一种抗氧化防蓝光带图案镜片及其制备方法
技术领域
[0001] 本
发明涉及防蓝光镜片制备技术，尤其是一种抗氧化防蓝光带图案镜片及其制备方法。
背景技术
[0002] 蓝光是自然可见光其中的一部分，日光及
电子屏幕都会发出蓝光，其
波长短，
能量高，能够直接穿透晶状体直达眼部黄斑区，导致黄斑病变。电视、电脑、PAD及手机等各类LED发光显示设备，厂家为使其画质效果更加明亮靓丽，往往会提升LED
背光源的蓝光强度，伴随着这些电子产品的普及并渗透到生活的方方面面，每个人
接触蓝光的机会随之急剧增加，对于普通人而言，阻隔蓝光长时间照射是减少损伤最有效方法，防蓝光镜片因此得到广泛的运用。目前，防蓝光镜片一般通过基材吸收或膜层反射实现阻隔蓝光的效果。膜层反射通常需要较多层膜或者厚度较高的膜层。
[0003] 为了开发多样化的镜片，使特定功能的镜片带有图案成为一种时尚趋势。图案必须与镜片材料有较好的融合效果，且稳定存在，不易发生氧化变色，同时，也是最重要的一点，图案应该不影响佩戴者的视线。对防蓝光镜片而言，由于其防蓝光设计，镜片过厚，层数多，图案层难以稳固附着，因而难以保证图案的结合效果。
发明内容
[0004] 本发明的目的是为了克服现有的防蓝光镜片难以加载稳定图案的问题，提供一种抗氧化防蓝光带图案镜片及其制备方法。所述抗氧化防蓝光带图案镜片通过特殊的层结构设计，使得镜片对波长在400～500nm的光线反射效果较好，具有防蓝光效果；镜片内部具有较高且稳定的
电阻率，表面抗氧化性能好，黏性好；图案清晰逼真并且不影响佩戴者视线。
[0005] 具体方案如下：
[0006] 一种抗氧化防蓝光带图案镜片，包括基片和设置在所述基片外表面的膜层，所述膜层包括由内向外依次层叠的打底层、图案层、抗氧化层、防蓝光层和保护层，所述打底层由第一低折射率
薄膜层和第二硒层组成，其中所述第二硒层与所述图案层紧邻；所述图案层由图案和第三低折射率薄膜层组成；所述抗氧化层为第四硒层，所述防蓝光层由高折射率薄膜层和低折射率薄膜层交替组成。
[0007] 进一步的，所述膜层
覆盖在所述基片的一个侧面。
[0008] 进一步的，所述防蓝光层由依次层叠的第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层组成。
[0009] 进一步的，所述基片为亚克
力基片、聚
碳酸酯基片、尼龙基片、CR-39基片或玻璃基片的任意一种。
[0010] 进一步的，所述第一低折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第五低折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层或第九低折射率薄膜层为SiO2、
硅铝混合物或MgF2中的任意一种；
[0011] 任选的，所述第六高折射率薄膜层或第八高折射率薄膜层为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种；
[0012] 任选的，所述图案层中的图案为油墨印刷图案、
铜模板贴合图案或静电贴贴合图案中的任意一种；
[0014] 进一步的，所述打底层中第一低折射率薄膜层的厚度为50-150埃米，第二硒层的厚度为50-150埃米；所述图案层中第三低折射率薄膜层的厚度为1000-1500埃米；所述抗氧化层的厚度为150-400埃米；所述防蓝光层中第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层的厚度依次为600-800埃米、400-600埃米、600-800埃米、400-600埃米、1300-1700埃米；所述保护层的厚度为10-280埃米。
[0015] 进一步的，所述打底层中第一低折射率薄膜层的厚度为100埃米，第二硒层的厚度为100埃米；所述图案层中第三低折射率薄膜层的厚度为1250埃米；所述抗氧化层的厚度为275埃米；所述防蓝光层中第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层的厚度依次为700埃米、500埃米、700埃米、
500埃米、1500埃米；所述保护层的厚度为150埃米。
[0016] 一种所述的抗氧化防蓝光带图案镜片的制备方法，包括以下步骤：
[0017] (1)对基片进行清洗、烘干，
烘烤温度40-65℃，时间1-2小时；
[0018] (2)依次对基片的外表面进行打底层
真空镀膜；
[0019] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0020] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，对基片进行表面清洗；
[0021] C、对基片外表面镀打底层
[0022] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第一低折射率薄膜层材料，材料
蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第一低折射率薄膜层蒸镀速率为 第一低折射率薄膜层最终形成后的厚度为50-150埃米；
[0023] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第二硒层的膜材硒，硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第二硒层蒸镀速率为 第二硒层最终形成后的厚度为50-150埃米；
