技术领域
[0001] 本
发明涉及到
液晶显示装置生产的技术领域，尤其涉及到一种用于干法刻蚀的承载装置及干法刻蚀装置。
背景技术
[0002] 液晶显示装置生产行业中，玻璃
基板在进行干法刻蚀时，一般采用等离子对玻璃基板进行刻蚀，这个过程中如果对玻璃基板不进行
位置固定，玻璃基板就会发生漂移，影响刻蚀效果和准确度。为了固定玻璃基板，一般在干法刻蚀装置中的下
基台使用干刻
电极产生的静电
力吸附玻璃基板，具体的，位于基板上方的等离子刻蚀时产生负电荷，
支撑基板的干刻电极产生正电荷，利用静电吸附作用对玻璃基板进行固定，防止其漂移。干刻时使用的承载装置如图1所示，包括基台1，该基台1上具有多个气孔3，设置在基台1上的多个用于支撑玻璃基板的干刻电极2，由于干刻电极2由硬度高于玻璃基板的陶瓷包覆，在长期静电作用及其他因素的影响下，干刻电极2表面沉淀了其他物质，且容易牢牢地粘附在玻璃基板下表面，故在干刻结束，玻璃基板从承载装置上抬起时，玻璃基板下表面极易被极划伤，形成许多微小的裂痕（纹），并且在后续工艺中，玻璃基板的
温度存在快速上升（达到300℃）及快速下降（室温），造成玻璃基板裂痕扩大，且对玻璃基板内部形成一定的破坏作用，即与干刻电极2
接触及周边位置的玻璃基板均匀性降低，当光通过时，容易造成光的散射，形成印花不良。
发明内容
[0003] 本发明提供了一种承载装置及干法刻蚀装置，用以提高基板在刻蚀时的安 全性，降低刻蚀后的不良率，提高基板刻蚀后的
质量。
[0004] 本发明提供了一种用于干法刻蚀的承载装置，该承载装置包括：
[0005] 基台；
[0006] 设置于所述基台并用于支撑基板的多个干刻电极；
[0007] 套装于每个干刻电极并将所述干刻电极与所述基板隔离的保护膜，且所述保护膜的韦氏硬度低于所述基板的韦氏硬度。
[0008] 在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。
[0009] 优选的，在所述保护膜与所述基板接触时，所述保护膜与所述基板的接触面积的直径在0.3mm～0.5mm之间。限定了保护膜与基板的接触面积，避免接触过大。
[0010] 优选的，所述保护膜中位于所述干刻电极顶端上方的部分的厚度在0.2mm～0.7mm之间。保证了干刻电极能够通过静电吸附住基板。
[0011] 优选的，所述多个保护膜通过连接膜连接。便于保护膜的安装与生产。
[0012] 优选的，所述多个保护膜与所述连接膜为一体结构。便于保护膜的安装与生产。
[0013] 优选的，所述连接膜通过连接件与所述基台固定连接。使得保护膜能够稳定的固定在干刻电极上。
[0014] 优选的，所述连接膜与所述基台粘接连接。通过粘接剂将保护膜固定在干刻电极上。
[0015] 优选的，所述保护膜为有机
复合材料保护膜、塑料保护膜或
树脂保护膜。具有较强的支撑强度以及较低的韦氏硬度。
[0016] 优选的，所述保护膜为聚四氟乙烯保护膜或聚丙烯树脂保护膜。具有较强的支撑强度以及较低的韦氏硬度。
[0017] 本发明还提供了一种干法刻蚀装置，该干法刻蚀装置包括上述任一种承载装置。
[0018] 在上述技术方案中，基板直接与保护膜接触，由于保护膜的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜之间出现滑动时，保护膜不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，进而提高了基板刻蚀后的质量。
附图说明
[0019] 图1为
现有技术中的承载装置的结构示意图；
[0020] 图2为本发明
实施例提供的承载装置的结构示意图；
[0021] 图3为本发明实施例提供的保护膜与连接膜为一体结构的使用状态参考图；
[0022] 图4为本发明实施例提供的横截面为锥形的保护膜的结构示意图；
[0023] 图5为本发明实施例提供的横截面为弧形的保护膜的结构示意图。
[0024] 附图标记：
[0025] 1-基台 2-干刻电极 3-气孔
[0026] 4-保护膜 5-连接膜 6-连接件
具体实施方式
[0027] 为了提高基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高基板刻蚀后的质量，本发明实施例提供了一种承载装置。在本发明的技术方案中，在干刻电极上套装韦氏硬度低于基板的保护膜，使得干刻电极在承载基板时通过保护膜与基板接触，避免了基板被划伤，提高了基板在刻蚀时的安全性，进而提高了基板刻蚀后的质量。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下以非限制性的实施例为例对本发明作进一步详细说明。
[0028] 如图2所示，图2示出了本发明实施例提供的承载装置的结构，在本实施例中，以玻璃基板为例进行说明。
[0029] 本发明实施例提供了一种用于干法刻蚀的承载装置，该承载装置包括：
[0030] 基台1；
[0031] 设置于基台1并用于支撑基板的多个干刻电极2；
[0032] 套装于每个干刻电极2并将干刻电极2与基板隔离的保护膜4，且保护膜4的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度。
