技术领域
[0001] 本
发明涉及刻蚀技术领域，尤其涉及一种干法刻蚀设备的下部电极基台和干法刻蚀设备。
背景技术
[0002] 在显示技术领域，通常通过干法刻蚀工艺对衬底
基板进行刻蚀，以制作相应的图形(patten)。具体地，将待刻蚀的衬底基板置于采用干法刻蚀设备中，利用
等离子体放电来去除衬底基板上待刻蚀的材料进行刻蚀。
[0003]
现有技术中的干法刻蚀设备主要包括：反应腔、位于反应腔内的上部电极和下部电极，位于下部电极上用于放置衬底基板的基台；在具体实施时，将待刻蚀的衬底基板置于下部电极上方的基台上，反应腔内通入等离子气体，将反应腔密闭，为上部电极和下部电极施加
电压，二者之间形成电势差，从而促使等离子体向衬底基板运动，对衬底基板进行刻蚀。
[0004] 图1所示为现有技术干法刻蚀设备的下部电极基台的结构示意图。如图1所示，目前，下部电极上方的基台包括基台基板10和基台基板10表面的表面浮点(Embossing Dot)20和
支撑杆(PIN)30，该表面浮点20由
氧化
铝陶瓷构成。随着下部电极使用时间的增长，表面浮点20上面沉淀的副产物会越来越多，由于从而导致不同
位置的表面浮点20处的
温度出现差异，由于温度的差异会导致刻蚀速率存在差异，刻蚀效果就存在差异，从而导致压印不良(Embossing Mura)的发生。
[0005] 目前为了解决上述问题，所采用的方案就是尽量减少印花点与衬底基板的
接触面积，例如，将印花点的用于与衬底基板接触的头部做成锯齿状或者股形状等，但是，这样虽然能够改善上述印花不良，却由于氧化铝陶瓷的硬度较高，一般其硬度高于玻璃，当待刻蚀的衬底基板置于硬度较高的表面浮点上时，表面浮点与衬底基板的接触面积过小时，导致衬底基板承受的压强太大，从而导致衬底基板损伤(Glass Broken)。
发明内容
[0006] 本发明的目的在于提供一种干法刻蚀设备的下部电极基台及干法刻蚀设备，能够在有效改善压印不良的同时，不会造成衬底基板损伤。
[0007] 本发明所提供的技术方案如下：
[0008] 一种干法刻蚀设备的下部电极基台，包括：
[0009] 基台基板；
[0010] 位于所述基台基板上的多个支撑结构，所述支撑结构包括第一支撑部分和第二支撑部分，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分之间具有第一状态和第二状态，其中，[0011] 在所述第一状态，所述第一支撑部分的支撑面高于所述第二支撑部分的支撑面，且所述第二支撑部分的支撑
面层叠在所述第一支撑部分的支撑面下方；在所述第二状态，所述第二支撑部分的支撑面高于所述第一支撑部分的支撑面，且所述第一支撑部分的支撑面层叠在所述第二支撑部分的支撑面下方；
[0012] 以及，用于控制所述第一支撑部分和所述第二支撑部分在所述第一状态和所述第二状态之间切换的切换机构，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分与所述切换机构连接。
[0013] 进一步的，所述第一支撑部分包括：设置在所述基台基板上的第一支撑杆；及，连接在所述第一支撑杆的顶端，并至少部分朝所述第二支撑部分所在方向延伸而与所述基台基板平行设置的第一支撑板，所述第一支撑杆和所述第一支撑板之间共同形成朝向所述第二支撑部分所在方向开口的第一容置空间；
[0014] 所述第二支撑部分包括：设置在所述基台基板上的第二支撑杆；及，连接在所述第二支撑杆的顶端，并至少部分朝所述第一支撑部分所在方向延伸与所述基台基板平行设置的第二支撑板，所述第二支撑杆和所述第二支撑板之间共同形成朝向所述第一支撑部分所在方向开口的第二容置空间；
[0015] 在所述第一状态，所述第二支撑部分容置于所述第一容置空间内，以使所述第二支撑板层叠在所述第一支撑板下方；
[0016] 在所述第二状态，所述第一支撑部分容置于所述第二容置空间内，以使所述第一支撑板层叠在所述第二支撑板下方。
[0017] 进一步的，所述切换机构包括：
[0018] 与所述第一支撑杆和/或所述第二支撑杆连接的第一平移结构；以及，与所述第一支撑杆和/或所述第二支撑杆连接的第一升降结构；
[0019] 其中，当控制所述第一支撑部分和所述第二支撑部分在所述第一状态和所述第二状态之间切换时，所述第一平移结构能够在与所述基台基板上在与所述基台基板平行的方向上平移所述第一支撑部分和/或所述第二支撑部分，所述第一升降结构能够在垂直于所述基台基板的方向上升降所述第一支撑部分和/或所述第二支撑部分。