[0024] (3)打底层镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后在基片打底层上印刷或者贴合镀膜图案；
[0025] (4)将基片排放在治具上，放入真空腔室抽真空，并进行第三低折射率薄膜层镀膜；
[0026] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第三低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第三低折射率薄膜层蒸镀速率为 第三低折射率薄膜层最终形成后的厚度为1000-1500埃米；
[0027] (5)镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后对基片进行去除油墨或者去除铜模板或者去除静电贴；
[0028] (6)对基片进行清洗、烘干，烘烤温度40-60℃，时间30分钟；
[0029] (7)对基片的外表面进行抗氧化层镀膜；
[0030] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0031] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，对基片进行表面清洗；
[0032] C、对基片外表面进行抗氧化层镀膜
[0033] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第四薄膜层的膜材硒，第四薄膜层硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第四薄膜层蒸镀速率为 第四薄膜层最终形成后的厚度为150-400埃米；
[0034] (8)对基片外表面进行防蓝光层镀膜
[0035] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第五低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第五低折射率薄膜层蒸镀速率为 第五低折射率薄膜层最终形成后的厚度为600-800埃米；
[0036] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第六高折射率薄膜层材料，第六高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第六高折射率薄膜层蒸镀速率为 第六高折射率薄膜层最终形成后的厚度为400-600埃米；
[0037] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第七低折射率薄膜层材料，第七低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第七低折射率薄膜层蒸镀速率为第七低折射率薄膜层最终形成后的厚度为600-800埃米；
[0038] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第八高折射率薄膜层材料，第八高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第八高折射率薄膜层蒸镀速率为 第八高折射率薄膜层最终形成后的厚度为400-600埃米；
[0039] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第九低折射率薄膜层材料，第九低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第九低折射率薄膜层材料蒸镀速率为第九低折射率薄膜层材料最终形成后的厚度为1300-1700埃米，然后形成防蓝光层；
[0040] (9)对基片外表面进行镀保护层镀膜
[0041] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用钨舟加热第十薄膜层的膜材防水材料，第十薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第十薄膜层蒸镀速率为 第十薄膜层最终形成后的厚度为10-280埃米，形成保护层。
[0042] 进一步的，所述第一低折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第五低折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层或第九低折射率薄膜层的材料为SiO2、硅铝混合物或MgF2中的任意一种；
[0043] 任选的，所述第六高折射率薄膜层或第八高折射率薄膜层的材料为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种。
[0044] 进一步的，所述的抗氧化防蓝光带图案镜片的制备方法包括以下步骤：
[0045] (1)对基片进行清洗、烘干，烘烤温度40-65℃，时间1-2小时；
[0046] (2)依次对基片的外表面进行打底层
真空镀膜；
[0047] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0048] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，气体为氩气，功率为
