介电陶瓷组合物
阅读：117发布：2023-03-14
专利汇可以提供介电陶瓷组合物专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供一种可以与Ag 电极 共烧的、具有高 介电常数 和低介电损耗的介电陶瓷组合物，用于电器和 电子 器具的各种部件中。该组合物由下面的化学式表示：a重量％{xZrO2－yZnO－wNb2O5－zTiO2}+c重量％玻璃粉，其中5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0，及3.0≤c≤25.0。，下面是介电陶瓷组合物专利的具体信息内容。
1.一种介电陶瓷组合物，其含有75-97重量％的一种由下面的化 学式1表示的基础组合物：
xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2 1 其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；和3.0-25重量％的基于ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉。
2.权利要求1所要求的介电陶瓷组合物，其进一步含有1.5重量 ％或1.5重量％以下的一种选自由MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、 MnO2、Ta2O5及其结合组成的组中的氧化物。
3.权利要求1所要求的介电陶瓷组合物，其进一步含有5.0重量 ％或5.0重量％以下的CuO。
4.权利要求2所要求的介电陶瓷组合物，其进一步含有5.0重量 ％或5.0重量％以下的CuO。
5.权利要求1所要求的介电陶瓷组合物，其中所述的玻璃粉含 有30-70重量％的ZnO、5-30重量％的B2O3、5-40重量％的SiO2和2- 40重量％的PbO。
技术领域
本发明涉及广泛应用于高频电子元器件中的介电陶瓷组合物，更 具体说，本发明涉及一种低温共烧的介电陶瓷组合物，其具有高介电 常数和低介电损耗。
低温共烧的介电组合物(材料)是指可以在低于银(Ag)或铜(Cu)的 熔点的、800-950℃的温度范围下烧成的组合物(材料)，这与在1,300 ℃或更高温度下烧结的常规陶瓷介电体不同。
背景技术
近来电器和电子器具的小型化、轻盈和智能的大趋势要求电路板 上的代用器件的尺寸和数量大幅减少，还要求这些器件具有高性能。 为满足这些需求，进行了大量尝试，其中某些尝试是将处于电路板上 的部分制成多层，然后同时烧结介电体和电极。
但是，为实现电路板和零部件的多层化和同时烧结，常规介电材 料的高烧结温度需要在内电极结构中使用高熔点金属，如Mo或W。
但是，在内电极结构中采用Mo或W时，由于其高成本而带来 经济上的缺陷。最重要的是，由于存在射频电流停留在靠近导体表面 的趋肤效应，所以为减少介电损耗，需要在电极结构中使用低电阻的 金属。因此，必不可少地使用较为廉价且具有高电导率的金属，如Ag或Cu。
当Ag或Cu用于内电极结构中时，一个极为重要的研究课题是 找到一种可以在低于Ag(960℃)或Cu(1083℃)的熔点的温度下烧结的 介电材料。
通常，低温烧成的介电体通过液相烧结一种混合物制成，所述的 混合物含有具有高介电常数和低介电损耗的高温烧成材料和少量的低 熔点材料，例如玻璃粉或诸如CuO、PbO和Bi2O3、V2O5等的一种添 加剂，或通过烧结含有陶瓷作为填料的玻璃陶瓷制成。
当使用后者时，所得的基于玻璃的介电基质的介电常数为10或 10以下。
由于低介电常数在加速信号处理和改善信号传输方面具有优点， 具有10或10以下的介电常数的材料广泛应用于低温共烧陶瓷 (LTCC)。
同时，根据应用电路的性质，由具有低介电常数和中等介电常数 (15-100)的介电体制成的基质通常可能在电路设计和功能方面具有优 势，而且不延迟信号的处理。
但是，通常来说，使用具有高介电常数的介电体使导波的波长变 短，这使得电路的尺寸减小。因此，这样的介电体对强调电气元件尺 寸的用途非常有用，而且还具有减少电路的介入损耗或频率偏移的优 点。
较大的介电常数能够把传输线的宽度与介电体的厚度的比降至更 大的程度，这给予电路设计者一个设计更好的叠层结构的机会。
美国专利5,470,808公开了介电常数为大约40或40以上的、基 于ZrO2-AO-B2O5-TiO2(A＝Zn、Mg、Co、Mn，B＝Nb、Ta)的介电组合 物。这些介电组合物可以在1,300℃或更高的温度下烧结，该温度太 高而不能共烧Ag电极。也就是说，基于ZrO2-AO-B2O5-TiO2(A＝Zn、 Mg、Co、Mn，B＝Nb、Ta)的介电组合物单独用于TLCC时有困难。
但是，为实现电路板和零部件的多层化和同时烧结，常规介电材 料的高烧结温度需要在内电极结构中使用高熔点金属，如Mo或W。
但是，在内电极结构中采用Mo或W时，由于其高成本而带来 经济上的缺陷。最重要的是，由于存在射频电流停留在靠近导体表面 的趋肤效应，所以为减少介电损耗，需要在电极结构中使用低电阻的 金属。因此，必不可少地使用较为廉价且具有高电导率的金属，如Ag或Cu。
当Ag或Cu用于内电极结构中时，一个极为重要的研究课题是 找到一种可以在低于Ag(960℃)或Cu(1083℃)的熔点的温度下烧结的 介电材料。
通常，低温烧成的介电体通过液相烧结一种混合物制成，所述的 混合物含有具有高介电常数和低介电损耗的高温烧成材料和少量的低 熔点材料，例如玻璃粉或诸如CuO、PbO和Bi2O3、V2O5等的一种添 加剂，或通过烧结含有陶瓷作为填料的玻璃陶瓷制成。
当使用后者时，所得的基于玻璃的介电基质的介电常数为10或 10以下。
由于低介电常数在加速信号处理和改善信号传输方面具有优点， 具有10或10以下的介电常数的材料广泛应用于低温共烧陶瓷 (LTCC)。
同时，根据应用电路的性质，由具有低介电常数和中等介电常数 (15-100)的介电体制成的基质通常可能在电路设计和功能方面具有优 势，而且不延迟信号的处理。
