1.一种原子层沉积装置，其特征在于，包括：
具备第一物质喷射口、第二物质喷射口、吹扫用气体喷射口和排气口且包含在基板上邻接配置的喷射口面的喷头；
能够使基板支架或所述喷头沿第一方向在第一位置与第二位置之间往复移动的移动装置；以及
能对通过所述第一物质喷射口向所述基板上喷射的第一物质、通过所述第二物质喷射口向所述基板上喷射的第二物质、通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射的吹扫用气体、通过所述排气口向所述基板上提供的排气的供应与阻断实施控制的控制装置；
所述控制装置设置成不能将所述第一物质和所述第二物质向所述基板上同时供应，但通过所述第一物质喷射口向所述基板上供应所述第一物质或者通过所述第二物质喷射口向所述基板上供应所述第二物质的期间能将所述吹扫用气体和所述排气向所述基板上同时供应。
2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备在所述喷射口面上沿着所述喷射口面的边缘包围所述喷射口面地且向所述基板的支架上放置的所述基板的周边喷射所述吹扫用气体的吹扫用气体喷射口列。
3.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备被沿着所述喷射口面的边缘能包围所述喷射口面且从所述喷射口面开始凸出的边缘底面。
4.根据权利要求3所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备被配置在所述边缘底面并能向所述基板支架上放置的所述基板的周边喷射所述吹扫用气体的吹扫用气体喷射口列。
5.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述基板支架包括置于所述基板上的第一区域和包围所述第一区域的同时被所述喷头遮住的第二区域；
所述第二区域上具备包围所述第一区域的多个排气口。
6.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述基板支架包括所述基板被放置的第一区域、包围所述第一区域且被所述喷头遮住的第二区域；
所述第二区域上具备多个吹扫用气体喷射口。
7.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述基板支架包括被所述喷头遮住的第一区域和包围所述第一区域且被所述喷头遮住的第二区域；
所述第二区域上具备包围所述第一区域的排气口列。
8.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷射口面包括沿所述第一方向配置的至少一个喷射单元；
所述至少一个喷射单元向与所述第一方向垂直的方向扩张；
各喷射单元包括第一物质喷射口列、第二物质喷射口列和至少一个排气口列。
9.根据权利要求8所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个喷射单元具备第一吹扫用气体喷射口列。
10.根据权利要求9所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第一吹扫用气体喷射口列置于所述第一物质喷射口列与所述第二物质喷射口列之间。
11.根据权利要求8所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个排气口列包括第一排气口列和第二排气口列；
所述第一物质喷射口列置于所述第一排气口列与所述第二排气口列之间；
所述第二物质喷射口列置于所述第一物质喷射口列与所述第二排气口列之间。
12.根据权利要求11所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第一物质能通过所述第一排气口列排气，所述第二物质能通过所述第二排气口列排气。
13.根据权利要求11所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个喷射单元具备第一吹扫用气体喷射口列。
14.根据权利要求13所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第一吹扫用气体喷射口列置于所述第一物质喷射口列与所述第二物质喷射口列之间。
15.根据权利要求14所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备置于所述第一物质喷射口列与所述第一吹扫用气体喷射口列之间的第三排气口列和置于所述第二物质喷射口列与所述第一吹扫用气体喷射口列之间的第四排气口列。
16.根据权利要求15所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第一物质能通过所述第一排气口列和所述第三排气口列排气，所述第二物质能通过所述第二排气口列和所述第四排气口列排气。
17.根据权利要求15所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备置于所述第一排气口列与所述第一物质喷射口列之间的吹扫用气体喷射口列、置于所述第一物质喷射口列与所述第三排气口列之间的吹扫用气体喷射口列、置于所述第四排气口列与所述第二物质喷射口列之间的吹扫用气体喷射口列、置于所述第二物质喷射口列与所述第二排气口列之间的吹扫用气体喷射口列。
18.根据权利要求8所述的原子层沉积装置，其特征在于，
还具备置于所述至少一个诸喷射单元之间的吹扫用气体喷射口列。
19.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
包括能支承所述喷头的喷头支架，所述移动装置包括在所述喷头上固定的导向块和在所述喷头支架上固定的轨道，所述导向块在所述轨道上以能往复移动的方式连结。
