1.一种包括气体传感元件的气体传感器组件，所述气体传感元件沿固定端被支撑，并具有在衬底上方悬挂的未支撑的自立的中间部分，所述气体传感器组件适于耦合到如下装置，该装置用于监控气体传感元件的至少一种性能变化并响应地产生输出信号，其中气体传感元件由与氟物质接触时显示出其至少一种性能变化的材料形成。
2.根据权利要求1的气体传感器组件，其中与所述氟物质接触时显示出变化的材料包括过渡金属。
3.根据权利要求1的气体传感器组件，其中与所述氟物质接触时显示出变化的材料包括贵金属。
4.根据权利要求1的气体传感器组件，其中与所述氟物质接触时显示出变化的材料包括选自由Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ir、Ni、Al、Cu和Pt构成的组的金属及其合金和化合物。
5.根据权利要求1的气体传感器组件，其中与所述氟物质接触时显示出变化的材料包括Ni。
6.根据权利要求1的气体传感器组件，其中氟物质包括选自由NF3、SiF4、C2F6、HF、F2、COF2、ClF3、IF3及其激活的物质构成的组的氟物质。
7.根据权利要求6的气体传感器组件，其中与所述氟物质接触时显示出变化的材料包括Ni，以及其中氟物质包括选自由NF3、SiF4、C2F6、HF、F2、COF2及其激活的物质构成的组的氟物质。
8.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有选自由箔、薄膜、细丝、针、粉末、金属掺杂的导电螺纹、电淀积的金属及蒸气淀积的金属构成的组的构造。
9.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于
100μm的临界尺寸。
10.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于50μm的临界尺寸。
11.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于25μm的临界尺寸。
12.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于10μm的临界尺寸。
13.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分具有约
0.1μm至约0.5μm范围内的临界尺寸。
14.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有约0.1μm至约100μm范围内的厚度的箔或薄膜。
15.根据权利要求14的气体传感器组件，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸小于10mm。
16.根据权利要求14的气体传感器组件，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸小于1mm。
17.根据权利要求14的气体传感器组件，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸小于100μm。
18.根据权利要求14的气体传感器组件，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸在约20μm至约5mm的范围中。
19.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于150μm直径的细丝。
20.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于50μm直径的细丝。
21.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于25μm直径的细丝。
22.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于10μm直径的细丝。
23.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有0.1u m至0.5μm的直径范围的细丝。