[0020] 进一步的，所述第一支撑杆与所述第一支撑板之间呈L型结构；所述第二支撑杆与所述第二支撑板之间呈L型结构。
[0021] 进一步的，所述第一支撑部分包括设置在所述第一支撑基底上的第一支撑柱，所述第一支撑柱的顶端形成所述第一支撑部分的支撑面，所述第一支撑柱内部中空；
[0022] 所述第二支撑部分包括第二支撑柱，所述第二支撑柱的顶端形成所述第二支撑部分的支撑面；其中，
[0023] 所述第二支撑柱均设置在所述第一支撑柱的内部，在所述第一支撑柱顶端的支撑面面积大于所述第二支撑柱顶端的支撑面面积，且所述第一支撑柱顶端的支撑面中部开设有用于供所述第二支撑柱穿过的通孔；
[0024] 在所述第一状态，所述第二支撑柱通过所述第一支撑柱顶端的通孔收缩于所述第一支撑柱内部，以使所述第二支撑柱的支撑面层叠在所述第一支撑柱的支撑面下方；
[0025] 在所述第二状态，所述第二支撑柱通过所述第一支撑柱顶端的通孔穿出所述第一支撑柱之外，以使所述第一支撑柱的支撑面层叠在所述第二支撑柱的支撑面下方。
[0026] 进一步的，所述第一支撑柱顶端的支撑面上的通孔位置设置有隔离板，所述隔离板能够在所述通孔位置移动，以打开或关闭所述通孔。
[0027] 进一步的，所述切换机构包括：与所述第一支撑部分和/或所述第二支撑部分连接的第二升降结构，其中，当控制所述第一支撑部分和所述第二支撑部分在所述第一状态和所述第二状态之间切换时，所述第二升降结构能够在垂直于所述基台基板的方向上升降所述第一支撑柱和/或所述第二支撑柱。
[0028] 进一步的，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分均为表面浮点结构，所述第一支撑部分和所述第二支撑部分的支撑面均采用陶瓷材料制成。
[0029] 进一步的，所述基台基板采用陶瓷基板。
[0030] 一种干法刻蚀设备，包括如上所述的下部电极基台。
[0031] 本发明的有益效果如下：
[0032] 本发明所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台，将基板表面的表面浮点(Embossing Dot)进行了改进，设计为能够相互层叠而交替地支撑衬底基板的两个支撑部分，如此，在进行第一次刻蚀工艺时利用第一支撑部分来支撑衬底基板，而第二支撑部分的支撑面由于层叠在第一支撑部分的支撑面下方，不会有异物沉积，从而在进行第二次刻蚀工艺时，利用第二支撑部分来支撑衬底基板时，可以减少由于支撑面上沉积异物而导致的压印不良；并且，每一支撑部分与衬底基板的接触面积不会减小，不会产生衬底基板损伤问题。
附图说明
[0033] 图1所示为现有技术干法刻蚀设备的下部电极基台的结构示意图；
[0034] 图2表示本发明
实施例中提供的干法刻蚀设备的下部电极基台的平面俯视图；
[0035] 图3表示本发明实施例1中提供的下部电极基台的支撑结构在第一状态时的结构示意图；
[0036] 图4表示本发明实施例1中提供的下部电极基台的支撑结构在第二状态时的结构示意图；
[0037] 图5表示本发明实施例2中提供的下部电极基台的支撑结构在第一状态时的结构示意图；
[0038] 图6表示本发明实施例2中提供的下部电极基台的支撑结构在第二状态时的结构示意图。
具体实施方式
[0039] 以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0040] 针对现有技术中干法刻蚀设备的下部电极基台上表面浮点在刻蚀过程中会沉积异物而导致压印不良产生，而减少表面浮点与衬底基板的接触面积又会导致衬底基板损伤的问题，本发明提供了一种干法刻蚀设备的下部电极基台，在有效改善压印不良的同时，不会造成衬底基板损伤。
[0041] 本发明提供的干法刻蚀设备的下部电极基台为位于下部电极上用于支撑待刻蚀的衬底基板的基台。所述基台与所述下部电极层叠设置，二者的结合方式与现有技术类似，本发明以下主要对所述基台做具体描述。
[0042] 如图2至图6所示，本发明所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台，包括：
[0043] 基台基板200；
[0044] 位于所述基台基板200上的多个支撑结构100，所述支撑结构100包括第一支撑部分101和第二支撑部分102，所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102之间具有第一状态和第二状态，其中在所述第一状态，所述第一支撑部分101的支撑面高于所述第二支撑部分102的支撑面，且所述第二支撑部分102的支撑面层叠在所述第一支撑部分101的支撑面下方，在所述第二状态，所述第二支撑部分102的支撑面高于所述第一支撑部分101的支撑面，且所述第一支撑部分101的支撑面层叠在所述第二支撑部分102的支撑面下方；
