无机发光二极管与其它类型光源相比，具有使用寿 命长，体积小，抗震颤以及窄频带辐射的特点。在实际 应用中，发光二极管借助于自身半导体材料的辐射很难 有效实现宽波段多色光辐射。因此，通过无机荧光粉的 作用将异质结的大部分辐射转化为长波辐射的发光二极 管技术得到应用。这种以荧光粉形式存在的转化装置即 光谱转换器。
在WO 00/33390专利中描述了包含辐射单一蓝光的 发光二极管或与荧光粉混合物相互作用的激光二极管的 发光装置。
为了形成白光，需要在光谱420～470nm区域辐射的 发光二极管与含有至少两种荧光粉的荧光粉混合物共同 作用。为此需要两种具有不同辐射光谱的荧光粉。这种 荧光粉混合物总是包含一种红色成分和一种绿色成分。 在此条件下，这两种颜色与发光二极管发出的蓝光相混 合即可形成白光。也可以用单一成分的材料替代荧光粉 混合物，但这种情况下，二极管发光的质量就会有所下 降。
通常，对用于普通照明的白光光源的发光质量要求 较高。再者，光源使用者，尤其是欧洲和北美的使用者， 倾向于比色温度在2700～5000K的暖色光照。
在WO 00/33389专利中描述了用Ba2SiO4:Eu2+作荧光 粉来改变蓝色发光二极管发出的光。然而荧光粉 Ba2SiO4:Eu2+辐射的最大值出现下约505nm处，因此用这 种组合不能完全可靠地获得白光。
由C.X.M.普尔特(S.H.M.Poort)的学术著作中 提及的“正位硅酸盐和正位磷酸盐被Eu2+激发时的光学 特性”(”Journal of Alloys and Compounds”，260 (1997)，p.93-97)可得出Ba2SiO4以及KBaPO4，KSrPO4 等磷酸盐被Eu2+激发时的特性。此处同时也提到，Ba2SiO4 在被Eu2+激发时的辐射光谱在约505nm处。
关于在Eu2+的激发作用下可获得白光的Ba，Ca，Sr的 二元或三元正位硅酸盐的架构在俄罗斯RU №2251761 专利案中已经明确。该荧光粉的化学式为，a) (2-x-y)SrO·x(BaU，CaV)O·(1-a-b-c-d)SiO2·aP2O5bA l2O3cB2O3dGeO2:yEu2+；其中0≤x≤1,6，0,005＜y＜ 0,5，x+y≤1,6，0≤a，b，c，d＜0.5，u+v＝1；b) (2-x-y)BaO·x(SrU，CaV)O·(1-a-b-c-d)SiO2· aP2O5bAl2O3cB2O3dGeO2:yEu2+；其中0,01＜x＜1,6，0,005 ＜y＜0,5，0≤a，b，c，d＜0,5u+v＝1，x*u＞0,4。
尽管这种三元正位硅酸盐荧光粉有可能产生黄光辐 射，但却不能保证半导体光源发光的高亮度。此外，利 用这种荧光粉做出的发光二极管无法产生比色温度高于 6000K的低温白光辐射。诚属美中不足之处。

为解决上述现有技术的缺点，本发明的主要目的是 提供一种白光二极管光源的荧光粉及其制法，其可将在 紫外波段和蓝光波段(370～490nm)发生辐射的发光二 极管用作光源，这种光源通过采用改进的荧光粉产生有 效功率更高的白光，从而使其有可能被应用于照明。
本发明的另一目的在于提供一种白光二极管光源的 荧光粉及其制法，其采用一种或几种荧光粉实现了在较 大范围内调节比色温度的可能性，从而满足使用者不同 的需求，尤其是调节在国际照明委员会规定的公差椭圆 范围内的颜色。
本发明的另一目的在于提供一种白光二极管光源之 荧光粉及其制法，其系由铟镓氮化物短波异质结与光谱 转换器构成的白光半导体源，该光源的特点是包含至少 两个辐射最大值分别在360-400nm的近紫外区域(紫 外异质结)与440-480nm区域(蓝光异质结)，此时短 波异质结辐射光谱重迭部分是其光谱最大值时辐射强度 的10-30％。光谱转换器是以正位硅酸盐荧光粉为基体的 多层覆膜，荧光粉的化学式为Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8: (∑Me2，3)(Hal)2，3。该覆膜与位于反射镜反射表面的半导 体异质结的发光面有光接触，同时也是该半导体光源的 电接触之一。
