在下文，将参照附图对本发明的实施例进行描述。
本发明的闪烁器面板包含一个导电基体元件、一个由铝等制成的导电反射层 和一个绝缘层，该绝缘层位于基体元件和反射层之间，用于防止因基体元件和 反射层接触产生的腐蚀。
优选的是在所述反射层形成过程中荧光物质等变为高温状态时这个绝缘层 具有耐热性。
作为导电材料，采用包含碳成分的一种材料，尤其是优选采用非结晶碳。
当所述绝缘层被制成具有耐热性时，在反射层和荧光层形成中就能使用耐热 的绝缘层，例如在200C或者更高温度时使用。应当注意，所述荧光层被用作 一个波长转换器，用于将辐射转换成光，该荧光层为柱型结晶荧光物质或者由 碱金属卤化物制得的类似物。具体地讲，当碱金属卤化物被用于所述荧光层就 必须在一个比蒸发时的温度更高的温度下进行低温退火处理，以便激活活化剂， 比如T1。因此，在这种情况下，尤其要优选这种绝缘层。
所述绝缘层可以是一个单层体或者多层体。不过，优选的是对应于至少所 述反射层的一个接触部分，所述绝缘层的体积电阻率为1×1010Ωcm或者更高。一 个具有体积电阻率大约为1×108Ωcm或更小的区域为一个半导体区域。在这个 区域中，有这样一种可能性，即，电阻率会由于一个状态的改变而改变，例如， 温度的增加，由此很难获得良好的绝缘。因此，上述体积电阻率为一个具有安 全系数的值。偶然，半导体中单晶硅的体积电阻率为3×105Ωcm，GaAs的体积 电阻率为7×7Ωcm。
当一个硅复合物被形成时，光波段缝隙变大，其变为一个体积电阻率为1× 1010Ωcm或更大的绝缘体。顺便说一下，SiOx，SiNx等每个都是光波段缝隙和体 积电阻率满足条件的材料。此外，已知的是硅复合物容易与碳和SiC等非常硬 的材料形成化学粘接。
在半导体领域中，Al和Al合金薄膜通常被用作布线材料。
对于与硅复合物的粘接，在半导体器件中具有一个行踪记录。另一方面，通 过等离子聚合获得的四烃基硅烷(tetraalkylsilane)(Si-OR，R＝CH3、C2H5、 C3H7)具有1×1010Ωcm或更高的绝缘性能，实际上被用作一个主要包含碳并由有 机材料和金属制成的连接层。
这种材料通过等离子聚合形成，如果在烷基中具有碳的数目在1到3个的话， 具有的耐热性就能够达到200C或者更高。换言之，包含硅的材料作为位于导 电基体元件和反射层之间的绝缘耐热层，其具有好的粘接性能。因此，这样一 种材料是优选的材料。
一个金属氧化膜由一种稳定的绝缘物质制成。因而，大部分膜具有体积电 阻率为1×1010Ωcm或者更高，以及具有抵抗200C或更高的耐热性。顺便说一 下，具体可以采用Al2O3、SiO2、TiO2、MgO、BeO、CeO、HfO2、ThO2、UO2、ZrO2等。 应当注意，当组成成分的比值被改变时，有一种材料指示半导体跃迁。因而， 有必要防止组成成分比值的改变。
另外，聚酰亚胺，二乙烯基硅氧烷二苯并丁烯 (divinylsiloxanebisbenzobutene)树脂，甲基苯倍半氧烷 (methylxylsesquioxane)树脂、聚酰胺酰亚胺(polyamideimide)、聚醚砜 (polyethersulfone)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、芳簇聚酯(aromatic polyester)等每个都是一种绝缘材料，其具有的体积电阻率为1*1010Ωcm或更 高，具有的耐热性能够耐得住200C或更高。当这些耐热树脂被采用时，与采 用包含硅的材料相比，由于所述膜的厚度可以增加，所以因基体粗糙、杂质或 者小孔产生的绝缘毁坏可以更进一步减小。因而，这些树脂是优选的。
顺便说一下，当包含硅的材料被采用时，由于其内应力的影响不可能被制造 的太厚。因而，通常厚度被设定为几十nm到几百nm是适当的。不过，在采用耐 热树脂的情况下，厚度可以被控制在数百nm到数万nm的范围。此外，由于这些 树脂包含碳，所以对碳的粘合剂比较适合。当基体被制造的比较粗糙使得凹部 和凸起之间的差值为0.02μm或更高以提供固定作用，则粘接力可以进一步得 到改进。
此外，当树脂的膜厚度增加时，其表面可以被弄平。因此，能确保反射层的 平坦并保持反射表面。另外，所述与反射层的粘合剂也被改进。因而，这是 比较优选的。此外，还可以进一步防止反射层和基体元件之间通过小孔的连通 性。注意，当所述凹部和凸起之间的差值超出5μm，上述的弄平作用就会减小。 因而，所述的差值在0.02μm到5μm之间是优选的。对于与Al的粘接，也存 在较弱的结合。但是，当一些表面处理，例如，反向喷镀，在Al膜形成之前 实施，粘接力就能够进一步得到改进。