但是，通常来说，使用具有高介电常数的介电体使导波的波长变 短，这使得电路的尺寸减小。因此，这样的介电体对强调电气元件尺 寸的用途非常有用，而且还具有减少电路的介入损耗或频率偏移的优 点。
较大的介电常数能够把传输线的宽度与介电体的厚度的比降至更 大的程度，这给予电路设计者一个设计更好的叠层结构的机会。
美国专利5,470,808公开了介电常数为大约40或40以上的、基 于ZrO2-AO-B2O5-TiO2(A＝Zn、Mg、Co、Mn，B＝Nb、Ta)的介电组合 物。这些介电组合物可以在1,300℃或更高的温度下烧结，该温度太 高而不能共烧Ag电极。也就是说，基于ZrO2-AO-B2O5-TiO2(A＝Zn、 Mg、Co、Mn，B＝Nb、Ta)的介电组合物单独用于TLCC时有困难。
发明内容
因此，本发明的一个目的是克服现有技术中遇到的问题，并提供 一种具有高介电常数、低介电损耗、可低温烧结的介电陶瓷组合物。
本发明的另一个目的是提供一种介电陶瓷组合物，其烧结性能得 到改进，且具有可控的高频介电性能。
按照本发明的一个方面，提供一种由下面的化学式1表示的介电 陶瓷组合物： 化学式1
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+c重量％玻璃粉 其中，5.0摩尔％≤ x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；及3.0≤c≤25.0。
按照本发明的另一方面，提供一种由下面的化学式2表示的介电 陶瓷组合物： 化学式2
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+b重量％(MgO、 CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2、Ta2O5或其结合)+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉 其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；b≤1.5；及3.0≤c≤25.0。
按照本发明的一个进一步的方面，提供一种由下面的化学式3表 示的介电陶瓷组合物： 化学式3
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉+d重量％CuO其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；3.0≤c≤25.0；及d≤5.0。
按照本发明的再一个进一步的方面，提供一种由下面的化学式4 表示的介电陶瓷组合物： 化学式4
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+b重量％(MgO、 CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2、Ta2O5或其结合)+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉+d重量％CuO其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；b≤1.5；3.0≤c≤25.0；及d≤5.0。
本发明的另一个目的是提供一种介电陶瓷组合物，其烧结性能得 到改进，且具有可控的高频介电性能。
按照本发明的一个方面，提供一种由下面的化学式1表示的介电 陶瓷组合物： 化学式1
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+c重量％玻璃粉 其中，5.0摩尔％≤ x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；及3.0≤c≤25.0。
按照本发明的另一方面，提供一种由下面的化学式2表示的介电 陶瓷组合物： 化学式2
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+b重量％(MgO、 CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2、Ta2O5或其结合)+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉 其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；b≤1.5；及3.0≤c≤25.0。
按照本发明的一个进一步的方面，提供一种由下面的化学式3表 示的介电陶瓷组合物： 化学式3
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉+d重量％CuO其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；3.0≤c≤25.0；及d≤5.0。
按照本发明的再一个进一步的方面，提供一种由下面的化学式4 表示的介电陶瓷组合物： 化学式4
a重量％{xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2}+b重量％(MgO、 CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2、Ta2O5或其结合)+c重量％基于 ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉+d重量％CuO其中，5.0摩尔％≤x≤45.0摩尔％；1.5摩尔％≤y≤19.0摩尔％；1.5 摩尔％≤w≤19.0摩尔％；40.0摩尔％≤z≤59.0摩尔％，条件是 x+y+w+z＝100；75.0≤a≤97.0；b≤1.5；3.0≤c≤25.0；及d≤5.0。
具体实施方式
