专利汇可以提供一种提高半导体激光器成品率的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种提高 半导体 激光器 成品率的方法,涉及一种对半导体激光器封装工艺的改进。本发明是将已经完成其它封装工序但还未封盖的激光器组件放入一个导热性能良好的密封容器中进行高低温循环,待残余应 力 释放完全后,对光功率发生变化的组件采用激光敲打等技术对耦合 焊接 的 支架 进行细微的调整,使其光功率恢复到高低温循环之前的 水 平,并且再次经过高低温循环,功率无变化后才将激光器组件进行封盖、老化筛选、测试、 包装 ,最后得到一种高可靠性、高成品率的半导体激光器。本发明将激光器组件在封装过程的带来的 应力 进一步释放完全,提高器件的可靠性与成品率;同时避免材料与工时的浪费,有利于节省成本。,下面是一种提高半导体激光器成品率的方法专利的具体信息内容。
1、一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于有下列步骤:
①将组件放入罐体中(A)将完成了组装、耦合焊接、烘烤等工序之后的 激光器组件平放在罐体(1.1)中;
②将罐体放入密封箱内(B)将罐体(1.1)放入一个大的密封箱内;
③给密封箱充干燥气体(C)给密封箱内充放干燥的气体,通气时间为25 -35分钟;
④将密封罐锁定(D)待密封箱内的氧气含量为18-22%,水蒸气含量为 4800-5200ppm时,将装有激光器组件的罐体(1.1)盖上罐盖(1.2),罐盖(1.2) 与罐体(1.1)的相连处嵌有密封圈(1.3),通过螺钉锁定;
⑤将密封罐放入高低温循环箱中(E)从密封箱中取出密封罐1,然后将 密封罐(1)放入高低温循环箱中;
⑥高低温循环(F)开启高低温循环箱,设定循环的温度范围:-40-85 ℃,设定每一个循环周期的时间为1.5-2.5小时;
⑦取出密封罐(G)完成18-22个如步骤⑥高低温循环(F)后,待高低 温循环箱中温度为22-28℃时,从高低温循环箱中取出密封罐(1);
⑧封盖、老化筛选、综测、包装(H)打开密封罐(1),取出激光器组件并 测试其功率,对于高低温循环前后功率变化不超过15%的组件,就可以进行封 盖、老化筛选、综测、包装;
⑨激光敲打进行位移校准(I)对于不合格组件,即高低温循环前后功率 变化超过15%的组件,采用激光敲打技术对耦合焊接的支架进行细微的调整, 使其光功率恢复到高低温循环之前的水平,再次经过上述步骤⑥⑦⑧予以挑选。
2、按权利要求1所述的一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于:
步骤③给密封箱充干燥气体(C),通气时间为30分钟。
3、按权利要求1所述的一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于:
步骤④将密封罐锁定(D),密封箱内的氧气含量为20%,水蒸气含量为 5000ppm。
4、按权利要求1所述的一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于:
步骤⑥高低温循环(F),每一个循环周期设定时间为2小时。
5、按权利要求1所述的一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于:
步骤⑦取出密封罐(G),完成20个如步骤⑥所述的高低温循环后,待循环 箱中温度为25℃时,从循环箱中取出密封罐(1)。
6、按权利要求1所述的一种提高半导体激光器成品率的方法,其特征在于:
密封罐(1)由罐体(1.1)、罐盖(1.2)、密封圈(1.3)组成;在罐体(1.1) 和罐盖(1.2)之间有密封圈(1.3),通过螺钉固定;
所述的罐体(1.1),其结构是一种有边沿的金属容器,边沿上均布有供连接 用的小孔;
所述的罐盖(1.2),其结构是一种与罐体(1.1)大小适配的金属盖,边沿 上设置有与罐体(1.1)同样的小孔;
所述的密封圈(1.3),其结构是一种与罐体(1.1)大小适配的圆形橡胶圈。
7、按权利要求6所述的一种密封圈(1.3),其特征在于:
其材料为一种耐高低温循环的丁基橡胶。
本发明涉及半导体光电子技术领域中一种提高半导体激光器成品率的方法, 具体地说,涉及一种对半导体激光器封装工艺的改进,特别是对大功率带尾纤半 导体激光器封装工艺的改进。
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