包含硅、金属氧化膜和耐热树脂的材料具有高的粘接力。然而，为了提供 其他的效果，从这些材料中选择出来的一些可以被层压在一起。在这种情况下， 对于与至少一个金属薄膜接触的层而言，不管位于其下的一个层电阻率为多少， 其绝缘性质为1×1010Ωcm或更高是优选的。此外，与非结晶碳具有最高粘接力 的材料被优选作为与非结晶碳接触的接触层，而与Al具有最高粘接力的材料被 优选作为与Al接触的接触层。如果在所述层压的层之间的粘接被损坏，那么 优选的是逐渐改变一种组成成分。
在下文，将参照附图对本发明的实施例进行详细描述。 (实施例1)
图1为一个示意的剖面图，所示的是本发明这个实施例的辐射探测装置。在 图1中，标号110表示一个闪烁器。这个闪烁器包括：一个荧光体112，该荧光 体112用作一个波长转换器，用于将辐射转换成光，由碱金属卤化物制成并结晶 成柱型；一个基体元件111，由非结晶碳等制成，用于支撑所述荧光体112；一 个反射层114，由一个铝薄膜制成，用于将由所述荧光体112转换的光反射到下 文将要描述的传感器面板100一侧；一个绝缘膜115，形成在所述基体元件111和 所述反射层114之间，由SiNx等制成；一个保护层113，由有机树脂制成，用于 保护荧光体112等不受外部空气的影响。这个反射层还用来防止散射光比如外 部光进入一个传感器中。
由于在SiNx中的硅和在非结晶的碳中的碳之间产生牢固的结合，所以粘接 力高。此外，包括硅等的一个薄膜和铝之间的粘接变成了位于SiNx和铝薄膜 之间的粘接。因此，行踪记录时，在半导体中可以产生一个高粘接力状态。
因为SiNx具有绝缘性质和耐热性，所述非结晶碳基体元件111和铝薄膜(反 射层)114彼此电绝缘。
此外，在图1中，标号100表示一个传感器面板。这个传感器面板包括：一 个玻璃基片101；一个光电转换元件部分102，由分别使用非结晶硅的一个光敏 器件和一个TFT构成；一个线路部分103用于由光电转换元件部分102转换的电 子信号；一个电极接触层(部分)104，用于将通过线路部分103传输的电子信 号引导到外面；一个第一保护层105，由氮化硅等制得；和一个第二保护层106， 由聚酰亚胺等制得。所述传感器面板100和闪烁器110通过胶粘剂121彼此粘接， 用一个密封元件122与环境密封。应当注意，所述光电转换元件部分102可以较 好地从所述荧光体112探测到可见光。因此，可以采用由非结晶硅等制得的MIS 型传感器，或者PIN型传感器。此外，作为开关可以采用一个TFT型或PIN型 二极管。此外，还可以采用一个CMOS传感器或一个CCD成像元件。在这种情 况下，可以采用由结晶硅制得的基片101。
根据应用，使用如图1中所示的多个辐射探测装置也可以形成砖瓦结构 (tiling)。对于闪烁器面板110来说，以图1示出这种情况为例，从顶部开始 层压顺序为：基体元件111、绝缘层115、反射层114、荧光体112。不过，层压 顺序也可以为：反射层114、绝缘层115、基体元件111和荧光体112。
图2A.和2B示出图1中所示辐射探测装置的制造步骤；基体元件111，由非结 晶碳等制得，其被剖光以便获得一个反射表面，被清洗并干燥一次，然后通过 喷镀等将作为绝缘层115的一个SiNx薄膜被形成在其上，该薄膜厚度大约300nm (图2A)，所述绝缘层115还可以通过CVD(化学蒸气沉积法)形成。
然后，在所述绝缘膜115上通过喷镀(图2B)形成一个厚度大约300nm的铝薄 膜作为反射层114。
作为反射层114的一种膜形成方法，也可以采用真空蒸发法、电子束(EB) 法等。当所述绝缘层115和所述反射层114由相同的膜形成装置顺次形成时，与 元件(基片)在每个膜形成过程中都从一个膜形成腔中取出的情形相比，可以 防止因杂质等影响产生的失败。因而，这样的形成是比较理想的。
然后，在所述反射层114上，在温度200C或者更高的温度下，作为荧光体 112由碱金属卤化物制得的荧光体形成，随后，整个都被覆盖一层保护层113。从 而，制成图1所示的闪烁器110。理想的是通常使用由聚对苯二甲基(parylene) 等制成并具有高湿度抵抗性的CVD膜用作保护层113。
在这个实施例中，在所示的例子中SiNx被用作绝缘层115。除SiNx之外， 可以使用一种硅复合物，比如SiOx；一种主要包含硅的绝缘层，比如四烃基硅 烷(tetraalkylsilane)(Si-OR，R＝CH3、C2H5、C3H7)，或者一种金属氧化 膜。当一种硅复合物被用于绝缘层115时，可选择使膜厚度最大化。然而，当 所述膜被制造的太厚时，会导致因内应力而产生剥层的情况。因此，膜厚度可 选为几十nm到数百nm。此外，在这个实施例中，示出了铝薄膜用作反射层114的 情形。不过，也可以根据荧光体发出光的波长，使用其它由铝合金、银、银合 金、铜、金等制成的金属层。