电压150V
电流8A，对基片进行表面2分钟清洗；
[0049] C、对基片外表面镀打底层
[0050] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第一低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第一低折射率薄膜层蒸镀速率为 第一低折射率薄膜层最终形成后的厚度为50-150埃米；
[0051] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第二硒层的膜材硒，硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第二硒层蒸镀速率为 第二硒层最终形成后的厚度为50-150埃米；
[0052] (3)打底层镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后在基片打底层上印刷或者贴合镀膜图案；
[0053] (4)将基片排放在治具上，放入真空腔室抽真空，并进行第三低折射率薄膜层镀膜；
[0054] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第三低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第三低折射率薄膜层蒸镀速率为 第三低折射率薄膜层最终形成后的厚度为1000-1500埃米；
[0055] (5)镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后对基片进行去除油墨或者去除铜模板或者去除静电贴；
[0056] (6)对基片进行清洗、烘干，烘烤温度40-60℃，时间30分钟；
[0057] (7)对基片的外表面进行抗氧化层镀膜；
[0058] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0059] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，气体为氩气，功率为电压150V电流8A，对基片进行表面2分钟清洗；
[0060] C、对基片外表面进行抗氧化层镀膜
[0061] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第四薄膜层的膜材硒，第四薄膜层硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第四薄膜层蒸镀速率为 第四薄膜层最终形成后的厚度为
150-400埃米；
[0062] (8)对基片外表面进行防蓝光层镀膜
[0063] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第五低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第五低折射率薄膜层蒸镀速率为 第五低折射率薄膜层最终形成后的厚度为600-800埃米；
[0064] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第六高折射率薄膜层材料，第六高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第六高折射率薄膜层蒸镀速率为 第六高折射率薄膜层最终形成后的厚度为400-600埃米；
[0065] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第七低折射率薄膜层材料，第七低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第七低折射率薄膜层蒸镀速率为第七低折射率薄膜层最终形成后的厚度为600-800埃米；
[0066] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第八高折射率薄膜层材料，第八高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第八高折射率薄膜层蒸镀速率为 第八高折射率薄膜层最终形成后的厚度为400-600埃米；
[0067] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用电子枪轰击第九低折射率薄膜层材料，第九低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第九低折射率薄膜层材料蒸镀速率为第九低折射率薄膜层材料最终形成后的厚度为1300-1700埃米，然后形成防蓝光层；
[0068] (9)对基片外表面进行镀保护层镀膜
[0069] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在40-60℃，采用钨舟加热第十薄膜层的膜材防水材料，第十薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第十薄膜层蒸镀速率为 第十薄膜层最终形成后的厚度为10-280埃米，形成保护层。
