介电层抛光液
专利汇可以提供介电层抛光液专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 半导体 产业的介电层 抛光 液 ，其技术方案为： 二 氧 化 硅 磨料 2-50％；pH调节剂0.2-10％；螯合剂0.1-5％；铵盐0.1-5％； 表面活性剂 0.01-5％；其余为去离子 水 ，混合，搅拌而形成，采用本技术方案能提供不含 金属离子 而且不具有臭味的弱 碱 性介电层抛光液，使用后不但不会污染介电层，并没有令人讨厌的臭味。，下面是介电层抛光液专利的具体信息内容。
1.一种介电层抛光液，其特征在于抛光液的组分及重量百份比如下：二氧化硅磨料
2-50；PH调节剂0.2-10；螯合剂0.1-5；铵盐0.1-5；表面活性剂0.01-5；余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，PH调节剂为碱性有机胺，如三乙胺和二异丁基胺中至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，螯合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂，如OP-10和TX-10中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种介电层抛光液，其特征在于，铵盐为硝酸铵、硫酸铵中至少一种。
6.根据权利要求2所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液的PH值范围为
10-11，粒径范围为40-60nm。
7.根据权利要求2所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液的Na离子含量范围＜0.07％。
8.根据权利要求3所述的一种介电层抛光液，其特征在于，所述抛光液对于介电层抛光速率为0.1-0.2um/min。
介电层抛光液
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