等离子显示面板使用MgO膜作为电极和介电体的保护层。该MgO膜 的形成使用了蒸镀装置等真空处理装置。
图11是表示现有技术的真空处理装置的简要构成的平面图。该真空处 理装置100包括：加热室114，对被处理基板进行加热处理；成膜室115， 对加热后的基板进行MgO膜的成膜处理。此外，基板搭载于载体上，将多 个载体依次移至各处理室，对各基板依次进行上述各种处理。
在成膜室115，不仅是基板，载体也附着部分MgO膜。该MgO膜具有 易于吸附大气中的水分、碳酸气的性质。MgO吸附的水分不易除去，载体 进入成膜室115时，通过加热而气化(蒸发)，成膜室115的真空度变得不 稳定。成膜室115的真空度不稳定，则在基板形成的MgO膜的结晶取向性 变得不稳定。这是因为，成膜时的压力会造成MgO膜的(111)结晶取向成 分与(200)结晶取向成分的混合比例不同。另外，同时还发现透过率特性 变得不稳定。另一方面，MgO吸附碳酸气(CO2、CO)时，C就会进入到 MgO膜中，造成阴极发光强度降低。即，进入到MgO膜的C会恶化等离子 显示面板中的放电性。
因此，提出了以下技术：将载体的移动路径保持为真空状态的同时，通 过加载互锁真空室(Load Lock Chamber)对载体上的基板进行存取，从而 防止载体上附着的MgO膜吸附水分、碳酸气(例如：参考专利文献1)。 图11的真空处理装置中，从成膜室115的出口到加热室114的入口形成载 体的返回搬运路(第2搬运室92、第3搬运室93以及第1搬运室112)， 该搬运路、加热室114及成膜室115保持为真空状态，形成多个载体的真空 循环路径108。而且，在第1搬运室112设有对应载体的基板的出入室110。 该基板出入室110中，对于循环在真空循环路径108中的多个载体，进行如 处理前基板的投入及处理后基板的取出。
专利文献1：特开平9-279341号公报
专利文献2：特开2001-156158号公报
但是载体的返回搬运路并不利于生产，所以存在需要额外的装置设置空 间以及极高的设备成本等问题。
因此，也提出了以下技术：在该返回搬运路中设置成膜室或者其他的处 理室(例如：参考专利文献2)。但是在上述的真空处理装置中基板处理的 节拍时间(tact time)由基板的投入及取出时间来决定速率，所以对产率的 提高有限。

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种能够提高产率的真空处理装置。
为了达到上述目的，本发明的真空处理装置，其特征在于，包括：搭载 基材的多个载体；循环路径，保持在被控制的气氛，用于所述载体循环移动； 多个基材出入室，设置于所述循环路径，用于对所述载体进行所述基材的投 入及取出；真空处理室，分别设置于所述循环路径中的所述各基材出入室之 间，用于对所述基材实施真空处理。
此外，所述循环路径中的所述真空处理室的上游侧可以设置加热室，用于 对所述基材实施加热处理。
另外，所述循环路径中的所述真空处理室的下游侧可以设置冷却室，用于 对所述基材实施冷却处理。
这里“被控制的气氛”是水分及碳酸气的分压被抑制的气氛，是指真空 状态或者干洁空气(CDA)、N2等惰性气体气氛。
现有技术中，在基材出入室中向某载体上投入基材，在真空处理室中对 该基材实施真空处理，在同一基材出入室中从载体上取出该基材。即，一个 循环路径形成一个处理系统。然而，根据本发明的结构，可以在第1基材出 入室中向某载体上投入基材，在接着的第1真空处理室中对该基材实施真空 处理，再在接着的第2基材出入室中从载体上取出该基材。与此同时，可以 在第2基材出入室中向其他载体上投入基材，在接着的第2真空处理室中对 该基材实施真空处理，再在接着的第3基材出入室中从载体上取出该基材。 由此，沿着一个循环路径形成多个处理系统，可以同时实施各处理系统中的 基材处理。因此，即使基材处理的节拍时间由基材的投入及取出时间来决定 速率，通过在多个处理系统中同时实施基材处理，相比现有技术中仅在一个 处理系统进行基材处理，可以提高产率。
另外，所述多个真空处理室包括第1真空处理室和第2真空处理室；所 述第1真空处理室与所述第2真空处理室可以被设置用于进行彼此不同的处 理。