[0070] 有益效果：本发明所述抗氧化防蓝光带图案镜片具有较好的抗氧化、防蓝光效果，且图案与镜片结合紧密，图案清晰逼真，不褪色、不影响佩戴者视线，具有较好的市场前景。
附图说明
[0071] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些
实施例，而非对本发明的限制。
[0072] 图1是本发明一个实施例1提供的镜片反射率
光谱图。
具体实施方式
[0073] 下面给出本发明中使用的部分术语的定义，其他未述及的术语具有本领域所公知的定义和含义：
[0074] 基片：基片可以是平面镜片，也可以是具有一定弧度的镜片。
[0075] 外表面：本发明中外表面是指镜片在使用状态下，相对于佩戴者而言，位于外侧的一面。
[0076] 埃米/秒，用于表征粒子沉积形成薄膜生长的速度。
[0077] 本发明中防蓝光层优选为5层高、低折射率薄膜层交替而成，具体为第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层，厚度依次为600-800埃米、400-600埃米、600-800埃米、400-600埃米、1300-1700埃米，优选为620-780埃米、420-580埃米、620-780埃米、420-580埃米、1400-1600埃米，更优选为700埃米、500埃米、700埃米、500埃米、1500埃米；所述保护层的厚度为150埃米。膜层的厚度与材料相结合，可以实现最佳的防蓝光效果。其中，第五低折射率薄膜层要与抗氧化层紧邻，因为抗氧化层采用硒，本身为高折射率层，第五低折射率薄膜层与抗氧化层紧邻，以形成高、低折射率交替排布，提高防蓝光效果。
[0078] 本发明中，高折射率层，如第六高折射率薄膜层或第八高折射率薄膜层，膜材为ZrO2、Ti3O5或Ta2O5中的任意一种。
[0079] 本发明中，低折射率层，如第一低折射率薄膜层、第三低折射率薄膜层、第五低折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层或第九低折射率薄膜层，膜材为SiO2、硅铝混合物或MgF2中的任意一种，优选为硅铝混合物，所述硅铝混合物可以是SiO2与Al2O3的混合物，例如Al2O3占硅铝混合物总重的2-6％，更优选为Al2O3占硅铝混合物总重的3-3.5％。该材料可以自制，也可以采用市售产品，如真空镀膜材料L5，中国通用名称“硅铝混合物”，“L5”是其德国通用名称，该材料可由默克光学公司、南阳恺瑞特光学新材料有限公司或苏州普京真空技术有限公司提供，常用规格为1-3mm散粒，白色。
[0080] 本发明中图案层中的图案为油墨印刷图案、铜模板贴合图案或静电贴贴合图案中的任意一种。制作时，图案印刷或者贴合在打底层上，利用打底层增强图案与膜层的结合力，打底层由第一低折射率薄膜层和第二硒层组成，优选第二硒层与图案层紧邻。油印或者贴合图案之后，进行第三低折射率薄膜层镀膜，之后去除油墨或者去除铜模板或者去除静电贴，利用空白区域与镀膜区域之间的反差效果形成图案形状，与此同时，图案位于第二硒层与第三低折射率薄膜层之间，可以有效降低光的强度，减弱图案
亮度，达到特殊的视觉效果，即：佩戴者自身观察时几乎感受不到图案的存在，保证了镜片的视线完整，而旁观者可以看见清晰的图案，提升镜片的美感和时尚效果。
[0081] 本发明所述抗氧化防蓝光带图案镜片的制备方法中，镀膜采用真空镀膜机，为常规设备，例如龙翩真空科技股份有限公司提供的真镀膜机，配合美国考夫曼公司提供的KRI离子源设备。镀膜的关键在于真空腔室的温度和粒子沉积的速度。采用40-60℃优点是可以进一步排除基片的杂气，提升薄膜的附着度。需要说明的是，为了描述简洁，在制备方法的介绍中均以基片指代完成上一操作步骤的基片，而不是空白基片。
[0082] 下面将更详细地描述本发明的优选实施方式。虽然以下描述了本发明的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施方式所限制。实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品
说明书进行。所用
试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。在下面的实施例中，如未明确说明，“％”均指重量百分比。
[0083] 以下使用的测试方法包括：
[0084] 反射率测试：使用分光光度计U-3900H测试280-780nm反射率。
[0085] 耐
腐蚀测试：使用
质量浓度为4.5％的盐水浸泡镜片，记录镜片表面薄膜
颜色开始出现褪色的时间。
[0086] 抗氧化测试：使用QUV测试仪，UV辐照：强度0.67W/m2，温度60℃，辐照4小时；冷凝：温度50℃时间4H。UV辐照与冷凝循环测试，记录薄膜颜色开始出现褪色的时间。
[0087] 以下使用的主要试剂包括：
[0088] 硅铝混合物，市售产品，由默克光学公司提供的真空镀膜材料L5。
[0089] 防水材料，市售产品，由丹阳市科达镀膜材料有限公司提供。
[0090] 实施例1
[0091] 一种抗氧化防蓝光带图案镜片，包括基片和覆盖在基片外表面的膜层，膜层从连接基片从一侧开始由依次层叠第一低折射率薄膜层、第二硒层、图案、第三低折射率薄膜层、第四硒层、第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层和防水层组成。其中，第一低折射率薄膜层和第二硒层组成打底层，图案为油墨印刷图案、铜模板贴合图案或静电贴贴合图案，第四硒层为抗氧化层，第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层和第九低折射率薄膜层组成防蓝光层，防水层作为保护层。
