技术领域
[0001] 本
发明涉及平面显示器的制程领域，尤其涉及一种湿法蚀刻设备。
背景技术
[0002] 在显示技术领域，
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和
有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)等平板显示装置因具有
机身薄、高画质、省电、无
辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：
移动电话、
个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本屏幕等。
[0003]
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列(Array)
基板是目前LCD装置和AMOLED装置中的主要组成部件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。例如LCD的制程一般包括：前段阵列制程、中段成盒(Cell)制程、及后段模组组装制程，前段阵列制程又包括：玻璃基板的清洗与干燥、
镀膜、涂
光刻胶、曝光、显影、蚀刻、去除光刻胶等制程。蚀刻又分为湿法(WET)蚀刻和干法(DRY)蚀刻，其中湿法蚀刻的效果对于布线的精细程度以及最终面板的品质有很大的影响，因此蚀刻尺寸偏差(CD Bias)及蚀刻尺寸(CD)均一性是湿法蚀刻后的重要特征值。举例来说，对于第二层金属，如果蚀刻尺寸不均匀，也即部分区域
导线较宽，会造成
像素之间第二层金属与第一层金属交盖面积的不同，也就是说，产生不同的
电容耦合效应，使面板的品质偏离设计值。
[0004] 目前常用的湿法蚀刻模式主要有喷淋式(Spray mode)、浸泡式(Dip mode)及涂布式(Puddle mode)，对于现有的
湿蚀刻设备，上述三种蚀刻模式需要在不同的蚀刻单元中完成，即现有的湿蚀刻设备中喷淋蚀刻单元、浸泡蚀刻单元及涂布蚀刻单元为功能相分离的独立蚀刻单元，因此湿蚀刻设备结构比较复杂，维护保养困难，机
台面积大，易占空间；其中，Spray模式下，喷淋蚀刻单元主要通过转动传送滚轮将其上的玻璃基板沿
水平方向前后来回传送而实现摇摆(Oscillation)动作以使蚀刻更加均匀，如果存在滑片则会导致报废；Dip模式下，浸泡蚀刻单元主要通过关闭蚀刻槽两端的遮板(Shutter)达到浸泡目的，这样就存在两个劣势，一是在Shutter开启的时候会造成药液不均匀流动形成mura，二是对于每一片玻璃都需进行关Shutter动作和开Shutter动作，降低了蚀刻效率；Puddle模式下，涂布蚀刻单元主要采用固定液刀、移动玻璃基板的蚀刻方式，因此只能进行单次药液涂布。
发明内容
[0005] 本发明的目的在于提供一种湿法蚀刻设备，能够简化机台结构，减少机台的占地空间，降低机台维护保养的难度和成本，并减少在蚀刻过程中由于传送基板所造成的mura。
[0006] 为实现上述目的，本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽。
[0007] 所述喷淋管向基板表面喷淋蚀刻液时，所述承载台带动基板一起沿水平方向来回移动。
[0008] 所述液刀通过沿水平方向来回移动，向承载台上的基板表面涂布蚀刻液。
[0009] 所述承载台通过沿垂直方向上下移动，带动基板一起进入或离开蚀刻槽内。
[0010] 所述的湿法蚀刻设备，还包括设于所述承载台上方用于将基板固定在承载台上的固定夹。
[0011] 所述蚀刻槽的相对两槽壁上分别设有进液口和出液口。
[0012] 所述喷淋管上设有沿其轴向方向排列的多个
喷嘴，所述喷淋管通过其上的多个喷嘴向基板表面喷淋蚀刻液。
[0013] 在所述喷淋管对基板表面喷淋蚀刻液的过程中，所述喷淋管在基板的上方来回转动。
[0014] 所述的湿法蚀刻设备，还包括设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面吹
风而对基板表面进行清洁处理的风刀。
[0015] 所述的湿法蚀刻设备还包括蚀刻室，所述承载台、喷淋管、液刀以及蚀刻槽均安装于所述蚀刻室内。
[0016] 本发明的有益效果：本发明的湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽；从而将喷淋、浸泡及涂布三种蚀刻模式集成在同一个蚀刻单元当中，缩减了机台结构，减少了机台的占地空间，降低了维护保养的成本和时间，并且蚀刻过程中基板置于承载台上随承载台一起移动，而不需要单独对基板进行传送，蚀刻过程更加稳定，从而减少了mura产生。
[0017] 为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与
附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