[0045] 以及，用于控制所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102在所述第一状态和所述第二状态之间切换的切换机构，所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102与所述切换机构连接。
[0046] 本发明所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台，基台基板200上设置的支撑结构100设计为能够相互层叠而交替地支撑衬底基板的两个支撑部分，如此，在进行第一次刻蚀工艺时利用第一支撑部分101来支撑衬底基板，而第二支撑部分102的支撑面由于层叠在第一支撑部分101的支撑面下方，不会有异物沉积，从而在进行第二次刻蚀工艺时，利用第二支撑部分102来支撑衬底基板时，可以减少由于支撑面上沉积异物而导致的压印不良；
并且，每一支撑部分与衬底基板的接触面积不会减小，不会产生衬底基板损伤问题。
[0047] 需要说明的是，本发明实施例提供的衬底基板可以为玻璃基板或柔性基板等。例如：该衬底基板可以是TFT阵列基板的衬底基板。本发明实施例中以玻璃基板为例进行说明。
[0048] 在本发明实施例所提供的下部电极基台中，优选的，所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102均为表面浮点结构(即，Embossing Dot)，所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102的支撑面均采用陶瓷材料制成，所述基台基板200采用陶瓷基板，至少上表面为陶瓷材质。当然可以理解的是，对于所述支撑结构100的具体材质以及所述基台基板200的具体材质可以并不仅局限于此。
[0049] 以下说明本发明提供的干法刻蚀设备的下部电极基台的几种优选实施例。
[0050] 实施例1
[0051] 图3和图4所示为本发明提供所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台上支撑结构100的的第一种实施例的结构示意图。
[0052] 在本实施例中，如图3和图4所示，所述第一支撑部分101包括设置在所述基台基板200上的第一支撑杆1011以及连接在所述第一支撑杆1011的顶端的第一支撑板1012，所述第一支撑板1012的至少一部分朝所述第二支撑部分102所在方向延伸，并与所述基台基板200大致平行设置，从而所述第一支撑杆1011与所述第一支撑板1012之间共同形成一朝向所述第二支撑部分102所在方向开口的第一容置空间，所述第一支撑部分101的支撑面是由所述第一支撑板1012的上表面形成；
[0053] 所述第二支撑部分102包括设置在所述基台基板200上的第二支撑杆1021及连接在所述第二支撑杆1021的顶端的第二支撑板1022，所述第二支撑板1022的至少一部分朝所述第一支撑部分101所在方向延伸，并与所述基台基板200平行设置，从而所述第二支撑杆1021与所述第二支撑板1022之间共同形成一朝向所述第一支撑部分101所在方向开口的第二容置空间，所述第二支撑部分102的支撑面是由所述第二支撑板1022的上表面形成；
[0054] 其中在所述第一状态，所述第二支撑部分102能够容置于所述第一容置空间内，以使所述第一支撑板1012支撑衬底基板，所述第二支撑板1022层叠在所述第一支撑板1012下方，被所述第一支撑板1012
覆盖；在所述第二状态，所述第一支撑部分101容置于所述第二容置空间内，以使所述第一支撑板1012支撑衬底基板，所述第一支撑板1012层叠在所述第二支撑板1022下方，被所述第一支撑板1012覆盖。
[0055] 在本实施例中，如图3和图4所示，优选的，所述第一支撑板1012与所述第一支撑杆1011之间构成一L型结构，所述第二支撑板1022与所述第二支撑杆1021之间构成一L型结构，且第一支撑板1012与第一支撑杆1011构成的L型结构与第二支撑板1022与第二支撑杆1021构成的L型结构相向设置。