本发明的介电组合物以具有低介电损耗和高介电常数(＞45)的 ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2为基础，含有ZnO-B2O3-SiO2玻璃粉作为助烧结 剂，从而表现出30或30以上的高介电常数及低介电损耗(Q＞1,000(在 3GHz)，Q＝1/tanδ)，并能够与Ag电极结构共烧。
可以在该组合物中进一步加入至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、 Sb2O3、Sb2O5、MnO2和Ta2O5组成的组中的氧化物，和/或CuO。在 该介电组合物中，氧化物用来增进介电性能，而CuO充当助烧结剂。
如上所述，该ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷组合物具有低介电损耗 和45 或45以上的介电常数，并在1,300℃烧结。该高烧结温不可能 使该陶瓷组合物与由熔点为961℃的Ag制成的电极一起进行烧结。
按照本发明，基础陶瓷组合物ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2的成分的摩 尔比改变，并在其中并入了一定量的玻璃粉，这样就有可能共烧该陶 瓷组合物和Ag电极。用于本发明中的该基础陶瓷组合物 ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2含有5.0-45摩尔％的ZrO2(x)、1.5-19.0摩尔％的ZnO(y)、 1.5-19.0摩尔％的Nb2O5(w)和40-59.0摩尔％的TiO2(z)，条件是 x+y+w+z＝100。
如果ZnO或Nb2O5的含量低于1.5摩尔％，该基础陶瓷组合物不 能在1,300℃烧结，以致于不能测定其介电性能。如果高于1.5摩尔％， ZnO和Nb2O5都能起到改进烧结性能的作用。增加ZnO和Nb2O5的含 量使该基础陶瓷组合物的介电常数增加，并使频率的温度系数(TCF) 从负向正方向增加。另一方面，如果ZnO或Nb2O5的含量高于19.0 摩尔％，烧结密度下降，而共振频率的温度系数在正方向上过度增大。
如果ZrO2的含量低于5摩尔％，则共振频率的温度系数在正方向 上太高，以致于无法在实践中使用该基础陶瓷组合物。另一方面，如 果ZrO2的含量超过45摩尔％，则即使在1,400℃该基础陶瓷组合物也 不能烧结。
由ZrO2、ZnO和Nb2O5的预定摩尔比，TiO2的含量范围定为40- 59.0摩尔％。
可用于本发明中的是基于ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉。优选该玻璃 粉含有30-70重量％的ZnO、5-30重量％的B2O3、5-40重量％的SiO2 和2-40重量％的PbO。
B2O3降低玻璃的粘度并促进本发明的介电陶瓷组合物的稠化。 B2O3的用量低于5重量％时，在低于900℃的温度下，该介电陶瓷组 合物很可能不能被烧结。B2O3的用量超过30重量％时，该介电陶瓷 组合物的耐湿性较差。因此，优选其在玻璃粉中的含量范围为5-30重 量％。
SiO2的含量超过40重量％会导致玻璃粉的软化温度过度增大， 这样玻璃粉就不能充当助烧结剂。当SiO2的含量低于5重量％时，不 能发挥其作用。因此，优选SiO2的用量在5-40重量％的范围内。
当PbO的含量低于2重量％时，玻璃粉的软化温度(Ts)太高，从 而无助于该介电陶瓷组合物的稠化。另一方面，如果PbO的含量超过 40重量％，则会降低玻璃粉的Ts从而促进组合物的稠化，但存在一 个问题，就是Q值下降。考虑到上述事实，限定PbO在玻璃粉中的 含量范围为2-40重量％。
优选ZnO的用量为30-70重量％。过多的使用ZnO导致玻璃粉 的软化温度增大，使得不可能进行低温烧结。
按照本发明的另一个实施方案，在本发明的介电陶瓷组合物中进 一步使用至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2和 Ta2O5组成的组中的氧化物，以提高介电性能。与主组分ZrO2、ZnO、 Nb2O5和TiO2的电荷和离子半径类似，氧化物MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、 Sb2O5、MnO2和Ta2O5影响主组分的离子键而降低介电损耗，起到增 大Q值的作用，而介电常数和共振频率的温度系数没有大的变化。氧 化物的用量为1.5重量％或1.5重量％以下。如果氧化物的添加量超过 1.5重量％，介电常数和Q值都会显著下降。
按照本发明的另一个实施方案，进一步在本发明的陶瓷组合物中 使用CuO。CuO与玻璃粉一起充当助烧结剂，增大介电常数。另外， CuO还在控制频率的温度系数，使Q值不发生大的变化方面发挥作 用。优选其用量为5重量％或5重量％以下。如果超过在介电体中的 溶解度界限，CuO就会处于表面上，使Q值显著上升。
以下将描述本发明的介电陶瓷组合物的制备。
按照所需要的组合物xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2称量纯度 为99.0％或99.0％以上的起始物质ZrO2、ZnO、Nb2O5和TiO2，并将 这些物质以湿法混合。关于这一点，湿法混合是通过在一台棒磨机中， 借助3Φ氧化锆球在去离子水中碾磨起始物质约16小时进行的。干燥 并煅烧如此得到的浆料。优选以5℃/分的加热速率，在1,000-1,030℃ 下煅烧约2小时。当煅烧温度低于1,000℃时，大量的ZrO2残留在未 反应相中，使收缩率增大。另一方面，当煅烧温度高于1,030℃时， 粉末变得过于粗糙而无法在以后磨碎。
按照所需要的组合物称量以后，玻璃粉组分在1,200-1,400℃熔 化、用水淬火并以干法磨碎。之后，将粗糙的颗粒在乙醇中精磨为大 小为0.5～1.0μm的粉末。