为达到上述目的，本发明的一种白光二极管光源， 其系由铟镓氮化物所制成，包括：一绝缘晶体架，系用 以承载后述该第一异质结及第二异质结；一第一异质结， 其置于该绝缘晶体架中，具有一正极、一负极及一发光 表面，其中该正极及负极可外露于该绝缘晶体架外；一 第二异质结，其置于该绝缘晶体架中且位于该第一异质 结的一侧，其亦具有一正极、一负极及一发光表面，其 中该正极及负极亦可外露于该绝缘晶体架外；一光谱转 换器，覆盖于该第一异质结及该第二异质结的发光表面 上方处；以及一光学机体，其置于该光谱转换器上方且 可与该绝缘晶体架结合使成密闭状态。
为达到上述目的，本发明的一种白光二极管光源的 荧光粉，系由正位硅酸盐所制成，其化学式为 Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8:(∑Me2，3)(Hal)2，3，其被激发发光的 光谱具有一第一极限及一第二极限，且当荧光粉基体被 离子激发且基体组成中的离子浓度满足一特定原子分率 时，该荧光粉辐射光谱分布于可见光光谱的绿-黄-橙 色区域。
为达到上述的目的，本发明的一种白光二极管荧光 粉的制作方法，其包括下列步骤：秤取如下BaCO3、SrCO3、 EuCl2及SiO2颗粒并加以混合；在混合料中加入MgCO3及 CaCO3；将配料充分混合，然后置于一坩埚中，再放入分 隔为2个区之一熔炉中；在熔炉的第一区中，当温度升至 第一温度时，碳酸盐分解，生成碱土金属的正位硅酸盐 和铕；在熔炉的第二区中，当温度升至第二温度时，加 入还原性气体混合物；在该熔炉退场门处取出该坩埚， 将该坩埚中的物质放入一溶液中；以及使用一仪器对干 燥的荧光粉进行测试，确定其参数。
为达到上述目的，本发明的一种白光二极管荧光粉 的制作方法，其包括下列步骤：用一沉淀剂在特定的反 应器中发生凝胶作用；将所得凝胶干燥至所含水的质量 至一特定浓度；用一磨具将其磨成粉末；以及将该粉末 放入一坩埚中；加热至一特定温度即得该荧光粉。
附图说明
图1为一示意图，其示出了根据本发明一较佳实施 例的白光二极管光源的示意图，其中：10：绝缘晶体架； 20：第一异质结；21：正极；22：负极；23：发光表面； 30：第二异质结；31：正极；32：负极；33：发光表面； 40：光谱转换器；41：有机树脂；42：荧光粉；50：光 学机体。

本发明的意义在于将在紫外波段和蓝光波段(370～ 490nm)发生辐射的发光二极管用作光源，这种光源通过 采用改进的荧光粉产生有效功率更高的白光，从而使其 有可能被应用于照明。
与此同时，也克服了现有技术水准存在的种种缺陷。 此外，通过采用一种或几种荧光粉实现了在较大范围内 调节比色温度的可能性，从而满足使用者不同的需求， 尤其是调节在国际照明委员会规定的公差椭圆范围内的 颜色。
本发明的实质是提出了由铟镓氮化物短波异质结与 光谱转换器构成的白光半导体源，该光源的特点是包含 至少两个辐射最大值分别在360-400nm的近紫外区域(紫 外异质结)与440-480nm区域(蓝光异质结)，此时短波 异质结辐射光谱重迭部分是其光谱最大值时辐射强度的 10-30％。
请参照图1，其示出了本发明一较佳实施例的白光二 极管光源的结构示意图。如图所示，本发明的白光二极 管光源其系由铟镓氮化物所制成，包括：一绝缘晶体架 10；一第一异质结20；一第二异质结30；一光谱转换器 40；以及一光学机体50所组合而成。
其中，该绝缘晶体架10系用以承载该第一异质结20 及第二异质结30。
