1.一种薄膜太阳能电池片，自下而上由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，其特征在于：
所述覆盖层上表面或衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱，或者所述覆盖层上表面和衬底层下表面均随机分布多个纳米孔或多个纳米柱；
所述纳米孔孔径或纳米柱柱径为40nm～300nm，纳米孔之间的孔距或纳米柱之间的柱距为80nm～400nm；
所述多个纳米孔或多个纳米柱基于多孔氧化铝的原始图形，采用电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得；或者结合纳米压印和电感耦合等离子体反应离子刻蚀图形转移工艺而制得。
2.权利要求1所述的薄膜太阳能电池片的第一种制作方法，其特征在于，顺序包括下述步骤：
一.多孔氧化铝膜制作步骤，包括下述子步骤：
(1.1)、一次氧化子步骤：
将纯度超过99.999％的铝片作为阳极，在电解液中氧化2小时～4小时，温度为0℃～
10℃，电压40V～60V，得到氧化试样；所述电解液为浓度0.1mol～0.5mol/L的草酸溶液；
(1.2)、去氧化层子步骤：
将所述氧化试样浸泡在去氧化溶液中，时间2～4小时，温度为50℃～60℃，得到去氧化试样；所述去氧化溶液为等体积比的铬酸溶液和磷酸溶液的混合液，铬酸溶液质量浓度为1.5％～1.8％，磷酸溶液质量浓度为5％～6％；
(1.3)、二次氧化子步骤：
将所述去氧化试样作为阳极，在电解液中氧化10min～30min，其余各参数与一次氧化子步骤相同，然后电压以5％阶梯递减，每阶梯维持1.5min～2.5min，直至电压降至15V，得到二次氧化试样；
(1.4)、扩孔子步骤：
将二次氧化试样在扩孔溶液中浸泡1小时～2小时，得到多孔氧化铝膜，其厚度为1.5微米～3.5微米，多孔氧化铝膜正面平整光滑且具有随机分布的纳米孔，其背面具有粗糙的氧化铝阻挡层；所述扩孔溶液为质量浓度8％～12％的磷酸溶液；
二.多孔氧化铝膜加载步骤：
将多孔氧化铝膜背面朝上移至薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面后，立即在多孔氧化铝膜背面滴加溶剂，使溶剂覆盖多孔氧化铝膜整个背面，所述溶剂为酒精、异丙醇或丙酮；
三.一次刻蚀步骤：
将负有多孔氧化铝膜的薄膜太阳能电池片放在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，用Ar气作为反应气体，去除所述多孔氧化铝膜背面的氧化铝阻挡层，得到通孔氧化铝膜，再将通孔氧化铝膜厚度减薄至300纳米～800纳米；Ar气流量为25sccm～35sccm，电感耦合等离子功率为200W～400W，射频功率为170W～220W，压强为8mTorr～11mTorr，时间为
10min～20min；
四.二次刻蚀步骤：
在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，将所述通孔氧化铝膜作为掩膜，对薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面进行刻蚀，将所述通孔氧化铝膜随机分布的纳米孔图形转移到薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面上；刻蚀气Cl2和Ar流量分别为8sccm～12sccm和6sccm～10sccm，电感耦合等离子功率为200W～400W，射频功率为
150W～250W，压强为5mTorr～10mTorr，刻蚀2min～4min得到100nm～300nm的孔深；
五.去除掩膜步骤：
将附有剩余掩膜的薄膜太阳能电池片在质量浓度8％～12％的磷酸溶液中浸泡
5min～15min，去除剩余多孔氧化铝掩膜，得到具有随机分布多个纳米孔的覆盖层或衬底层的薄膜太阳能电池片。
3.权利要求1所述的薄膜太阳能电池片的第二种制作方法，其特征在于，顺序包括下述步骤：
一.多孔氧化铝膜制作步骤，包括下述子步骤：
(1.1)、一次氧化子步骤：
将纯度超过99.999％的铝片作为阳极，在电解液中氧化2小时～4小时，温度为0℃～
10℃，电压40V～60V，得到氧化试样；所述电解液为浓度0.1mol～0.5mol/L的草酸溶液；
(1.2)、去氧化层子步骤：
将所述氧化试样浸泡在去氧化溶液中，时间2～4小时，温度为50℃～60℃，得到去氧化试样；所述去氧化溶液为等体积比的铬酸溶液和磷酸溶液的混合液，铬酸溶液质量浓度为1.5％～1.8％，磷酸溶液质量浓度为5％～6％；
(1.3)、二次氧化子步骤：
将所述去氧化试样作为阳极，在电解液中氧化10min～30min，其余各参数与一次氧化子步骤相同，然后电压以5％阶梯递减，每阶梯维持1.5min～2.5min，直至电压降至15V，得到二次氧化试样；
(1.4)、扩孔子步骤：
