(即置入刻蚀液进行背腐蚀时正面朝下的不合格多晶扩散方块)背腐蚀的效率最好，其
电压电流都比较理想，而B组(即置入刻蚀液进行背腐蚀时正面朝上的不合格多晶扩散方块)的电压还比较理想，但电流明显不理想，其主要原因是其在彻底清洗掉背面扩散的磷后，在后续的扩散工艺使用已清洗掉磷的背面进行扩散，而背面的反射率明显比正面大；C组不仅均匀度不好，而且其电流明显比A组的小。
[0057] 以上对本发明实施例提供的不合格多晶扩散方块电阻的返工方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本
说明书内容不应理解为对本发明的限制。