下面，将说明图1示出的辐射探测装置的作业。
当辐射线从图1的顶部进入时，其被传输穿过基体元件111、绝缘层115和反 射层114，并被荧光体112吸收。所述荧光体112以所述吸收的辐射线的强度相 对应的光数量发出可见光。
所述可见光由光电转换元件部分102转换成一个电子信号，并根据TFT的 ON/OFF切换而输出到线路103。被输出到每个线路103的电子信号通过电极接触 层(部分)104通向外部。在外部，为了获得要被显示在一显示部分上的二维 数字图象，通过一个未示出的处理装置执行处理。从而，在辐射探测装置上入 射的辐射信息就能被转换而在外面获得一种二维数字图象。
如在这个实施例中示出的一样，当非结晶碳被用于所述基体元件，且不同导 电材料被用于反射层时，由于腐蚀会迅速地发展，所以这个实施例的结构是优 选采用的。 (实施例2)
图3为一个示意的剖面图，所示的是根据本发明这个实施例的辐射探测装置 的一个闪烁器210。在这个实施例中，聚酰亚胺被用作一个绝缘层115。此外， 基体元件111的表面被做的粗糙使得往绝缘层115上的粘接被改良。从而，由于 固定作用而在绝缘层115和基体元件111之间获得粘接力。也可以根据基体元件 表面被使用的状态而不将其做粗糙。
注意，在图3中，相同的标号被用于示出与图1中相同的部件。传感器面板 100也可以采用与图1相同的传感器面板。
基体元件111不是平的表面。然而，当绝缘层115的设置使得绝缘膜的表面为 平面时，反射层114能够形成为平面，反射层114的表面也能够获得镜面反射。为 了进一步平面化，绝缘层115可选择为膜厚度与基体元件111表面上的粗糙度相 比足够的大。可选厚度大约为1μm至20μm。因此，可以增加该实施例中聚酰 亚胺的厚度，这是最好的选择。
另外，在反射层114的膜形成前进行表面处理，比如反向喷镜，可以确保绝 缘层115和反射层114间必要的粘接力。当然，由于聚酰亚胺是一种具有耐热性 的绝缘材料，所以，导电基体元件和反射层可以彼此电绝缘。
图4A和4B示出图3所示闪烁器的制造步骤；其状态为，表面具有理想的粗糙 度，基体元件111受到清洗并被干燥一次，然后用于绝缘层115的聚酰亚胺通过 旋涂等并凝固被施加到其上，厚度为大约几个μm。绝缘层115的涂覆还可以是 通过喷射的方法或者喷洒的方法由一个装备有一个狭缝的喷嘴进行。
然后，在所述绝缘层115上通过喷镀(图4B)等形成一个厚度大约300nm的 铝薄层作为反射层114。当反射层114形成时，为了更进一步提高与用于绝缘层 115的聚酰亚胺的粘接力，就在膜形成之前进行表面处理，比如反向喷镀。反射 层114的膜形成方法可以采用真空蒸发法、EB法等。
随后，在所述反射层114上，在温度200C或者更高的温度下，作为荧光体 112形成由碱金属卤化物制得的荧光体被。从而，图3所示的闪烁器210得以完 成。
在这个实施例中，在所示的例子中示出了聚酰亚胺被用作绝缘层115的情 形。除此之外，也可以采用二乙烯基硅氧烷二苯并丁烯 (divinylsiloxanebisbenzobutene)树脂、甲基苯倍半氧烷 (methylxylsesquioxane)树脂、聚酰胺酰亚胺(polyamideimide)、聚醚砜 (polyethersulfone)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、芳簇聚酯(aromatic polyester)等。此外，当一种树脂具有对用于基体元件111材料有良好粘接 力时，就没有必要将基体元件弄粗糙。
对于这个实施例的闪烁器210，绝缘层115可以形成的厚一点(几μm到 20μm)。因此，有这样一个优点，即，它变成一个坚固的结构来防止由于外来 物体等产生的绝缘破坏。此外，由于不需要将基体元件111剖光来获得一个反 射表面，因此具有成本低的优点。 (实施例3)
图5为一个示意的剖面图，所示的是根据本发明实施例3的辐射探测装置的一 个闪烁器310；在这个实施例中，二乙烯基硅氧烷二苯并丁烯 (divinylsiloxanebisbenzobutene)树脂(在下文称为BCB)被用于绝缘层115。 此外，在绝缘层115和反射层114之间设置了一个由SiNx等制得的第二绝缘层 116。注意，在图5中，相同的标号被用于示出与图3中相同的部件。此外，对 于传感器面板100，使用与图1中相同的传感器面板。
