技术领域
[0001] 本
发明涉及使用CF类气体和COS气体对
氧化膜进行
等离子体蚀刻的等离子体处理方法和存储介质。
背景技术
[0002] 在
半导体装置的制造程序中，使用等离子体蚀刻用于形成图案。对于氧化膜的等离子体蚀刻，在
现有技术中使用CF类气体作为蚀刻气体。
[0003] 在这样的氧化膜的等离子体蚀刻中，在
专利文献1公开有向CF类气体添加羰基硫(COS)气体。
[0004] 最近，随着氧化膜的孔图案的蚀刻中孔径的微小化，蚀刻后的孔形状的控制变得更加重要，其中，弯曲是导致成品率减低的主要的原因，因此为了对其进行改善，开始使用添加羰基硫(COS)气体的方法。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献1：日本特开平9-82688号
公报发明内容
[0007] 本发明要解决的问题
[0008] 然而，在使用CF类气体和COS气体对氧化膜进行等离子体蚀刻的情况下，已知在蚀刻后的被处理
基板上残留有S的问题。在S的残留浓度较高的情况下，具有危害健康的问题，因此，要求残留S浓度为规定值以下，残留S浓度的控制是非常重要的。
[0009] 本发明鉴于相关情况而完成，其课题为：提供在使用CF类气体和COS气体对氧化膜进行等离子体蚀刻之后，能够将在被处理基板上残留的硫磺(S)的浓度控制为规定值以下的等离子体处理方法和存储有用于实施这样的等离子体处理方法的程序的存储介质。
[0010] 为了解决上述课题，在本发明的第一观点中，提供一种等离子体处理方法，其利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序(通过1或2以上的步骤)，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，该等离子体处理方法的特征在于，包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对残留于以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以使得上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)进行调整的工序；和以调整COS/CF而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
[0011] 在本发明的第二观点中，提供一种等离子体处理方法，其利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，包括：掌握等离子体蚀刻时的COS气体流量对CF类气体流量的比(COS/CF)与残留于等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)的关系的工序；在上述残留S浓度不超过设定值的范围内设定COS/CF的工序；和以所设定的COS/CF进行等离子体蚀刻的工序。
[0012] 在本发明的第三观点中，提供一种等离子体处理方法，其利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的工序，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，包括：以规定的处理方案对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻的工序；对在以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板残留的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)进行掌握的工序；以上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS气体对CF类气体流量的比(COS/CF)与利用含有CF类气体和COS气体的处理气体进行蚀刻的时间(蚀刻时间)的乘积((COS/CF)×蚀刻时间)进行调整的工序；和以调整(COS/CF)×蚀刻时间而变更后的处理方案进行实际的等离子体蚀刻的工序。