24.根据权利要求1的气体传感器组件，其中所述装置用于监控气体传感元件与氟物质接触时气体传感元件的至少一种性能的变化并响应地产生输出信号，包括响应地产生所述输出信号的电路，以及其中气体传感器元件的至少一种性能的所述变化包括气体传感元件的电阻率变化。
25.根据权利要求1的气体传感器组件，其中所述输出信号用于监控工序或控制产生氟物质的工序。
26.根据权利要求1的气体传感器组件，其中气体传感器组件包括芯片载体/器件封装作为所述衬底。
27.根据权利要求26的气体传感器组件，其中通过在芯片载体/器件封装中布置的穿通孔或管脚从芯片载体/器件封装的背面实现与气体传感元件的电接触。
28.根据权利要求1的气体传感器组件，其中氟物质与气体传感元件的接触实现氟物质和气体传感元件的温敏反应，以及其中组件被构成和布置为使电流流过气体传感元件，用于加热气体传感元件至促进温敏反应的温度。
29.根据权利要求1的气体传感器组件，包括限定阵列的许多所述气体传感元件。
30.根据权利要求29的气体传感器组件，其中阵列被构成和布置为监控不同的氟物质，和/或在阵列的不同元件中以不同的工作方式工作。
31.根据权利要求29的气体传感器组件，其中阵列被构成和布置为监控不同的工艺条件下的相同氟物质。
32.一种以气体传感关系耦合到处理室并布置为承受所述处理室内的腐蚀条件的固态传感器，其中所述固态传感器包括沿其固定端被支撑的、具有未支撑的自立的中间部分并被布置用于接触所述腐蚀环境的气体传感元件，其中所述气体传感元件包括适于显示至少一种可监控性能的变化的材料，该变化响应于氟物质的存在或浓度变化，并包括信号发生器，其被布置为输出在气体传感元件的所述至少一种性能中的所述变化的信号指示。
33.根据权利要求32的固态传感器，其中处理室包括半导体处理室。
34.根据权利要求32的固态传感器，其中气体传感元件的所述自立的中间部分包括引线或金属膜。
35.一种适于放置在经受氟物质的存在或改变浓度的流体位置内的气体传感器组件，其中所述气体传感器组件包括沿固定端支撑的并具有悬挂在衬底上的未支撑的自立的中间部分的气体传感元件，该气体传感元件适于耦合到如下装置，该装置用于监控气体传感元件与氟物质接触时气体传感元件的至少一种性能变化，并响应地产生输出信号，其中气体传感元件由与目标氟物质接触时显示出所述变化的材料形成。
36.根据权利要求35的气体传感器组件，布置为监控来自半导体处理室的流出物，半导体处理室布置为用NF3周期性清洗，其中容许在所述半导体处理室存在的硅和/或含硅材料与NF3起反应，以形成SiF4，以及其中SiF4是目标氟物质。
37.根据权利要求35的气体传感器组件，其中气体传感元件由镍形成。
38.一种监控其中目标物质的存在或浓度变化的流体位置的方法，所述方法包括：
(a)从所述流体位置将流体暴露于气体传感元件，该气体传感元件沿固定端被支撑并具有未支撑的自立的中间部分，该中间部分由在与氟物质接触时显示出其至少一种性能变化的材料形成；
(b)监控步骤(a)过程中气体传感元件的所述至少一种性能；以及
(c)当气体传感元件显示出气体传感元件的至少一种性能的所述变化时，响应地产生输出信号，表示流体位置中目标物质的存在。
39.根据权利要求38的方法，其中流体位置包括制造工艺的周围气体环境。
40.根据权利要求38的方法，其中流体位置包括半导体处理工厂中的流体流。
41.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件材料的自立的中间部分包括过渡金属。
42.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件材料的自立的中间部分包括电镀的金属。
43.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件材料的自立的中间部分包括选自由Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ir、Ni、Al、Cu和Pt构成的组的金属及其合金和化合物。
44.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件材料的自立的中间部分包括镍。
45.根据权利要求38的方法，其中目标物质包括选自由NF3、SiF4、C2F6、HF、F2、COF2、ClF3、IF3及其激活物质构成的组的氟物质。
