用于气相沉积的喷头
阅读：101发布：2020-05-12
专利汇可以提供用于气相沉积的喷头专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本公开涉及 半导体 工艺领域的气相沉积设备以及用于气相沉积的喷头。其中一个 实施例 提供了一种用于气相沉积的喷头，其中，所述喷头包括多个孔；并且位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。还提供了一种气相沉积设备，其包括：用于气相沉积的喷头；加热器，所述加热器位于所述喷头的正下方；以及 支撑 轴，所述支撑轴支撑所述加热器。，下面是用于气相沉积的喷头专利的具体信息内容。
1.一种用于气相沉积的喷头，其特征在于：
所述喷头包括多个孔；并且
位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。
2.根据权利要求1所述的喷头，其特征在于：
向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的一圈圆周上。
3.根据权利要求1所述的喷头，其特征在于：
向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上。
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的喷头，其特征在于：
向所述喷头的外部倾斜的孔向所述喷头的外部倾斜的倾斜角度小于或等于45度。
5.根据权利要求3所述的喷头，其特征在于：
位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔的倾斜角度相同或从内圈向外圈逐渐增大。
6.根据权利要求1-3所述的喷头，其特征在于：
当从所述喷头的顶部向底部看去时，向所述喷头的外部倾斜的孔进一步相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
7.根据权利要求6所述的喷头，其特征在于：
向所述喷头的外部倾斜的孔沿顺时针或逆时针方向相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
8.根据权利要求6所述的喷头，其特征在于：
向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度小于或等于45度。
9.根据权利要求6所述的喷头，其特征在于：
位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度相同或从内圈向外圈逐渐增大，从而形成向外的漩涡状气流。
10.一种气相沉积设备，其特征在于，包括根据权利要求1-9中任意一项所述的喷头。
用于气相沉积的喷头
技术领域
背景技术
[0003] 随着半导体晶圆向大口径化并且半导体设备向高集成化方向发展，在晶圆上取得较高的芯片生产量是集成电路领域追求的方向，因此提高晶圆边缘区域的芯片良品率非常重要。但是，在实际工艺沉积过程中，由于晶圆边缘部分结构和特性会发生变化，并且晶圆边缘部分存在一定弧度，导致晶圆边缘部分的薄膜沉积容易剥落，因此边缘区域的薄膜沉积很难跟中心部分一样均匀，从而导致晶圆边缘区域的芯片良品率较低。
[0004] 因此，存在使得晶圆边缘区域和中心区域的薄膜沉积均匀的需求。发明内容
[0005] 本公开的目的是提供一种新颖的用于气相沉积的喷头以及一种包含所述喷头的气相沉积设备。
[0006] 按照本公开的第一方面，提供了一种用于气相沉积的喷头，其中，所述喷头包括多个孔；并且位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。
[0007] 按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的一圈圆周上。
[0008] 按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上。
[0009] 按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔向所述喷头的外部倾斜的倾斜角度小于或等于45度。
[0011] 按照本公开的第一方面，所述喷头的中间区域的孔形成垂直气流，而所述喷头的边缘区域的孔形成向外的气流。
[0012] 按照本公开的第一方面，当从所述喷头的顶部向底部看去时，向所述喷头的外部倾斜的孔进一步相对于喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
[0013] 按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔沿顺时针或逆时针方向相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