[0013] 在本发明的第四观点中，提供一种等离子体处理方法，其利用含有CF类气体和COS气体的处理气体，通过1个或2个以上的步骤，对被处理基板的氧化膜进行等离子体蚀刻，其特征在于，包括：对等离子体蚀刻时的COS气体流量对CF类气体流量的比(COS/CF)与利用含有CF类气体和COS气体的处理气体进行蚀刻的时间(蚀刻时间)的乘积((COS/CF)×蚀刻时间)，和残留于等离子体蚀刻后的被处理基板的硫磺(S)的浓度(残留S浓度)的关系进行掌握的工序；在上述残留S浓度不超过设定值的范围内设定(COS/CF)×蚀刻时间的工序；和以所设定的(COS/CF)×蚀刻时间进行等离子体蚀刻的工序。
[0014] 在本发明的第五观点中，提供一种等离子体处理装置，对腔室内的被处理基板进行等离子体处理，其特征在于，包括：腔室，在其中设置有
基座和上部
电极，该基座构成下部电极，被处理基板载置于该基座上，上部电极以与该基座相对且平行的方式设置；电源系统；将处理气体供给至腔室内的处理气体供给部；驱动系统；和对腔室进行排气的排气装置，该等离子体处理装置与控制部连接，并由控制部所控制，上述控制部控制上述等离子体处理装置实施
权利要求1至权利要求12中任一项上述的等离子体处理方法。
[0015] 在本发明的第六观点中，提供一种存储介质，存储有在计算机上运行并用于控制等离子体处理装置的程序，该存储介质的特征在于：上述程序以在执行时实施上述第一观点至第四观点的任一项的等离子体处理方法的方式，使计算机控制上述等离子体处理装置。
[0016] 发明效果
[0017] 根据本发明，本发明的发明者们基于初次发现的被处理基板中的残留S浓度能够通过COS/CF进行控制的观点，因为对在以上述规定的处理方案进行等离子体蚀刻后的被处理基板的残留S浓度进行掌握，并以上述残留S浓度为设定值以下的方式，对处理方案的COS/CF或(COS/CF)×蚀刻时间进行调整，进行实际的等离子体蚀刻，所以能够将残留浓度控制在规定值以下。
[0018] 另外，预先掌握COS/CF或(COS/CF)×蚀刻时间与残留S浓度的关系，在残留S浓度不超过设定值的范围内对COS/CF或(COS/CF)×蚀刻时间进行设定，利用所设定的COS/CF或(COS/CF)×蚀刻时间进行等离子体蚀刻，所以能够将残留S浓度控制在规定值以下。
附图说明
[0019] 图1是表示用于实施本发明的等离子体处理方法的等离子体处理装置的一个例子的概略截面图。
[0020] 图2是示意性地表示适用于本发明的实施方式涉及的等离子体处理方法的
半导体晶片的结构例的附图。
[0021] 图3是用于说明对晶片整个面的残留S浓度进行测定的溶出评价的示意图。
[0022] 图4表示COS/CF与通过溶出评价求得的残留S浓度的关系的图。
[0023] 图5是用于对能够通过COS/CF控制残留S浓度的情况进行说明的示意图。
[0024] 图6是用于对测定实际
气化的S的浓度的冲击集尘测定(impinger)评价进行说明的示意图。
[0025] 图7是表示COS/CF与通过溶出评价和冲击集尘测定评价求得的残留S浓度的关系的附图。
[0026] 图8表示本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理方法的
流程图。
[0027] 图9表示本发明的其他的实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。
[0028] 图10表示本发明的另外其他的实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。
[0029] 图11表示本发明的另外其他的实施方式涉及的等离子体处理方法的流程图。
[0030] 符号说明
[0031] 10腔室
[0032] 16基座(下部电极)
[0033] 34上部电极
[0034] 50可变直流电源
[0035] 66处理气体供给部
[0036] 88第一高频电源
[0037] 90第二高频电源
[0038] 100控制部
[0039] 102存储部
[0040] W半导体晶片(被处理基板)
具体实施方式
[0041] 以下，参照附图，对本发明的实施方式进行具体说明。
[0042] 图1是表示用于实施本发明的等离子体处理方法的等离子体处理装置的一个例子的概略截面图。其中，本发明的等离子体处理方法的实施所使用的装置并不限于图1的装置。
[0043] 该等离子体处理装置1被构成为
电容耦合型的平行平板等离子体蚀刻装置，例如具有由表面被
阳极氧化处理过的
铝构成的大致圆筒状的腔室(处理容器)10。该腔室10安全接地。