将二次氧化试样在扩孔溶液中浸泡1小时～2小时，得到多孔氧化铝膜，其厚度为1.5微米～3.5微米，多孔氧化铝膜正面平整光滑且具有随机分布的纳米孔，其背面具有粗糙的氧化铝阻挡层；所述的扩孔溶液为质量浓度8％～12％的磷酸溶液；
二.防粘处理步骤：
在一个标准大气压和常温条件下，将所述多孔氧化铝膜正面在全氟癸基-三氯硅烷的蒸汽气氛中蒸镀70min～90min，然后在90℃～110℃条件下烘烤15min～18min，得到带薄膜层多孔氧化铝膜，其正面形成一层致密的有机分子层薄膜，该层薄膜使模板表面具有很低的表面能，使其在纳米压印过程中容易脱模；
三.纳米压印步骤，包括下述子步骤：
(3.1)涂胶子步骤：
在薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面旋涂一层紫外压印胶或热压印胶；
(3.2)压印子步骤：
将所述带薄膜层多孔氧化铝膜和薄膜太阳能电池片放入纳米压印机中，带薄膜层多孔氧化铝膜正面与旋涂有紫外压印胶或热压印胶的薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面接触，进行紫外压印或者热压印；
(3.3).脱膜子步骤：
将多孔氧化铝膜与薄膜太阳能电池片脱离，所述薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面上的固化压印胶形成与多孔氧化铝膜随机分布的纳米孔图形互补的纳米柱阵列；
四.刻蚀步骤，包括下述子步骤：
(4.1)去除残胶子步骤：
将载有固化压印胶的薄膜太阳能电池片放入电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，用氧等离子将残胶去除，O2流量15sccm～25sccm，气压5mTorr～8mTorr，射频功率60W～
100W，刻蚀时间50s～80s；
(4.2)刻蚀子步骤：
以固化压印胶为掩膜，在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，对薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面进行刻蚀，刻蚀气Cl2和Ar流量分别为8sccm～12sccm和
6sccm～10sccm，电感耦合等离子功率为200W～400W，射频功率为150W～250W，压强为
5mTorr～10mTorr，刻蚀2min～4min得到100nm～300nm的孔深；
(4.3)去除掩膜子步骤：
在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，用氧等离子去除剩余的固化压印胶，O2流量
20sccm～40sccm，气压5mTorr～15mTorr，RF功率50W～100W，刻蚀5min～10min，在薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面上得到与多孔氧化铝膜随机分布的纳米孔图形互补的纳米柱阵列。
4.如权利要求3所述的第二种制作方法，其特征在于：
所述涂胶子步骤中，旋涂紫外压印胶时，所述紫外压印胶为mr-UVCur21或STU2，首先在500rpm的速度下旋转5s～10s，然后在2000rpm～3000rpm的速度下旋转30s～60s，形成一层均匀的紫外胶；
旋涂热压印胶时，所述热压印胶为mr-I7030E或7020E系列热压印胶，首先在500rpm的速度下旋转5s～10s，然后在3000rpm～4000rpm的速度下旋转30s～60s，形成一层均匀的热压印胶；
所述压印子步骤中，所述紫外压印时，紫外光从带薄膜层多孔氧化铝膜背面正入射，
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紫外光强为80mw～100mw/cm，曝光时间8min～10min，温度70℃～90℃，压强30bar～
45bar；所述热压印时，温度为150℃～200℃，压强为30bar～45bar。
5.权利要求1所述的薄膜太阳能电池片的第三种制作方法，其特征在于，顺序包括下述步骤：
一.镀铝步骤：
在硅衬底上镀一层0.5微米～3微米厚度均匀的铝膜，得到硅基铝膜；然后在氮气环境中将所述硅基铝膜退火，退火温度为450℃～550℃，退火时间120min～180min；镀膜方式为磁控溅射、电子束蒸发或热蒸发，氩气流量为80sccm～120sccm，电流0.3A～0.5A；
二.硅基多孔氧化铝膜制作步骤，包括下述子步骤：
(2.1)、一次氧化子步骤：
将退火后的硅基铝膜作为阳极，在电解液中氧化10min～35min，温度为0℃～10℃，电压40V～60V，得到氧化试样；所述电解液为浓度0.1mol～0.5mol/L的草酸溶液；
(2.2)、去氧化层子步骤：
将所述氧化试样浸泡在去氧化溶液中，时间20min～50min，温度为50℃～60℃，得到去氧化试样；所述去氧化溶液为等体积比的铬酸溶液和磷酸溶液的混合液，铬酸溶液质量浓度为1.5％～1.8％，磷酸溶液质量浓度为5％～6％；