根据该结构，能够随机应变地应对多种生产，并可以提高产率。
另外，所述多个真空处理室包括第1真空处理室与第2真空处理室；在所 述循环路径中所述第1真空处理室的下游侧、所述第2真空处理室的上游侧配 置有所述基材的搬运室；所述搬运室的所述第2真空处理室侧的端部可以设置 所述基材出入室。
另外，所述搬运室可以作为冷却室而发挥作用，用于对实施所述第2真空 处理室中的处理之前的所述基材实施冷却处理。
而且，所述搬运室可以作为加热室而发挥作用，用于对实施所述第2真空 处理室中的处理之前的所述基材实施加热处理。
根据这些结构，几乎所有的真空循环路径能够用于生产，可以提高产率。
另外，可以分开设置所述基材的取出室与所述基材的投入室作为所述基材 出入室。
根据该结构，可以通过循环载体同时实施从基材取出室中的一个载体上取 出基材与对基材投入室中的其他载体上投入基材，相比基材出入室中从一个载 体上取出基材后再对同一载体上进行基材的投入的情况，可以缩短节拍时间。 从而可以提高产率。
根据本发明的真空处理装置，沿着一个循环路径形成多个处理系统，可以 同时实施各处理系统中的基材处理。因此，即使基材处理的节拍时间由基材 的投入及取出时间决定速率，但通过在多个处理系统中同时实施基材处理， 相比现有技术中仅在一个处理系统进行基材处理，可以提高产率。
附图说明
图1是表示本发明的第1实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图2是本发明的第1实施方式的真空处理装置中的载体的斜视图；
图3是表示本发明的第1实施方式的真空处理装置中的第1成膜室的简 要构成的侧剖视图；
图4是表示包括本发明的第1实施方式的真空处理装置的基板流通系统 的简要构成的平面图；
图5是表示包括本发明的第1实施方式的真空处理装置的基板流通系统 的简要构成的平面图；
图6是表示本发明的第2实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图7是表示本发明的第3实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图8是表示本发明的第4实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图9是表示本发明的第5实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图10是表示本发明的第6实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图；
图11是表示现有技术的真空处理装置的简要构成的平面图。
符号的说明
1、1B、1C、1D、1E、1F真空处理装置
8真空循环路径(循环路径)
10第1出入室(基材出入室)
11第1投入室(投入室)
12第1搬运室(搬运室)
14第1加热室(加热室)
15第1成膜室(真空处理室)
16第1冷却室(冷却室)
19第1取出室(取出室)
20第2出入室(基材出入室)
21第2投入室(投入室)
22第2搬运室(搬运室)
24第2加热室(加热室)
25第2成膜室(真空处理室)
26第2冷却室(冷却室)
29第2取出室(取出室)
30第3出入室(基材出入室)
34第3加热室(加热室)
35第3成膜室(真空处理室)
40第4出入室(基材出入室)
44第4加热室(加热室)
45第4成膜室(真空处理室)
50载体

下面结合附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在用于说明以下各 个附图中，为了使各个构件的大小可以识别，对各个构件的缩放比例做了适 当的更改。
另外，下面以形成MgO膜作为等离子显示面板的电极及介电体的保护 层的情况为例进行说明，同样，形成此外的被膜时也能够适用本发明。
(第1实施方式)
首先说明本发明的第1实施方式的真空处理装置。