20.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
包括能支承所述喷头地组成的喷头支架，所述移动装置包括在所述喷头上固定的线性电机的转子和在所述喷头支架上固定的所述线性电机的定子，且所述转子能相对于所述定子往复移动。
21.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
包括能支承所述喷头的喷头支架，且具备被安装在所述喷头支架与所述喷头之间的空间而能向所述喷头和所述基板支架喷射净化空气或惰性气体的气体喷射口。
22.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备包括能支承喷头的喷头支架，在所述喷头支架上固定有包括开口部且通过所述开口部向所述喷头和所述基板支架接近而能包围所述喷头和所述基板支架的第一室。
23.根据权利要求22所述的原子层沉积装置，其特征在于，
包括所述基板支架周边配置的排气口，且所述第一室的侧壁位于所述排气口附近。
24.根据权利要求23所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述室的所述侧壁位于所述排气口内。
25.根据权利要求22所述的原子层沉积装置，其特征在于，
具备包括所述喷头支架、所述喷头、所述基板支架并且使配置于所述基板支架周围的所述排气口能与外部分离的第二室。
26.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
包括第一框架、第二框架、一侧末端被固定在所述第一框架上而另一侧末端被固定在所述第二框架上的多个轴、在所述多个轴上能移动地连结且能支承所述喷头的喷头支架，以及使所述喷头支架能在所述第一框架与所述第二框架之间移动的移动装置。
27.根据权利要求8所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个喷射单元沿着所述第一方向按同一间隔(X)配置，所述喷射单元的所述第一物质喷射口列与所述第二物质喷射口列相离一定距离(X1)配置。
28.根据权利要求27所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个喷射单元包括置于所述喷射口面的第一末端的第一喷射单元和置于所述第一末端的相反侧末端的第二喷射单元；
所述喷头位于所述第一位置时，置于所述基板支架上的所述基板的第一末端位于所述第一喷射单元的第二物质喷射口列(80b)和与所述第一喷射单元相邻配置的第三喷射单元的第一物质喷射口列(80a)之间，
所述基板的所述第一末端的对面即所述基板的第二末端位于所述第二喷射单元的第二物质喷射口列(80b)与从所述第二物质喷射口列(80b)向所述第一方向相离X-X1距离的地点之间；
所述喷头位于所述第二位置时，所述基板的所述第一末端位于所述第一喷射单元的第一物质喷射口列(80a)和从所述第一物质喷射口列(80a)向所述第一方向的反向相离X-X1距离的地点之间，
所述基板的所述第二末端位于所述第二喷射单元的第一物质喷射口列(80a)和与所述第二喷射单元相邻配置的第四喷射单元的第二物质喷射口列(80b)之间。
29.根据权利要求28所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷头位于所述第一位置时，所述基板的所述第一末端被排列位于所述第一喷射单元的所述第二物质喷射口列(80b)上，
所述基板的所述第二末端被排列位于从所述第二喷射单元的所述第二物质喷射口列(80b)向第一方向离X-X1距离的地点；
所述喷头位于所述第二位置时，所述基板的所述第一末端被排列位于从所述第一喷射单元的第一物质喷射口列(80a)向所述第一方向的反向离X-X1距离的地点，所述基板的所述第二末端被排列位于所述第二喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)。
30.根据权利要求28所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第四喷射单元是所述第三喷射单元。
31.根据权利要求28所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第三喷射单元是所述第二喷射单元，所述第四喷射单元是所述第一喷射单元。
32.根据权利要求27所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述至少一个喷射单元包括置于所述喷射口面的第一末端的第一喷射单元以及置于所述第一末端的相反侧末端的第二喷射单元；
所述喷头还具备与所述第二喷射单元相邻配置的第一物质喷射单元；
所述第一物质喷射单元具备：置于从所述第二喷射单元的第一物质喷射口列(80a)沿所述第一方向相离一定距离(X)之处的第一物质喷射口列，以及在所述第一物质喷射口列的前后配置的多个排气口列。
33.根据权利要求32所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷头位于所述第一位置时，置于所述基板支架上的所述基板的第一末端位于所述第一喷射单元的第二物质喷射口列(80b)和与所述第一喷射单元相邻配置的第三喷射单元的第一物质喷射口列(80a)之间，
所述基板的所述第一末端的对面即所述基板的第二末端位于所述第一物质喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)和从所述第一物质喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)沿所述第一方向相离X1距离的地点之间；
所述喷头置于所述第二位置时，所述基板的所述第一末端位于所述第一喷射单元的第一物质喷射口列(80a)和从所述第一物质喷射口列(80a)沿所述第一方向的反向离X-X1距离的地点之间，
