技术领域
[0001] 本
发明涉及一种关于湿式制程领域，尤其是涉及一种湿式蚀刻装置。
背景技术
[0002] 在面板产业中，湿式制程的发展已经相当成熟。然而习知湿式制程机台中，使用上具有维修困难、耗液量大、均匀性不佳、漏夜、及背面脏污问题。
[0003] 上述背面脏污的问题大部分的原因是
支撑一
基板并移动所述基板的滚轮所造成，对于超薄基板而言，常常需要用到数以千计的滚轮，使用数量庞大的滚轮除了价格高昂之外，也不利于维护保养，甚至会在基板的背面(即与滚轮
接触的一面)形成滚痕(roller mark)。再者，现有立体(3D)封装需要进行双面制程，使用滚轮承载基板的湿式蚀刻装置无法对基板的背面进行蚀刻制程。
[0004] 习知的技术中，已有采用液体浮
力来取代滚轮，但是，对于如何解决所述基板的移动问题却没有有效的解决方案。
[0005] 因此需要针对上述习知技术中移动基板的问题提出解决方法。
发明内容
[0006] 本发明提供一种湿式蚀刻装置，其能解决习知技术中使用滚轮承载基板的问题。
[0007] 本发明之湿式蚀刻装置包括一腔体、若干蚀刻液
喷嘴、一承载平台以及一导引装置。所述腔体包括一进气口以及一出气口。所述进气口用于导入一蚀刻气体。所述出气口用于导出所述蚀刻气体。所述若干蚀刻液喷嘴设置于所述腔体中以对一基板进行蚀刻。所述承载平台设置于所述腔体中。所述承载平台包括一本体以及若干平台喷嘴。所述本体设置于所述基板下方。所述若干平台喷嘴贯穿所述本体，一液体透过所述若干平台喷嘴提供一向上的液体
浮力用以抵销所述基板向下的重力以承载所述基板。所述导引装置设置于所述乘载平台的一侧。所述导引装置包括若干导引口，通过所述若干导引口导引所述液体进而使所述基板移动。
[0008] 在一优选
实施例中，所述湿式蚀刻装置进一步包括一抽
风模
块。所述抽风模块连接至所述进气口及所述出气口且用于将所述腔体内部之蚀刻所需气体从所述出气口抽出附加
电路板。
[0009] 在一优选实施例中，所述液体为
水或制程所需药液。
[0010] 在一优选实施例中，所述导引装置设置在所述基板的上下两侧。
[0011] 在一优选实施例中，所述若干导引口吸取所述液体进而使所述基板移动。
[0012] 在一优选实施例中，所述若干导引口喷出所述液体进而使所述基板移动。
[0013] 在一优选实施例中，第一部份的所述若干导引口喷出所述液体以及第二部份的所述若干导引口吸入所述液体进而使所述基板移动。
[0014] 在一优选实施例中，所述液体进入/喷出所述若干导引口的方向在所述基板移动的方向上有分量。
[0015] 本发明之湿式蚀刻装置能解决移动基板的问题并在减少滚痕的同时亦能进行双面制程。再者，蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用，对蚀刻液进行加压的功能，因此能节省气体使用量。
附图说明
[0016] 图1显示根据本发明之第一实施例之湿式蚀刻装置之示意图；
[0017] 图2A显示根据本发明第一实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图；
[0018] 图2B显示图2A的导引装置的正视图；
[0019] 图2C显示根据图2A的区域A的放大示意图；
[0020] 图3A显示根据本发明第二实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图；
[0021] 图3B显示图3A的导引装置的正视图；
[0022] 图4A显示根据本发明第三实施例之湿式蚀刻装置之导引装置与基板的放大示意图；
[0023] 图4B显示图4A的导引装置的第一型正视图；以及
[0024] 图4C显示图4A的导引装置的第二型正视图。
具体实施方式
[0025] 请参阅图1，图1显示根据本发明一第一实施例之湿式蚀刻装置1之示意图。
[0026] 如图1所示，本发明之湿式蚀刻装置1包括若干蚀刻液喷嘴10、一腔体20、一承载平台40、一抽风模块50以及一导引装置60。
[0027] 所述若干喷嘴10设置于所述腔体20中以对一基板30进行蚀刻，更明确地说，所述若干蚀刻液喷嘴10设置于所述基板30的上方。所述基板30可以为目前湿式制程中需要进行蚀刻的基板，例如但不限于为一玻璃基板。所述承载平台40设置于所述腔体20中并用于非接触地承载所述基板30。
[0028] 所述腔体20主要包括一进气口200以及一出气口202。于本实施例中，所述进气口200及所述出气口202分别设置于所述腔体20之两相对的
侧壁上，然而本发明并不限于此，所述进气口200及所述出气口202可设置于所述腔体20之相同或不同侧壁上。
[0029] 所述进气口200用于导入一蚀刻气体，所述抽风模块50连接至所述出气口202，所述抽风模块50用于将所述腔体20内部之蚀刻气体从所述出气口202抽出，抽出之蚀刻气体可以再透过所述进气口200导入，达到再生使用的目的，节省蚀刻气体之使用量。
[0030] 要说明的是，蚀刻所需气体为本发明所属技术领域中具有通常知识者所熟知，此不多加赘述。
[0031] 所述承载平台40设置于所述腔体20中。所述承载平台40用于非接触地承载所述基板30，所述承载平台40包括一本体400以及若干平台喷嘴402，所述本体40设置于所述基板30下方并大致呈一平板状。所述若干平台喷嘴402贯穿所述本体400，一液体由下往上透过所述若干平台喷嘴402提供一向上的液体浮力用以抵销所述基板30向下的重力以承载所述基板30。由于所述基板30是由所述液体浮力所承载，因此可避免造成所述基板30的背面(即所述基板30朝向所述承载平台40的一面)脏污的问题并大幅减少滚轮的数量，且所述基板