对于图5所示的闪烁器310，与图3所示闪烁器的情形一样，基体元件111的表 面被制造粗糙，以便提高与绝缘层115的粘接，绝缘层115的表面也是平的。绝 缘层115的膜厚度可确定为与图3中的情形一样，优选厚度为大约1μm到10μm。
据说在半导体领域中SiNx等与BCB之间的粘接强度高。因此，当SiNx等被 用于第二绝缘层116，那么与作为绝缘层115的材料的所述BCB的粘接可以很牢 固。此外，由于SiNx为具有高耐潮湿的材料，其也充当一个防潮层。由于所 述BCB和SiNx都是绝缘材料，所以在具有传导能力的基体元件和反射层之间的 电绝缘也得以确保。由于两种材料都具有耐热能力能够耐200C或更高的热， 所以生产所述发射辐射探测装置不难。
图6A到6C示出图5中所示辐射探测装置的制造步骤。非结晶碳等制成的基体 元件111，其表面制成相同程度的粗糙度，被清洗和干燥一次，然后用于绝缘层 115的BCB通过旋涂等和凝固(图6A)而涂覆在其上，厚度为大约几μm。绝缘层 115的涂覆还可以是通过喷射的方法或者喷洒的方法由一个装备有一个狭缝的 喷嘴进行。
接着，用于第二绝缘层116的SiNx通过喷镀等(图6b)形成在所述绝缘层115 上。通过喷镀等形成在所述第二绝缘层116上的SiNx具有厚度大约300nm(图 6c)。当反射层114形成时，为了更进一步提高与用于第二绝缘层116的SiNx的 粘接力，在膜形成之前最好进行表面处理，比如反向喷镀。作为反射层114的 膜形成方法，可以采用真空蒸发法、EB法等。
然后，在所述反射层114上，在温度200C或者更高的温度下，作为荧光体 112形成由碱金属卤化物制得的荧光体。从而，图5所示的闪烁器310得以完成。
在这个实施例中，上文描述的各种材料可以被用于绝缘层115。此外，当一 种树脂具有对基体元件111材料有良好粘接力时，就没有必要将基体元件111的 表面弄粗糙。
另外，在这个实施例中，举了SiNx用于第二绝缘层116的例子。然而， 除此之外，也可以采用SiOx等制成的一种硅系统绝缘膜，或者采用一种金属氧 化膜。
与图3所示闪烁器相比，当第二绝缘层116被形成时，图5所示闪烁器310中的 耐潮湿能力可以更进一步提高。 (实施例4)
图7为一个示意的剖面图，所示的是这个实施例的辐射探测装置的一个闪烁 器410。在这个实施例中，相应的硅系统材料被用于绝缘层115和第二绝缘层 116。
具有Si-C键的SiCx膜用作绝缘层115，其能够减少在粘接到非结晶碳时会 产生的结构干扰。此外，与反射层114具有良好粘接力SiOx膜被用作第二绝 缘层116。注意在图7中，相同的标号被用于示出与图3中相同的部件。此外， 对于传感器面板100，使用与图1中相同的传感器面板。
图7所示的闪烁器410，同图1所示的闪烁器情形一样，基体元件111的表面被 处理充当一个反射表面。如上所述，具有Si-C键的SiCx被用于绝缘层115。 因而，与基体元件111的粘接力能够被增加。此外，由于SiOx和SiCx都属于硅 系材料，所以，在第二绝缘层116和绝缘层115之间的粘接力本身较高。另外， 由于在半导体领域中SiOx和铝的结构具有跟踪记录，所以，能获得优良的粘接 程度。此外，当SiCx和SiOx的组成成分被逐渐改变时，层间界面可以省去， 粘接力可以更进一步提高。
应当注意，由于SIC的体积电阻率较小，如1×10-4Ωcm，所以，由SiC和SiO2形成两层结构充当绝缘层，使用的SiO2具有绝缘性能。从而，第一绝缘层和 第二绝缘层在功能上可以分开使用它们。
应当注意，即使在这个实施例的情形中，如实施例1等情形一样，除了铝薄 膜之外，也可以把铝合金、银、银合金、铜或金用于反射层114。对于第二绝 缘层116，考虑到材料的粘接程度，其材料也可以根据反射层的材料而改变。
图8A到8C示出图7中所示辐射探测装置的制造步骤；非结晶碳等制成的导 电基体元件111，其表面被处理形成一个反射表面，被清洗并干燥一次，然后用 于绝缘层115的SiCx在流过SiH4+CH4气体时通过一种CVD方法等产生等离子 分解作用而形成(图8A)。
然后，用于第二绝缘膜116的SiOx在流过SiH4+H2O气体时由一种CVD方法 等形成在绝缘层115上(图8B)。为了更进一步提高在绝缘层115和第二绝缘层 116之间的粘接力，气体组成成分可以从SiH4+CH4到SiH4+H2O逐步改变，同 时保持放电。
随后，在SiOx上通过一种方法比如喷镀(图8B)形成一个厚度大约300nm 的铝薄层作为反射层114。