将基础介电陶瓷组合物与玻璃粉组合物、适宜量的CuO和适宜 量的至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2和Ta2O5 组成的组中的添加剂在一批中混合，然后将所得混合物磨碎。
干燥后，在600-700℃下二次煅烧如此获得的粉末。第二次煅烧 的温度比玻璃粉的软化温度(Ts)稍高，使介电体与玻璃粉为均相，从 而提高了介电陶瓷组合物烧结后的均匀性。
接下来，进一步将煅烧的粉末分解至所需的粒子尺寸、与一种粘 合剂混合，并模塑为所需要的形状如圆盘状或片状。
然后，煅烧圆盘状或片状电极，并在低于900℃的温度下共烧， 得到所需要的器件。
以上概括说明了本发明，参照某些特定的实施例可以进一步理解 本发明，在本文中列出这些实施例的目的是仅用于说明，除非另有说 明，无意限制本发明。
实施例1
根据下表1中的数据，按照组合物xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2 称量ZrO2、ZnO、Nb2O5和TiO2，并使用一台棒磨机，在3Φ氧 化锆球的存在下，将其在去离子水中混合16小时。
表1中，基础组合物9进一步含有MnO2。如下表2和3所示， 向基础组合物4和5中加入一种或两种选自MnO2、Ta2O5、MgO、Sb2O5 和SiO2中的添加剂。
将如此获得的浆料干燥，在研钵中粗磨，以5℃/分的加热速率加 热到1,000-1,030℃，并在该温度下煅烧2小时。
随后，首先在研钵中研磨，之后使用行星式轧机以200转/分(rpm) 的转速研磨30分钟，磨碎煅烧的粉末。与一种粘合剂结合后，通过 单轴压缩机，使用14mmΦ的模具，以2.0吨/平方厘米(cm2)的压力将 磨碎的粉末模塑为一个圆盘。将试样在1,300℃烧结3小时，并测定 其介电常数(K)、Q值、TCF和烧结密度。结果列在下表1-3中。
存表1-3中，通过Hakki & Coleman法测定介由常数(K)和Q值， 通过空腔谐振法测定共振频率的温度系数(TCF)。在20-85℃之间测量 TCF。关于这一点，试样保持在20℃后测定试样的共振频率，然后加 热到85℃并在该温度下保持30分钟后，测定共振频率。通过该测量， 测得了TCF。
表1 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 1 46.2 1.4 1.4 51.0 - 20.0 880 -45.0 4.0 2 41.8 3.5 3.0 51.7 - 40.2 12,700 -15.0 4.82 3 34.0 7.7 7.3 51.0 - 43.5 11,800 -10.0 4.88 4 28.2 9.3 9.5 53.0 - 42.6 12,000 -2.0 4.85 5 25.8 10.8 10.5 52.9 - 45.2 8,200 5.0 4.89 6 16.8 13.5 13.0 56.7 - 47.0 5,000 9.0 4.82 7 4.9 19.2 19.1 56.8 - 65 2,800 50 4.5 8 11.5 18.5 18.6 51.4 - 48.2 11,700 15.0 5.0 9 32.0 13.0 13.2 41.8 MnO2：0.2 41.5 15,000 -5.0 5.2
表2 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 5 25.8 10.8 10.5 52.9 45.2 8.200 5.0 4.89 5-1 MgO：0.1 46.0 9,430 6.0 4.88 5-2 MgO：0.5 46.2 9,470 8.0 4.87 5-3 MgO：1.6 43.2 4,890 15.0 4.78 5-4 Ta2O5：0.1 45.0 11,700 2.5 4.87 5-5 Sb2O5：0.1 44.8 13,400 4.2 4.87 5-6 MgO：0.1 +MnO2：0.1 45.8 10,170 3.0 4.92 5-7 MgO：0.1 +MnO2：0.2 45.9 10,400 1.0 4.93 5-8 MgO：0.3 +MnO2：0.1 46.0 10,420 5.0 4.92 5-9 Ta2O5：0.1 +MnO2：0.1 45.6 12,860 2.0 4.93 5-10 Ta2O5：0.1 +MnO2：0.3 45.8 13,700 -0.5 4.94
表3 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 4 28.2 9.3 9.5 53.0 42.6 12,000 -2.0 4.85 4-1 MnO2：0.1 43.0 12,526 -3.0 4.87 4-2 MgO：0.1 43.2 13,180 -4.0 4.88 4-3 Sb2O5：0.1 43.0 12,840 -1.0 4.86 4-4 SiO2：0.1 44.2 13,100 -3.8 4.87
如表1所示，随基础陶瓷组合物中ZnO和Nb2O5含量的增大， 介电常数和TCF上升。当基础组合物分别含有约10重量％的ZnO和 Nb2O5时，其TCF显著地从负值变为正值。
另外与此相反，也可看出在某些组合物中，当ZnO和Nb2O5的 含量分别超过10摩尔％时，介电常数上升，但Q值减小。原因是当ZnO和Nb2O5的用量分别为10摩尔％或10摩尔％以下时，其形成一种Zr(Zn，Nb)TiO4固溶体，但当其含量分别超过10摩尔％时，ZnO和Nb2O5形 成减小Q值的次生相(ZnNb)TiO4。而且，次生相(ZnNb)TiO4的TCF 高至+70ppm/℃，这使得当ZnO或Nb2O5的含量为19摩尔％时，基础 介电陶瓷组合物的TCF达+50。因此，在实践中不能使用含有超过19 摩尔％的ZnO和Nb2O5的组合物。
从表2的数据明显看出，通过向表1的5号组合物中添加一种或 两种选自MgO、Ta2O5、Sb2O5和MnO2的添加剂，Q值增大较大，而 介电常数变化不大。
从组合物5-1至5-3号可以看出，添加MgO，介电常数和Q值增 大，但当用量超过1.6重量％时，介电常数和Q值显著下降。