[0018] 下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
[0019] 附图中，
[0020] 图1为本发明的湿法蚀刻设备的结构示意图；
[0021] 图2为本发明的湿法蚀刻设备对基板进行喷淋式蚀刻的示意图；
[0022] 图3为本发明的湿法蚀刻设备对基板进行浸泡式蚀刻的示意图；
[0023] 图4为本发明的湿法蚀刻设备对基板进行涂布式蚀刻的示意图。
具体实施方式
[0024] 为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的
实施例及其附图进行详细描述。
[0025] 请参阅图1，本发明提供一种湿法蚀刻设备，包括蚀刻室1、以及安装于所述蚀刻室1内的承载台10、喷淋管20、液刀30、蚀刻槽40，其中所述承载台10用于承载基板50，所述喷淋管20设于所述承载台10上方用于向基板50表面喷淋蚀刻液，所述液刀30设于所述承载台
10与喷淋管20之间用于向基板50表面涂布蚀刻液，所述蚀刻槽40设于所述承载台10下方用于容纳蚀刻液和基板50。
[0026] 本发明的湿法蚀刻设备，将喷淋、浸泡及涂布三种蚀刻模式集成在同一个蚀刻单元内，缩减了机台结构，减少了机台的占地空间，降低了维护保养的成本和时间，并且蚀刻过程中不需要单独对基板50进行传送，蚀刻过程更加稳定，从而减少了mura产生。
[0027] 具体地，所述的湿法蚀刻设备，还包括设于所述承载台10上方用于将基板50固定在承载台10上的固定夹15。
[0028] 具体地，所述蚀刻槽40的相对两槽壁上分别设有进液口41和出液口42，其中，所述进液口41和出液口42分别设于所述槽壁的上下两端。
[0029] 具体地，所述喷淋管20上设有沿其轴向方向排列的多个喷嘴21，所述喷淋管20通过其上的多个喷嘴21向基板50表面喷淋蚀刻液。
[0030] 具体地，本发明的湿法蚀刻设备，还包括设于所述承载台10与喷淋管20之间用于向基板50表面吹风而对基板50表面进行清洁处理的风刀80。
[0031] 具体地，如图2所示，当采用本发明的湿法蚀刻设备对基板50进行喷淋式蚀刻时，所述喷淋管20向基板50表面喷淋蚀刻液，同时基板50放置于所述承载台10上，所述承载台10带动基板50一起沿水平方向前后来回移动，从而完成对基板50的震荡动作，以使得蚀刻效果更佳均匀；相对于现有湿法蚀刻设备的喷淋蚀刻单元，本发明是通过将基板50固定在承载台10上，随承载台10一起做震荡摆动，而不是通过转动传送滚轮而单独对其上的基板进行传送运动，从而可避免滑片风险。
[0032] 具体地，所述承载台10通过沿垂直方向上下移动，带动基板50一起进入或离开蚀刻槽40内，如图3所示，当采用本发明的湿法蚀刻设备对基板50进行浸泡式蚀刻时，开启进液口41，关闭出液口42，通过将承载有基板50的承载台10下降到装有蚀刻液的蚀刻槽40内，以将基板50浸泡在蚀刻液中，在该浸泡过程中可通过沿水平方向前后来回移动承载台10及其上的基板50，以使得蚀刻更加均匀，当蚀刻完成后，关闭进液口41，开启出液口42，所述承载台10向上移动，从而带动基板50离开蚀刻槽40；相对于现有湿法蚀刻设备的浸泡蚀刻单元，本发明通过沿垂直方向上下移动承载台10，带动基板50一起进入或离开蚀刻槽40内，从而避免了现有湿法蚀刻设备在Shutter开启时因药液不均匀流动所形成的mura，并避免了关Shutter动作和开Shutter动作，从而提高了蚀刻效率。
[0033] 具体地，如图4所示，当采用本发明的湿法蚀刻设备对基板50进行涂布式蚀刻时，所述液刀30通过沿水平方向前后来回移动，向承载台10上的基板50表面涂布蚀刻液；相对于现有湿法蚀刻设备的涂布蚀刻单元，采用固定液刀、移动玻璃基板的方式进行涂布式蚀刻，本发明中所述液刀30为可动式液刀，通过所述液刀30在基板50上来回移动，可以对基板50进行多次蚀刻液涂布，从而有效改善了蚀刻均匀性。
[0034] 具体地，当采用本发明的湿法蚀刻设备对基板50进行喷淋式蚀刻时，在所述喷淋管20对基板50表面喷淋蚀刻液的过程中，所述喷淋管20也可在基板50的上方按一定
角度来回转动，从而可进一步提高对基板50的蚀刻均匀性。
[0035] 综上所述，本发明的湿法蚀刻设备，包括用于承载基板的承载台、设于所述承载台上方用于向基板表面喷淋蚀刻液的喷淋管、设于所述承载台与喷淋管之间用于向基板表面涂布蚀刻液的液刀、以及设于所述承载台下方用于容纳蚀刻液和基板的蚀刻槽；从而将喷淋、浸泡及涂布三种蚀刻模式集成在同一个蚀刻单元当中，缩减了机台结构，减少了机台的占地空间，降低了维护保养的成本和时间，并且蚀刻过程中基板置于承载台上随承载台一起移动，而不需要单独对基板进行传送，蚀刻过程更加稳定，从而减少了mura产生。
[0036] 以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和
变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的
权利要求的保护范围。