当反射层114形成时，为了更进一步提高与用于第二绝缘层116的SiNx的粘接 力，最好就在膜形成之前进行表面处理，比如反向喷镀。作为一种反射层114的 膜形成方法，还可以采用真空蒸发法、EB法等。
然后，在所述反射层114上，由碱金属卤化物制得的荧光体被形成作为荧光 体112，然后整体被覆盖一个保护层113。从而，图7所示的闪烁器410得以完成。
在这个实施例中，与作为一个基体的基体元件111的材料具有良好粘接力的 材料被选择作为绝缘层115。此外，与作为一个上层的反射层114的材料有良好 粘接力的材料被选择作为第二绝缘层116。因而，粘接力得到改进。
此外，在这个实施例中，绝缘层115和第二绝缘层116的组成成分可以逐渐改 变来实现更牢固的粘接力。 (实施例5)
图9为一个示意的剖面图，所示的是这个实施例的辐射探测装置的一个闪烁 器面板。根据在这个实施例的结构，用于反射层的一个保护膜119设置在一个 反射层和一个波长转换器层之间。当这样的结构被采用时，能获抑制对反射层 的腐蚀。作为用于反射层的保护层，可以采用SiO2、SiNx等，或者采用有机物 质，比如聚酰亚胺。
表1示出对于存在或缺少第一绝缘层和第二绝缘层时，腐蚀试验的结果。注 意第一绝缘层设置在一个反射层和一个基体元件之间，第二绝缘层设置在所述 反射层和一个荧光层之间。实际上，浸入试验是采用CsI(2当量浓度)水溶 液进行的。 表1 编号 第二绝缘层 反射层 第二绝缘层 基体元件 评价 1 不存在 Al 不存在 a-c  × 2 存在 (SiO2) Al 不存在 a-c  △ 3 不存在 Al 存在 (聚酰亚胺) a-c  ○ 4 存在 (聚酰亚胺) Al 存在 (聚酰亚胺) a-c  ◎
注意：×表示坏，△表示不令人满意，○表示好，和◎表示优秀。
如表1中所示，当用于反射层的保护层被设置时，很明显能进一步提高防腐 能力。
对于实施例1到5，当基体元件的端部被切成斜角时，由于绝缘层可以为全部 的基体元件设置，所以是比较好的。另外，基体元件的斜角处理将在下面描述 的实施例中详细描述。 (实施例6)
在根据这个实施例的辐射探测装置的闪烁器面板的情形，设置在基体元件和 反射层之间的一个绝缘层的形成区域制造的比所述反射层的形成区域大。由于 这种结构，能更进一步防止电化腐蚀，可以更进一步提高对温度和湿度的耐久 性。
图10A和10B为下述结构的示意图。即，一个绝缘层502、一个反射层503和一 个荧光层504被层压在一个导电基体元件501上，整个外周最后被一个保护层505 保护起来以便绝缘层的形成区域几乎等于反射层的形成区域，所述反射层的端 部与所述绝缘层的端部对齐。
在这样一个结构的情况下，当对温度和湿度的耐久性试验在70℃温度和湿度 90％情况下进行时，在1000个小时中，电化腐蚀发生在一个区域可能性大约10％ (10件出现1件)。
下面所述被认为是腐蚀在一个区域中引起的原因。注意，图10A为闪烁器面 板的一个剖面图，图10B为图10A所示闪烁器面板的端部的放大图。
(1)反射层的卷绕
图11A为一个示意剖面图，用于解释所述反射层的卷绕，所示的是绝缘层502 和反射层503的结构。绝缘层502被设置来将金属反射层503与导电基体元件501 绝缘，利用这种绝缘来防止反射层503的电化学腐蚀。然而，存在这样的情形， 即从一个目标释放的金属反射层微粒被移动到基体元件501和绝缘层502的端表 面及后表面，导致喷镀时使反射层卷绕，该喷镀用于形成金属反射层503。
在这种情况下，如图11A所示，在反射层503中使用的金属微粒等被移动到基 体元件501和绝缘层502的端表面511，导致反射层卷饶。因而，担心基体元件 501和反射层503之间产生连通。因此，就担心连通引起基体元件端部511中产 生电化学腐蚀。
(2)由湿汽产生连通
图11B为一个示意剖面图用于解释由湿汽产生的连通。在基体元件501、绝 缘层502和反射层503层压之后，当荧光层504被形成时或者当用于反射层的保护 层被形成时，都有实施清洗的情况。这是因为，当荧光层504被形成在一个外 来物体上时，被照射到该区域中光的数量被减小。当用于反射层的保护层形成 在一个外来物体上时，有实施清洗的情形，原因同荧光层504的情形相同。
当在清洗期间，水分512粘附到基体元件501的端部时，在反射层503和基体 元件501之间就产生连通，这就变成了电化学腐蚀产生的原因。
此外，当水分如上文描述的被粘附时，有可能在一个温度和湿度的耐久性试 验中水分通过保护膜而粘附到所述端部，进一步促进了电化学腐蚀。
(3)反射层的粘接力