[0014] 按照本公开的第一方面，向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度小于或等于45度。
[0015] 按照本公开的第一方面，位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度相同或从内圈向外圈逐渐增大，从而形成向外的漩涡状气流。
[0016] 按照本公开的第二方面，提供了一种气相沉积设备，其包括：用于气相沉积的喷头；加热器，所述加热器位于所述喷头的正下方；以及支撑轴，所述支撑轴支撑所述加热器。
附图说明
[0019] 参照附图，根据下面的详细描述，可以更加清楚地理解本公开，其中：
[0020] 图1A例示出了传统的气相沉积设备的示意图。
[0021] 图1B例示出了根据本公开的示例性实施例的气相沉积设备的示意图。
[0022] 图2例示出了根据本公开的示例性实施例的喷头的主视图。
[0023] 图3A例示出了传统的喷头喷出的气流的示意图。
[0024] 图3B例示出了根据本公开的示例性实施例的喷头喷出的气流的示意图。
[0025] 图4A-4B例示出了根据本公开的一个示例性实施例的喷头沿水平方向的横截面的俯视图。
[0026] 图5A-5B例示出了根据本公开的一个示例性实施例的喷头的底面的示意图。
[0027] 图6A-6B例示出了根据本公开的另一个示例性实施例的喷头沿水平方向的横截面的俯视图。
[0028] 图7A-7B例示出了根据本公开的另一个示例性实施例的喷头产生的气流的示意图。
[0029] 注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在本说明书中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0030] 为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，所公开的发明并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
[0031] 在薄膜沉积工艺中，喷头利用大量密布的微小喷口将反应气体喷向晶圆。喷头将反应气体均匀分配到晶圆上方，从而使到达晶圆上方各点的反应气体浓度基本相同。但是，由于从晶圆正上方喷入的反应气体通常会流到反应腔室边缘，再由排布在反应腔室侧面或下部的出口排出，在晶圆中心处喷入的气体和在晶圆边缘处喷入的气体流经的距离显然不同。另外，由于中心处的生成物尾气不能及时排出，因此晶圆中心区域薄膜沉积的厚度往往大于边缘处薄膜沉积的厚度，导致薄膜厚度本质上并不均匀。
[0032] 另外，传统喷头的气孔规则密集排列并且以90度垂直向下的方向将解离的等离子体沉积在晶圆上。由于晶圆边缘区域的几何结构、电气属性以及材料等都会发生变化，晶圆边缘区域上方的等离子体特性也随之改变，这也会导致晶圆边缘区域气体沉积不均匀。另外，边缘区域气体排出过快而导致边缘区域气体较少也是晶圆边缘区域气体沉积不均匀的重要原因之一。
[0033] 传统喷头设计中，除去设置气孔的区域，喷头的边缘存在一定的未设置气孔的部分。这样，喷头有气孔的区域可能不能够完全覆盖晶圆，这也会导致晶圆边缘区域气体较少。
[0035] 经过深入研究，考虑到上述内容，本申请的发明人提出了一种改进的用于气相沉积的喷头，其包含多个输送气流的孔，并且在所述喷头边缘的孔向外倾斜，其可将工艺气体输送到反应腔室中并在晶圆上形成均匀的薄膜，适合用于解决晶圆边缘区域薄膜沉积不均匀的问题。使用本公开的技术可以增加向晶圆边缘区域流动的气流，使得边缘区域和中心区域的薄膜沉积均匀，从而解决了晶圆边缘薄膜沉积偏薄或者容易剥落的问题，而且对于晶圆中心区域的薄膜沉积没有影响。
[0036] 如本文中所述的气体可以包括一种或多种气体，也可以利用蒸汽或液体，或气体/蒸汽/液体混合物。反应物可在气相沉积设备的反应腔室中被激发成等离子体，使得可在晶圆的上表面上执行等离子体沉积工艺。
[0037] 另外，本领域技术人员均能理解，本发明不仅适用于气相沉积，也可适用于液相沉积。例如，本发明提出的喷头可以适用于物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)等多种沉积方式。
[0038] 下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
[0039] 以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，绝不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的用于气相沉积的喷头和气相沉积设备是以示例性的方式例示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本发明的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些特征可能被放大以例示出具体组件的细节。