[0044] 在腔室10的底部，隔着由陶瓷等构成的绝缘片12，配置有圆柱状的基座
支撑台14，在该基座支撑台14上例如设置有由铝构成的基座16。基座16构成下部电极，在其上载置有半导体晶片W，即具有作为蚀刻对象的氧化膜(SiO2膜)的被处理基板。
[0045] 在基座16的上表面设置有
静电卡盘18，通过静电
力对半导体晶片W进行
吸附保持。该静电卡盘18具有由一对绝缘层或绝缘片夹持由导电膜构成的电极20的结构，电极20与直流电源22电连接。然后，半导体晶片W通过由来自直流电源22的直流
电压产生的库仑力等的静电力，被吸附保持于静电卡盘18。
[0046] 在静电卡盘18(半导体晶片W)的周围的基座16的上表面，配置有用于使蚀刻的均匀性提高的例如由
硅构成的
导电性的集中环(修正环)24。在基座16和基座支撑台14的侧面例如设置有由
石英构成的圆筒状的内壁部件26。
[0047] 在基座支撑台14的内部；例如在圆周上设置有制冷剂室28。该制冷剂室，通过在外部设置的未图示的冷却装置(chiller unit)经由配管30a、30b循环供给有规定
温度的制冷剂例如
冷却水，通过制冷剂的温度能够对基座上的半导体晶片W的处理温度进行控制。
[0048] 进而，来自未图示的导热气体供给机构的导热气体例如He气经由气体供给管线32，被供给到静电卡盘18的上表面与半导体晶片W的背面之间。
[0049] 在下部电极即基座16的上方，以与基座16相对的方式、平行地设置有上部电极34。于是，上部和下部电极34、16之间的空间成为等离子体生成空间。上部电极34与下部电极即基座16上的半导体晶片W相对，形成与等离子体生成空间相接的面即相对面。
[0050] 该上部电极34隔着绝缘性遮蔽部件42，被支撑于腔室10的上部，包括：构成基座16的相对面且具有多个排出孔37的电极板36；和可装卸地支撑该电极板36，并由导电性材料例如铝构成的水冷结构的电极支撑体38。电极板36优选
焦耳热较少的低
电阻的导电体或半导体，还有，如后述的方式根据强化抗蚀剂的观点，优选含有硅。根据这种观点，电极板36优选由硅或SiC构成。在电极支撑体38的内部设置有气体扩散室40，从该气体扩散室40向下方延伸有多个与排出孔37连通的气体流通孔41。
[0051] 在电极支撑体38形成有向气体扩散室40引导处理气体的气体导入口62，该气体导入口62与气体供给管64连接，并经由该气体供给管64供给来自处理气体供给部66的处理气体。在本实施方式中，作为处理气体使用C4F6气体、CF4气体等的CF类气体和COS气体，其他按照需要使用Ar气体或O2气体等其他的气体。在处理气体供给部66存在各处理气体供给源，从这些供给源经由各自的配管向气体供给管64供给各处理气体。在供给各处理气体的配管，设置有
质量流量
控制器(MFC)等的流量控制器和
阀。而且，处理气体，从处理气体供给部66经由气体供给管64到达气体扩散室40，经由气体流通孔41和气体排出孔37，喷淋状地排出到等离子体生成空间。即，上部电极34作为用于供给处理气体的喷淋头发挥功能。
[0052] 上述上部电极34经由低通
滤波器(LPF)46a与可变直流电源50电连接。可变直流电源50可以是双极电源。该可变直流电源50通过导通/断开
开关52能够导通/断开供电。
[0053]
低通滤波器(LPF)46a是用于对来自后述的第一和第二的高频电源的高频进行截留，优选由LR滤波器或
LC滤波器构成。
[0054] 以从腔室10的
侧壁向上部电极34的高度
位置的更上方延伸的方式，设置有圆筒状的接地导体10a。
[0055] 下部电极即基座16经由第一匹配器87，与第一高频电源88电连接。第一高频电源88输出27～100MHz的
频率例如40MHz的的高频电力。第一匹配器87使负载阻抗与第一高频电源88的内部(或输出)阻抗匹配，因此，以在腔室10内生成有等离子体时第一高频电源88的输出阻抗与负载阻抗大体一致的方式发挥功能。
[0056] 另外，下部电极即基座16经由第二匹配器89，与第二高频电源90电连接。通过从该第二高频电源90向下部电极即基座16供给高频电力，半导体晶片W被施加有高频
偏压，由此离子被引入到半导体晶片W。第二高频电源90输出400kHz～20MHz范围内的频率例如13MHz的高频电力。第二匹配器89使负载阻抗与第二高频电源90的内部(或输出)阻抗匹配，因此，以在腔室10内生成有等离子体时第二高频电源90的内部阻抗与包含腔室10内的等离子体的负载阻抗大体一致的方式发挥功能。