图12A为一个示意剖面图，用于解释反射层的粘接力。当反射层503被形成在 一个大的区域上时，反射层503与绝缘层502的粘接力从所述中心向着端表面 (图中的端部514)被减小。通常认为，这是因为喷镀形成反射层时，在基体元 件501(绝缘层502)和目标之间的距离在基体元件501(绝缘层502)的中央部 分为最短，而在基体元件501(绝缘层502)的端部最长(在目标的尺寸比基体 元件501和绝缘层502较小的情形)。因此，由于在绝缘层502和反射层503在端 部514之间的粘接力弱，就可能在其间产生剥层，也有可能剥层从端部514作为 起点向着内部发展。因此，有可能引起腐蚀，不能获得良好的反射效果。
(4)表面(外面)电流引起的泄漏
图12B为示意剖面图，用于解释由表面(外面)电流引起的泄漏。当基体元 件501、绝缘层502和反射层503的形成区域(尺寸)相同，或者绝缘层502和反 射层503的形成区域(尺寸)相同，并且它们的端部对齐时，导电基体元件501 和反射层503之间在端面515的距离就等于绝缘层502的厚度。例如，当绝缘层 502的厚度给定为1μm，那么基体元件501和反射层503之间在所述端表面515中 的距离就是1μm。
一个小的表面电流流动进入到基体元件501、绝缘层502和反射层503的端面 515中。这个表面电流在导电基体元件501和反射层503之间流动。然而，电流的 量反比于基体元件501和反射层503之间的距离，表面电流随着距离的增加变的 很难流动。 
此外，电化学腐蚀也由在导电基体元件501和反射层503之间流动的电流引 起。因而，优选的是使基体元件501和反射层503之间的距离最大化。如上所述， 为了更进一步提高对温度和湿度的耐电化学腐蚀性，需要解决上述的原因(1) 到(4)。
图13A和13B以及图14A和14B为示意剖面图，示出这个实施例的一种结构，该 种结构为了更进一步提高防止电化学腐蚀的效果。如图13A和13B中所示，当反 射层503形成在导电基体元件501和绝缘层502上时，距离绝缘层502的端部保持 一个间隔518。
作为保持所述反射层间隔的手段，可以采用的方法有：预先将一个带状物粘 接到绝缘层502上进行遮蔽的方法、在喷镀时使用一个基片夹具进行遮蔽的方 法，或者在一个随后来的步骤中仅仅蚀刻所述端部的方法。
因此，由于在所述导电基体元件501和反射层503之间的距离变长，可以抑制 卷绕引起的连通以及吸收湿汽引起的连通。此外，对于表面电流，由于所述距 离变长，增加了抗性。因此，可以进一步提高导电基体元件501和反射层503之 间的绝缘效果。
图14A和14B示出一个例子，该例子中除了图13A和13B中所示的结构之外，另 外，用于反射层的保护层508被形成在反射层503上。
如该例子所示，当反射层503的整个外周被一个绝缘材料比如一种树脂包围 时，电化学腐蚀的发生就会降低。特别是，当所述端部被绝缘层502和用于反射 层的保护层508覆盖时，就能完全防止外部的连通因素，例如湿汽、外来物体等。
此外，当仅仅在所述端部改进绝缘性质时，相同的材料可以被用于反射层的 保护层508和绝缘层502，以便在端部改进粘接，或者也可以仅仅在所述的端部 用等离子处理或电晕放电处理来改进可湿性和粘接性能。
另外，即使当端部表面被作的粗糙时，位于基体元件和反射层之间的距离也 由于不平坦的部位而变长。从而，表面电流很难流动。
此外，一种有效的方法是用绝缘层不仅覆盖反射层本身的整个外周，而且覆 盖导电基体元件的整个外周，如浸渍法。
图15A至15E为示意剖面图，所示的是这个实施例的辐射探测装置和其制造步 骤。
在图15A中，非结晶碳1011被用作形成一个闪烁器的基体元件，并被作粗糙 使得表面粗糙度大约0.2μm来提高通过固定作用而层压在其上的一个绝缘层 的粘接力。
所述绝缘膜设置在基体元件1011上。注意，具有耐热性如能够耐200C或 更高温度以及体积电阻率1×1010Ωcm或更大的聚酰亚胺树脂1015被优选用作绝 缘层的材料。
所述聚酰亚胺树脂通过一种旋涂的方法形成厚度5μm并凝固。
图15B为一个示意图，其中反射层形成在非结晶碳1011和聚酰亚胺树脂1015 上。
在大致上整个可见光区域上具有高反射比的铝被用作反射层1014的材料，并 通过喷镀形成。
在喷镀时，如图15E所示，位于非结晶碳1011和聚酰亚胺树脂1015的外端部 1018的位置可以被一个基片夹具1017遮蔽6毫米。
因此，所述外端部就被所述基片夹具1017遮盖而限定出一个反射层1014的形 成区域，并防止卷绕到非结晶碳1011和聚酰亚胺树脂1015的端部上。所以，能 增加所述铝1014和所述非结晶碳1011之间的距离。