该第一异质结20系置于该绝缘晶体架10中，其具有 一正极21、一负极22及一发光表面23，其中该正极21及 负极22系可外露于该绝缘晶体架10外。其中，该第一异 质结20系为一紫外光异质结，其辐射最大值例如但不限 于为360-400nm。
该第二异质结30系置于该绝缘晶体架10中且位于该 第一异质结20的一侧，例如但不限于右侧，其亦具有一 正极31、一负极32及一发光表面33，其中该正极31及负 极32亦可外露于该绝缘晶体架10外。其中，该第二异质 结30系为一蓝光异质结，其辐射最大值例如但不限于为 440-480nm，且该第二异质结的辐射光谱与该第一异质结 20之辐射光谱的重迭部分仅占其辐射最大值的10～30％。
该光谱转换器40系覆盖于该第一异质结20及该第二 异质结30的发光表面上方处。其中，该光谱转换器30系 由一透明有机树脂41及一荧光粉42所混合而成，且该荧 光粉42例如但不限于是由正位硅酸盐所制成，其化学式 为Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8:(∑Me2，3)(Hal)2，3。这种荧光粉42 中的激发元素以+2及+3价态存在，不同于现有技术使用 Eu+2作激发剂的荧光粉。
该光谱转换器40是由有机化合物构成的光漫射层， 层中均匀分布着荧光粉42颗粒。这种有机化合物例如但 不限于是高温硬化的环氧树脂或聚碳酸酯或有机硅化 物。本发明所选的这些化合物的共同特点是它们的分子 质量≥10000碳原子单位，从而保证了化合物层为补偿温 差应力所必需的韧性。实验结果表明，化合物层中荧光 粉颗粒的填充量应为6～25％。
该光学机体50系置于该光谱转换器40上方且可与该 绝缘晶体架10结合使成密闭状态。
此外，本发明的白光二极管光源进一步具有一反射 镜(图未示)，用以调整位于其表面的该第一异质结20、 第二异质结30及该光谱转换器40辐射的光的方向，此外， 该反射镜也可与该白光二极管光源中的电源接触。
此外，请参照表1，其示出了该光谱转换器40在以上 两种不同激发状态下(荧光粉状光谱转换器40被第一异 质结20所发出的紫外线激发时的辐射光谱和荧光粉状光 谱转换器40被第二异质结30所发出的蓝光激发时的辐射 光谱)的具体光色参数。

本发明的技术方案的革新性首先表现下为实现白光 光源采用至少两个半导体异质结(即第一异质结20及第 二异质结30)，而不是一个。该第一异质结20及第二异 质结30在短波辐射的不同分波段发生辐射。其中第一异 质结20在近紫外区域发生辐射，另外一个第二异质结 30则在蓝光区域发生辐射。制作该第一异质结20及第 二异质结30时采用相同的铟镓氮化物材料及与制作该 材料外延层相同的工艺。因此他们具有相同的电学特性， 从而可以将他们以串联或并联的模式联入电路。异质结 发光光谱随异质结中InN的含量而变化。
本发明采用的第一异质结20及第二异质结30的辐 射光谱的重迭部分仅占其辐射最大值的10～30％。该第 一异质结20及第二异质结30辐射最大值位于光谱重迭 区域外，其中该第一异质结20之峰值波长为λ＝390- 395nm，第二异质结30的峰值波长λ＝450-465nm。
本发明之白光二极管光源具有以下优点：1.光色可 在色温5000K～12000K的大范围内变化；2.发光强度高 ：2～10坎以上；3.光通量大，装置中光通量可达50流 明。除以上优点外，当该白光二极管光源的电学参数改 变时，其所发出的白光的光谱架构也会随之发生变化， 这在以往的文献或专利前案中未有所记载。当该第二异 质结30(蓝光异质结)被激发的功率较大时，光源发出冷 色光；而当该第一异质结20(紫外线异质结)被激发的功 率较大时，光源则发出暖色光。该白光二极管光源的这 些特点具有重要意义，此点在以前文献或专利前案中亦 未曾被探讨过，因此，足证本发明的白光二极管光源具 有新颖性及进步性。
