一种光探测器原型器件的制备方法
专利汇可以提供一种光探测器原型器件的制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 光探测器 原型 器件的制备方法，本发明在 铜 薄膜 基底上生长 石墨 烯，通 过热 氧 化在铜基底与 石墨烯 两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属 电极 完成器件的制备。本发明具有厚度薄、光响应快、柔性好的优点。，下面是一种光探测器原型器件的制备方法专利的具体信息内容。
1.一种光探测器原型器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：
步骤(1)、通过化学气相沉积法在铜薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜；
步骤(2)、步骤(1)的产物放入180℃的烘箱中，烘箱中的湿度通过加湿器控制在湿度为
80％；；放置12小时后取出；产物结构为中间夹有氧化亚铜的三明治结构，Cu/Cu2O/Gr；
步骤(3)、在石墨烯表面通过旋涂法涂覆一层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜，；聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液采用市售产品；旋涂转速为3000转/分钟；PEDOT:PSS薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS叠层结构；；其中聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜；
步骤(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面继续通过旋涂法涂覆一层聚乙烯基咔唑薄膜；其中聚乙烯基咔唑薄膜为将聚乙烯基咔唑溶解于氯仿溶液中，浓度为0.02g/ml；旋涂转速为4000转/分钟；聚乙烯基咔唑薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构；；其中PVK即聚乙烯基咔唑；
步骤(5)、在Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构的PVK上表面通过热蒸发法沉积金属金电极。
2.根据权利要求1所述的一种光探测器原型器件的制备方法，其特征在于：步骤(1)具体为取边正方形铜薄膜，放入CVD系统中的石英管中，向石英管中通入氢气，氢气流速为
20sccm；石英管从室温加热至1000℃，升温速率20℃/min；向石英管中通入甲烷，甲烷流速
100sccm；在1000℃保温40min后，石英管快速降温至600℃，降温速率200℃/min，600℃后石英管自然降至室温，停止通入甲烷气体、氢气气体；获得生长在金属铜表面的单原子层厚的石墨烯(Gr)；产物结构为Cu/Gr。
一种光探测器原型器件的制备方法
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