氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法
专利汇可以提供氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧 腐蚀 方法，涉及 酸溶液 腐蚀技术领域；本发明包括步骤：由分析纯 磷酸 和12MΩ去离子超纯 水 混合而成磷酸溶液；在氮化镓基大功率芯片的氮化镓 外延 层的上表面生成 二 氧 化 硅 保护层；将具有 二氧化硅 保护层的氮化镓基大功率芯片放入磷酸溶液中腐蚀，把氮化镓外延层的侧面蚀刻成斜面，侧面与上表面的夹 角 为锐角；取出侧面蚀刻成斜面的氮化镓基大功率芯片，使用BOE溶液去除氮化镓外延层的上表面的二氧化硅保护层；本技术方案可以消除 焦炭 聚积及其带来的负面影响，而且，将侧面蚀刻成斜面，可增大出光面积，提高芯片出光率。，下面是氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法专利的具体信息内容。
1.氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，包括步骤：
A.由分析纯磷酸和去离子超纯水混合而成磷酸溶液；
B.在氮化镓基大功率芯片的氮化镓外延层的上表面生成二氧化硅保护层；
C.将具有二氧化硅保护层的氮化镓基大功率芯片放入磷酸溶液中腐蚀，把氮化镓外延层的侧面蚀刻成斜面，侧面与上表面的夹角为锐角；
D.取出侧面蚀刻成斜面的氮化镓基大功率芯片，使用BOE溶液去除氮化镓外延层的上表面的二氧化硅保护层。
2.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，所述步骤A之后，进一步包括步骤A1：将磷酸溶液加热至200±5℃，保持磷酸溶液为恒温状态。
3.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，所述氮化镓外延层由P型氮化镓子层和N型氮化镓子层组成，P型氮化镓子层位于N型氮化镓子层的上方；
所述在氮化镓基大功率芯片的氮化镓外延层的上表面生成二氧化硅保护层具体为：应用增强型等离子体化学沉积设备，在氮化镓基大功率芯片的P型氮化镓子层的上表面沉积厚度2μm的二氧化硅保护层。
4.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，在步骤C之前，进一步包括步骤B1：按照预先设计芯片尺寸大小，应用激光切割机对氮化镓基大功率芯片进行切割，把氮化镓外延层切开。
5.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，所述将具有二氧化硅保护层的氮化镓基大功率芯片放入磷酸溶液中腐蚀具体为：将氮化镓基大功率芯片装入聚四氟乙烯花篮，浸没在磷酸溶液中，并每隔1分钟提起花篮进行上下平动和转动操作，然后再浸没在磷酸溶液中，腐蚀过程为10-15分钟。
6.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，所述侧面与上表面的夹角的范围为25-60度。
7.根据权利要求6所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，所述侧面与上表面的夹角具体为45度。
8.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，在步骤D之前，进一步包括步骤C1：对腐蚀后的氮化镓基大功率芯片进行超纯水清洗、溢流，水阻为12MΩ。
9.根据权利要求1所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，在步骤D之后，进一步包括步骤D1：对去除二氧化硅保护层后的氮化镓基大功率芯片进行超纯水清洗、溢流，水阻为
12MΩ。
10.根据权利要求9所述的高阶侧腐蚀方法，其特征在于，在步骤D1之后，进一步包括步骤D2：利用热氮旋干仪吹干氮化镓基大功率芯片；其中，气流温度为100℃，氮气流量为
0.5L/min，时间为300秒。
氮化镓基大功率芯片侧面的高阶侧腐蚀方法
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