(2.3)、二次氧化子步骤：
将所述去氧化试样作为阳极，在电解液中氧化2min～6min，其余各参数与一次氧化子步骤相同，得到二次氧化试样；
(2.4)、扩孔子步骤：
将二次氧化试样在扩孔溶液中浸泡10min～50min，得到硅基多孔氧化铝膜；硅基多孔氧化铝膜正面平整光滑且具有随机分布的纳米孔，其背面为硅衬底；所述扩孔溶液为质量浓度4％～6％的磷酸溶液；
三.硅刻蚀步骤：
将所述硅基多孔氧化铝膜放入电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，以硅基多孔氧化铝膜正面作为掩膜，对硅衬底进行刻蚀，在硅衬底上得到与多孔氧化铝膜随机分布的纳米孔图形相同的纳米孔图形；刻蚀气SF6和C4F8的流量分别为10sccm～15sccm和20sccm～
40sccm，压力3mTorr～5mTorr，射频功率15W～50W，电感耦合等离子功率500W～1000W，刻蚀1min～3min得到硅图形的深度为100nm～300nm；
四.去除掩膜步骤：
在附有多孔氧化铝膜的硅衬底放入质量浓度8％～12％的磷酸溶液，浸泡5min～
15min，去除剩余多孔氧化铝膜，获得硅模板，其正面具有随机分布的纳米孔，其背面为无孔硅衬底；
五.防粘处理步骤：
在一个标准大气压和常温条件下，将所述硅模板正面在全氟癸基-三氯硅烷的蒸汽气氛中蒸镀70min～90min，然后在90℃～110℃条件下烘烤15min～18min，得到带薄膜层的硅模板，其正面形成一层致密的有机分子层，该层薄膜使模板表面具有很低的表面能，使其在纳米压印过程中容易脱模；
六.纳米压印步骤，包括下述子步骤：
(6.1)涂胶子步骤：
在薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面旋涂一层紫外压印胶或热压印胶；
(6.2)压印子步骤：
将所述带纳米孔结构的硅模板和薄膜太阳能电池片放入纳米压印机中，带纳米孔结构的硅模板正面与旋涂有紫外压印胶或热压印胶的薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面接触，进行紫外压印或者热压印；
(6.3)脱模子步骤：
将硅模板与薄膜太阳能电池片脱离，所述薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面上的固化压印胶形成与硅模板随机分布的纳米孔图形互补的纳米柱阵列；
七.薄膜太阳能电池片刻蚀步骤，包括下述子步骤：
(7.1)去除残胶子步骤：
将载有固化压印胶的薄膜太阳能电池片放入电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，用氧等离子将残胶去除，O2流量15sccm～25sccm，气压5mTorr～8mTorr，射频功率60W～
100W，刻蚀时间50s～80s；
(7.2)刻蚀子步骤：
以固化压印胶为掩膜，在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，对薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面进行刻蚀，刻蚀气Cl2和Ar的流量分别为8sccm～12sccm和6sccm～10sccm，电感耦合等离子功率为200W～400W，射频功率为150W～250W，压强为
5mTorr～10mTorr，刻蚀2min～4min得到100nm～300nm的孔深；
(7.3)去除掩膜子步骤：
在电感耦合等离子体反应离子刻蚀机中，用氧等离子去除剩余的固化压印胶，O2流量
20sccm～40sccm，气压5mTorr～15mTorr，RF功率50W～100W，刻蚀5min～10min，在薄膜太阳能电池片覆盖层上表面或衬底层下表面上得到与多孔氧化铝膜随机分布的纳米孔图形互补的纳米柱阵列。
6.如权利要求5所述的第三种制作方法，其特征在于：
所述涂胶子步骤中，旋涂紫外压印胶时，所述紫外压印胶为mr-UVCur21或STU2，首先在500rpm的速度下旋转5s～10s，然后在2000rpm～3000rpm的速度下旋转30s～60s，形成一层均匀的紫外胶；
旋涂热压印胶时，所述热压印胶为mr-I7030E或7020E系列热压印胶，首先在500rpm的速度下旋转5s～10s，然后在3000rpm～4000rpm的速度下旋转30s～60s，形成一层均匀的热压印胶；
所述压印子步骤中，所述紫外压印时，紫外光从带薄膜层多孔氧化铝膜背面正入射，
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紫外光强为80mw～100mw/cm，曝光时间8min～10min，温度70℃～90℃，压强30bar～
45bar；
所述热压印时，温度为150℃～200℃，压强为30bar～45bar。