此外，本发明亦提供一种白光二极管光源之荧光粉 42，系由正位硅酸盐所制成，其化学式为 Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8:(∑Me2，3)(Hal)2，3，其被激发发光的 光谱具有一第一极限及一第二极限，且当荧光粉42基体 被离子激发且基体组成中的离子浓度满足一特定原子分 率时，该荧光粉辐射光谱分布于可见光光谱的绿-黄- 橙色区域。
其中，该第一极限为λ＝360-400nm区间，该第二极 限为λ＝440-480nm区间，该特定原子分率为0.005≤ (∑Me+2，3)≤0.1，而该光谱最大值λ＝560-590nm。
用以激发该荧光粉42基体之离子可为Ce+3+Mn+2， Ce+3+Sn+2，Eu+2+Dy+3，Eu+2+Pr+3，Eu+2+Y+3，Eu+2 +Ce+3，Eu+2+Er+3，Eu+2+Gd+3或Eu+2+La+3等。其中， 该+2价离子可决定荧光粉42之发光光谱，该+3价离子 可决定荧光粉42被激发之发光光谱，而卤素族元素离子 则可决定激发中心之能量转移。
如上所述，要实现这种全新的白光二极管光源必须 研制出在两种不同波长光的激发下均能高质量发光的新 型荧光粉42，即紫外光分波段和蓝光分波段。此类问题 至今未见于已公开的专利文献中，也无具体解决方案。 我们知道，以铝钇石榴石为基体的标准荧光粉在蓝光激 发下正常发光，而在紫外光激发下却不能发光。由俄罗 斯专利第2251761号可知，正位硅酸盐荧光粉也具有相 同的缺陷。因此，本发明解决的另一个问题是在两种不 同波段的光的激发下发光的荧光粉42。
上述问题的解决方案如下。用于白光二极管光源的 正位硅酸盐荧光粉42具有以下特点：它被激发发光的 光谱具有两个极限，一个在λ＝360-400nm区间，另一 个在λ＝440-480nm区间，同时，当荧光粉基体被 Ce+3+Mn+2，Ce+3+Sn+2，Eu+2+Dy+3，Eu+2+Pr+3，Eu+2+Y+3， Eu+2+Ce+3，Eu+2+Er+3，Eu+2+Gd+3或Eu+2+La+3中的离子激发 (∑Me+2，3)，且基体组成中的离子浓度满足0.005 ≤(∑Me+2，3)≤0.1原子分率时，该荧光粉辐射光谱 分布于可见光光谱的绿-黄-橙色区域，光谱最大值λ ＝560-590nm。
该问题是通过在半导体装置基础上构建光源得以解 决的，其中：荧光粉是Mg，Ca，Sr，Ba族元素的二元正 位硅酸盐，用+2和+3价态的稀土元素Ce+3+Mn+2，Ce+3+Sn+2， Eu+2+Dy+3，Eu+2+Pr+3，Eu+2+Y+3，Eu+2+Ce+3，Eu+2+Er+3， Eu+2+Gd+3，Eu+2+La+3作为其激发元素，该荧光粉的化学式 为(∑1，2，3，4Me)4-xSi2O8:(TR+2，TR+3)x Hal2，3。其中，
Me＝Mg，Ca，Sr，Ba
TR+2＝Eu+2
TR+3＝Y，Gd，La，Lu，Pr，Tb，Ce，Dy，Er
Hal＝F-1和/或Cl-1和/或Br-1
且∑Me1 +2+Me2 +2+Me3 +2+Me4 +2＝4-x
X＝0,001-0,1原子分率
通过上述荧光粉被激发发光的光谱与异质结短波辐 射的光谱相重迭，异质结辐射的光谱最大值的10％～30％ 形成光谱转换器40。此外，本发明在该项目的研发过程 中发现，蓝光，紫光和紫外线异质结的短波辐射分别不 同程度地激发荧光粉。化学式为(Mg，Ca，Sr，Ba)4-x Si2O8·(Eu，Y)x的荧光粉被激发的光谱最大值出现在 λ＝395-405nm的UVA波段，而化学式为(B a，Sr，Mg，Ca)4-x Si2O8·(Eu，Er)x的荧光粉被激发的光谱最大值出现在 λ＝395～445nm波段，即蓝光半导体异质结辐射区域。 在此情况下，在由2个异质结组成的二极管的整体辐射 中将会出现2个光谱转换器辐射的光谱最大值。其中一 个最大值与被氧化至+2价态的激活离子的辐射相关联， 另外一个最大值主要是由于相同激活离子的辐射形成 的，但这种辐射与前者相比具有更高的能量。紫外线异 质结20强烈激发光谱转换器40的短波辐射，而蓝光异 质结30则引发长波辐射。此外，通过选择正位硅酸盐荧 光粉基体中的激发元素对及相对应的卤化物对，调节光 谱转换器40的辐射光谱，色度坐标以及比色温度。