图1是表示第1实施方式的真空处理装置的简要构成的平面图。第1实 施方式的真空处理装置1包括：保持基板的载体的真空循环路径(循环路径) 8、对应载体的基板的第1出入室(基材出入室)10及第2出入室(基材出 入室)20、从第1出入室10至第2出入室20的真空循环路径8中设置的第 1成膜室(真空处理室)15、从第2出入室20至第1出入室10的真空循环 路径8中设置的第2成膜室(真空处理室)25。而且，在真空循环路径8中 的第2成膜室25的下游侧、第1成膜室15的上游侧配置有第1搬运室(搬 运室)12，该第1搬运室12中的第1成膜室15侧的端部设有第1出入室 10。
(真空处理装置)
真空处理装置1包括保持基板(基材)的载体。
图2为载体的斜视图。载体50在外框体52的内侧具有内框体54，在 该内框体54上形成窗部56。而且，通过将基板6放置于内框体54，在使基 板6从窗部56露出的状态下，可以将基板6搭载于载体50。图2的示例为 在内框体54上形成6个窗部56，载体50上搭载了1片作为样品玻璃的基 板6。进而，通过在内框体54上形成的1个或者多个窗部56进行以下的各 种处理，可以从样品玻璃取出1面或者多面面板。
如图1所示，真空处理装置1包括第1成膜室15。
图3为表示第1成膜室的简要构成的侧剖视图。第1成膜室15在真空 循环路径8的下方具有蒸镀室60。在该蒸镀室60的侧面设有电子束照射装 置62。另外，在蒸镀室60的内部设有偏转线圈64及炉66。而且，用电子 束照射装置62照射电子束63，由偏转线圈64使其轨道弯曲，并入射到炉 66。由此，炉66中填充的MgO等成膜材料67被加热蒸发。蒸发的成膜材 料67，通过真空循环路径8的窗部68，附着于载体50上搭载的基板6。由 此，对基板6实施成膜处理。另外，成膜室内不限于一个载体50，还可以 连续搬运多个载体并对基板进行成膜。
如图1所示，与第1成膜室15邻接设有第1加热室(加热室)14。对 成膜处理前的基板实施加热处理的第1加热室14，由加热器等配置构成， 所述加热器与基板的上下表面相对向。
邻接于上述的第1加热室14及第1成膜室15，设有同样被构成的第2 加热室(加热室)24及第2成膜室(真空处理室)25。从该第2成膜室25 到第1加热室14设有第1搬运室12，从第1成膜室15到第2加热室设有 第2搬运室(搬运室)22。各室均保持为真空状态，载体循环其内部。即， 由各室形成载体的真空循环路径8。
另一方面，第1搬运室12与第1出入室10连接。该第1出入室10对 载体进行基板的投入及取出，并具有未图示的自动设备等。另外，第1出入 室10作为对真空循环路径8的加载互锁真空室而发挥作用，具有真空泵， 同时，通过真空管(valve)与第1搬运室12连接。同样，第2搬运室22 与第2出入室20连接。
这样，真空循环路径8设有多个基板出入室。而且，从第1出入室10 到第2出入室20之间的真空循环路径8中设有第1成膜室15，从第2出入 室20到第1出入室10之间的真空循环路径8中设有第2成膜室25。此外， 可以设置其他真空处理室代替第1成膜室15及第2成膜室25。例如，可以 设置MgO膜的表面处理室代替第2成膜室25。
此外，第1实施方式的第1搬运室12作为第2成膜室25中的成膜处理 后的基板的冷却室而发挥作用。因此，第1出入室10与第1搬运室12的下 游侧(第1成膜室15侧)的端部连接。具体是，与第1加热室14的连接部 分以外的端部(图1的例中，第1加热室14的相反侧端部)。另外，同样， 第2出入室20与第2搬运室22的下游侧(第2成膜室25侧)的端部连接。 具体是，与第2加热室24的连接部分以外的端部(图1的例中，第2加热 室24的相反侧端部)。
(基板流通系统)
图4及图5为表示包括真空处理装置1的基板流通系统的简要构成的平 面图。图4为图5的A部的放大图，图5为整体图。如图4所示，真空处 理装置1中的第1出入室10的侧面设有第1基板给排装置71。该第1基板 给排装置71具有基板搬运自动设备76。此外，针对第1基板给排装置71， 配置有处理前基板架78及处理后基板架79。
处理前多个基板6的处理面朝上并被搭载于处理前基板架78。因此， 从处理前基板架78取出基板6，由基板搬运自动设备76吸附该基板6，翻 转基板6使其处理面朝下。翻转的基板6被供给真空处理装置1的第1出入 室10。