[0040] 对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为授权说明书的一部分。
[0041] 在这里例示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
[0042] 为了更全面、清楚地理解本发明，下面将结合附图来阐述根据本公开的新颖的技术。
[0043] 图1A例示出了传统气相沉积设备的示意图。如图1A所示，传统气相沉积设备包括反应腔室10、喷头101、加热器102以及支撑轴103。喷头101的中心区域包含有以90度垂直方向垂直向下的用于输送气流的孔104。为便于气体反应以及排除杂质对气体反应的影响，反应腔室10通常为真空腔。喷头101包含外壳、气体入口、作为气体出口的多个气孔、底板。其中，气孔通常为长条形的中空的圆柱体，可以允许气体、蒸汽、液体等通过。加热器102可以支撑晶圆105，并释放热量，促进反应物热解，加速反应腔室10内的化学反应。晶圆105放置在加热器102上方。支撑轴103支撑加热器102与晶圆105。支撑轴可以只起支撑作用，也可以沿顺时针或逆时针方向旋转，并且带动加热器102和晶圆105一起旋转。喷头101喷出的气体在喷头的底板与晶圆105之间的区域中被激发为等离子体106。
[0044] 现在描述传统的薄膜沉积过程。首先，载气携带着反应物从喷头101的气孔104向晶圆105喷出。在晶圆105表面上，反应物被加热器102加热，发生热解、置换等气相化学反应，随后通过射频激发生成等离子体106，等离子体106在晶圆105表面被吸附，再通过表面扩散，结合入晶格等表面反应步骤完成薄膜沉积。
[0045] 根据图1A可以看出，喷头101边缘没有气孔，导致喷头101边缘下方的晶圆的表面上所沉积的薄膜偏薄。
[0046] 图1B例示出了根据本公开的示例性实施例的气相沉积设备的示意图。与传统的用于气相沉积的喷头相比，根据该实施例的喷头101在边缘区域增加了向喷头外部倾斜的用于向晶圆边缘区域输送气流的孔104’。以这种方式，可以增加向晶圆边缘输送的气流，使得更多的气流向晶圆边缘区域流动沉积。这样，改善了晶圆边缘区域气流缺失，弥补了边缘区域等离子体106的不足，从而使得晶圆边缘区域沉积更加均匀。与图1A中相比，图1B中的晶圆的边缘区域与中心区域的薄膜沉积显然更均匀。
[0047] 现在描述利用根据本公开示例性实施例的气相沉积设备的具体的薄膜沉积过程。载气携带着反应物从喷头101的孔104和104’向晶圆105喷出。气孔104向晶圆105的中心区域喷射气体，同时气孔104’向晶圆105的边缘区域喷射气体。在晶圆105表面上，气体被激发成等离子体106，随后进行薄膜沉积。
[0048] 在薄膜沉积过程中，薄膜生长的组分和厚度主要取决于晶圆上方的反应物浓度分布和温度分布。也就是说，无论薄膜的生长速率还是质量，都受到气体输运过程的影响，因此，利用向喷头的外部倾斜的孔104’向晶圆边缘喷射气体可以解决晶圆边缘区域沉积偏薄的问题。
[0049] 为了更完整全面地理解本发明，下面将以图2例示出的主视图、图3A-3B例示出的气流的示意图、图4A-4B例示出的喷头沿水平方向的横截面的俯视图、以及图5A-5B例示出的喷头的底面的示意图为例来详细描述根据本公开的一个示例性实施例的喷头的一个具体示例。请注意，该示例并不意图构成对本发明的限制。
[0050] 具体地，如图2所示，可以在喷头101的边缘区域增加一圈向喷头外部倾斜的孔104’。以这种方式，可以在保持喷头中心区域中的孔向晶圆中心区域均匀地沉积等离子体
106的同时，向晶圆的边缘区域也输送一定量的气体，使得晶圆边缘区域也可以和中心区域一样均匀地沉积等离子体106。为便于观察，图2中省略了喷头中心区域中的孔，仅例示出了位于喷头边缘区域的增加的向喷头外部倾斜的一圈孔104’。可以看出，设置在喷头边缘区域的孔呈一定角度向喷头外部发散地倾斜。
106的同时，向晶圆的边缘区域也输送一定量的气体，使得晶圆边缘区域也可以和中心区域一样均匀地沉积等离子体106。为便于观察，图2中省略了喷头中心区域中的孔，仅例示出了位于喷头边缘区域的增加的向喷头外部倾斜的一圈孔104’。可以看出，设置在喷头边缘区域的孔呈一定角度向喷头外部发散地倾斜。
[0051] 图3A例示出了传统的气相沉积设备的喷头喷出的气流的示意图。可以看出，喷头中心区域的等离子体106垂直于晶圆105的表面向下喷射。但是，晶圆105边缘区域气流较少。图3B例示出了根据本公开的示例性实施例的喷头喷出的气流的示意图。相比之下，晶圆105边缘区域也有自上而下倾斜向其喷射的气流。