[0057] 在腔室10的底部设置有排气口80，该排气口80经由排气管82与排气装置84连接。排气装置84具有
涡轮分子
泵等的
真空泵，能够将腔室10内减压至所期望的真空度。另外，在腔室10的侧壁设置有半导体晶片W的搬入搬出口85，该搬入搬出口85通过
门阀86能够打开和关闭。另外，沿腔室10的内壁，可装卸地设置有用于防止蚀刻副产物(
沉积物)附着到腔室10的沉积物保护件11。即，沉积物保护件11构成腔室壁。另外，沉积物保护件11也设置在内部部件26的外周。在腔室10的底部的腔室壁侧的沉积物保护件11和内壁部件26侧的沉积物保护件11之间设置有排气板83。作为沉积物保护件11和排气板83能够适合使用在铝材料
覆盖有Y2O3等的陶瓷的材料。
[0058] 在沉积物保护件11的构成腔室内壁的部分的与晶片W大致相同高度的部分，设置有与地面直流连接的导电性部件(GND模
块)91，由此发挥防止异常放电的效果。
[0059] 等离子体蚀刻装置的各构成部例如电源系统和气体供给系统、驱动系统，还有第一高频电源88、第二高频电源90、匹配器87、89、直流电源50等，与含有
微处理器(计算机)的控制部(整体控制装置)100连接并被该控制部所控制。另外，在控制部100上连接有：供操作员为管理等离子体蚀刻装置而进行命令输入操作等的
键盘以及将等离子体蚀刻装置的运转状况
可视化表示的、由显示器等构成的用户
接口101。
[0060] 另外，在控制部100连接有存储部102，其容纳有：用于通过控制部100的控制来实现在等离子体处理装置进行的各种处理的控制程序；和用于按照处理条件在等离子体蚀刻装置的各结构部进行处理的程序即处理方案。处理方案存储于存储部102中的存储介质。存储介质可以是
硬盘或半导体
存储器，也可以是CDROM、DVD、闪存存储器等便携式的介质。另外，也可以从其他的装置例如通过专用线路适当地传送方案。
[0061] 而且，根据需要，按照来自用户操作界面101的指示等从存储部102调出任意的处理方案并通过控制部100对其进行实施，在控制部100的控制下，在等离子体蚀刻装置进行所期望的处理。
[0062] 接着，对由这种方式构成的等离子体处理装置实施的、本发明的一个实施方式涉及的等离子体处理方法进行说明。
[0063] 在本实施方式中，作为被处理体即半导体晶片W，作为一个例子能够列举如图2所示的，在硅基体200上依次形成作为蚀刻对象的氧化膜(SiO2膜)201、下层抗蚀剂层202、反射防止膜(BARC)203、光致抗蚀剂膜204之后，通过
光刻法在光致抗蚀剂膜204形成规定的图案，并形成有用于蚀刻的开口部205的结构。
[0064] 根据图2的状态，首先，在以光致抗蚀剂膜204作为掩膜，对反射防止膜(BARC)203以及下层抗蚀剂层202进行蚀刻之后，以下层抗蚀剂层202作为掩膜，对蚀刻对象即氧化膜(SiO2膜)201进行蚀刻。
[0065] 最初，使门阀86为打开状态，经由搬入搬出口85将图2的状态的半导体晶片W搬入腔室10内，并载置于基座16上。然后，通过排气装置84对腔室10内进行排气，并从处理气体供给源66以规定的流量向气体扩散室40供给处理气体，经由气体流通孔41和气体排出孔37向腔室10内进行供给，且通过供给高频电力，通过处理气体的等离子体进行直至下层抗蚀剂层202的蚀刻。接着，为了进行氧化膜(SiO2膜)201的蚀刻，由排气装置84对腔室10内进行排气，并从处理气体供给源66以规定的流量向气体扩散室40供给处理气体，经由气体流通孔41和气体排出孔37向腔室10内供给，使其中的压力为例如20mTorr(2.66Pa以下)的设定值。
[0066] 作为处理气体，使用作为主要蚀刻气体的CF类气体和作为添加气体的COS气体。另外，根据需要，也可以使用Ar气体或O2气体等其他的气体。在此，CF类气体是含有C和F的气体。指CF4气体、C4F6气体、C4F8气体、C5F8气体、C3F8气体、C6F6气体、CH2F2气体、CHF3气体等。
[0067] 在将处理气体以规定流量向处理腔室10内导入的状态下，从第一高频电源88向下部电极即基座16施加27～100MHz的频率，例如40MHz的较高的频率的等离子体生成用的高频电力，且从第二高频电源90施加400kHz～20MHz的频率例如13MHz的等离子体生成用的比高频电力低的频率的离子引入用的高频电力作为高频偏压，还有，按照需要从可变直流电源50施加负的直流电压，使处理气体等离子体化，对半导体晶片W的氧化膜(SiO2膜)201进行等离子体蚀刻。在高频偏压仅以第一高频电源88的自偏压即足够的情况下，并不一定需要来自第二高频电源90的电力供给。在等离子体生成时，通过从直流电源22向静电卡盘18的电极20施加直流电压，由此晶片W被固定于静电卡盘18。