另外，基板搬运自动设备76吸附第1出入室10中取出的处理后的基板 6，翻转基板6使其处理面朝上。翻转的基板6被放置于处理后基板架79。 该处理后基板架79可以搭载处理后的多个基板6。
如图5所示，真空处理装置1中第1出入室10的侧面配置有上述的第 1基板给排装置71。另外，第2出入室20的侧面也配设有同样被构成的第 2基板给排装置72。各基板给排装置71、72面对自动导向工具(AGV， Automatic Guided Vehicle)的通路82，该通路82通过架保管场所80。从前 面工序搬运的处理前基板架78与搬运到后面工序的处理后基板架79被临时 放置于该架保管场所80。
而且，AGV从架保管场所80取出处理前基板架78，配送至第1基板给 排装置71。该AGV从第1基板给排装置71收到处理后基板架79，配送至 架保管场所80。接着，AGV从架保管场所80取出其他处理前基板架78， 配送至第2基板给排装置72。该AGV从第2基板给排装置72收到处理后 基板架79，配送至架保管场所80。如上所述，构成从前面工序开始通过真 空处理工序到后面工序的基板流通系统。
此外，还可以采用上述以外的基板流通系统。例如，可以使从前面工序 延伸设置的架供给传送带分岔连接于第1基板给排装置71及第2基板给排 装置72，同时，使从第1基板给排装置71及第2基板给排装置72延伸设 置的架排出传送带合流连接于后面工序。
(真空处理方法)
利用图1说明使用本实施方式的真空处理装置1的真空处理方法。首先， 将处理前的基板从第1出入室10投入真空循环路径8的载体上。对该基板 在第1加热室14实施加热处理，并在第1成膜室实施成膜处理，在第2搬 运室22实施冷却处理。然后，在第2出入室20将处理后的基板从真空循环 路径8的载体上取出。
与此同时，将其他处理前的基板从第2出入室20投入真空循环路径8 的载体上。对该基板在第2加热室24实施加热处理，并在第2成膜室实施 成膜处理，在第1搬运室12实施冷却处理。然后，在第1出入室10将处理 后的基板从真空循环路径8的载体上取出。这样，本实施方式的真空处理装 置沿着真空循环路径8形成两个处理系统。
此外，第2成膜室25中可以在与第1成膜室15不同的条件下进行成膜 处理。即，可以进行成膜温度、压力、工艺气体、成膜速度等条件不同的成 膜处理。例如，可以在第1成膜室15形成(111)取向的MgO膜，在第2 成膜室25形成(220)取向的MgO膜。另外，在第1成膜室15及第2成膜 室25中，也可以对厚度不同的基板进行成膜处理。
另外，在第1成膜室15和/或第2成膜室25中，可以进行成膜处理以 外的其他处理。
本实施方式中真空处理装置1的结构为具有：对应载体的基板的第1出 入室10及第2出入室20；从第1出入室10到第2出入室20之间的真空循 环路径8中设置的第1成膜室15；从第2出入室20到第1出入室10之间 的真空循环路径8中设置的第2成膜室25。根据该结构，可以沿着一个循 环路径形成两个处理系统，同时实施各处理系统中的基材处理。因此，即使 基材处理的节拍时间由基材的投入及取出时间来决定速率，通过两个处理系 统中同时实施基材处理，相比现有技术中仅由一个处理系统进行基材处理， 可以提高产率。
另外，本实施方式中真空处理装置1的结构为：第1搬运室12作为冷 却室而发挥作用，第1出入室10连接于第1搬运室12的下游侧端部。根据 该结构，能够将几乎所有的真空循环路径利用于生产，可以提高产率。
另外，可以节省真空处理装置的空间以及降低设备成本。
另外，本实施方式中真空处理装置1可以在第1成膜室15及第2成膜 室25中进行成膜条件不同的成膜处理。例如，可以在第1成膜室15进行第 1成膜处理而生产第1制品，在第2成膜室25进行第2成膜处理而生产第2 制品。此外，变更为仅生产第1制品时，可以停止第2成膜室25中的第2 成膜处理，仅在第1成膜室15中进行第1成膜处理。此时，第2成膜室25 仅作为真空搬运路而发挥作用。另外，增加第1制品的生产量时，可以改变 第2成膜室25的成膜条件使其与第1成膜室15的成膜条件一致，在两个成 膜室进行第1成膜处理。相反，进行第1制品的生产调整时，通过交替使用 第1成膜室及第2成膜室，可以使第1成膜室及第2成膜室的维持周期延长 2倍。这样，本实施方式的真空处理装置可以随机应变地应对多品种的生产。 另外，即使后面工序之前需要进行成膜处理，也可以适时、适量且有效率地 进行成膜处理。