46.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件材料的自立的中间部分包括Ni，以及其中氟物质包括选自由NF3、SiF4、C2F6、HF、F2、COF2及其激活的原子团构成的组的氟物质。
47.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有选自由箔、薄膜、细丝、针、粉末、金属掺杂的导电螺纹、淀积的金属构成的组的构造。
48.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于150μm的临界尺寸。
49.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于50μm的临界尺寸。
50.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于25μm的临界尺寸。
51.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有小于10μm的临界尺寸。
52.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分具有约0.1μm至约
0.5μm范围内的临界尺寸。
53.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有约0.1μm至约50μm厚度范围的箔或薄膜。
54.根据权利要求53的方法，其中在x和y方向的每一个中，箔或薄膜的横向尺寸小于
10mm。
55.根据权利要求53的方法，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸小于
1mm。
56.根据权利要求53的方法，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸小于
100μm。
57.根据权利要求53的方法，其中在x和y方向的每一个中箔或薄膜的横向尺寸在约
20μm至约5mm的范围内。
58.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于
100μm直径的细丝。
59.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于
50μm直径的细丝。
60.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于
25μm直径的细丝。
61.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有小于
10μm直径的细丝。
62.根据权利要求38的方法，其中气体传感元件的自立的中间部分包括具有约0.1μm至约0.5μm范围内的直径的细丝。
63.根据权利要求38的方法，其中步骤(c)中产生的输出信号用来控制其中产生目标氟物质的工序。
64.根据权利要求63的方法，其中该工序包括半导体制造工序。
65.根据权利要求38的方法，其中步骤(c)中产生的输出信号用来启动警报。
66.根据权利要求38的方法，其中步骤(c)中产生的输出信号用来启动一种或多种阀门。
67.根据权利要求38的方法，其中步骤(c)中产生的输出信号用来实现具有作为化学反应产品产生的目标氟物质的工序中的操作变化。
68.根据权利要求67的方法，其中目标氟物质包括选自由SiF4、F2和F构成的至少一种物质。
69.一种制造气体传感器组件的方法，包括以下步骤：
提供一种包括衬底部件的基本组件，衬底部件具有在其上分隔开的直立触点；
在触点之间的基本组件上淀积支撑材料层；
在支撑材料层上淀积传感器材料层，该传感器材料层在与氟物质接触时显示出至少一种性能变化，其中部分传感器材料层与隔开的接触物接触；以及
除去传感器材料层下面的支撑材料，以形成自立式传感器材料结构，该结构包括与所述隔开的接触物物理接触和电连接的所述传感器材料。
70.根据权利要求69的方法，其中传感器材料在与目标气体物质接触时显示出至少一种性能变化。
71.根据权利要求69的方法，其中支撑材料包括聚合材料。
72.根据权利要求69的方法，其中支撑材料包括光刻胶材料。
73.根据权利要求69的方法，其中传感器材料包括过渡金属。
74.根据权利要求69的方法，其中传感器材料包括电淀积的金属。