[0052] 下面参照图4A-4B，进一步描述根据该示例性实施例的喷头。为便于理解，假设喷头向下喷气的方向为垂直方向，喷头的底板延伸的方向为水平方向。如图所示，设定喷头的垂直轴为V，水平轴为H，垂直轴V为喷头的中轴线，两个水平轴H形成的平面代表喷头沿水平方向的横截面。当通过圆心时，水平轴H可以代表喷头沿水平方向的横截面的径向方向。如图4A所示，喷头101包含有边缘区域301和中心区域302，中心区域302中包含有多个气孔104。可以仅在喷头101的边缘区域301中设置一圈向外部倾斜的气孔104’，边缘区域301的其他部分仍保留原样。气孔104’向喷头外部倾斜的角度为α，角度α为气孔104’的朝向D相对于喷头的垂直轴V向外倾斜的角度。角度α可以为90度以内的任意角度。优选地，角度α小于或等于45度。
[0053] 如上所述，通过在喷头101的边缘区域301中设置一圈向外部倾斜的气孔104’，可以一定程度上增加向晶圆边缘区域喷出的气体。为了进一步增加向晶圆边缘喷出的气体的量，如图4B所示，也可以在喷头的边缘区域301设置两圈或更多圈向外部倾斜的孔104’。以这种方式，可以向喷头的边缘区域喷射更多的气体，使得解离的等离子体106增多，从而保证晶圆边缘区域的沉积厚度，使得晶圆边缘区域和中心区域的气体沉积更加均匀。
[0054] 虽然图4A和4B中仅例示出了在边缘区域301中设置一圈和三圈向外部倾斜的气孔的示例，但是应认识到，在边缘区域301中设置的向外部倾斜的气孔的圈数也可以为三圈之外的圈数，例如，两圈、四圈等，只要边缘区域301可以容纳下即可。具体圈数可以根据气体特性、反应腔室的温度、湿度等条件而进行设置。气孔104’由内向外向喷头外部倾斜的角度依次分别为α1、α2、……、αn(n为大于或等于1的整数)，其分别为位于喷头边缘区域301的每圈孔相对于喷头的垂直轴V向外倾斜的角度。角度α1、α2、……、αn可以为90度以内的任意角度。优选地，角度α1、α2、……、αn均小于或等于45度。
[0055] 更进一步地，边缘区域的每圈孔向外倾斜的角度α1、α2、……、αn可以为相同的角度。另外，也可以根据气相沉积设备所沉积的薄膜厚度和沉积需求，将角度α1、α2、……、αn设置为不同的角度。例如，可以将角度α1、α2、……、αn设置为从内圈向外圈逐渐增大、从内圈向外圈以相同的角度差σ逐渐增大、从内圈向外圈以不同的角度差σ1、σ2、……、σn逐渐增大。其中，角度差σn的定义如下：
[0056] [数学公式1]
[0057] σn＝αn+1-αn
[0058] 当角度α1、α2、……、αn不同时，角度差σn不应过大，否则可能导致晶圆边缘区域的不同部分沉积不均匀。角度差σn应在10度以下。优选地，角度差σn小于等于5度，此时晶圆上的薄膜沉积较为理想。
[0059] 值得指出的是，虽然这里只阐述了角度α1、α2、……、αn从内圈向外圈逐渐增大的示例，但是，本领域技术人员应当理解，本发明不限于此。根据气相沉积设备所沉积的薄膜厚度和沉积需求，角度α1、α2、……、αn也可从外圈向内圈逐渐增大、自外圈向内圈以相同的角度差逐渐增大、从外圈向内圈以不同的角度差逐渐增大、或者也可不规则地增大或减小。
[0060] 更进一步地，位于晶圆边缘区域的同一圈上的向喷头外部倾斜的孔向外倾斜的角度α也可以不同。也就是说，每个向外部倾斜的孔的倾斜角度α可以相同、部分相同，也可以互不相同，存在多种组合情况，只要满足小于90度即可。可以根据薄膜厚度来对其进行设置。比如，当发现晶圆边缘的某一侧较薄而另一侧较厚时，可以在晶圆边缘区域的同一圈上设置分别具有不同的向外倾斜的角度α的孔，以向偏薄处多喷射一些气体。
[0061] 图5A-5B例示出了根据本公开的一个示例性实施例的喷头的底面的示意图。图5A示出了在边缘区域设置一圈向外倾斜的孔的喷头的底面的示意图。可以看出，从根据该实施例的喷头的位于外部区域的倾斜的孔向外喷出的气流向晶圆边缘发散地辐射喷出，从而将解离的等离子体喷到晶圆的边缘区域上，有利于边缘区域的气流沉积。图5B示出了在边缘区域设置三圈向外倾斜的孔的喷头的底面的示意图。显然，与图5A中只设置一圈向外倾斜的孔相比，图5B中向晶圆边缘辐射式喷出的气流增多。
[0062] 此外，在喷头边缘区域设置的向外倾斜的孔的密度与方位也可以根据薄膜的厚度分布来进行设置。具体地，可以在所沉积的薄膜偏薄处与喷头对应的位置多设置一些孔，而在所沉积的薄膜偏厚处少设置一些孔。或者，可以在所沉积的薄膜偏薄处与喷头对应的位置设置孔，而在所沉积的薄膜偏厚处不设置孔。
[0063] 如上所述，利用根据上述示例性实施例的喷头，可以使喷头的气孔喷出的气流方向倾斜向外，增加向晶圆边缘区域喷出的气体，从而促进晶圆边缘的气体沉积。
[0064] 为了进一步优化本发明，使得气体在晶圆上方更充分地反应沉积，下面将以图6A-6B、图7A-7B为例来详细描述作为图4A-4B所示的实施例的一个可替代实施例的喷头的具体示例。请注意，这个示例也并不意图构成对本发明的限制。
