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用于多晶 硅背面抛光的 刻蚀槽

阅读：631发布：2023-03-14

专利汇可以提供用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型提供了一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。本实用新型采用背抛螺纹滚轮代替常规的刻蚀槽滚轮，能够在相同的设备传动速度情况下，使得背面腐蚀更加均匀，不但能够将硅片建中控制至0.35g-0.40g，还能够避免在此期间出现溶液过量腐蚀 PN结的情况。，下面是用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。
2. 根据权利要求1所述的用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，所述多根背抛螺纹滚轮的两端固定在槽体的槽壁上，且在槽体底部固定有多个竖直挡板，所述竖直挡板设置在相邻的两根背抛螺纹滚轮之间，且所述竖直挡板的两端固定在所述槽壁上。
3. 根据权利要求2所述的用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，所述竖直挡板的高度低于所述背抛螺纹滚轮的中轴轴心。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其特征在于，所述背抛螺纹滚轮包括圆柱形的中轴，在所述中轴的表面具有螺纹。

说明书全文

用于多晶硅背面抛光的 刻蚀槽

技术领域

[0001] 本实用新型涉及一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽。

背景技术

[0002] 目前常规的湿法刻蚀工艺，利用硝酸与氢氟酸对硅片的背面以及四周进行腐蚀，减重的范围在0.05g-0.1g，他的目的主要是为了把硅片四周不需要的PN结进行腐蚀，防止其漏电。但如果减重的范围提升至0.35g-0.40g，就要对硅片背面进行比较大的腐蚀反应，目前需要提高的减重的话，又不能影响产量，就只能在不改变设备传动速度的情况下，提高腐蚀量，所以必须把溶液浓度提升。溶液浓度提升后，减重能达到要求，但是由于过大的腐蚀反应，背面反应的平稳性是一个比较大的问题。实用新型内容

[0003] 本实用新型的一个目的是要提供一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，能够保证硅片在0.35g-0.40g的减重情况下，还能够保持硅片背面抛光的均匀性以及硅片在槽体中传动的平稳性。

[0004] 特别地，本实用新型提供了一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，包括槽体，在槽体底部设置有多根背抛螺纹滚轮，所述背抛螺纹滚轮沿所述刻蚀槽中送料方向横置。

[0005] 与现有技术相比较，本实用新型的优点在于：

[0006] 进一步地，所述多根背抛螺纹滚轮的两端固定在槽体的槽壁上，且在槽体底部固定有多个竖直挡板，所述竖直挡板设置在相邻的两根背抛螺纹滚轮之间，且所述竖直挡板的两端固定在所述槽壁上。

[0007] 更进一步地，所述竖直挡板的高度低于所述背抛螺纹滚轮的中轴轴心。

[0008] 进一步地，所述背抛螺纹滚轮包括圆柱形的中轴，在所述中轴的表面具有螺纹。

[0009] 与现有技术相比较，本实用新型的优点在于：

[0010] 本实用新型采用背抛螺纹滚轮代替常规的刻蚀槽滚轮，能够在相同的设备传动速度情况下，使得背面腐蚀更加均匀，不但能够将硅片建中控制至0.35g-0.40g，还能够避免在此期间出现溶液过量腐蚀PN结的情况。

[0011] 根据下文结合附图对本实用新型具体实施例的详细描述，本领域技术人员将会更加明了本实用新型的上述以及其他目的、优点和特征。

附图说明

[0012] 后文将参照附图以示例性而非限制性的方式详细描述本实用新型的一些具体实施例。附图中相同的附图标记标示了相同或类似的部件或部分。本领域技术人员应该理解，这些附图未必是按比例绘制的。附图中：

[0013] 图1是根据本实用新型一个实施例的刻蚀槽内的结构示意图。

[0014] 其中：

[0015] 1、槽体；2、槽壁；3、背抛螺纹滚轮；4、竖直挡板。

具体实施方式

[0016] 图1是根据本实用新型一个实施例的用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽内的结构示意性透视图，为顶视图。

[0017] 如图1所示，本实施例描述了一种用于多晶硅背面抛光的刻蚀槽，其一般性地可以包括槽体1和设置在槽体1底部的多根背抛螺纹滚轮3，所述背抛螺纹滚轮3沿所述刻蚀槽中送料方向横置。

[0018] 所述多根背抛螺纹滚轮3的两端固定在槽体1的槽壁2上，且在槽体1底部固定有多个竖直挡板4，所述竖直挡板4设置在相邻的两根背抛螺纹滚轮3之间，且所述竖直挡板4的两端固定在所述槽壁2上。竖直挡板4的设置能够防止物料意外落到槽底，保证刻蚀槽的正常使用。

[0019] 为了保证竖直挡板4的效果，同时不影响背抛螺纹滚轮3的正常传送，所述竖直挡板4的高度可低于所述背抛螺纹滚轮3的中轴轴心来设置。

[0020] 进一步地，所述背抛螺纹滚轮3包括圆柱形的中轴，在所述中轴的表面具有螺纹。

[0021] 综上，本实施例背抛螺纹滚轮3代替常规的刻蚀槽滚轮，能够在相同的设备传动速度情况下，使得背面腐蚀更加均匀，不但能够将硅片建中控制至0.35g-0.40g，还能够避免在此期间出现溶液过量腐蚀PN结的情况。

[0022] 至此，本领域技术人员应认识到，虽然本文已详尽示出和描述了本实用新型的多个示例性实施例，但是，在不脱离本实用新型精神和范围的情况下，仍可根据本实用新型公开的内容直接确定或推导出符合本实用新型原理的许多其他变型或修改。因此，本实用新型的范围应被理解和认定为覆盖了所有这些其他变型或修改。

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