75.根据权利要求69的方法，其中传感器材料包括选自由Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ir、Ni、Al、Cu和Pt构成的组的金属，及其合金和化合物。
76.根据权利要求69的方法，其中传感器材料包括镍。
77.根据权利要求69的方法，其中通过选自由传感金属的电子束蒸发、传感金属的电淀积以及传感金属的较少电淀积构成组的淀积技术淀积传感器材料。
78.根据权利要求69的方法，其中支撑材料包括聚酰亚胺。
79.根据权利要求78的方法，其中通过激光烧蚀除去一部分支撑材料。
80.根据权利要求79的方法，其中传感器材料包括镍。
81.根据权利要求69的方法，其中基本组件包括 聚酰亚胺法兰。
82.一种制造气体传感器组件的方法，包括以下步骤：
提供一种衬底部件；在衬底部件中形成沟槽；在沟槽中淀积支撑材料；
在沟槽和衬底部件的相邻表面区域上淀积传感器材料层，该传感器材料层在与氟物质接触时显示出至少一种性能的变化，所述传感器材料层具有下表面和上表面，其中下表面设置成比上表面更靠近衬底元件；
从传感器材料层下面的沟槽除去支撑材料，以形成重叠沟槽的自立式传感器材料结构，并暴露传感器材料的至少一部分下表面至周围环境。
83.根据权利要求82的方法，其中衬底部件包括 聚酰亚胺法兰。
84.根据权利要求82的方法，其中通过激光钻孔在衬底部件中形成沟槽。
85.根据权利要求82的方法，其中通过衬底部件的化学刻蚀形成沟槽。
86.根据权利要求82的方法，其中通过反应离子刻蚀衬底部件形成沟槽。
87.根据权利要求82的方法，其中支撑材料包括聚合材料。
88.根据权利要求87的方法，其中在氧气存在的情况下通过支撑材料的灰化从沟槽除去支撑材料。
89.根据权利要求82的方法，其中支撑材料包括SiO2。
90.根据权利要求89的方法，其中通过含氟等离子体刻蚀从沟槽除去支撑材料。
91.根据权利要求82的方法，其中在淀积传感器材料层之前，平整支撑材料，以从衬底部件的所述相邻表面区域除去支撑材料。
92.根据权利要求82的方法，其中通过衬底部件的沟槽和所述相邻表面区域上的荫罩淀积传感器材料。
93.根据权利要求82的方法，其中在包括衬底部件的所述沟槽层和所述相邻表面区域的衬底部件上淀积传感器材料，作为传感器材料的覆盖层，以及通过光刻胶和刻蚀构图覆盖层。
94.根据权利要求82的方法，其中通过选自由刻蚀、增溶、氧化灰化和升华构成的组的去除技术从沟槽除去支撑材料。
95.根据权利要求82的方法，其中传感器材料被淀积或构图，以具有一般的矩形结构。
96.根据权利要求82的方法，还包括将自立式传感器材料结构耦合到电源和用于监控传感器材料的至少一种性能的所述变化的信号处理元件，并响应地产生指示目标气体物质的存在的输出信号。
97.根据权利要求96的方法，其中至少一种性能包括传感器材料的电阻。
98.根据权利要求82的方法，其中传感器材料包括选自由过渡金属和贵金属构成的组的材料。
99.根据权利要求82的方法，其中传感器材料包括选自由Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ir、Ni、Al、Cu和Pt构成的组及其合金和化合物的材料。
100.根据权利要求82的方法，其中传感器材料包括镍。
101.根据权利要求82的方法，其中自立式传感器材料结构具有小于100μm的厚度。
102.根据权利要求82的方法，其中自立式传感器材料结构具有小于50μm的厚度。
103.根据权利要求82的方法，其中自立式传感器材料结构具有小于25μm的厚度。
104.根据权利要求82的方法，其中自立式传感器材料结构具有小于10μm的厚度。
105.根据权利要求82的方法，其中自立式传感器材料结构具有约0.1μm至约5μm范围内的厚度。
106.根据权利要求82的方法，其中衬底包括芯片载体/器件封装。
107.根据权利要求106的方法，还包括通过在芯片载体/器件封装中布置的穿通孔或管脚从芯片载体/器件封装的背面电接触自立式传感器材料结构。
108.一种适于放置在经受目标气体物质的存在或改变浓度的流体位置内的气体传感器组件，该组件包括衬底，具有在其上淀积的、用于在气体传感过程中保护衬底被侵袭的阻挡层，在所述阻挡层上淀积的并由感测材料形成的传感层，所述感测材料在暴露于氟物质时产生指示传感材料的至少一种性能或响应特性变化的输出信号，以及在其背面上的衬底部件中形成的空腔，所述空腔在传感层的背面终止。