关于Eu+2离子的辐射在许多文献中都有所论述(例 如前述普尔特的研究成果)，而有关这种荧光粉在紫外线 异质结20(或紫光异质结)与蓝光异质结30同时联合 激发下的情况至今无数据可考。在上述情况下，在主要 由(Ba，Sr，Mg，Ca)荧光粉构成的光谱转换器40的作用下 形成蓝绿光和绿光区域的短波辐射，同时通过蓝光异质 结对荧光粉的激发作用形成黄，橙和橙红区域的长波辐 射，此时荧光粉42中Sr+2，Ca+2离子的含量多于Ba+2， Mg+2离子的含量。
上述光源为得到颜色系数Ra＞90的标准白光所需的 蓝光辐射直接来源于蓝光异质结。
上述白光光源区别于其它现有光源的特点是可以通 过电学途径改变自身的整体辐射。如果需要高温白光辐 射，可以通过提升蓝光异质结30的供电功率实现。在此 过程中将形成大量长波辐射，这些长波辐射与未被吸收 的蓝光为得到比色温度T＝2950~5000K的光提供了条件。 此时紫外线异质结20的供电功率较低，从而保证了整体 辐射中少量的蓝，蓝绿和绿光短波辐射。
如果需要低温白光辐射，则要向紫外线异质结20 供给大量功率。此时光谱转换器40的蓝，蓝绿和绿色区 域发生辐射，同时还有未被吸收的异质结紫光辐射，最 终得到比色温度T＞8000K的白光。
如上所述，该白光半导体源的优点不仅由于其架构 特点和引入两个可产生不同波长辐射的异质结20、30， 还与其采用含有本发明所研发的新型正位硅酸盐荧光粉 42的光谱转换器40有关。
本发明的荧光粉42，若与俄罗斯第2251761号专利 相比较，其区别性特征是其成分中含有四种碱土金属元 素，即Mg，Ca，Sr，Ba，而不是两种或三种，四种元素的 比例关系为1∶0.01∶0.69∶0.30～1∶0.1∶0.2∶0.7。本发 明研发过程中得到的数据表明，这四种组成元素的作用 各不相同。Ba+2与活泼的Eu+2结合，由于离子中发生f-d 跃迁而形成绿光发光中心。体积小的Sr+2取代体积大的 Ba+2，将形成黄色光和橙色光的发光中心。Eu+2在Ca的 正位硅酸盐的作用下形成红色光发光中心。体积最小的 Mg+2通过形成稳固的离子键使正位硅酸盐荧光粉基体的 晶格架构更加牢固。Mg+2的加入还能使荧光粉基体的熔 点提升100℃，同时也能对荧光粉颗粒的大小进行调节。
此外，在正位硅酸盐荧光粉基体中加入卤族元素离 子是荧光粉42合成过程中一项复杂的实验性工作，可通 过采用卤族化合物高压蒸汽实现。
当荧光粉42的填充浓度为最小值时，原始辐射有可 能穿透光谱转换器40射出；而当其填充浓度为最大值 时，光谱转换器40不能实现自己将原始辐射与被激发产 生的辐射相混合的作用，从而导致无法在最终得到白光。 首先，将化合物溶解在相应的溶剂中，在此溶液的基础 上形成含荧光粉42的悬浊液。用微量测量器将该悬浊液 滴在异质结20、30的发光表面23、33，形成一层浓度 为80～200微米的薄膜。光谱转换器40在被激发发光的 过程中强烈改变异质结20、30的原始辐射，将原始辐射 与被激发产生的辐射相混合，最终形成白光。
本发明的白光二极管光源包含至少两个辐射波长不 同的InGaN短波异质结，该光源中的荧光粉42具有光谱 转换器40的作用，要制成这种荧光粉42有以下几种可 选方案。其中第一种方案属于固相合成法范畴，选用粉 末状原料；而第二种合成方案属于胶体化学方法范畴， 即所谓的溶胶-凝胶法。