所述基板的所述第二末端位于所述第二喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)和所述第二喷射单元的第二物质喷射口列(80b)之间。
34.根据权利要求33所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷头置于所述第一位置时，所述基板的第一末端被排列位于所述第一喷射单元的第二物质喷射口列(80b)，
所述基板的所述第二末端被排列位于从所述第一物质喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)沿所述第一方向相离X1距离的地点；
所述喷头置于所述第二位置时，所述基板的所述第一末端被排列位于从所述第一喷射单元的所述第一物质喷射口列(80a)沿所述第一方向的反向相离X-X1距离的地点；
所述基板的所述第二末端被排列位于所述第二喷射单元的所述第二物质喷射口列(80b)。
35.根据权利要求33所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第三喷射单元是所述第二喷射单元。
36.根据权利要求33所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述第三喷射单元是所述第一物质喷射单元，所述第二喷射单元是所述第一喷射单元。
37.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括以下实施阶段：
将基板放置在基板支架上的阶段；
使包括能喷射第一物质的第一物质喷射口、能喷射第二物质而与所述第一物质反应形成原子层的第二物质喷射口、能喷射吹扫用气体的吹扫用气体喷射口以及具备连接于排气的排气口的喷射口面的喷头在所述基板相邻接地配置的阶段；
将所述基板支架或所述喷头沿第一方向由第一位置移动到第二位置的第一移动阶段；
在所述第一移动阶段的进行期间，不喷射所述第二物质，但通过所述第一物质喷射口向所述基板上喷射所述第一物质，同时通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射所述吹扫用气体，同时通过所述排气口使所述第一物质和所述吹扫用气体排出的阶段；
使所述基板支架或所述喷头由所述第二位置沿所述第一方向的反方向向所述第一位置移动的第二移动阶段；
在所述第二移动阶段进行期间，不喷射所述第一物质，但通过所述第二物质喷射口向所述基板上喷射所述第二物质，同时通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射所述吹扫用气体，同时通过所述排气口使所述第二物质和所述吹扫用气体排出的阶段。
38.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述喷射口面包括沿所述第一方向配置的至少一个喷射单元；
所述至少一个喷射单元向与所述第一方向垂直的方向扩张；
各喷射单元包括：能喷射所述第一物质的第一物质喷射口列；能喷射所述第二物质的第二物质喷射口列；能喷射所述吹扫用气体的吹扫用气体喷射口列；以及至少一个排气口列。
39.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一位置和第二位置之间的间隔与沿着所述第一方向相邻接配置的所述多个喷射单元的多个第一物质喷射口之间的间隔相同。
40.根据权利要求38所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一位置和所述第二位置之间的间隔比沿着所述第一方向相邻接配置的所述多个喷射单元的多个第一物质喷射口之间的间隔小。
41.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第一移动阶段，所述喷头由所述第一位置向第三位置移动时不喷射所述第一物质和所述第二物质，由所述三位置向所述第二位置移动时不喷射所述第二物质但喷射所述第一物质。
42.根据权利要求41所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第三位置位于所述第一位置与所述第二位置之间，且更加接近所述第一位置或是所述第一位置。
43.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第二移动阶段，所述喷头由所述第二位置向所述第四位置移动时不喷射所述第一物质和所述第二物质，由所述第四位置向所述第一位置移动时不喷射所述第一物质但喷射所述第二物质。
44.根据权利要求43所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第四位置位于所述第一位置与所述第二位置之间，且更加接近所述第二位置或者是所述第二位置。
45.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一物质通过所述排气口中的第一排气口实施排气；
所述第二物质通过所述排气口中的第二排气口实施排气。
46.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第一移动阶段的进行中，通过所述第二物质喷射口喷射所述吹扫用气体，在所述第二移动阶段的进行中，通过所述第一物质喷射口喷射所述吹扫用气体。
47.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一移动阶段的所述基板支架或所述喷头的移动速度与所述第二移动阶段的所述基板支架或所述喷头的移动速度不同。