109.根据权利要求108的气体传感器组件，其中衬底由硅形成。
110.根据权利要求108的气体传感器组件，其中阻挡层由无机介质材料形成。
111.根据权利要求110的气体传感器组件，其中无机介质材料包括选自由碳化硅和金刚石状碳构成的组。
112.根据权利要求108的气体传感器组件，其中阻挡层由有机材料形成。
113.根据权利要求112的气体传感器组件，其中所述有机材料包括聚酰亚胺。
114.根据权利要求108的气体传感器组件，其中传感材料层包括选自由铂、铜、铝和镍构成的组的金属。
115.根据权利要求108的气体传感器组件，其中传感材料层由镍形成。
116.根据权利要求108的气体传感器组件，其中通过选自由构图刻蚀和通过荫罩的构图构成的组的构图技术构图传感材料层。
117.根据权利要求108的气体传感器组件，其中空腔包括刻蚀空腔。
118.根据权利要求108的气体传感器组件，还包括与传感层电连接的多个电触点。
119.根据权利要求118的气体传感器组件，其中通过顶部引线键合形成电触点。
120.根据权利要求118的气体传感器组件，其中通过掩埋的触点穿过阻挡层和通过通孔结构形成所述多个电触点。
121.在密封的封装中或之上安装的权利要求108的气体传感器组件。
122.在法兰部件的正面上安装的权利要求108的气体传感器组件。
123.一种制造气体传感器组件的方法，该组件适于放置在经受氟物质的存在或改变浓度的流体位置内，该方法包括：
在衬底部件上淀积阻挡层；
在阻挡层上淀积传感层，所述传感层与氟物质化学交互，并适于产生信号，指示所述氟物质的存在或浓度；以及
微加工所述衬底部件中的背面空腔，该空腔在阻挡层的内部表面终止。
124.权利要求123的方法，还包括形成与金属传感层电连接的多个电触点。
125.根据权利要求124的方法，其中通过顶部引线键合到传感层形成所述多个电触点。
126.根据权利要求124的方法，其中通过掩埋的触点和穿通孔结构形成所述多个电触点。
127.根据权利要求123的方法，还包括将气体传感器组件插入封装内或在其之上并将其密封。
128.根据权利要求123的方法，还包括在法兰部件的前表面上安装气体传感器组件。
129.根据权利要求123的方法，其中阻挡层由无机介质材料形成。
130.根据权利要求129的方法，其中无机介质材料包括选自由碳化硅和金刚石状碳构成的组。
131.根据权利要求123的方法，其中阻挡层由有机材料形成。
132.根据权利要求131的方法，其中有机材料包括聚酰亚胺。
133.根据权利要求123的方法，其中传感材料层包括选自由铂、铜、铝和镍构成的组的金属。
134.一种气体传感器组件，包括：
与氟物质化学交互作用的金属传感器元件，其沿固定端被支撑，并具有未支撑的自立的中间部分，适于选择性抵抗元件的热量，在与气体环境中的氟物质接触时显示出至少一种元件性能变化，以及
信号发生器，其可操作地与传感器元件耦合，以输出指示氟物质的存在和当被监控的气体与传感器元件接触以及被监控的气体含所述氟物质时监控气体的信号。
135.一种气体传感器组件，包括含金属的柱的阵列、和在所述柱之间支撑的至少一根含镍的金属传感引线，用于提供适于与对一种或多种氟物质的存在敏感的气体接触的气体传感结构，其中一种或多种氟物质与引线交互作用产生所述一种或多种氟物质存在的响应指示。
136.根据权利要求135的气体传感器组件，其中柱子还包括 聚酰亚胺材料。
137.根据权利要求135的气体传感器组件，其中柱子被 聚酰亚胺包鞘或绝
缘。
138.根据权利要求136的气体传感器组件，其中在锚固点将传感引线结合至所述柱的阵列中的多个柱子。
139.根据权利要求135的气体传感器组件，其中传感引线垂直地定向。
140.根据权利要求135的气体传感器组件，其中传感引线水平地定向。
141.根据权利要求135的气体传感器组件，其中围绕所述柱子缠绕传感引线。
142.根据权利要求135的气体传感器组件，其中以8字形图形围绕所述柱子来缠绕传感引线。
143.根据权利要求135的气体传感器组件，其中以“S”形图形围绕柱子缠绕传感引线。
144.根据权利要求135的气体传感器组件，还包括安装所述柱子的 聚酰亚胺
块。
145.根据权利要求135的气体传感器组件，还包括被机械加工以形成至少部分所述柱子的 聚酰亚胺块。