[0068] 而且，从在上部电极34的电极板36形成的气体排出孔37排出的处理气体，在由高频电力生成的上部电极34和下部电极即基座16之间的
辉光放电中等离子体化，并通过由该等离子体生成的离子或
原子团对氧化膜(SiO2膜)201进行等离子体蚀刻。此时的蚀刻，通常，通过在主蚀刻和主蚀刻结束之后的过蚀刻下改变条件进行的多工序进行。当然，也可以单工序执行。
[0069] 在该蚀刻时，对作为主要的蚀刻气体CF类气体添加COS气体，因此，能够抑制蚀刻时的弯曲(bonding)。在展示具体例时，通过向C4F6/Ar/O2的处理气体添加COS，与未添加COS的情况相比，能够使弯曲CD改善2nm。
[0070] 但是，在使用COS气体作为处理气体时，具有其分子中包含的硫磺(S)残留于晶片的问题。S在残留浓度较高时，具有危害健康的问题，TLV值(Threshould Limit Value：指劳动者一天8小时(一周48小时)即使重复暴露也没有不良影响的大气中的浓度)被规定为10ppm以下，因此，需要使S的残留浓度为10ppm以下。
[0071] 但是，现在，对于残留S浓度并未进行系统的研讨，对哪个参数与S残留浓度有关并未掌握。
[0072] 因此，本发明者们，对与晶片上的残留S浓度有关的条件进行了研讨。在此，如图3所示，使制造条件变化并进行蚀刻处理之后的晶片W浸入水中，对溶出有S的水溶液进行离子色谱(IC)分析，求出晶片整个面的残留S浓度(溶出评价)。其结果是，如图4所示，残留S浓度与COS气体流量对CF类气体流量的比(COS/CF)之间具有较强关系，COS/CF越大，残留S变得越高，换而言之，确认残留S浓度能够通过COS/CF进行控制。即，如图5的图像图所示，单纯地使COS气体的流量变得越多，残留S浓度变得越高，但是由于使CF流量增加时COS/CF降低，因此能够使残留S浓度的增加量降低。其中，图4为，将腔室内压力固定为20mT(2.66Pa)，第一高频电源和第二高频电源的功率固定为：1800/4500W，直流电压固定为：-1150V，CF类气体流量固定为：68sccm，使COS气体流量变为0、6.8、13.6sccm(COS/CF＝0、10、20％)，进行60sec的蚀刻的结果。
[0073] TLV值为物质的大气中的浓度，因此，实际上能够求得对残留于晶片的S中的实际气化的S的浓度进行测定的结果。如图6所示，这样能够在专用FOUP设置蚀刻后的晶片，并通过泵对FOUP内进行吸引，并使吸引的气体溶解于水，通过对溶出的S进行IC分析的冲击集尘测定评价，能够进行掌握。通过溶出评价和冲击集尘测定评价对残留S浓度和COS/CF的关系进行比较的结果，如图7所示，两者的趋势相同，均确认COS/CF越大，残留S变得越高。其中，图7为将腔室内压力固定为20mT(2.66Pa)，第一高频电源和第二高频电源的功率固定为：400/4500W，直流电压固定为：-1150V，CF类气体流量固定为：68sccm，使COS气体流量变化，进行60sec的蚀刻的结果。
[0074] 接着，表1表示在量产条件(条件1～5)实际进行蚀刻时的COS/CF(％)、残留S浓度(ppm)、COS流量×蚀刻时间、(COS/CF)×蚀刻时间。其中，表1的残留S浓度为冲击集尘测定评价的结果。另外，在条件1～5中以两层表示的是，上层为主蚀刻，下层为过蚀刻。
[0075] 表1
[0076]
[0077] 如表1所示，当COS/CF的值在13.5％以下时，残留S浓度为10ppm以下，但是在过蚀刻中COS/CF的值是28.6的较高的条件3中，残留S浓度为18.5ppm，超过TLV值。条件5使条件3的过蚀刻时的COS/CF的值降低至11％，残留S浓度降低至3.2ppm。因此，确认在量产水平下通过COS/CF的值能够控制残留S浓度。另外，对于条件3以外，发现(COS/CF)×蚀刻时间与残留S浓度之间的关系，在COS/CF不是非常高的情况下，通过(COS/CF)×蚀刻时间，也能够控制残留S浓度。