[0092] 具体的，基片为亚克力基片，所述打底层中第一低折射率薄膜层为L5，厚度为100埃米，第二硒层厚度为100埃米；所述图案层中第三低折射率薄膜层为SiO2，厚度为1250埃米；所述抗氧化层为硒，厚度为280埃米；所述防蓝光层中第五低折射率薄膜层为SiO2，厚度为700埃米，第六高折射率薄膜层为ZrO2，厚度为500埃米，第七低折射率薄膜层SiO2，厚度为700埃米，第八高折射率薄膜层为ZrO2，厚度为500埃米，第九低折射率薄膜层SiO2，厚度为
1500埃米；所述保护层的厚度为150埃米。
[0093] 上述镜片的反射率光谱图见图1，从图1可以看出，镜片对蓝光的反射率高，具有较好的防蓝光效果。
[0094] 实施例2
[0095] 一种抗氧化防蓝光带图案镜片，包括基片和覆盖在基片外表面的膜层，膜层从连接基片从一侧开始由依次层叠第一低折射率薄膜层、第二硒层、图案、第三低折射率薄膜层、第四硒层、第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层和防水层组成。其中，第一低折射率薄膜层、第二硒层组成打底层，图案为油墨印刷图案、铜模板贴合图案或静电贴贴合图案，第四硒层为抗氧化层，第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层和第八高折射率薄膜层组成防蓝光层，防水层作为保护层。
[0096] 具体的，基片为尼龙基片，所述打底层中第一低折射率薄膜层为SiO2，厚度为150埃米，第二硒层厚度为150埃米；所述图案层中第三低折射率薄膜层为SiO2，厚度为1500埃米；所述抗氧化层为硒，厚度为400埃米；所述防蓝光层中第五低折射率薄膜层为SiO2，厚度为800埃米，第六高折射率薄膜层为Ti3O5，厚度为600埃米，第七低折射率薄膜层SiO2，厚度为800埃米，第八高折射率薄膜层为Ti3O5，厚度为600埃米；所述保护层的厚度为280埃米。
[0097] 实施例3
[0098] 一种抗氧化防蓝光带图案镜片，包括基片和覆盖在基片外表面的膜层，膜层从连接基片从一侧开始由依次层叠第一低折射率薄膜层、第二硒层、图案、第三低折射率薄膜层、第四硒层、第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层、第十高折射率层和防水层组成。其中，第一低折射率薄膜层和第二硒层组成打底层，图案为油墨印刷图案、铜模板贴合图案或静电贴贴合图案，第四硒层为抗氧化层，第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层和第十高折射率层组成防蓝光层，防水层作为保护层。
[0099] 具体的，基片为玻璃基片，所述打底层中第一低折射率薄膜层为L5，厚度为50埃米，第二硒层厚度为50埃米；所述图案层中第三低折射率薄膜层为MgF2，厚度为1000埃米；所述抗氧化层为硒，厚度为150埃米；所述防蓝光层中第五低折射率薄膜层为MgF2，厚度为
600埃米，第六高折射率薄膜层为Ta2O5，厚度为400埃米，第七低折射率薄膜层MgF2，厚度为
600埃米，第八高折射率薄膜层为Ta2O5，厚度为400埃米，第九低折射率薄膜层MgF2，厚度为
1300埃米，第十高折射率层为Ta2O5，厚度为400埃米；所述保护层的厚度为10埃米。
[0100] 实施例4
[0101] 制备抗氧化防蓝光带图案镜片，步骤如下：
[0102] (1)对基片进行清洗、烘干，烘烤温度50℃，时间1-2小时；
[0103] (2)依次对基片的外表面进行打底层真空镀膜；
[0104] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0105] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，气体为氩气，功率为电压150V电流8A，对基片进行表面2分钟清洗；
[0106] C、对基片外表面镀打底层
[0107] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第一低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第一低折射率薄膜层蒸镀速率为 第一低折射率薄膜层最终形成后的厚度为100埃米；
[0108] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第二硒层的膜材硒，硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第二硒层蒸镀速率为 第二硒层最终形成后的厚度为100埃米；
[0109] (3)打底层镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后在基片打底层上印刷或者贴合镀膜图案；
[0110] (4)将基片排放在治具上，放入真空腔室抽真空，并进行第三低折射率薄膜层镀膜；
[0111] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第三低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第三低折射率薄膜层蒸镀速率为 第三低折射率薄膜层最终形成后的厚度为1250埃米；