[0065] 图6A-6B例示出了根据本公开的另一个示例性实施例的喷头沿水平方向的横截面的俯视图。该喷头示例与前面结合图4A-4B所描述的喷头示例的不同之处主要在于，当从喷头的顶部向其底部看去时，在喷头边缘区域301向喷头的外部倾斜的孔104’进一步相对于喷头沿水平方向的横截面的径向H偏转，D’为此时孔104’的朝向。以这种方式，喷头边缘区域301的孔104’不但向喷头外部倾斜，而且是呈螺旋状向外辐射的。更直观地，如图7A所示，当从喷头的顶部向底部看去时，气孔104’表现为相对于喷头沿水平方向的横截面的径向H偏转了角度β。其中，喷头的顶部指的是喷头进气的一端，而喷头的底部指的是开有多个气孔的用于喷出气体的另一端。
[0066] 回到图6A，在一个实施例中，孔104’在相对于垂直轴V向外倾斜角度α的基础上，进而相对于喷头101沿水平方向的横截面的径向H顺时针偏转角度β。角度β可以为90度以内的任意角度。优选地，角度β小于或等于45度。以这种方式，更有利的是，可以在晶圆边缘区域形成螺旋状向外的漩涡式气流。
[0067] 可替代地，如图6B所示，当在喷头101的边缘区域301设置两圈或更多圈向外倾斜的孔104’时，孔104’在相对于垂直轴V向外倾斜角度α的基础上，进一步相对于喷头101沿水平方向的横截面的径向H的偏转角度依次分别为β1、β2、……、βn(n为大于或等于1的整数)。角度β1、β2、……、βn可以为90度以内的任意角度。优选地，角度β1、β2、……、βn均小于或等于
45度。
45度。
[0068] 位于不同圈上的孔104’相对于喷头101沿水平方向的横截面的径向H的偏转角度可以为相同的角度，即角度β1、β2、……、βn可以为相同的角度β。此外，根据气相沉积设备所沉积的薄膜厚度和沉积需求，也可以将角度β1、β2、……、βn设置为不同的角度。例如，可以将角度β1、β2、……、βn设置为从内圈向外圈逐渐增大、从内圈向外圈以相同的角度差σ’逐渐增大、从内圈向外圈以不同的角度差σ’1、σ’2、……、σ’n逐渐增大。其中，角度差σ’n的定义如下：
[0069] [数学公式1]
[0070] σ’n＝βn+1-βn
[0071] 当角度β1、β2、……、βn不同时，角度差σ’n不应过大，否则可能导致晶圆边缘区域不同部分沉积不均匀。角度差σ’n应在10度以下。优选地，角度差σ’n小于等于5度，此时晶圆上的薄膜沉积较为理想。
[0072] 值得指出的是，虽然这里只阐述了角度β1、β2、……、βn从内圈向外圈逐渐增大的示例，但是，本领域技术人员应当理解，本发明不限于此。根据气相沉积设备所沉积的薄膜厚度和沉积需求，角度β1、β2、……、βn也可从外圈向内圈逐渐增大、自外圈向内圈以相同的角度差逐渐增大、从外圈向内圈以不同的角度差逐渐增大、或者也可不规则地增大或减小。
[0073] 更进一步地，位于晶圆边缘区域的同一圈上的向喷头外部倾斜的孔向外倾斜的角度β也可以不同。也就是说，每个向外部倾斜的孔的倾斜角度β可以相同、部分相同，也可以互不相同，存在多种组合情况，只要满足小于90度即可，可以根据薄膜厚度来对其进行设置。比如，当发现晶圆边缘的某一侧较薄而另一侧较厚时，可以在晶圆边缘区域的同一圈上设置具有不同向外倾斜的角度β的孔，以向偏薄处多喷射气体。
[0074] 进一步地，向喷头的外部倾斜的孔104’可以沿顺时针或逆时针方向相对于喷头沿水平方向的横截面的径向而偏转。图7A和图7B分别例示出了根据该实施例的喷头产生的沿顺时针和逆时针方向喷出的气流的示意图。可以看出，气流呈漩涡状向外螺旋式喷出，从而可以抑制气流流失，有效地利用反应气体，使其充分沉积。
[0075] 更进一步地，位于晶圆边缘区域的同一圈上的向喷头外部倾斜的孔相对于喷头沿水平方向的横截面的径向的偏转角度β也可以不同。也就是说，每个向外部倾斜的孔的偏转角度β可以相同，部分相同，也可以互不相同，存在多种组合情况，可以根据薄膜厚度来对其进行设置。
[0076] 以上述方式，根据该实施例的喷头的外部区域的孔104’偏离径向向外喷出气体，形成螺旋状的气流。这样，进一步抑制了气流的流失，气流在反应腔室内存在的时间变长，有利于将喷出的气体充分激发为等离子体，并且沉积到晶圆边缘区域的表面上，从而有利于气流沉积。这样，可以进一步使得晶圆边缘区域和中心区域的气体沉积更加均匀。
[0077] 应注意，在说明书及权利要求中的词语“前”、“后”、“顶”、“底”、“之上”、“之下”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所例示出的或另外描述的那些取向不同的其他取向上操作。
[0078] 如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在上述技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。
