专利汇可以提供制造闪存设备的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提出了一种制造闪存设备的方法,该方法可以提高电容并可以减少干扰现象。根据一实施方式,制造闪存设备的方法包括步骤:在具有隔离结构的 半导体 基底上沉积隧道 氧 化层,在该隧道氧化层上沉积用于浮动栅极的导电层,在用于浮动栅极的该导电层之间形成氧化层,在用于浮动栅极的该导电层中形成凹槽图形,以及分别沉积 电介质 层和用于控制栅极的导电层。,下面是制造闪存设备的方法专利的具体信息内容。
1.一种制造闪存设备的方法,包括:在具有隔离结构的半导体基底上沉积隧道氧化层;在所述隧道氧化层上沉积用于浮动栅极的导电层;在用于浮动栅极的所述导电层之间形成氧化层;在用于浮动栅极的所述导电层中形成凹槽图形;以及分别沉积电介质层和用于控制栅极的导电层。
2.如权利要求1所述的方法,包括:形成用于浮动栅极的所述导电层选自多晶硅层、W、WN、Ti、TiN、Pt、Ru、RuO2、Ir、IrO2和Al或者其组合。
3.如权利要求2所述的方法,包括:形成所述多晶硅层是在250℃到1000℃的温度下,形成100到5000的厚度。
4.如权利要求1所述的方法,包括:通过化学气相沉积方法或原子层沉积方法形成用于浮动栅极的所述导电层。
5.如权利要求1的方法,包括:使用高密度等离子体氧化层、等离子体增强-正硅酸乙酯、高温氧化物、高级平面层氧化层的任意一种形成所述氧化层。
6.如权利要求1所述的方法,包括:利用Cl和F将用于浮动栅极的所述导电层蚀刻到100到5000的厚度,由此形成所述凹槽图形。
7.如权利要求1所述的方法,包括:形成电介质层为20到1000的厚度。
8.如权利要求1的方法,包括:使用ONO(氧化物-氮化物-氧化物)层、由选自Al2O3、HfO2和ZrO2组成的组的成分形成的单层结构、或者Al2O3、HfO2或ZrO2中两个以上的层压层形成的多层结构形成所述电介质层。
9.如权利要求8所述的方法,包括:形成厚度为5到100的所述ONO的氧化层,以及形成厚度为10到100的所述ONO的氮化层。
10.如权利要求1所述的方法,包括:形成用于控制栅极的所述导电层是通过层压多晶硅层和金属层而形成的。
11.如权利要求10所述的方法,包括:形成厚度为100到5000的多晶硅层,以及使用由W、WN、Pt、Ir、Ru和Te组成的组中的任意一种,形成厚度为100到3500的金属层。
12.如权利要求1所述的方法,进一步包括:在用于控制栅极的所述导电层上形成硬掩模层。
13.如权利要求12所述的方法,包括:形成所述硬掩模层是利用Si3N4或者Si-N而形成的。
14.如权利要求13所述的方法,包括:通过熔炉法形成所述Si3N4层,以及通过等离子体方法形成所述Si-N。
15.如权利要求1所述的方法,其中通过蚀刻用于浮动栅极的所述导电层的中心部分而形成所述凹槽图形。
16.如权利要求1所述的方法,所述浮动栅极的两个边缘凸起高于其中心部分。
17.一种制造闪存设备的方法,包括:在半导体基底中形成沟槽,其中在所述半导体基底中层压了隧道氧化层、导电层和硬掩模层;形成隔离结构,以使用隔离材料来填充所述沟槽;移除所述硬掩模层,以暴露所述隔离结构的顶部表面;以及在所述隔离结构的每一侧形成导电层隔板。
18.如权利要求17所述的方法,进一步包括步骤:在形成所述浮动栅极后,移除所述隔离结构的预定厚度;以及在包括所述浮动栅极的整个表面上,形成电介质层和用于控制栅极的导电层。
19.如权利要求17所述的方法,包括:使用多晶硅层形成所述导电层和所述导电层隔板。
20.如权利要求17所述的方法,包括:通过在所述导电层和所述隔离结构上沉积导电层以形成所述导电层隔板,并接着毯式蚀刻所述导电层。
21.如权利要求20所述的方法,包括:形成所述导电层为1nm到100nm的厚度。
22.如权利要求17所述的方法,其中所述导电层隔板具有比所述第一导电层小1/20到1/3的宽度。
23.如权利要求17所述的方法,其中所述有源区具有比所述场效应区大的宽度。
24.如权利要求18所述的方法,其中所述控制栅极是由金属、金属硅化物和其组合形成。
25.如权利要求17所述的方法,其中所述硬掩模层是由氮化层形成。
26.如权利要求17所述的方法,其中所述硬掩模层通过湿蚀刻工艺而被移除。
27.如权利要求18所述的方法,其中所述隔离结构的有效场高度比浮动栅极低。
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