结果，通过防止铝1014的卷绕确保了非结晶碳1011和铝1014之间的绝缘，并 且可以缓和吸收湿汽引起的连通以及表面电流的影响。
图15C示出一个例子，其中通过蒸发由碱金属卤化物例如CsI(碘化 铯)1012制得的柱状结晶荧光体形成在图15B所示的基片上，然后整个基片都被 用于一个保护层的聚对苯二甲基(parylene)1013覆盖。所述CsI(碘化 铯)1012通过真空蒸发形成。在蒸发之后的热处理中，基片温度被增加到大约 200C。然而，由于具有耐热性的聚酰亚胺树脂1015被用作绝缘膜，所以，在 基体元件1011和铝1014之间不会引起分解消溶所产生的绝缘破坏。
此外，用于保护层的聚对苯二甲基(parylene)1013是一种具有可见光高 透射比和低湿汽渗透性的材料。这种材料作为在荧光层和传感器面板之间形成 并被用于通过CVD(化学蒸气沉积法)方法将整个表面的外周涂覆的材料是适 当的。
如图15D所示的一样，如此形成的闪烁器面板1010通过一个热固型的丙烯酸 树脂1021而被粘接到传感器面板上，从而获得辐射探测装置。
在图15D中，标号1000表示一个传感器面板。这个传感器面板包括：一个 玻璃基片1001；一个光电转换元件部分1002，该光电转换元件部分由一个光敏 器件和一个使用非结晶硅的TFT构成；一个线路部分1003，用于传送由光电转换 元件部分1002转换的电子信号；一个电极接触层(部分)1004，用于将通过线 路部分1003传输的电子信号引导到外面；一个第一保护层1005，由氮化硅等制 得；和一个第二保护层1006，由聚酰亚胺等制得。
所述传感器面板1000和闪烁器1010通过胶粘剂1021彼此粘接，用一个密封元 件1022与环境密封。应当注意，所述光电转换元件部分1002可以较好地从所述 荧光层1012探测到可见光。因此，可以相应地采用由非结晶硅等制得的MIS型 传感器或PIN型传感器。此外，可以把一个TFT或一个PIN型二极管用作一个 开关。另外，还可以使用一个CMOS传感器或一个CCD成像元件。在这种情况 下，可以采用由结晶硅制得的基片1001。
此外，根据应用，可以采用多个单位图15D所示辐射探测装置构成砖瓦结构。 另外，对于闪烁器面板1010，示出下述这种情形的例子，从图15D的顶部开始 以基体元件1011、绝缘层、反射层1014和荧光层1012这个顺序被层压。不过， 层压顺序也可以为反射层1014、绝缘层115、基体元件1011和荧光层1012。
在这个实施例中，在所示的例子中示出了聚酰亚胺用作绝缘层1015的情形。 除此之外，也可以采用二乙烯基硅氧烷二苯并丁烯 (divinylsiloxanebisbenzobutene)树脂、甲基苯倍半氧烷 (methylxylsesquioxane)树脂、聚酰胺酰亚胺(polyamideimide)、聚醚砜 (polyethersulfone)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、芳簇聚酯(aromatic polyester)等。此外，当一种树脂具有对用于基体元件1011材料有良好粘接 力时，就没有必要将树脂弄粗糙。
当采用上述有机材料时，绝缘层1015可以被形成的厚些(几μm到20μm)。 因此，有这样一个优点，即，它变成一个坚固的结构来防止由于外来物体等产 生的绝缘破坏。此外，由于不需要将基体元件1011剖光来获得一个反射表面， 因此，具有成本低的优点，所以，它是比较优选的。 (实施例7)
图16A和16B为示意的剖面图，所示的是这个实施例的闪烁器面板。图16B 是图16A的一个部分的放大图。
用于所述基体元件、反射层以及绝缘层的材料和形成方法优选采用与实施例 2的材料和形成方法相同的。
在这个实施例中，用于反射层的铝1014通过喷镀形成，同时用一个基片夹具 遮蔽，然后通过旋涂由与绝缘层相同材料制成的聚酰亚胺树脂1019形成在上层， 作为一个用于反射层的保护膜。
因而，当用于所述反射层1014的铝1014的两面被覆盖着用于绝缘层1015的聚 酰亚胺树脂和用于反射层的保护膜的聚酰亚胺树脂时，由于反射层1014的端部 也同时被铝覆盖，所以，可以进一步提高与基体元件1011的绝缘。
当通过采用用于绝缘层1015的聚酰亚胺树脂和用于反射层保护膜1019的聚 酰亚胺树脂将反射层1014夹在中间，可以改进端部122绝缘层和用于反射层保护 膜之间的粘接，能进一步防止铝剥层。 (实施例8)
