金属硼化物和金属硅化物的沉积
专利汇可以提供金属硼化物和金属硅化物的沉积专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且公开了一种用于向基材上沉积金属膜的方法。特别是，该方法包括向基材上脉冲输送金属卤化物前体以及向基材上脉冲输送还原性前体。该金属卤化物前体和该还原性前体之间的反应形成金属膜。具体地，该方法公开了形成金属 硼 化物或金属 硅 化物膜。，下面是金属硼化物和金属硅化物的沉积专利的具体信息内容。
1.一种形成金属硼化物或金属硅化物的方法，包括：
在反应室中提供用于处理的基材；
向该基材上进行金属卤化物前体沉积，该进行金属卤化物前体沉积的步骤包括：
向该基材上脉冲输送金属卤化物前体；和
从该反应室中清除过量的金属卤化物前体；以及
向该基材上进行还原性前体沉积，该进行还原性前体沉积的步骤包括：
向该基材上脉冲输送还原性前体；和
从该反应室中清除过量的还原性前体；
其中，该金属卤化物前体包括以下的一种：五溴化钽(TaBr5)、五碘化钽(TaI5)、四溴化铌(NbBr4)、五溴化铌(NbBr5)、四碘化铌(NbI4)、五碘化铌(NbI5)、四氟化锆(ZrF4)、四氯化锆(ZrCl4)、四溴化锆(ZrBr4)、四碘化锆(ZrI4)、四氟化铪(HfF4)、四氯化铪(HfCl4)、四溴化铪(HfBr4)、四碘化铪(HfI4)、五氟化钼(MoF5)、六氟化钼(MoF6)、五氯化钼(MoCl5)、六氯化钼(MoCl6)、五溴化钼(MoBr5)、六溴化钼(MoBr6)、五碘化钼(MoI5)或六碘化钼(MoI6)；
其中金属卤化物前体和还原性前体之间的反应形成了膜，该膜包含以下物质中的至少一种：二硼化钽(TaB2)、二硼化铌(NbB2)、二硼化铪(HfB2)、二硼化锆(ZrB2)、硼化钼(MoB)、硅化钽(TaSi2)、硅化铌(NbSi2)、硅化铪(HfSi2)、硅化锆(ZrSi2)或二硅化钼(MoSi2)；
其中该金属前体沉积步骤重复预定次数；且
其中该还原性前体沉积步骤重复预定次数。
2.如权利要求1所述的方法，其中该还原性前体包括以下物质中的至少一种：硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)、甲硼烷(BH3)、乙硼烷(B2H6)、丙硼烷(B3H8)、丁硼烷(B4H10)、戊硼烷、己硼烷、庚硼烷、辛硼烷、壬硼烷、和癸硼烷、仅由硼和氢构成的硼烷化合物、胺硼烷、环状硼化物、环硼氮烷、和不含碳的硼烷化合物、以及其它含硼前体。
3.如权利要求1所述的方法，其中反应室的温度在200至400℃之间的范围内。
4.如权利要求1所述的方法，其中反应室的压力在0.5至8托之间的范围内。
5.如权利要求1所述的方法，其中脉冲输送金属卤化物前体的持续时间为0.1至10秒。
6.如权利要求1所述的方法，其中脉冲输送还原性前体的持续时间为0.1至10秒。
7.如权利要求1所述的方法，其中清除过量的金属卤化物前体包括用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)或其它稀有气体中的至少一种来净化反应室。
8.如权利要求1所述的方法，其中清除过量的还原性前体包括用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)或其它稀有气体中的至少一种来净化反应室。
9.一种形成用于NMOS应用的金属硼化物或金属硅化物的方法，包括：
在反应室中提供用于处理的基材；
向该基材上进行金属卤化物前体沉积，该进行金属卤化物前体沉积的步骤包括：
向该基材上脉冲输送金属卤化物前体；和
从该反应室中清除过量的金属卤化物前体；以及
向该基材上进行还原性前体沉积，该进行还原性前体沉积的步骤包括：
向该基材上脉冲输送还原性前体；和
从该反应室中清除过量的还原性前体；
其中，该金属卤化物前体包括以下物质中的一种：五溴化钽(TaBr5)、五碘化钽(TaI5)、四溴化铌(NbBr4)、五溴化铌(NbBr5)、四碘化铌(NbI4)、五碘化铌(NbI5)、四氟化铪(HfF4)、四氯化铪(HfCl4)、四溴化铪(HfBr4)、四碘化铪(HfI4)、四氟化锆(ZrF4)、四氯化锆(ZrCl4)、四溴化锆(ZrBr4)、四碘化锆(ZrI4)、五氟化钼(MoF5)、六氟化钼(MoF6)、五氯化钼(MoCl5)、六氯化钼(MoCl6)、五溴化钼(MoBr5)、六溴化钼(MoBr6)、五碘化钼(MoI5)或六碘化钼(MoI6)；
其中金属卤化物前体和还原性前体之间的反应形成了膜，该膜包含以下物质中的至少一种：二硼化钽(TaB2)、二硼化铌(NbB2)、二硼化铪(HfB2)、二硼化锆(ZrB2)、硼化钼(MoB)、硅化钽(TaSi2)、硅化铌(NbSi2)、硅化铪(HfSi2)、硅化锆(ZrSi2)或二硅化钼(MoSi2)。
10.如权利要求9所述的方法，其中该还原性前体包括以下物质中的至少一种：硅烷(SiH4)、乙硅烷(Si2H6)、丙硅烷(Si3H8)、甲硼烷(BH3)、乙硼烷(B2H6)、丙硼烷(B3H8)、丁硼烷(B4H10)、戊硼烷、己硼烷、庚硼烷、辛硼烷、壬硼烷、癸硼烷、仅由硼和氢构成的硼烷化合物、胺硼烷、环状硼化物、环硼氮烷、和不含碳的硼烷化合物、以及其它含硼前体。
11.如权利要求9所述的方法，其中反应室的温度在200至400℃之间的范围内。
12.如权利要求9所述的方法，其中反应室的压力在0.5至8托之间的范围内。
13.如权利要求9所述的方法，其中脉冲输送金属卤化物前体的持续时间为0.1至10秒。
14.如权利要求9所述的方法，其中脉冲输送还原性前体的持续时间为0.1至10秒。
15.如权利要求9所述的方法，其中清除过量的金属卤化物前体包括用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)或其它稀有气体中的至少一种来净化反应室。
16.如权利要求9所述的方法，其中清除过量的还原性前体包括用氮气(N2)、氩气(Ar)、氦气(He)、氢气(H2)或其它稀有气体中的至少一种来净化反应室。
17.如权利要求9所述的方法，其中该金属栅极具有从约30至约80原子％、从约50至约
80原子％、或从约60至约70原子％的硼浓度或硅浓度。
18.如权利要求9所述的方法，其中该金属栅极具有从约20至约70原子％、从约20至约
50原子％、或从约30至约40原子％的金属浓度。
19.如权利要求9所述的方法，其中该金属栅极具有低于约5原子％或低于约1原子％的氧浓度。
20.如权利要求9所述的方法，其中该金属栅极具有低于约5原子％或低于约1原子％的氢浓度。
21.如权利要求9所述的方法，其中该金属栅极具有低于约5原子％或低于约1原子％的卤素/卤化物浓度。
金属硼化物和金属硅化物的沉积
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