另外，表3的数据证明添加MnO2、MgO、Sb2O5或SiO2极大地 增大Q值，而保持介电常数和共振频率的温度系数变化不大。
实施例2
表1组合物8和9分别在研钵中被粗磨后，按下表5所示向每种 组合物中分别加入3.0-25.0重量％的玻璃粉。
玻璃粉的制备方法为：按表4的组合物称量其组分，使各组分在 1,200-1,400℃熔化，用水淬火，干法研磨为粗颗粒，及将其在乙醇中 研磨至尺寸为0.5-1.0μm。
接下来，将混合物干燥，并在600-700℃下煅烧2小时。
随后，先在研钵中研磨煅烧的粉末，后在行星式轧机中以200rpm 的转速研磨30分钟。与一种粘合剂结合后，通过单轴压缩机，使用14mm Φ的模具，以2.0吨/平方厘米的压力将磨碎的粉末模塑为一个圆盘。 将试样在900或1,050℃烧结30分钟，并测定其介电常数(K)、Q值、 TCF和烧结密度。结果列在下表5中。
在表5中，通过在1,050℃下，分别烧结比较组合物1和5制备 比较组合物2和6。另外，还分析了试样的烧结状态，结果列于表5 中。
以与实施例1相同的方式测定介电性能，包括介电常数(K)、Q 值和TCF。
表4 玻璃粉编号 B2O3 SiO2 ZnO PbO 实施例G1 20 10 55 15 实施例G2 15 20 58 7 比较例G3 3 27 60 10 比较例G4 35 20 40 5 比较例G5 20 3 55 22 比较例G6 15 45 35 5 比较例G7 20 30 49 1 比较例G8 10 15 32 43 比较例G9 12 10 75 3
表5 介电体 编号 介电组合物 玻璃粉 (重量％) CuO (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结温度 (℃) 备注 种 类 量 (重量％) 比较例1 8 98.0 2.0(G1) 0 - 900 1P.S 比较例2 8 98.0 2.0(G1) 0 40 7,800 14.1 1050 烧结 实施例1 8 97.0 3.0(G1) 0 35 6,360 13.0 900 烧结 实施例2 8 96.0 3.0(G1) 1.0 41.3 5,830 12.5 900 烧结 实施例3 8 96.0 4.0(G1) 0 36.5 6,010 12.0 900 烧结 实施例4 8 92.0 8.0(G1) 0 38.5 4,930 8.5 900 烧结 实施例5 8 85.0 15.0(G1) 0 38.9 3,170 5.0 900 烧结 实施例6 8 75.0 25.0(G1) 0 32.5 2,020 -14.5 900 烧结 比较例3 8 73 27.0(G1) 0 25.9 500 -25.0 900 烧结 实施例7 8 94.0 3.0(G1) 3.0 44.3 5,600 11.0 900 烧结 实施例8 8 92.0 3.0(G1) 5.0 41.2 5,410 10.0 900 烧结 比较例4 8 91.0 3.0(G1) 6.0 35.0 400 6.0 900 烧结 比较例5 9 98.0 2.0(G2) 0 - - - 900 1P.S. 比较例6 9 98.0 2.0(G2) 0 39.5 12,000 -6.0 1050 烧结 实施例9 9 97.0 3.0(G2) 0 32.8 7,830 -5.5 900 烧结 实施例10 9 96.0 3.0(G2) 1.0 37.5 7,360 -4.5 900 烧结 实施例11 9 96.0 4.0(G2) 0 33.9 7,160 -6.1 900 烧结 实施例12 9 92.0 8.0(G2) 0 35.8 4,120 -7.9 900 烧结 实施例13 9 85.0 15.0(G2) 0 36.4 3,270 -12.5 900 烧结 实施例14 9 75.0 25.0(G2) 0 33.8 2,170 -15.5 900 烧结 比较例7 9 73 27.0(G2) 0 27.5 660 -21.6 900 烧结 实施例15 9 94.0 3.0(G2) 3.0 38.4 7,000 -3.4 900 烧结 实施例16 9 92.0 3.0(G2) 5.0 36.8 5,000 -2.5 900 烧结 比较例8 8 92.0 8.0(G3) 0 - - - - 1P.S. 比较例9 8 92.0 8.0(G4) 0 32 4,100 -12 900 2P.M. 比较例10 8 92.0 8.0(G5) 0 - - - - 1P.S. 比较例11 8 92.0 8.0(G6) 0 - - - - 1P.S. 比较例12 8 92.0 8.0(G7) 0 - - - - 1P.S. 比较例13 8 97.0 3.0(G8) 0 36.0 420 9.0 900 Q不 好 比较例14 8 92.0 8.0(G9) 0 - - - - 1P.S.
1烧结不好
2耐湿性不好
如表5所示，本发明的介电陶瓷组合物1-16除了在低至900℃下 烧结以外，其还具有32.5或32.5以上的介电常数、2,000或2,000以 上的Q值和±20.0ppm/℃的TCF。
相反，比较组合物1-14在900℃烧结不好，即使烧结，性能也不 好。
如上文所述，本发明提供可以与Ag电极一起在低至900℃的温 度下共烧的介电陶瓷组合物。添加了玻璃粉和CuO的该介电陶瓷组合 物表现出30或30以上的介电常数、1,000或1,000以上的Q值和 ±20.0ppm/℃的TCF，因此这些组合物适用于多层化的LC滤波器。
以举例的方式描述了本发明，但应当理解所用的术语意在用于说 明而非用于限制。按照上述教导，有可能对本发明进行多种改变和变 化。因此，应当理解在附带的权利要求书的范围内，本发明可以在除 特定描述的内容以外进行实践。
可以在该组合物中进一步加入至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、 Sb2O3、Sb2O5、MnO2和Ta2O5组成的组中的氧化物，和/或CuO。在 该介电组合物中，氧化物用来增进介电性能，而CuO充当助烧结剂。