而且，在第1成膜室15及第2成膜室25中形成同种被膜时，在其中一 个成膜室附着于载体的被膜很少会给另一个成膜室中的成膜处理带来不良 影响。此外，不同种类的被膜引起的污染不会产生问题时，第1成膜室15 及第2成膜室25中也可以形成不同种类的被膜。
(第2实施方式)
图6是表示本发明的第2实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图。此外，关于与上述第1实施方式结构相同的部分，省略其说明。
第2实施方式中真空处理装置1B的第1搬运室12作为第1成膜室15 中成膜处理前的基板的加热室而发挥作用。因此，第1出入室10与第1搬 运室12的上游侧(第2成膜室25侧)的端部连接。同样，第2出入室20 与第2搬运室22的上游侧(第1成膜室15例)的端部连接。根据该结构， 与第1实施方式同样，能够将几乎所有的真空循环路径利用于生产，可以提 高产率。另外，可以节省真空处理装置的空间以及降低设备成本。
此外，使第1搬运室12作为加热室而发挥作用，因此结合第1加热室 14，在第1成膜室15的上游侧设有两个加热室。此时，例如在第1搬运室 12中使基板温度从70℃上升至180℃，在第1加热室14中从180℃上升至 250℃。这样通过分担加热处理，可以缩短节拍时间，提高产率。另外可以 减少加热器的负荷。
(第3实施方式)
图7是表示本发明的第3实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图。此外，关于与上述各实施方式结构相同的部分，省略其说明。
第3实施方式的真空处理装置1C中，4组加热室(第1加热室14、第 2加热室24、第3加热室34及第4加热室44)以及成膜室(第1成膜室15、 第2成膜室25、第3成膜室35及第4成膜室45)通过缓冲器12、22、32、 42相互连接，构成真空循环路径。而且，4个缓冲器分别与基板出入室(基 材出入室)10、20、30、40连接。由此，其结构为4个基材出入室之间的 真空循环路径(图7中省略图示)分别设有加热室及成膜室。
第3实施方式的真空处理装置1C可以实现与第1实施方式同等的效果。 而且，可以在相同的节拍时间内处理更多的基板，所以可以比第1实施方式 进一步提高产率。
此外，第1实施方式中设有2组基板出入室、加热室及成膜室，第2实 施方式设置4组基板出入室、加热室及成膜室，但也可以设置3组或者5组 以上的基板出入室、加热室及成膜室。
(第4实施方式)
图8是表示本发明的第4实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图。此外，关于与上述各实施方式结构相同的部分，省略其说明。
第4实施方式的真空处理装置1D中，分开设置处理前基板的投入室与 处理后基板的取出室作为基板出入室。基板投入室作为加载互锁真空室而发 挥作用，基板取出室作为卸载互锁真空室而发挥作用。因此，基板投入室及 基板取出室具有真空泵，通过真空管与搬运室连接。
第4实施方式的真空处理装置1D中，第1搬运室12与第1投入室(基 材投入室)11及第2取出室(取出室)29连接，第2搬运室22与第1取出 室(取出室)19及第2投入室(投入室)21连接。而且，从第1投入室11 投入的基板经过第1加热室14及第1成膜室15，在第1取出室19中取出。 另外，从第2投入室21投入的基板经过第2加热室24及第2成膜室25， 在第2取出室29中取出。
第4实施方式中真空处理装置1D由于其结构为分开设置基板投入室与 基板取出室，所以可以通过循环载体同时实施从基材取出室中的一个载体上 取出基材与对基材投入室中的其他载体上投入基材。因此，相比如第1实施 方式的真空处理装置1那样，从基材出入室中的一个载体上取出基材后再对 同一载体上进行基材投入的情况，可以缩短节拍时间。从而可以提高产率。
(第5实施方式)