本发明第一实施例的荧光粉制造方法系以上述之固 相合成法制造荧光粉，其包括下列步骤：秤取如下BaCO3、 SrCO3、EuCl2及SiO2颗粒并加以混合(步骤1)；在混合料 中加入MgCO3及CaCO3(步骤2)；将配料充分混合，然后 置于一坩埚中，再放入分隔为2个区之一熔炉中(步骤 3)；在熔炉之第一区中，当温度升至第一温度时，碳酸 盐分解，生成碱土金属的正位硅酸盐和铕(步骤4)；在 熔炉之第二区中，当温度升至第二温度时，加入还原性 气体混合物(步骤5)；在该熔炉退场门处取出该坩埚， 将该坩埚中的物质放入一溶液中(步骤6)；以及使用一 仪器对干燥的荧光粉进行测试，确定其参数(步骤7)。
于步骤1中，该BaCO3为30g，SrCO3为100g，EuCl2 为0.9g而SiO2为30g，且该BaCO3、SrCO3、EuCl2及SiO2 颗粒为超分散颗粒且其颗粒直径为10～50nm。
于步骤2中，该MgCO3为10g而该CaCO3为5g。
于步骤3中，该坩埚可为一刚铝石坩埚。
于步骤4中，在熔炉之第一区中，当温度升至第一 温度时，碳酸盐分解，生成碱土金属的正位硅酸盐和铕； 其中，该第一温度为1300℃。
于步骤5中，在熔炉之第二区中，当温度升至第二 温度时，加入还原性气体混合物；其中，该第二温度为 1260℃，该还原性气体混合物为H2∶N2＝5∶95。
于步骤6中，在该熔炉退场门处取出该坩埚，将该 坩埚中的物质放入一溶液中；其中，该溶液为CH3COOH 溶液，且其比例为1∶10。
于步骤7中，使用一仪器对干燥的荧光粉进行测试， 确定其参数；其中，该仪器为CS-2102仪器，其可测试 该荧光粉42之亮度，辐射亮度，色品坐标，峰值波长等 参数。
本发明第二实施例分荧光粉制造方法系以上述之溶 胶-凝胶法制造荧光粉，其包括下列步骤：用一沉淀剂在 特定的反应器中发生凝胶作用(步骤1)；将所得凝胶干 燥至所含水的质量至一特定浓度(步骤2)；用一磨具将 其磨成粉末(步骤3)；将该粉末放入一坩埚中(步骤4)； 以及加热至一特定温度即得该荧光粉(步骤5)。
于步骤1中，用一沉淀剂在特定的反应器中发生凝 胶作用；其中，该沉淀剂为H4Si3.5F0.5。
于步骤2中，将所得凝胶干燥至所含水的质量至一 特定浓度；其中，该含水的质量特定浓度为含水5-10％。
于步骤3中，用一磨具将其磨成粉末；其中，该磨 具为行星球磨机。
于步骤4中，将该粉末放入一坩埚中；其中，该坩 埚可为一刚铝石坩埚。
于步骤5中，加热至一特定温度即得该荧光粉；其 中，该特定温度不超过1150℃。
以上根据本发明较佳实施例所制造之荧光粉之化学 式如表2所示。表2中列出荧光粉的主要光谱和发光指 标。
表2
  表二中列出了本发明中荧光粉的主要参数   及对应的化学成份。   荧光粉化学成分  被波长  λ＝460nm的  光激发时对  应的发光亮  度(％)   色品坐标   (x，y)   辐射波长   (nm)   1.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Y，Cl(0.005)   60   0.46，0.52   569   2.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Y，Cl(0.01)   100   0.42，0.54   555   3.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Mn，Cl(0.01)   75   0.44，0.50   550，630   4.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Sn+2，F(0.01)   82   0.45，0.51   555，670   5.