专利汇可以提供电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种 电子 束 蒸发 技术制备微球 碳 化 硼 薄膜 的方法,将碳化硼膜料放到 电子束蒸发 设备的 坩埚 中,将清洗、干燥后的微球形衬底放到三维沉积装置的筛网反弹盘里,使微球形衬底位于坩埚正上方20cm~30cm处;在 真空 条件进行 镀 膜 ,镀膜真空度不低于5.0×10 -3 Pa,衬底 温度 为室温~300℃;调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小,调节三维沉积装置,使筛网反弹盘以0.125Hz~1Hz的 频率 作间歇式振动,束流值控制在80mA~140mA,镀膜时间为5h-100h。此方法可制备出球形衬底的微球碳化硼薄膜,薄膜结构因工艺不同有多晶和非晶两种状态,所制备的碳化硼薄膜表面光滑、均匀性良好。,下面是电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法与装置专利的具体信息内容。
1、一种用于制备微球碳化硼薄膜的三维沉积装置,包括电机(1),其特征在于还包括触杆I(2)、触杆II(3)、活塞式压板(10)、套筒(4)、弹簧(5)、支撑板(6)和筛网反弹盘(8);支撑板(6)的一端与筛网反弹盘(8)连接,套筒(4)固定在支撑板上,弹簧(5)安装在套筒(4)内,活塞式压板与套筒(4)为动配合,活塞式压板的下端面与弹簧(5)上端接触,活塞式压板的上端面与触杆II(3)的一端连接,触杆II(3)的自由端为斜面,触杆I(2)至少为1根,安装在与电机(1)外壳固连的连接件上,触杆I(2)的长度为:在电机(1)带动下转至对应于触杆II(3)的位置时与触杆II接触并触动触杆II运动。
2、 根据权利要求1所述的用于制备微球碳化硼薄膜的三维沉积装置,其特征在于 筛网反弹盘网孔(7)的孔径为微球形衬底直径的65%~75%。
3、 一种电子束蒸发技术制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于使用安装有权利 要求1或2所述三维沉积装置的电子束蒸发设备,包括以下步骤:1) 将碳化硼膜料放到电子束蒸发设备的坩埚中,将清洗、干燥后的微球形衬底放 到三维沉积装置的筛网反弹盘里,使微球形衬底位于坩埚正上方20 cm~30 cm处;2) 在真空条件进行镀膜,镀膜真空度不低于5.0xl0-spa;衬底温度为室温〜300 'C;3) 调节电子束使其聚焦到膜料上的斑点最小,调节三维沉积装置,使筛网反弹盘 以0.125 Hz ~ 1 Hz的频率作间歇式振动,镀膜时束流值控制在80 mA〜140 mA,镀膜 时间至少为5 h。
4、 根据权利要求3所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述微球形衬 底为钢球或玻璃球。
5、 根据权利要求3或4所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述筛网 反弹盘的振动频率为0.2 Hz ~0.5 Hz。
6、 根据权利要求3或4所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述衬底 温度为室温。
7、 根据权利要求5所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述衬底温度 为室温。
8、 根据权利要求3至4所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述碳化 硼膜料采用下述方法制备:原料是纯度至少为99.9%的硼粉和纯度至少为99.99%的碳粉,碳粉与硼粉的摩尔比为1 :2.5〜6.5;将碳粉和硼粉球磨混合均匀,然后在真空烧结炉中烧结,真空度不低 于0.1 Pa,以5 °C~30 tV分钟的升温速率从室温升温到1600 °C~1900 °C,保温时间至少 为1小时,保温后以5'C〜20tV分钟的降温速率降到室温,得到不同硼、碳化学计量比 的碳化硼粉料;将碳化硼粉料压结成片状体,再将所述片状体于150MPa〜250MPa等 静压致密化后在真空烧结炉中烧结,真空度不低于0.1 Pa,以15 °C〜25 'C/分钟的升温 速率从室温升温到1400 °C —1600 'C,保温时间至少为0.5小时,保温后以15 °C〜25 °C/ 分钟的降温速率降到室温,得到密度至少为2.1 g/cm3的片状碳化硼膜料。
9、 根据权利要求5所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述碳化硼膜 料采用下述方法制备:原料是纯度至少为99.9%的硼粉和纯度至少为99.99%的碳粉,碳粉与硼粉的摩尔 比为1 : 2.5〜6.5;将碳粉和硼粉球磨混合均匀,然后在真空烧结炉中烧结,真空度不低 于0.1 Pa,以5 °C~30 'C/分钟的升温速率从室温升温到1600 °C~1900 °C,保温时间至少 为1小时,保温后以5 'C~20 'C/分钟的降温速率降到室温,得到不同硼、碳化学计量比 的碳化硼粉料;将碳化硼粉料压结成片状体,再将所述片状体于150MPa〜250MPa等 静压致密化后在真空烧结炉中烧结,真空度不低于0.1Pa,以15'C〜25'C/分钟的升温 速率从室温升温到1400 °C — 1600 'C,保温时间至少为0.5小时,保温后以15 °C〜25 TV 分钟的降温速率降到室温,得到密度至少为2.1 g/cm3的片状碳化硼膜料。
10、 根据权利要求6所述的制备微球碳化硼薄膜的方法,其特征在于所述碳化硼膜 料采用下述方法制备:原料是纯度至少为99.9%的硼粉和纯度至少为99.99%的碳粉,碳粉与硼粉的摩尔 比为1 : 2.5〜6.5;将碳粉和硼粉球磨混合均匀,然后在真空烧结炉中烧结,真空度不低 于0.1 Pa,以5 °C~30 'C/分钟的升温速率从室温升温到1600 °C~1900 °C,保温时间至少 为1小时,保温后以5 'C~20 tV分钟的降温速率降到室温,得到不同硼、碳化学计量比 的碳化硼粉料;将碳化硼粉料压结成片状体,再将所述片状体于150MPa〜250MPa等 静压致密化后在真空烧结炉中烧结,真空度不低于0.1 Pa,以15 °C〜25 'C/分钟的升温 速率从室温升温到1400 °C_1600 'C,保温时间至少为0.5小时,保温后以15 °C〜25 °C/ 分钟的降温速率降到室温,得到密度至少为2.1 g/cm3的片状碳化硼膜料。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
---|---|---|
一种蒸发速率可控的电子束蒸发源 | 2020-05-11 | 1023 |
一种电子束蒸发制备电荷陷阱存储器件的方法 | 2020-05-14 | 56 |
电子束蒸发倾斜沉积镀膜装置及使用方法 | 2020-05-14 | 879 |
MgO薄膜电子束蒸发制备方法及装置 | 2020-05-12 | 574 |
MgO薄膜电子束蒸发制备方法及装置 | 2020-05-12 | 856 |
电子束蒸发装置 | 2020-05-11 | 834 |
电子束蒸发速率自动控制设备及其控制方法 | 2020-05-14 | 748 |
一种超稳定三电极电子束蒸发源 | 2020-05-12 | 457 |
电子束蒸发速率自动控制设备及其控制方法 | 2020-05-14 | 620 |
一种电子束蒸发式真空镀膜机 | 2020-05-12 | 152 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台,是提供专利分析,专利查询,专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据,免费查、免费专利分析。
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析,涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度,系统通过AI智能系统对图表进行解读,只需1分钟,一键生成行业专利分析报告。