专利汇可以提供离子注入机专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 半导体 器件制作技术领域,是一种多晶 硅 薄膜 晶体管 离子注入 机 。本发明包含有 真空 室,抽气装置,气路部分,电 控制器 。本发明的气路部分通过配气 截止 阀 同真空室连接,向真空室运送所要注入的气体。抽气装置通过 角 阀和闸板阀同真空室连接,利用真空 泵 使真空室保持一定的真空度。电控制器连接所有的用电部件,作为本发明的电源。本发明采取离子通量注入的方式,省去了 现有技术 中 质量 分析系统、离子束聚焦和扫描系统,因此结构简单,而且可以大面积的离子注入。在抽气装置上增加大 排量 机械泵,使本发明可以用作化学气相淀积PECVD和等离子 刻蚀 。,下面是离子注入机专利的具体信息内容。
1、一种多晶硅薄膜晶体管离子注入机包含有真空室(15)、抽气装置(5)、气路部分、 电控制器,其特征是气路部分通过配气截止阀(13)同真空室(15)连接,向真空室运送 气态离子;抽气装置(5)通过角阀(17)和闸板阀(18)同真空室(15)连接,利用真空 泵使真空室(15)保持一定的真空度;电控制器连接所有的用电部件,作为本实用新型的 的电源;玻璃基板(4)在接地电极(9)的下方,基板衬底采用5路电阻丝加热,保证温 度均匀性。
2、根据权利要求1所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是所述的真空室(15) 内上下排布四层网状金属电极,作为本引出电极(6)、加速电极(7)、减速电极(8)和接 地电极(9);这些电极也构成了真空室内的匀气室,使气态离子进入真空室后均匀分散, 向基板方向运动;抽气装置(5)由两个机械泵(21)、(22),分子泵(20),角阀(17), 薄膜规(19),电磁阀(23),闸板阀(18)组成,小排量机械泵(21)作为分子泵的前级, 与真空室(15)连接处用角阀(17)控制抽速;对于高真空度,用分子泵(20)获得,与 真空室(15)连接处用闸板阀(18)控制抽速,大排量机械泵(22)串接在分子泵(20) 上;气路部分包括流量计(11)、混气室(13)、配气截止阀(13)、电磁阀(24)、通气管。
3、根据权利要求2所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是引出电极(6)、加 速电极(7)、减速电极(8)和接地电极(9)连接有液压装置,通过液压装置控制电极升 降,使由上述电极构成的匀气室即可升降和又可改变匀气空间;真空室(15)的真空度由 真空规管进行监测,根据监测数据由电控制器启动或关闭真空泵。
4、根据权利要求3所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是注入气体的气路, 每个气路输送一种气体,每一气路有一流量计(11)和电磁阀(24),用通气管连接,所有 气路的气体在混气室(12)中混合后,经配气截止阀(13)进入真空室(15)内。
5、、根据权利要求4所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是电控制器主要由 射频电源(10)、高压直流电源、质量流量计(11)电源、分子泵(20)电源、真空室(15) 升降控制电源组成,其中射频电源(10)和高压直流电源为独立的电源柜,其它部分组合 在一个电源柜内。
6、根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是射频RF最大功率 为2000W,电极最大加速电压为直流30KV。
7、根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是真空室(15)采用 圆筒形结构,上开盖,有液压装置控制升降,真空室(15)的腔体为双层水冷,内衬软铁 和铅皮,等离子体(2)采用射频方式产生,由射频电源(10)提供射频信号,电极由匀气 室充当;机械泵(21)作为分子泵(20)的前极,大排量的机械泵(22)在PECVD和等离 子刻蚀时使用,在机械泵(22)与分子泵(20)之间,设置一个电磁阀(23)。
8、根据权利要求7所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是以PH3、B2H6为注 入离子源,气路总共有8条,分别为PH3、B2H6、SiH4、NH3、N2O、SF6、O2和Ar气,8条气 路最后汇成1路,经过混气室(12)进入真空室(15)。
9、根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是在离子注入基础上, 卸下4层金属电极,并将匀气室降到合适的高度,由射频方式启辉,离子在匀热后的玻璃 基板4上沉积形成薄膜。
10、根据权利要求5所述的多晶硅薄膜晶体管离子注入机,其特征是在做等离子刻蚀 时,在离子注入基础上,卸下4层金属电极,并将匀气室降到合适的高度,由射频方式启 辉,采用SF6启辉刻蚀薄膜,采用O2启辉灰化光刻胶。
本发明属于半导体器件制作技术领域,涉及一种大面积、多功能离子注入设备,具体 地说是一种离子注入机。
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