切割半导体晶片
专利汇可以提供切割半导体晶片专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种切割 半导体 晶片 的方法，包括使用脉冲宽度介于1皮秒至1000皮秒，且重复 频率 对应于比待划片材料的热弛豫时间短的脉冲之间的时间的激光，沿着切割带对至少一个 电介质 层进行划片以从晶片的表面去除材料。然后该晶片被切割穿透金属层且至少部分地切割穿透 半导体晶片 的 基板 。，下面是切割半导体晶片专利的具体信息内容。
1.一种用于切割半导体晶片的方法，其包括：
a.使用脉冲宽度介于1皮秒至1000皮秒之间且重复频率对应于比待划片材料的热弛豫时间短的脉冲之间的时间的激光，沿着切割带对至少一个电介质层进行划片，以从晶片的表面去除材料；以及
b.切割穿透金属层且至少部分地切割穿透半导体晶片的基板。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述重复频率大于500kHz。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述重复频率大于1MHz。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述激光发射波长小于400nm的UV激光束。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述激光发射波长小于600nm的可见激光束。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括对半导体晶片的表面上的分层结构进行划片。
7.根据权利要求6所述的方法，包括对分层结构中的电介质材料进行划片。
8.根据权利要求7所述的方法，包括对分层结构中的低k电介质材料进行划片。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的方法，包括对分层结构中的高k电介质材料进行划片。
10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中使用在500KHz至1MHz范围内的重复频率的激光切割金属层。
11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述切割步骤包括使用具有重复频率的低于用于划片的频率的UV或可见波长的纳秒脉冲激光执行切割。
12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括对电介质层进行激光划片，然后锯穿金属层且至少部分地锯穿半导体晶片的基板。
13.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中激光参数在运行中被修改，以便加工晶片表面上不同点的不同材料。
14.根据权利要求13所述的方法，其中从供应有晶片的CAD数据或通过机器视像手段确定晶片上被加工的位置。
15.根据权利要求14所述的方法，其中加工的激光以较低功率操作且被反射的信号被监控以从照射表面的反射率确定待划片的材料改变的位置，使得加工参数在该位置上改变。
16.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述切割步骤是机械锯切割处理。
17.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，其中所述切割步骤是蚀刻处理。
18.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用比最终切割带宽度更大的宽度对划片槽进行划片，以防止损坏从切割带传播进入晶片。
19.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用锁模激光进行划片。
20.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用固态种子激光或具有半导体或光纤放大器的光纤激光源进行划片。
21.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用光纤激光或光纤放大器进行划片。
22.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括使用能量在0.1μJ至10μJ范围内的激光脉冲进行划片。
23.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括以50mm/s至1000mm/s的速度进行划片。
24.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括以200mm/s至600mm/s的速度进行划片。
切割半导体晶片
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
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