如上所述，该ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2陶瓷组合物具有低介电损耗 和45 或45以上的介电常数，并在1,300℃烧结。该高烧结温不可能 使该陶瓷组合物与由熔点为961℃的Ag制成的电极一起进行烧结。
按照本发明，基础陶瓷组合物ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2的成分的摩 尔比改变，并在其中并入了一定量的玻璃粉，这样就有可能共烧该陶 瓷组合物和Ag电极。用于本发明中的该基础陶瓷组合物 ZrO2-ZnO-Nb2O5-TiO2含有5.0-45摩尔％的ZrO2(x)、1.5-19.0摩尔％的ZnO(y)、 1.5-19.0摩尔％的Nb2O5(w)和40-59.0摩尔％的TiO2(z)，条件是 x+y+w+z＝100。
如果ZnO或Nb2O5的含量低于1.5摩尔％，该基础陶瓷组合物不 能在1,300℃烧结，以致于不能测定其介电性能。如果高于1.5摩尔％， ZnO和Nb2O5都能起到改进烧结性能的作用。增加ZnO和Nb2O5的含 量使该基础陶瓷组合物的介电常数增加，并使频率的温度系数(TCF) 从负向正方向增加。另一方面，如果ZnO或Nb2O5的含量高于19.0 摩尔％，烧结密度下降，而共振频率的温度系数在正方向上过度增大。
如果ZrO2的含量低于5摩尔％，则共振频率的温度系数在正方向 上太高，以致于无法在实践中使用该基础陶瓷组合物。另一方面，如 果ZrO2的含量超过45摩尔％，则即使在1,400℃该基础陶瓷组合物也 不能烧结。
由ZrO2、ZnO和Nb2O5的预定摩尔比，TiO2的含量范围定为40- 59.0摩尔％。
可用于本发明中的是基于ZnO-B2O3-SiO2的玻璃粉。优选该玻璃 粉含有30-70重量％的ZnO、5-30重量％的B2O3、5-40重量％的SiO2 和2-40重量％的PbO。
B2O3降低玻璃的粘度并促进本发明的介电陶瓷组合物的稠化。 B2O3的用量低于5重量％时，在低于900℃的温度下，该介电陶瓷组 合物很可能不能被烧结。B2O3的用量超过30重量％时，该介电陶瓷 组合物的耐湿性较差。因此，优选其在玻璃粉中的含量范围为5-30重 量％。
SiO2的含量超过40重量％会导致玻璃粉的软化温度过度增大， 这样玻璃粉就不能充当助烧结剂。当SiO2的含量低于5重量％时，不 能发挥其作用。因此，优选SiO2的用量在5-40重量％的范围内。
当PbO的含量低于2重量％时，玻璃粉的软化温度(Ts)太高，从 而无助于该介电陶瓷组合物的稠化。另一方面，如果PbO的含量超过 40重量％，则会降低玻璃粉的Ts从而促进组合物的稠化，但存在一 个问题，就是Q值下降。考虑到上述事实，限定PbO在玻璃粉中的 含量范围为2-40重量％。
优选ZnO的用量为30-70重量％。过多的使用ZnO导致玻璃粉 的软化温度增大，使得不可能进行低温烧结。
按照本发明的另一个实施方案，在本发明的介电陶瓷组合物中进 一步使用至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2和 Ta2O5组成的组中的氧化物，以提高介电性能。与主组分ZrO2、ZnO、 Nb2O5和TiO2的电荷和离子半径类似，氧化物MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、 Sb2O5、MnO2和Ta2O5影响主组分的离子键而降低介电损耗，起到增 大Q值的作用，而介电常数和共振频率的温度系数没有大的变化。氧 化物的用量为1.5重量％或1.5重量％以下。如果氧化物的添加量超过 1.5重量％，介电常数和Q值都会显著下降。
按照本发明的另一个实施方案，进一步在本发明的陶瓷组合物中 使用CuO。CuO与玻璃粉一起充当助烧结剂，增大介电常数。另外， CuO还在控制频率的温度系数，使Q值不发生大的变化方面发挥作 用。优选其用量为5重量％或5重量％以下。如果超过在介电体中的 溶解度界限，CuO就会处于表面上，使Q值显著上升。
以下将描述本发明的介电陶瓷组合物的制备。
按照所需要的组合物xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2称量纯度 为99.0％或99.0％以上的起始物质ZrO2、ZnO、Nb2O5和TiO2，并将 这些物质以湿法混合。关于这一点，湿法混合是通过在一台棒磨机中， 借助3Φ氧化锆球在去离子水中碾磨起始物质约16小时进行的。干燥 并煅烧如此得到的浆料。优选以5℃/分的加热速率，在1,000-1,030℃ 下煅烧约2小时。当煅烧温度低于1,000℃时，大量的ZrO2残留在未 反应相中，使收缩率增大。另一方面，当煅烧温度高于1,030℃时， 粉末变得过于粗糙而无法在以后磨碎。
按照所需要的组合物称量以后，玻璃粉组分在1,200-1,400℃熔 化、用水淬火并以干法磨碎。之后，将粗糙的颗粒在乙醇中精磨为大 小为0.5～1.0μm的粉末。
将基础介电陶瓷组合物与玻璃粉组合物、适宜量的CuO和适宜 量的至少一种选自由MgO、CoO、SiO2、Sb2O3、Sb2O5、MnO2和Ta2O5 组成的组中的添加剂在一批中混合，然后将所得混合物磨碎。
干燥后，在600-700℃下二次煅烧如此获得的粉末。第二次煅烧 的温度比玻璃粉的软化温度(Ts)稍高，使介电体与玻璃粉为均相，从 而提高了介电陶瓷组合物烧结后的均匀性。
接下来，进一步将煅烧的粉末分解至所需的粒子尺寸、与一种粘 合剂混合，并模塑为所需要的形状如圆盘状或片状。
然后，煅烧圆盘状或片状电极，并在低于900℃的温度下共烧， 得到所需要的器件。
以上概括说明了本发明，参照某些特定的实施例可以进一步理解 本发明，在本文中列出这些实施例的目的是仅用于说明，除非另有说 明，无意限制本发明。
实施例1