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Pr+3，Cl(0.02)   105   0.40，0.54   555，615   6.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Gd，F(0.01)   79   0.45，0.52   559   7.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Ce+3，F(0.01)   80   0.40，0.51   549   8.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Sm+2，F(0.01)   65   0.46，0.52   572   9.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Yb+2，Cl(0.01)   112   0.46，0.52   558   10.Mg(Ca，Sr，Ba)3Si2O8，Eu+2，Y，Cl(0.01)   150   0.26，0.62   522   11.(Ba0.3Sr0.7)2SiO4，Eu+2，F(0.04)标准样品   100   0.42，0.52   560
由表2中数据可知，荧光粉发光的色品坐标完全覆 盖了光谱的绿色，黄色和橙色光波段，峰值波长在522 至670nm间。这种荧光粉不仅用作光谱转化器的主要材 料，同时也是对绿黄色荧光粉的补充。
所有上述荧光粉在被波长λ＝460nm的光激发时都 具有相当高的发光亮度，而被波长λ＝395nm的紫外光激 发时的发光亮度大大超过了美国某公司生产的标准样品 的发光亮度。
前文中已说过，异质结需联为一体，联接模式可以 是并联，也可以是串联。当选用具有不同电阻率的异质 结时，通常更多采用串联模式。将发光表面覆盖有用作 光谱转换器40的荧光粉42的蓝光和紫外光异质结20、 30并联在一起构成白光光源。在这个并联电路中需串联 入光电阻以调节异质结20、30中的电流强度，这种电阻 通常由异质结材料本身的电阻来提供。当蓝光异质结30 中的电流强度在20mA～40mA间时，整体光通量中的 蓝光部分增多。同时光谱转换器40的辐射光谱向长波波 段移动。长波辐射的光通量超过了紫外光异质结20发光 和光谱转换器40被其激发发光的光通量。发光整体呈暖 色调，色温在3100К～5800К间。当增大紫外光异质 结中的电流强度时，情况则相反，会引起短波辐射的光 通量增大，色温T＞7000К。
需要特别指出的是，该半导体光源具有相当大的光 通量。当成对并联的异质结20、30处于完全电功率状态 W＝0.20w时，光通量F≥6lm，发光效率η≥30lm/w. 如果采用表面面积S＞1mm2的高质量氮化物异质结，当 其处于完全电功率状态W＝0.6w时，光通量F≥30lm， 发光效率η≥50lm/w。
该白光二极管光源的新颖性不仅体现下其电学和材 料学方面，还有其光学架构上的改进。为了不影响双频 带发光半导体源的白光输出，采用圆柱形透镜作光出射 装置，透镜的几何轴线穿过异质架构成的发光架构的几 何中心。这种圆柱形透镜出射装置能够消除白光出射时 的色差
综上所述，本发明的白光二极管系由至少两个分别 辐射不同波长的蓝光和紫外光的异质架构成，此外还包 括一个光谱转换器，该光谱转换器被激发产生的辐射与 氮化物异质结的两种原始辐射相混合，最终合成白光， 并可通过改变异质结的电功率调节白光的色度，因此， 确可改善习知白光二极管及其荧光粉制作方法之缺点。
虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然其并非用 以限定本发明，本领域普通技术人员在不脱离本发明的 精神和范围的情况下可作少许更动与润饰，因此本发明 的保护范围应当根据权利要求书来确定。