图17为一个示意的剖面图，所示的是本发明这个实施例的闪烁器面板。在 这个实施例中，获得了与实施例7相同的层结构。即，获得的结构具有一个基 体元件、一个绝缘层、一个反射层、一个用于反射层的保护膜、一个荧光层和 一个保护层，最好也采用与实施例7相同的材料。
在这个实施例中，在用于反射层保护膜的聚酰亚胺树脂被形成之前，用等离 子124的等离子处理来提高端部123的可温性和粘接性能。通过等离子处理产生 粗糙表面效果、清洁效果以及活化效果，可以改进随后涂覆反射层保护膜聚酰 亚胺树脂的可湿性，并且会提高反射层和基体元件之间的绝缘性能。
此外，除等离子处理之外，即使在进行电晕放电处理或使用一种溶剂比如 IPA进行清洁处理时，也能改提高粘接性能。 (实施例9)
图18A到18C为示意的剖面图，所示的是这个实施例的闪烁器面板。
在这个实施例中，采用与实施例6和7相同的层状结构。把基体元件的端部 制成斜角，曲率半径为R。
在基体元件125中制成的斜角126厚度为1mm，曲率半径设定为R＝3mm。
因而，当把基体元件125的端部制成斜角时，在绝缘层形成时树脂向端部的 流动变容易。另一方面，当不制成斜角时，可以给没有设置绝缘膜的端部设置 一个绝缘膜127。
因此，可以进一步增加基体元件125和反射层1014之间的距离。
此外，用于反射层的保护膜128卷绕，其形成在一个上层，也被形成在端部。 因此，作为一个基体的绝缘膜127的粘接距离(面积)被提高从而进一步提高了 所述绝缘性能。标号129表示一个用CsI(碘化銫)通过蒸发而形成的荧光层， 130表示用于一个保护层的聚对苯二甲基(parylene)。
另外，对于基体元件的斜角，即使当其在实施例1到5中采用时，也同样有效 果。 (实施例10)
图19A至19D为示意的剖面图，所示的是这个实施例的闪烁器面板。在这个实 施例中，通过浸渍的方法为无定形碳130基体元件形成一个聚酰亚胺树脂131作 为绝缘层。通过浸渍的方法形成聚酰亚胺树脂131作为绝缘层的好处在于，无 定形碳130的整个外周可以被聚酰亚胺树脂131涂层，作为一个具有耐热性的绝 缘层。
因此，无定形碳130的整个外周被聚酰亚胺树脂131涂覆，在基体元件侧部形 成绝缘。所以，如图19B所示，当一个铝制成的反射层132被形成时，由于在遮 盖时并不需要喷镀，所以，可以更进一步增加荧光物质层的有效面积。
在图19C中，一种用于反射层保护层的聚酰亚胺树脂133形成在铝制反射层 132上，如图19D中所示，一个荧光层(CsI)134形成在基体元件的大体整个表 面上。然后，形成一个聚对苯二甲基(parylene)保护层135。从而，闪烁器 面板136被制成。在这个实施例中，绝缘层131和用于反射层保护膜133都设置 在基体元件的整个表面上。然而，即使当其中之一被设置时，也能起到足够的 效果。当两者都设置时，效果会得到进一步提高。
表2所示的是对实施例6、实施例7以及图10A所示结构(具有基体元件、绝缘 层、反射层、荧光层和保护层的结构，并且反射层延伸到绝缘层的端表面上) 的单个闪烁器面板同时进行温度和湿度耐久性试验时获得的结果。
表2 图10A所示的结构 实施例6 实施例7 腐蚀发生时间 1000小时 1200小时 2000小时
从表2可以看出，根据实施例6和7的结构，与反射层的端部与绝缘层的端部 对齐的结构相比，能进一步提高耐久性。此外，很明显，在实施例7中获得高 的耐久性。
条件：温度70℃、湿度90％。评价是在铝的电化学腐蚀产生时(确定花纹出 现或者不出现)根据视觉作出的。
(实施例11)
图20为一个方框图，示出实施例11的X光诊断系统的示意结构。由一个X 光管6050产生的X光6060被传输通过要被检查的病人或人的胸6062，并入射进 入一个光电转换装置6040，在该光电转换装置6040中，在上部装有荧光物质。入 射的X光包含关于病人6061的身体内部的信息。根据入射X光荧光物质发出光。 针对发出光的光电转换被执行而获得电信息。这个信息被转换成数字信息并被 一个图像处理器6070图像处理使得该信息能够在控制室的一个显示器6080上观 察。
此外，这个信息可以通过一个传送装置，如电话线6090，传递到一个远程位 置，也能被显示在一个位于医生房间或类似地方的显示器6081，或储存在一个 存储装置上，如光盘上。因而，在远程也能够进行医生的诊断。另外，这个信 息也可以用一个拍摄处理器6100而记录在胶卷6110。
应当注意，在这个实施例中，说明了所述辐射检测装置被应用到X光诊断系 统中。然而，所述辐射探测装置也可以被应用到，例如，一个辐射照相系统， 比如非破坏性试验装置。
本发明的背景技术