根据下表1中的数据，按照组合物xZrO2-yZnO-wNb2O5-zTiO2 称量ZrO2、ZnO、Nb2O5和TiO2，并使用一台棒磨机，在3Φ氧 化锆球的存在下，将其在去离子水中混合16小时。
表1中，基础组合物9进一步含有MnO2。如下表2和3所示， 向基础组合物4和5中加入一种或两种选自MnO2、Ta2O5、MgO、Sb2O5 和SiO2中的添加剂。
将如此获得的浆料干燥，在研钵中粗磨，以5℃/分的加热速率加 热到1,000-1,030℃，并在该温度下煅烧2小时。
随后，首先在研钵中研磨，之后使用行星式轧机以200转/分(rpm) 的转速研磨30分钟，磨碎煅烧的粉末。与一种粘合剂结合后，通过 单轴压缩机，使用14mmΦ的模具，以2.0吨/平方厘米(cm2)的压力将 磨碎的粉末模塑为一个圆盘。将试样在1,300℃烧结3小时，并测定 其介电常数(K)、Q值、TCF和烧结密度。结果列在下表1-3中。
存表1-3中，通过Hakki & Coleman法测定介由常数(K)和Q值， 通过空腔谐振法测定共振频率的温度系数(TCF)。在20-85℃之间测量 TCF。关于这一点，试样保持在20℃后测定试样的共振频率，然后加 热到85℃并在该温度下保持30分钟后，测定共振频率。通过该测量， 测得了TCF。
表1 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 1 46.2 1.4 1.4 51.0 - 20.0 880 -45.0 4.0 2 41.8 3.5 3.0 51.7 - 40.2 12,700 -15.0 4.82 3 34.0 7.7 7.3 51.0 - 43.5 11,800 -10.0 4.88 4 28.2 9.3 9.5 53.0 - 42.6 12,000 -2.0 4.85 5 25.8 10.8 10.5 52.9 - 45.2 8,200 5.0 4.89 6 16.8 13.5 13.0 56.7 - 47.0 5,000 9.0 4.82 7 4.9 19.2 19.1 56.8 - 65 2,800 50 4.5 8 11.5 18.5 18.6 51.4 - 48.2 11,700 15.0 5.0 9 32.0 13.0 13.2 41.8 MnO2：0.2 41.5 15,000 -5.0 5.2
表2 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 5 25.8 10.8 10.5 52.9 45.2 8.200 5.0 4.89 5-1 MgO：0.1 46.0 9,430 6.0 4.88 5-2 MgO：0.5 46.2 9,470 8.0 4.87 5-3 MgO：1.6 43.2 4,890 15.0 4.78 5-4 Ta2O5：0.1 45.0 11,700 2.5 4.87 5-5 Sb2O5：0.1 44.8 13,400 4.2 4.87 5-6 MgO：0.1 +MnO2：0.1 45.8 10,170 3.0 4.92 5-7 MgO：0.1 +MnO2：0.2 45.9 10,400 1.0 4.93 5-8 MgO：0.3 +MnO2：0.1 46.0 10,420 5.0 4.92 5-9 Ta2O5：0.1 +MnO2：0.1 45.6 12,860 2.0 4.93 5-10 Ta2O5：0.1 +MnO2：0.3 45.8 13,700 -0.5 4.94
表3 编 号 基础组合物 (摩尔％) 添加剂 (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结密度 (g/cm3) X Y W Z 4 28.2 9.3 9.5 53.0 42.6 12,000 -2.0 4.85 4-1 MnO2：0.1 43.0 12,526 -3.0 4.87 4-2 MgO：0.1 43.2 13,180 -4.0 4.88 4-3 Sb2O5：0.1 43.0 12,840 -1.0 4.86 4-4 SiO2：0.1 44.2 13,100 -3.8 4.87
如表1所示，随基础陶瓷组合物中ZnO和Nb2O5含量的增大， 介电常数和TCF上升。当基础组合物分别含有约10重量％的ZnO和 Nb2O5时，其TCF显著地从负值变为正值。
另外与此相反，也可看出在某些组合物中，当ZnO和Nb2O5的 含量分别超过10摩尔％时，介电常数上升，但Q值减小。原因是当ZnO和Nb2O5的用量分别为10摩尔％或10摩尔％以下时，其形成一种Zr(Zn，Nb)TiO4固溶体，但当其含量分别超过10摩尔％时，ZnO和Nb2O5形 成减小Q值的次生相(ZnNb)TiO4。而且，次生相(ZnNb)TiO4的TCF 高至+70ppm/℃，这使得当ZnO或Nb2O5的含量为19摩尔％时，基础 介电陶瓷组合物的TCF达+50。因此，在实践中不能使用含有超过19 摩尔％的ZnO和Nb2O5的组合物。
从表2的数据明显看出，通过向表1的5号组合物中添加一种或 两种选自MgO、Ta2O5、Sb2O5和MnO2的添加剂，Q值增大较大，而 介电常数变化不大。
从组合物5-1至5-3号可以看出，添加MgO，介电常数和Q值增 大，但当用量超过1.6重量％时，介电常数和Q值显著下降。
另外，表3的数据证明添加MnO2、MgO、Sb2O5或SiO2极大地 增大Q值，而保持介电常数和共振频率的温度系数变化不大。
实施例2
表1组合物8和9分别在研钵中被粗磨后，按下表5所示向每种 组合物中分别加入3.0-25.0重量％的玻璃粉。
玻璃粉的制备方法为：按表4的组合物称量其组分，使各组分在 1,200-1,400℃熔化，用水淬火，干法研磨为粗颗粒，及将其在乙醇中 研磨至尺寸为0.5-1.0μm。
接下来，将混合物干燥，并在600-700℃下煅烧2小时。
随后，先在研钵中研磨煅烧的粉末，后在行星式轧机中以200rpm 的转速研磨30分钟。与一种粘合剂结合后，通过单轴压缩机，使用14mm Φ的模具，以2.0吨/平方厘米的压力将磨碎的粉末模塑为一个圆盘。 将试样在900或1,050℃烧结30分钟，并测定其介电常数(K)、Q值、 TCF和烧结密度。结果列在下表5中。