[0079] 如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪音以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。
[0080] 另外，仅仅为了参考的目的，还可以在本文中使用“第一”、“第二”等类似术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。
[0081] 还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。
[0082] 在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。
[0083] 本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其他各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。
[0084] 另外，本公开的实施方式还可以包括以下示例：
[0085] 1.一种用于气相沉积的喷头，其特征在于：
[0086] 所述喷头包括多个孔；并且
[0087] 位于所述喷头的边缘区域的孔向所述喷头的外部倾斜。
[0088] 2.根据1所述的喷头，其特征在于：
[0089] 向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的一圈圆周上。
[0090] 3.根据1所述的喷头，其特征在于：
[0091] 向所述喷头的外部倾斜的孔位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上。
[0092] 4.根据1-3中任意一项所述的喷头，其特征在于：
[0093] 向所述喷头的外部倾斜的孔向所述喷头的外部倾斜的倾斜角度小于或等于45度。
[0094] 5.根据3所述的喷头，其特征在于：
[0095] 位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔的倾斜角度相同或从内圈向外圈逐渐增大。
[0096] 6.根据5所述的喷头，其特征在于：
[0097] 位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔的倾斜角度αn以相同或不同的角度差σn从内圈向外圈逐渐增大，其中
[0098] σn＝αn+1-αn
[0099] 其中，n为大于或等于1的整数。7.根据1-3中任意一项所述的喷头，其特征在于：
[0100] 所述喷头的中间区域的孔形成垂直气流，而所述喷头的边缘区域的孔形成向外的气流。
[0101] 8.根据1-3中任意一项所述的喷头，其特征在于：
[0102] 当从所述喷头的顶部向底部看去时，向所述喷头的外部倾斜的孔进一步相对于喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
[0103] 9.根据8所述的喷头，其特征在于：
[0104] 向所述喷头的外部倾斜的孔沿顺时针或逆时针方向相对于喷头沿水平方向的横截面的径向偏转。
[0105] 10.根据8所述的喷头，其特征在于：
[0106] 向所述喷头的外部倾斜的孔相对于喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度小于或等于45度。
[0107] 11.根据8所述的喷头，其特征在于：
[0108] 位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度相同或从内圈向外圈逐渐增大，从而形成向外的漩涡状气流。
[0109] 12.根据11所述的喷头，其特征在于：
[0110] 位于所述喷头的边缘区域内的两圈或更多圈圆周上的向所述喷头的外部倾斜的孔相对于所述喷头沿水平方向的横截面的径向偏转的角度βn以相同或不同的角度差σ’n从内圈向外圈逐渐增大，其中
[0111] σ’n＝βn+1-βn
[0112] 其中，n为大于或等于1的整数。
[0113] 13.一种气相沉积设备，其特征在于，包括根据权利要求1-12中任意一项所述的喷头。
[0114] 14.根据13所述的气相沉积设备，其特征在于，所述气相沉积设备还包括：
[0115] 加热器，所述加热器位于所述喷头的正下方；以及
[0116] 支撑轴，所述支撑轴支撑所述加热器。
[0117] 虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。
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