图9是表示本发明的第5实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图。此外，关于与上述各实施方式结构相同的部分，省略其说明。
第5实施方式的真空处理装置1E中，第1成膜室15的下游侧设有第1 冷却室(冷却室)16。该第1冷却室16冷却由第1成膜室15成膜处理后的 基板。其冷却方法可以由对向配置于基板的上下表面的冷却板进行强制冷 却，也可以自然冷却。同样，第2成膜室25的下游侧也与第2冷却室(冷 却室)26连接。此外，图9中省略了真空循环路径的图示。
第5实施方式中真空处理装置1E与第4实施方式的真空处理装置1D 相同，分开设置基板投入室与基板取出室。此时，第2搬运室22的下游侧 与第2投入室21连接，第2搬运室22的上游侧与第1取出室19连接。因 此，第2搬运室22难以作为冷却室而发挥作用(第1搬运室12也同样)。 所以，通过在成膜室的下游侧设置冷却室，可以确实地冷却成膜处理后的基 板。
(第6实施方式)
图10是表示本发明的第6实施方式的真空处理装置的简要构成的平面 图。此外，关于与上述各实施方式结构相同的部分，省略其说明。
第6实施方式的真空处理装置1F中，第1搬运室12与第1加热室14 之间通过真空管与第1排气室13连接，第1冷却室16与第2搬运室22之 间通过真空管与第1通风室17连接。第1排气室13及第1通风室17都具 有真空泵，可以对内部进行真空排气。相反，第1投入室11及第1取出室 19不与真空泵连接。同样，第2搬运室22与第2加热室24之间设有第2 排气室23，第2冷却室26与第1搬运室12之间设有第2通风室27。此外， 图10中也省略了真空循环路径的图示。
而且，第1搬运室12及第2搬运室22的内部保持于被控制的气氛。这 里“被控制的气氛”是水分及碳酸气的分压被抑制的气氛，是指真空状态或 者干洁空气(CDA)、N2等惰性气体气氛。此外，从第1排气室13到第1 通风室17之间以及从第2排气室23到第2通风室27之间，被保持为真空。 即，载体的循环路径全部被保持于抑制了水分、CO2的分压的“被控制的气 氛”。由此，附着于载体的MgO膜不会吸附水分、CO2。而且，无需将容 积大的第1搬运室12及第2搬运室22的内部保持真空，从而可以大幅降低 设备成本及制造成本。
另外，第4实施方式的真空处理装置1D中作为加载互锁真空室起作用 的基板投入室在本实施方式的真空处理装置1F中分开为单独的基板投入室 与排气室。另外，第4实施方式的真空处理装置1D中作为卸载互锁真空室 起作用的基板取出室在本实施方式的真空处理装置1F中分开为单独的基板 取出室与通风室。由此，可以通过循环载体同时实施对基板投入室中的一个 载体上投入基板与配置了其他载体的排气室中的真空排气。因此，相比如第 4实施方式的真空处理装置1D那样，配置了一个载体的加载互锁室中进行 真空排气后再对同一载体进行基板投入的情况，可以缩短节拍时间。另外， 可以通过循环载体同时实施从基板取出室中的一个载体取出基板与配置了 其他载体的通风室中的真空排气。因此，相比如第4实施方式的真空处理装 置1D那样，配置了一个载体的卸载互锁室中取出基板后再进行真空排气的 情况，可以缩短节拍时间。从而可以提高产率。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述的各实施方式，在不脱离本发 明的宗旨的范围，包括施加于上述各实施方式的各种变更。
即，各实施方式中列举的具体的材料、结构等仅为一个例子，可以适当 变更。
例如，上述各实施方式中，以水平保持载体上的基板进行各种处理的情 况为例进行了说明，但垂直保持载体上的基板进行各种处理的情况也可以适 用本发明。另外，上述各实施方式中，以平面构筑真空循环路径的情况为例 进行了说明，但立体构筑真空循环路径的情况也可以适用本发明。另外，上 述各实施方式中，以真空处理室中进行电子束蒸镀的情况为例进行了说明， 但真空处理室中进行溅射成膜的情况也可以适用本发明。
产业上利用的可能性
本发明可以适合作为如等离子显示面板的制造工序中使用的真空处理 装置而利用。
本申请对2005年07月29日申请的日本国专利中请第2005-221099号 主张优先权，这里引用其内容。