[0078] 这样，通过COS/CF的值，能够控制残留S浓度，如图8的流程图所示的方式，能够以作为处理气体含有COS气体的规定的处理方案(初始条件)进行等离子体蚀刻(STEP1)，测定该时的残留S浓度(STEP2)，以该残留S浓度为设定值(典型的为TLV值)以下的方式对处理方案的COS/CF的值进行调整(STEP3)，通过对COS/CF的值进行调整后的处理方案进行实际的蚀刻(STEP4)。
[0079] 具体而言，当初始条件中的残留S浓度超过规定值(典型的为TLV值)时，能够使处理方案的COS/CF降低，以该变更后的处理方案进行实际的蚀刻。为了使COS/CF降低，可以减少COS气体流量或增加CF气体流量或采用这两种方法。此时，在能够得到作为COS添加目的的抑制弯曲的效果的范围内，需要对COS气体流量、CF气体流量进行调整。另外，在通过变更后的处理方案进行过蚀刻之后，再次测定残留S浓度，可以重复上述工序直至残留S浓度为规定值以下。
[0080] 另外，当初始条件中的残留S浓度为规定值以下时，根据残留S浓度的观点，不需要对COS/CF进行控制。但是，根据抑制弯曲的观点，可以在残留S浓度的容许范围内使处理方案的COS/CF增加，并以该变更后的处理方案进行蚀刻。
[0081] 另外，如图9的流程图所示的方式，也可以在每个基本的处理方案中，预先掌握COS/CF的值与残留S浓度的关系(STEP11)，在残留S浓度未超过设定值(典型的为TLV值)的范围内设定COS/CF的值(STEP12)，以该设定的COS/CF进行等离子体蚀刻(STEP13)。根据上述表1的结果，根据COS/CF在13.5％以下，更加重视安全性的观点，可以说优选10％以下。其中，该值根据基本的方案稍微不同，还有，即使COS/CF再变高一些也有可能是容许的。根据抑制弯曲的观点，优选：以在预先掌握的容许的COS/CF的范围内得到能够抑制弯曲的所期望的COS气体流量的方式，对COS气体流量和CF气体流量进行调整。
[0082] 不使用上述残留S浓度与COS/CF的关系，而使用残留S浓度与(COS/CF)×蚀刻时间的关系，如图10的流程图所示的方式，也可以以含有COS气体作为处理气体的规定的处理方案(初始条件)进行蚀刻(STEP21)，测定此时的残留S浓度(STEP22)，以该残留S浓度为设定值(典型的为TLV值)以下的方式对处理方案的(COS/CF)×蚀刻时间进行调整(STEP23)，以对(COS/CF)×蚀刻时间进行调整后的处理方案进行实际的蚀刻(STEP24)。
[0083] 具体而言，当初始条件中的残留S浓度超过规定值(典型的为TLV值)时，能够使处理方案的(COS/CF)×蚀刻时间的值降低，并以该变更后的处理方案进行实际的蚀刻。为了使(COS/CF)×蚀刻时间的值降低，可以进行减少COS气体流量、增加CF气体流量以及使蚀刻时间变短的任一种以上的方法。另外，当初始条件中的残留S浓度为设定值以下时，根据残留S浓度的观点不需要对(COS/CF)×蚀刻时间进行控制，但根据抑制弯曲的观点想要增加COS气体流量时，在残留S浓度为容许值的范围内使处理方案的(COS/CF)×蚀刻时间增加，以该变更后的处理方案进行蚀刻。
[0084] 另外，如图11的流程图所示的方式，也可以在每个基本的处理方案中，预先掌握残留S浓度与(COS/CF)×蚀刻时间的关系(STEP31)，在残留S浓度未超过设定值(典型的为TLV值)的范围内设定(COS/CF)×蚀刻时间的值(STEP32)，以该条件进行蚀刻(STEP33)。
[0085] 另外，在晶片上残留的S，可以利用氧等离子体进行处理而除去。可是，对每个晶片进行氧等离子体处理时，平均一枚晶片需要施加10sec以上的处理时间，因此这是不现实的。因此，本发明提案这样的不经由附加的工序而使残留S浓度为基准值以下的方法。
[0086] 另外，本发明并不限定于上述实施方式，可以进行各种
变形。例如，在上述实施方式中，作为实施本发明的装置公开有向下部电极施加频率不同的两个高频电力的装置，但并不限于此，也可以向下部电极施加等离子体生成用的一个高频电力，也可以将高频电力施加到上部电极，也可以向上部电极施加等离子体生成用的高频电力，向下部电极施加偏压用的高频电力。另外，作为蚀刻对象的氧化膜，除了SiO2之外，也能够适用TEOS或BPSG等其他的氧化膜。还有，并不一定向上部电极施加直流电压。另外，在上述实施方式中使用半导体晶片作为被处理基板，但本发明在原理上，被处理基板并不限于半导体晶片，也可以是FPD(平板显示器)等其他的基板。