在表5中，通过在1,050℃下，分别烧结比较组合物1和5制备 比较组合物2和6。另外，还分析了试样的烧结状态，结果列于表5 中。
以与实施例1相同的方式测定介电性能，包括介电常数(K)、Q 值和TCF。
表4 玻璃粉编号 B2O3 SiO2 ZnO PbO 实施例G1 20 10 55 15 实施例G2 15 20 58 7 比较例G3 3 27 60 10 比较例G4 35 20 40 5 比较例G5 20 3 55 22 比较例G6 15 45 35 5 比较例G7 20 30 49 1 比较例G8 10 15 32 43 比较例G9 12 10 75 3
表5 介电体 编号 介电组合物 玻璃粉 (重量％) CuO (重量％) K Q TCF (ppm/℃) 烧结温度 (℃) 备注 种 类 量 (重量％) 比较例1 8 98.0 2.0(G1) 0 - 900 1P.S 比较例2 8 98.0 2.0(G1) 0 40 7,800 14.1 1050 烧结 实施例1 8 97.0 3.0(G1) 0 35 6,360 13.0 900 烧结 实施例2 8 96.0 3.0(G1) 1.0 41.3 5,830 12.5 900 烧结 实施例3 8 96.0 4.0(G1) 0 36.5 6,010 12.0 900 烧结 实施例4 8 92.0 8.0(G1) 0 38.5 4,930 8.5 900 烧结 实施例5 8 85.0 15.0(G1) 0 38.9 3,170 5.0 900 烧结 实施例6 8 75.0 25.0(G1) 0 32.5 2,020 -14.5 900 烧结 比较例3 8 73 27.0(G1) 0 25.9 500 -25.0 900 烧结 实施例7 8 94.0 3.0(G1) 3.0 44.3 5,600 11.0 900 烧结 实施例8 8 92.0 3.0(G1) 5.0 41.2 5,410 10.0 900 烧结 比较例4 8 91.0 3.0(G1) 6.0 35.0 400 6.0 900 烧结 比较例5 9 98.0 2.0(G2) 0 - - - 900 1P.S. 比较例6 9 98.0 2.0(G2) 0 39.5 12,000 -6.0 1050 烧结 实施例9 9 97.0 3.0(G2) 0 32.8 7,830 -5.5 900 烧结 实施例10 9 96.0 3.0(G2) 1.0 37.5 7,360 -4.5 900 烧结 实施例11 9 96.0 4.0(G2) 0 33.9 7,160 -6.1 900 烧结 实施例12 9 92.0 8.0(G2) 0 35.8 4,120 -7.9 900 烧结 实施例13 9 85.0 15.0(G2) 0 36.4 3,270 -12.5 900 烧结 实施例14 9 75.0 25.0(G2) 0 33.8 2,170 -15.5 900 烧结 比较例7 9 73 27.0(G2) 0 27.5 660 -21.6 900 烧结 实施例15 9 94.0 3.0(G2) 3.0 38.4 7,000 -3.4 900 烧结 实施例16 9 92.0 3.0(G2) 5.0 36.8 5,000 -2.5 900 烧结 比较例8 8 92.0 8.0(G3) 0 - - - - 1P.S. 比较例9 8 92.0 8.0(G4) 0 32 4,100 -12 900 2P.M. 比较例10 8 92.0 8.0(G5) 0 - - - - 1P.S. 比较例11 8 92.0 8.0(G6) 0 - - - - 1P.S. 比较例12 8 92.0 8.0(G7) 0 - - - - 1P.S. 比较例13 8 97.0 3.0(G8) 0 36.0 420 9.0 900 Q不 好 比较例14 8 92.0 8.0(G9) 0 - - - - 1P.S.
1烧结不好
2耐湿性不好
如表5所示，本发明的介电陶瓷组合物1-16除了在低至900℃下 烧结以外，其还具有32.5或32.5以上的介电常数、2,000或2,000以 上的Q值和±20.0ppm/℃的TCF。
相反，比较组合物1-14在900℃烧结不好，即使烧结，性能也不 好。
如上文所述，本发明提供可以与Ag电极一起在低至900℃的温 度下共烧的介电陶瓷组合物。添加了玻璃粉和CuO的该介电陶瓷组合 物表现出30或30以上的介电常数、1,000或1,000以上的Q值和 ±20.0ppm/℃的TCF，因此这些组合物适用于多层化的LC滤波器。
以举例的方式描述了本发明，但应当理解所用的术语意在用于说 明而非用于限制。按照上述教导，有可能对本发明进行多种改变和变 化。因此，应当理解在附带的权利要求书的范围内，本发明可以在除 特定描述的内容以外进行实践。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种低介电常数硅微粉 | 2020-05-11 | 244 |
| 高介电常数的液晶 | 2020-05-11 | 569 |
| 高介电常数玻璃纤维及其制备方法和高介电常数的覆铜层压板 | 2020-05-13 | 75 |
| 高介电常数的液晶 | 2020-05-11 | 403 |
| 具有低介电常数的玻璃 | 2020-05-11 | 510 |
| 介电常数测量装置 | 2020-05-12 | 973 |
| 高频用高介电常数陶瓷 | 2020-05-12 | 914 |
| 低介电常数玻璃 | 2020-05-11 | 591 |
| 低介电常数玻璃纤维 | 2020-05-12 | 488 |
| 高介电常数瓷介电容器 | 2020-05-12 | 215 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