[0056] 应当理解的是，在本发明的其他实施例中，所述第一支撑板1012与所述第一支撑杆1011的结构可以不仅局限于此，例如：所述第一支撑板1012与所述第一支撑杆1011之间以及所述第二支撑杆1021之间还可以其他结构均可，仅需要使得第一支撑板1012和第一支撑杆1011之间构成一第一容置空间，所述第二支撑杆1021和第二支撑板1022构成一第二容置空间，而使得第一支撑板1012和第二支撑板1022能够完全层叠。
[0057] 在本实施例中，优选的，所述切换机构包括：
[0058] 与所述第一支撑杆1011和/或所述第二支撑杆1021连接的第一平移结构；以及与所述第一支撑杆1011和/或所述第二支撑杆1021连接的第一升降结构；
[0059] 当控制所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102在所述第一状态和所述第二状态之间切换时，所述第一平移结构能够在与所述基台基板200上在与所述基台基板200平行的方向上平移所述第一支撑部分101和/或所述第二支撑部分102，所述第一升降结构能够在垂直于所述基台基板200的方向上升降所述第一支撑部分101和/或所述第二支撑部分102。
[0060] 上述方案中，第一支撑板1012和第二支撑板1022层叠设置，并可以在所述切换机构的第一平移结构和第一升降机构控制下而交换位置，以在不同刻蚀工艺中来交替地对衬底基板进行支撑，结构简单，容易操作。
[0061] 具体地，如图3所示，当需要第一支撑部分101的支撑面高于第二支撑部分102的支撑面时，先利用所述第一平移结构将第一支撑部分101从所述第二容置空间内平移至所述第二容置空间之外，然后通过所述第一升降机构控制所述第一支撑部分101上升或控制所述第二支撑部分102下降，再利用所述第一
平移机构将所述第一支撑部分101或第二支撑部分102平移，使得所述第一支撑板1012层叠于第二支撑板1022上方；
[0062] 如图4所示，当需要第二支撑部分102的支撑面高于第一支撑部分101的支撑面时，先利用所述第一平移结构将第二支撑部分102从所述第一容置空间内平移至所述第一容置空间之外，然后通过所述第一升降机构控制所述第一支撑部分101下降或控制所述第二支撑部分102上升，再利用所述第一平移机构将所述第二支撑部分102或第一支撑部分101平移，使得所述第二支撑板1022层叠于第一支撑板1012上方。
[0063] 当然可以理解的是，以上仅是提供了一种切换机构的优选实现方式，在实际应用中，所述切换机构的具体实现方式也可以并不仅局限于此，在此不再一一列举。
[0064] 以下以在TFT(Thin Film Transistor，
薄膜晶体管)基板制造工艺中的SD干法刻蚀(Dry Etch)工艺为例，来对本实施例中提供的下部电极基台的工作过程进行详细说明。在TFT基板的SD干法刻蚀工艺中采用干法刻蚀主要包括有源层(Active)刻蚀和
光刻胶(PR胶)灰化处理(Ashing)。
[0065] 本实施例所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台进行SD干法刻蚀时，进行有源层刻蚀时，通过所述切换机构控制所述第一支撑板1012层叠于所述第二支撑板1022的上方，利用第一支撑板1012支撑衬底基板，而第二支撑板1022容置在第一支撑板1012和第一支撑杆1011构成的第一容置空间内而被覆盖隔离；
[0066] 在有源层刻蚀完成之后，通过所述切换机构控制所述第二支撑板1022平移出所述第一支撑板1012下方，再将所述第一支撑板1012下降或将第二支撑板1022上升，最后控制所述第一支撑板1012与所述第二支撑板1022相对平移，使得所述第一支撑板1012层叠在第二支撑板1022下方，从而在进行光刻胶灰化时利用第二支撑板1022支撑衬底基板；
[0067] 在光刻胶灰化完成之后，再次通过所述切换机构控制所述第二支撑板1022下降或所述第一支撑板1012上升，使得第二支撑板1022层叠于第一支撑板1012下方，再进行基台的Pin(支撑杆)升降，从而使异物的沉淀附着在第一支撑板1012上，而第二支撑板1022不会受到影响，从而达到减少压印不良(Embossing Mura)产生的效果。
[0068] 实施例2
[0069] 图5至图6所示为本发明提供所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台上支撑结构100的的第二种实施例的结构示意图。