48.根据权利要求37所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一移动阶段完成后在所述第二移动阶段开始之前阻断所述第一物质和所述第二物质的喷射，而增加只喷射所述吹扫用气体且排气的第一吹扫阶段。
49.根据权利要求48所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第二移动阶段完成后在所述第一移动阶段重新开始之前阻断所述第一物质和所述第二物质的喷射，而增加只喷射所述吹扫用气体且排气的第二吹扫阶段。
50.根据权利要求49所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第一吹扫阶段和所述第二吹扫阶段增加的吹扫时间相互不同。
51.一种原子层沉积方法，其特征在于，包括以下实施阶段：
将基板放置在基板支架上的阶段；
使包括能喷射第一物质的第一物质喷射口、能喷射第二物质而与所述第一物质反应形成原子层的第二物质喷射口、能喷射吹扫用气体的吹扫用气体喷射口以及具备连接于排气的排气口的喷射口面的喷头位于所述基板上的阶段；
将所述基板支架或所述喷头沿第一方向由第一位置移动到第二位置的第一移动阶段；
在所述第一移动阶段的进行中，不喷射所述第二物质，但通过所述第一物质喷射口向所述基板上喷射所述第一物质，同时通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射所述吹扫用气体，同时通过所述排气口使所述第一物质和所述吹扫用气体排出的阶段；
使所述基板支架或所述喷头由所述第二位置沿所述第一方向的反方向向所述第一位置移动的第二移动阶段；
在所述第二移动阶段进行中，不喷射所述第一和第二物质，但通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射所述吹扫用气体的阶段；
使所述基板支架或所述喷头沿所述第一方向由所述第一位置向所述第二位置移动的第三移动阶段；
在所述第三移动阶段进行中，不喷射所述第一物质，但通过所述第二物质喷射口向所述基板上喷射所述第二物质，同时通过所述吹扫用气体喷射口向所述基板上喷射所述吹扫用气体，同时通过所述排气口使所述第二物质和所述吹扫用气体排出的阶段。
52.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述喷射口面包括沿所述第一方向配置的至少一个喷射单元；
所述至少一个喷射单元向与所述第一方向垂直的方向扩张；
各喷射单元包括：能喷射所述第一物质的第一物质喷射口列；能喷射所述第二物质的第二物质喷射口列；能喷射所述吹扫用气体的吹扫用气体喷射口列；以及至少一个排气口列。
53.根据权利要求52所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一位置和第二位置之间的间隔与沿着所述第一方向相邻接配置的所述诸喷射单元的多个第一物质喷射口之间的间隔相同。
54.根据权利要求52所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一位置和所述第二位置之间的间隔比沿着所述第一方向相邻接配置的所述多个喷射单元的多个第一物质喷射口之间的间隔小。
55.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一移动阶段、所述第二移动阶段和所述第三移动阶段的所述基板支架或所述喷头的移动速度相互不同。
56.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述第一物质通过所述排气口中的第一排气口实施排气；
所述第二物质通过所述排气口中的第二排气口实施排气。
57.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第一移动阶段的进行中，通过所述第二物质喷射口喷射所述吹扫用气体；
在所述第三移动阶段的进行中，通过所述第一物质喷射口喷射所述吹扫用气体。
58.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第二移动阶段进行中，通过所述排气口使所述吹扫用气体排出。
59.根据权利要求51所述的原子层沉积方法，其特征在于，
在所述第二移动阶段进行中，通过所述第一物质喷射口和所述第二物质喷射口喷射所述吹扫用气体。
60.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其特征在于，
所述基板为圆形，所述喷射口面的两个末端为圆弧形态。
61.根据权利要求1所述的原子层沉积方法，其行征在于，
所述移动装置设置成使所述喷头以第一轴为中心在第一角位置和第二角位置之间能旋转地往复移动；
所述第一角位置是所述第一位置，所述第二角位置是所述第二位置。
62.根据权利要求61所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷头具备一个喷射单元。
63.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述喷射口面还包括吹扫用气体喷射口面；
所述吹扫用喷射口面沿着所述喷头的所述第一移动方向配置；
所述吹扫用气体喷射口面不具备所述第一物质喷射口和所述第二物质喷射口。
64.根据权利要求63所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述吹扫用气体喷射口面具备吹扫用气体喷射口。
65.根据权利要求63所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述吹扫用气体喷射口面具备排气口；
所述排气口沿着所述第一方向置于所述吹扫用气体喷射口面的边缘。
66.根据权利要求63所述的原子层沉积装置，其特征在于，
所述吹扫用气体喷射口面不具备吹扫用气体喷射口和排气口。