[0033] 在上述实施例中，基板在刻蚀时通过承载装置来支撑，此时，基板直接与保护膜4接触，并通过干刻电极2的静电将基板吸附固定，由于保护膜4的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜4之间出现滑动时，保护膜4不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。
[0034] 其中的保护膜4为有机复合材料保护膜4、塑料保护膜4或树脂保护膜4。具体的，该保护膜4可以由聚四氟乙烯、聚丙烯树脂类为主材料的物理化学
稳定性好且耐高温、高强度、耐冲击的有机复合材料或其他塑料、树脂材料制备而成，如：聚四氟乙烯，该材料除了上述性能之外，还有着优异的耐化学
腐蚀性能，也有着一个优异的力学性能—摩擦因数小，其摩擦因数在0.01～0.10之间，加上其韦氏硬度也小于玻璃基板，故不会损伤玻璃基板，也能在特殊生产环境下稳定使用。此外，为了达到使用要求，可以用
石墨、二硫化钼、三
氧化二
铝、玻纤、
碳纤维作为填充物，来提高纯聚四氟乙烯力学性能。而聚丙烯树脂选用抗冲击性聚丙烯树脂，它除了拥有常规聚丙烯树脂的优异性能外，在对其添加乙丙
橡胶、聚烯
烃等弹性体冲击改性剂后，还拥有较强的物理力学性能及抗冲击性能。
[0035] 基台1上设置的干刻电极2采用阵列排列或其他的方式排列，保护膜4与每个干刻电极2一一对应，由于干刻电极2之间是孤立的，因此，为了方便保护膜4的安装，较佳的，多个保护膜4通过连接膜5连接，从而方便保护膜4在套装在干刻电极2上时的
定位，便于保护膜4的安装。更佳的，作为一种优选方案，多个保护膜4与连接膜5为一体结构，从而便于保护膜4的生产以及 安装，同时，增强了保护膜4与干刻电极2之间的连接强度，在玻璃基板与保护膜4之间出现相对运动时，保护膜4通过连接膜5将力进行分散，从而保证了保护膜4能够稳定的套装在干刻电极2上。
[0036] 在保护膜4制作时，保护膜4与连接膜5可以采用一体成型，增加保护膜4的稳定性，在具体的制备过程可以采用不同的生产工艺，如：
挤压成型、模具法或3D打印等方法制备。整个膜片在制备出后为整张一体的
薄膜，且每两个电极上的保护膜4通过连接膜5连接。同时，现有的干刻电极2的基台1上具有气孔3，连接膜5上具有与该气孔3匹配的通孔，从而保证从气孔3吹出的冷气能够与玻璃基板接触。为了保证吹出的冷气能够与玻璃基板充分接触，较佳的，在保护膜4与玻璃基板接触时，保护膜4与基板的接触面积的直径在0.3mm～0.5mm之间。具体的，保护膜4在与玻璃基板接触时会发生一定得形变，形成一个圆形的接触面，为了保证冷气能够充分与玻璃基板接触，因此，保护膜4与玻璃基板的接触面积越小越好，较佳的，该圆形接触面的直径可以为0.3mm、0.35mm、0.4mm、0.45mm、0.5mm等任意介于0.3mm到0.5mm之间的数值。
[0037] 在承载装置支撑玻璃基板时，需要通过干刻电极2上的静电将玻璃基板进行固定，因此，干刻电极2上的保护膜4的厚度不能太厚，以保证干刻电极2上的静
电能够吸附住玻璃基板，较佳的，所述保护膜4中位于所述干刻电极2顶端上方的部分的厚度在0.2mm～0.7mm之间。即位于干刻电极2的顶端的保护膜4的厚度在0.2mm～0.7mm之间，即位于干刻电极2顶端的保护膜4的厚度可以为：0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm等任意介于0.2mm～0.7mm之间的任意厚度值。更佳的，该膜厚选择为0.5mm，即保证了保护膜4具有一定的厚度，使得保护膜4能够有足够的强度，避免磨损过大造成破损，同时，也保证了干刻电极2产生的静电能够吸附住玻璃基板。
[0038] 保护膜4的外形结构可以选用不同的形状，如：所述保护膜4的横截面为如图3和图4所示的锥面形形状，也可以采用如图5所示的弧面形形状，或者 其他的任意可实施的外形结构，在此不再一一列举。
[0039] 通过上述描述可以看出，保护膜4仅需将干刻电极2以及玻璃基板隔离开来即可，只需位于干刻电极2的顶端上方的保护膜4具有一定的厚度、以及保护膜4与玻璃基板的接触面积不过大即可，对于保护膜4其他部位的特征则无需进行限制，因此，保护膜4其他部分可以采用镂空或者其他结构连减少其成本，同时也可以采用如图3和图4所示的包裹住干刻电极2的结构，其具体结构可以根据实际生产情况而定。
[0040] 在保护膜4具体安装时，可以采用不同的连接方式进行固定，如通过连接件6固定，或通过粘接剂粘接，如图4和图5所示，采用在每隔一段合适的距离使用连接件6将其固定在基台1上，如图3所示，采用粘结剂，使得连接膜5紧贴在基台1上，从而保证贴附后的承载装置的平坦度及稳定性。
[0041] 本发明实施例还提供了一种干法刻蚀装置，该干法刻蚀装置包括上述任一种承载装置。
[0042] 在上述实施例中，采用基板直接与保护膜4接触，并通过干刻电极2的静电将基板吸附固定，由于保护膜4的韦氏硬度低于基板的韦氏硬度，因此，在基板与保护膜4之间出现滑动时，保护膜4不会划伤基板，提高了基板在刻蚀时的安全性，降低了刻蚀后的不良率，进而提高了基板刻蚀后的质量。
[0043] 显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些
修改和变型属于本发明
权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