[0070] 在本实施例中，如图5和图6所示，所述第一支撑部分101包括设置在所述基台基板200上的第一支撑基底1013及设置在所述第一支撑基底1013上的第一支撑柱1014，所述第一支撑柱1014的顶端形成所述第一支撑部分101的支撑面，所述第一支撑基底1013和所述第一支撑柱1014内部中空；所述第二支撑部分102包括第二支撑基底和设置在所述第二支撑基底上的第二支撑柱，所述第二支撑柱的顶端形成所述第二支撑部分102的支撑面；
[0071] 其中，所述第二支撑基底和所述第二支撑柱均设置在所述第一支撑基底1013和所述第一支撑柱1014的内部，在所述第一支撑柱1014顶端的支撑面面积大于所述第二支撑柱顶端的支撑面面积，且所述第一支撑柱1014顶端的支撑面中部开设有用于供所述第二支撑柱穿过的通孔；
[0072] 如图5所示，在所述第一状态，所述第二支撑柱自所述第一支撑柱1014顶端的通孔收缩于所述第一支撑柱1014内部，以使所述第二支撑柱的支撑面层叠在所述第一支撑柱1014的支撑面下方；如图6所示，在所述第二状态，所述第二支撑柱自所述第一支撑柱1014顶端的通孔穿出所述第一支撑柱1014之外，以使所述第一支撑柱1014的支撑面层叠在所述第二支撑柱的支撑面下方。
[0073] 在本实施例中，优选的，所述第一支撑柱1014顶端的支撑面上的通孔位置设置有隔离板，所述隔离板能够在所述通孔位置移动，以打开或关闭所述通孔。
[0074] 具体地，在所述第一状态，所述隔离板关闭所述通孔，而使得所述第一支撑柱1014顶端的支撑面为平整状态，而支撑衬底基板；在所述第二状态，所述隔离板打开所述通孔，以使得所述第二支撑柱伸出所述第一支撑柱1014之外，而支撑衬底基板。由此可见，通过设置所述隔离板可以保证所述第一支撑柱1014的支撑面与衬底基板接触时为一平面，而避免由于支撑面不平整而导致不良产生。
[0075] 在本实施例中，优选的，所述切换机构包括：与所述第一支撑部分101和/或所述第二支撑部分102连接的第二升降结构，其中当控制所述第一支撑部分101和所述第二支撑部分102在所述第一状态和所述第二状态之间切换时，所述第二升降结构能够在垂直于所述基台基板200的方向上升降所述第一支撑柱1014和/或所述第二支撑柱。
[0076] 具体地，当需要第一支撑部分101的支撑面高于第二支撑部分102的支撑面时，利用所述第二升降结构将第一支撑柱1014上升或将第二支撑柱下降，使得所述第一支撑柱1014的支撑面层叠于第二支撑柱的支撑面上方；
[0077] 当需要第二支撑部分102的支撑面高于第一支撑部分101的支撑面时，利用所述第二升降结构将第一支撑柱1014下降或将第二支撑柱上升，使得所述第二支撑柱的支撑面层叠于第一支撑柱1014的支撑面上方。
[0078] 当然可以理解的是，以上仅是提供了一种在本实施例中切换机构的优选实现方式，在实际应用中，所述切换机构的具体实现方式还可以有多种，例如，所述第二支撑柱还可以是一伸缩杆结构，所述切换结构用于控制所述第二支撑柱伸缩；在此对于所述切换机构的具体实现方式不再一一列举。
[0079] 以下以在TFT(Thin Film Transistor，
薄膜晶体管)基板制造工艺中的SD干法刻蚀(Dry Etch)工艺为例，来对本实施例中提供的下部电极基台的工作过程进行详细说明。
[0080] 本实施例所提供的干法刻蚀设备的下部电极基台进行SD干法刻蚀时，首先进行有源层刻蚀，通过所述切换机构控制所述第二支撑柱收缩至所述第一支撑柱1014内部，而使得第二支撑柱的顶端支撑面层叠于所述第一支撑柱1014的顶端支撑面下方，而第一支撑柱1014的顶端支撑面支撑衬底基板，而第二支撑柱则完全隔离在第一支撑柱1014和第一支撑基底1013内部；
[0081] 在有源层刻蚀完成之后，通过所述切换机构控制所述第二支撑柱伸出至所述第一支撑柱1014之外，使得所述第一支撑柱1014的顶端支撑面低于所述第二支撑柱的顶端支撑面，从而在进行光刻胶灰化时利用第二支撑柱支撑衬底基板；
[0082] 在光刻胶灰化完成之后，再次通过所述切换机构控制所述第二支撑柱下降或所述第一支撑柱1014上升，使得第二支撑柱收缩于第一支撑柱1014内部，再控制基台上Pin(支撑杆)升降，从而使异物的沉淀附着在第一支撑柱1014的顶端支撑面上，而第二支撑柱的顶端支撑面则不会受到影响，从而达到减少压印不良(Embossing Mura)产生的效果。
[0083] 本发明实施例中还提供了一种干法刻蚀设备，其包括如上所述的下部电极基台。
[0084] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