30不会与所述承载平台40接触，不会发生使用滚轮承载时所述基板30的背面(即所述基板
30朝向所述承载平台40的一面)形成滚痕的问题。
[0032] 本发明之一特点在于所述导引装置60包括若干导引口62，通过所述若干导引口62使所述基板30移动。详细地，所述导引装置60设置于所述乘载平台40的一侧。经过
发明人反复测试后，在所述承载平台40的作用下，所述基板30基本上呈现浮体的状态，只需要稍微轻触就会沿着施力的方向移动，关于所述若干导引口62的详细设计，将于其他实施例中说明。
[0033] 所述液体可以为水或制程所需药液，所述液体为制程所需药液时，除了能提供液体浮力以承载所述基板30之外，进一步将制程所需药液(例如但不限于蚀刻液)均匀地喷洒在所述基板30的背面(即所述基板30朝向所述承载平台40的一面)，因此能适用于立体封装所需的双面制程。
[0034] 所述若干平台喷嘴402的设计需要考虑的因素包括所述基板30的面积、重量、所述本体400的材质以及表面粗糙度。
[0035] 于一优选实施例中，所述本体400之表面每平方公分包括一至五个平台喷嘴402，所述液体的液体压力为每平方公分小于2.5公斤(kg/cm2)，各平台喷嘴402之一口径为0.5公厘(millimeter；mm)至1.5公厘，所述若干平台喷嘴402与所述基板30之间的距离为1公厘至6公厘。
[0036] 要说明的是，所述若干平台喷嘴402的数量、所述液体的液体压力、各平台喷嘴402之口径、及所述若干平台喷嘴402与所述基板30之间的距离的范围为特殊设计，并非仅是本发明所属技术领域中具有通常知识者可轻易得知的范围。
[0037] 基本上，为了设计简便，所述若干导引口62的数量、口径以及与所述基板30之间的距离均可以参考所述若干平台喷嘴402。所述若干导引口62以及所述若干差异平台喷嘴402在于：所述若干平台喷嘴402提供给所述基板30的是一个用于抵抗重力的向上的外力，无法使所述基板30水平的移动；所述若干导引口62提供给所述基板30是一个水平的外力，因此可使所述基板30在水平方向上移动。需要注意的是，因为所述导引装置60仅需要提供相当微小的力量就能够使所述基板30移动，但是为了不破坏基板在所述承载平台40上的平衡，基本上所述导引装置60设置在所述基板30的上下两侧。
[0038] 参考图2A-2B。图2A显示根据本发明第一实施例之湿式蚀刻装置1之导引装置60与基板30的放大示意图。图2B显示图2A的导引装置60的正视图。图中的箭头表示液体的方向。在本优选实施例中，所述液体是由所述若干导引口62朝左边喷出，因此可以带动所述基板
30往左边移动。需要注意的是，在图2B中，上排的所述若干导引口62并没有喷出所述液体，其原因在于，当所述基板30需要往右边移动时，用以关闭下排的所述若干导引口62，开启上排的所述若干导引口62，当然，上排的所述若干导引口62是朝向右边喷出所述液体。在其他优选实施例中，也可以改变所述若干导引口62的配置方式，并不以此为限。
[0039] 参考图2C，显示根据图2A的区域A的放大示意图。所述若干导引口62是根据一特定的开口设计，使所述液体能够向左边喷出。详细地，所述液体进入/喷出所述若干导引口62的方向在所述基板30移动的方向上有分量，如上所述，只需要有极微小的力量便能够驱使所述基板30移动。本实施例的所述若干导引口62的设计仅供示意，其余不同形状的导引口设计只要能达到类似或相同功能的也在本发明所欲保护的范围内。
[0040] 参考图3A-3B。图3A显示根据本发明第二实施例之湿式蚀刻装置之导引装置60与基板30的放大示意图。图3B显示图3A的导引装置60的正视图。本优选实施例与第一优选实施例的差异在于，所述若干导引口62自右而左吸入所述液体，所述液体进而对所述基板30产生一向右的反作用力，使所述基板30往右移动。在图3B中，上排的所述若干导引口62并没有吸入所述液体的原因如同第一优选实施例，不再赘述。在其他优选实施例中，也可以改变所述若干导引口62的配置方式，并不以此为限。
[0041] 参考图4A、4B、4C。图4A显示根据本发明第三实施例之湿式蚀刻装置之导引装置60与基板30的放大示意图。图4B显示图4A的导引装置60的第一型正视图。图4C显示图4A的导引装置60的第二型正视图。本优选实施例与前两个优选实施例差异在于：本优选实施例的所述若干导引口62会采用第一部份喷出所述液体以及第二部份吸入所述液体的方式设计，进而使所述基板在水平方向移动。在图4B中，所述液体从一排导引口62喷出到相邻排导引口62吸入；在图4C中，所述液体从同一排的导引口62喷出到同一排相邻的导引口62吸入。在其他优选实施例中，也可以改变所述若干导引口62的配置方式，并不以此为限。
[0042] 本发明之湿式蚀刻装置能解决移动基板的问题并在减少滚痕的同时亦能进行双面制程。再者，蚀刻所需气体经由抽风模块抽出后可进一步再生使用，对蚀刻液进行加压的功能，因此能节省气体使用量。
[0043] 虽然本发明已用优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，本发明所属技术领域中具有通常知识者在不脱离本发明之精神和范围内，当可作各种之更动与润饰，因此本发明之保护范围当视后附之
申请专利范围所界定者为准。