146.根据权利要求135的气体传感器组件，包括分别由不同的传感金属形成以提供矩阵结构的多个引线。
147.根据权利要求135的气体传感器组件，包括用于传感引线的支撑的机械加工的聚酰亚胺结构。
148.根据权利要求147的气体传感器组件，其中机械加工的 聚酰亚胺结构包
括其中的切口沟道，通过切口插入传感引线。
149.根据权利要求147的气体传感器组件，其中机械加工的 聚酰亚胺结构形
成垂直柱，在垂直柱围绕缠绕传感引线。
150.根据权利要求147的气体传感器组件，其中机械加工的 聚酰亚胺结构包
括在控制的垂直位置支撑传感引线的切口部分。
151.根据权利要求147的气体传感器组件，其中机械加工的 聚酰亚胺结构具
有在其中形成的孔，其中通过孔插入传感引线。
152.根据权利要求135的气体传感器组件，还包括支撑所述传感引线的 聚酰
亚胺多孔支撑件，其中在所述多孔支撑件的开口中支撑所述引线。
153.一种气体传感器组件，包括微扁平烤盘结构和气体传感元件，该气体传感元件适于通过微扁平烤盘加热，沿该气体传感元件的固定端被支撑，具有未支撑的自立的中间部分，对氟物质的存在响应以产生输出信号，其中所述响应指示所述氟物质的存在或浓度改变。
154.根据权利要求153的气体传感器组件，其中气体传感元件包括选自由Ti、V、Cr、Mn、Nb、Mo、Ru、Pd、Ag、Ir、Ni、Al、Cu和Pt构成的组的金属及其合金和化合物。
155.根据权利要求153的气体传感器组件，其中气体传感元件包括无机传感器薄膜。
156.根据权利要求153的气体传感器组件，其中气体传感元件包括有机传感器薄膜。
157.根据权利要求156的气体传感器组件，其中所述气体传感元件包括选自由铜和镍构成的组的金属。
158.一种包括气体传感元件的气体传感器组件，该气体传感元件沿固定端被支撑，具有未支撑的自立的中间部分，并适于产生指示氟物质的存在或浓度的信号，所述信号响应于对氟物质的暴露，其中所述气体传感元件包括复合细丝，复合细丝包括具有在其上涂敷的氟物质响应材料的细丝线心，其中与所述氟物质响应材料相比所述线心材料具有较高的电阻率。
159.根据权利要求158的气体传感器组件，其中细丝线心包括Monel。
160.根据权利要求159的气体传感器组件，其中氟物质响应材料包括镍。
161.一种气体传感器组件，包括耦合到微电子器件封装的连接器管脚的气体传感元件，其中气体传感元件适于与对其中的一种或多种目标气体物质的存在或浓度变化敏感的气体环境接触，沿固定端被支撑，具有未支撑的自立的中间部分，并由在暴露于氟物质时显示出响应的材料形成，所述响应指示氟物质的存在或浓度，通过微电子器件封装的所述连接器管脚传送。
162.根据权利要求161的气体传感器组件，其中微电子器件封装包括芯片载体。
163.根据权利要求161的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括引线或箔元件。
164.根据权利要求161的气体传感器组件，其中气体传感元件的自立的中间部分包括在包括许多绕组的延伸结构中的绝缘脚手架部件上支撑的引线。
165.根据权利要求164的气体传感器组件，其中绝缘脚手架部件由 聚酰亚胺
形成。
166.根据权利要求161的气体传感器组件，以目标气体感测关系耦合到半导体处理室。
167.一种气体传感器组件，包括：
衬底；
气体传感元件，其被布置为与对其中氟物质的存在或浓度变化敏感的气体环境接触，其中所述气体传感元件沿固定端被支撑，具有未支撑的自立的中间部分，并由在暴露于所述气体环境时显示出响应的材料形成，所述响应指示在气体环境中所述氟物质的存在或浓度变化，用于产生输出信号；和
阻挡层，包括抵抗氟物质的材料，沿所述固定端支撑所述气体传感元件。
168.根据权利要求167的气体传感器组件，其中阻挡层材料选自由碳化硅、金刚石状碳和聚酰亚胺构成的组。
169.根据权利要求168的气体传感器组件，其中气体传感材料层由选自由镍、铂、铜和铝构成的组的材料形成。
170.一种气体传感器组件，包括在绝缘脚手架部件上或绝缘脚手架部件中编织以形成编织引线结构的气体传感引线元件，所述结构包括许多绕组，其中引线元件由暴露于氟物质时显示出响应性的材料形成，所述引线元件适于耦合电路，以当引线元件暴露于所述气体环境时产生气体环境中的氟物质的存在或浓度变化的输出指示。