[0112] (5)镀膜完成后，对真空腔室冲入大气，然后取出基片，然后对基片进行去除油墨或者去除铜模板或者去除静电贴；
[0113] (6)对基片进行清洗、烘干，烘烤温度50℃，时间30分钟；
[0114] (7)对基片的外表面进行抗氧化层镀膜；
[0115] A、将烘干的基片摆放在治具上，送入真空腔室抽真空；
[0116] B、当真空腔室真空度达到小于或等于5*10-5Torr时，开启离子源，气体为氩气，功率为电压150V电流8A，对基片进行表面2分钟清洗；
[0117] C、对基片外表面进行抗氧化层镀膜
[0118] 当真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，并控制真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第四薄膜层的膜材硒，第四薄膜层硒蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第四薄膜层蒸镀速率为 第四薄膜层最终形成后的厚度为275埃米；
[0119] (8)对基片外表面进行防蓝光层镀膜
[0120] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第五低折射率薄膜层材料，材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第五低折射率薄膜层蒸镀速率为 第五低折射率薄膜层最终形成后的厚度为700埃米；
[0121] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第六高折射率薄膜层材料，第六高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第六高折射率薄膜层蒸镀速率为 第六高折射率薄膜层最终形成后的厚度为500埃米；
[0122] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第七低折射率薄膜层材料，第七低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第七低折射率薄膜层蒸镀速率为 第七低折射率薄膜层最终形成后的厚度为700埃米；
[0123] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第八高折射率薄膜层材料，第八高折射率薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第八高折射率薄膜层蒸镀速率为 第八高折射率薄膜层最终形成后的厚度为500埃米；
[0124] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用电子枪轰击第九低折射率薄膜层材料，第九低折射率薄膜层材料蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第九低折射率薄膜层材料蒸镀速率为第九低折射率薄膜层材料最终形成后的厚度为1500埃米，然后形成防蓝光层；
[0125] (9)对基片外表面进行镀保护层镀膜
[0126] 保持真空腔室真空度达到小于或等于2.0*10-5Torr时，同时保持真空腔室的温度在50℃，采用钨舟加热第十薄膜层的膜材防水材料，第十薄膜层蒸发后以埃米级分子形式沉积于基片的外表面，同时控制第十薄膜层蒸镀速率为 第十薄膜层最终形成后的厚度为150埃米，形成保护层。
[0127] 本实施例仅为示例，本领域技术人员知晓，基片烘烤的温度在40-65℃，时间1-2小时都可以实现本发明，镀膜时的蒸镀速率可以在上述
基础上进行±20％的变化；根据镜片结构的变化，相应的制备步骤中镀膜程序可以调整，例如多镀一层低折射率薄膜层或者改变膜材等。
[0128] 对比例1
[0129] 一种镜片，其结构与实施例1基本相同，区别在于不包含第二硒层和第四硒层，也即该镜片从基片开始，依次为第一低折射率薄膜层、图案、第三低折射率薄膜层、第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层和防水层组成。
[0130] 对比例2
[0131] 一种镜片，其结构与实施例1基本相同，区别在于膜层中的排列顺序有所改变，也即该镜片从基片开始，依次为第二硒层、第一低折射率薄膜层、图案、第三低折射率薄膜层、第四硒层、第五低折射率薄膜层、第六高折射率薄膜层、第七低折射率薄膜层、第八高折射率薄膜层、第九低折射率薄膜层和防水层。
[0132] 性能检测
[0133] 对实施例和对比例中的镜片进行测试，其对波长在400-500nm的平均反射率、
耐腐蚀性和抗氧化性能见表1：
[0134] 表1性能测试表
[0135]
[0136]
[0137] 以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。
[0138] 另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
[0139] 此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。
