[0001] 本
发明涉及具有数个导电元件的多层体，该数个导电元件通过导电材料提供在至少第一层中并且在俯视图中查看时(在俯视图中向该层查看时，由此在层序列的方向上观察时)在至少一个扩展方向上(由此与层序列垂直地)在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸。本发明还涉及用于生产此类多层体的过程。
[0002] 因为导电元件的宽度不大于40μm或者不大于25μm，所以导电元件不能用裸眼来识别。在透明
支撑件上具有此类导电元件的设备作为整体看上去是透明的，其中透明度由可用表面上的导电元件的厚度预先确定：尽管导电元件会降低透光性，但是它们不能被个体地分辨，从而透明物体的
印象作为整体将不会产生百分之一百的透明度。
[0003] 此类多层体例如被使用在触板设备中；这里，导电元件尤其是条形导体，借助该条形导体可以检测操作者用其
手指触摸的触摸点。在此类触板设备的情形中，尤其期望可以透过该触板设备看见显示设备(诸如举例而言屏幕)。触板设备中的结构可以随后指派给表示中的个体结构元件(框或按钮)，并且通过触摸触板设备，操作者可以随后例如如同其使用计算机
鼠标将
光标移至相应的选择框那样做相同的事情。
[0004] 此类触板设备也可整合到显示设备中。
[0005] 另一用途是将导电元件引导通过玻璃材料，其中这些导电元件则充当
电阻线。在尤其是
汽车中的玻璃嵌板的情形中，也不希望裸眼识别出电阻线。
[0006] 导电元件不需要是直线的或者细长的，而是还可以弯曲、波浪状、点或网格的形式存在。导电元件可以是具有用于传导
电流的条形导体的功能的那些元件。然而，导电元件也可以是所谓的盲结构，这些盲结构是由与条形导体相同的材料形成的，但是不具有导电的功能而是提升条形导体的不可识别性或者不可分辨性并且由此提升均一的光学印象以及可以布置在条形导体之间。在此类盲结构的情形中，尤其是此类点状或网格形成也是可能的。
[0007] 导电元件之间的距离根据其宽度可以在1μm与40μm之间的范围内，优选在5μm与25μm之间的范围内，但是这些距离也可以显著更大或者显著更小。
[0008] 尽管导电元件对裸眼不可见，但是它们大到足以反射照射到它们的光。此效应由此可以导致以下结果：具有此类多层体、由此具有此类导电元件的触板设备或玻璃嵌板通过导电元件来反射光，其中这些导电元件不可用眼睛直接识别。对条形导体的此类照明主要在
镜面反射的观察情形中、由此在光的入射
角对应于观察角度的情况下发生。具体地，如果导电元件是由在所提及的小结构的情形中还显示典型的金属光泽的金属形成的，则在具有导电元件的图案的表面
覆盖的情形中，可以反射最多达10％的光照。此类反射往往是不希望的。
[0009] 例如，在多层体被使用在触板设备中时，不仅希望金属模的高透光性(透射)和不可识别性与不可分辨性，而且还应当避免触板设备反射光的印象。具体地，在触板设备之后的显示设备的关闭状态中，触板设备应当看上去呈现均匀的黑色。
[0010] 本发明的目的在于，示出可以形成开头部分
指定的类型的多层体的方式，以使得对于观察者而言该多层体看上去像常规的透光膜。
[0011] 该目的在一个方面是通过具有
权利要求1和/或权利要求2的特征的多层体来实现的，并且在另一方面是通过用于生产多层体的数个过程来实现的。
[0012] 根据权利要求1，根据本发明的具有数个导电元件的多层体，该数个导电元件通过导电材料提供在第一层的至少第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸，其特征在于，由于在生产期间采取的与第一层的形成和/或不同于第一层的层的提供和/或合适的形成有关的措施，从导电元件反射的光的比例(由此反射率)小于没有该措施的情况下从导电元件反射的光的比例、由此小于例如在平滑的第一层的情形中在不提供和/或不合适地形成不同于第一层的特定附加层的情况下从导电元件反射的光的比例。
[0013] 通过减小反射光的比例，当在观察方向上照明多层体时，该多层体不再看上去是反射的，而是无光泽的或者黑暗的。这种效果尤其在结合触板设备的情况下是期望的。
[0014] 此外，使条形导体变黑导致条形导体进入环境中的热
辐射得到改善。这例如在条形导体被用作例如汽车挡
风玻璃的加热元件时是感兴趣的。此外，改善的热辐射还导致条形导体在较高电流
密度下的
稳定性增加，这是因为通过移除热量减少了对条形导体的热损害。
[0015] 根据权利要求2，根据本发明的具有数个导电元件的多层体，该数个导电元件通过导电材料提供在第一层的至少第一区域中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸，其特征在于，具有范围从400nm到800nm的
波长的可见光在镜面反射中在导电元件处的反射率(a)小于75％、优选小于50％、特别优选小于25％，和/或(b)与镜面反射中在第一区域以外没有导电材料的第二区域中的多层体的反射率相差至多50％、优选至多20％。
[0016] 这里同样，通过减小反射光的比例，当在观察方向上照明多层体时，该多层体不再是反射的，而是看上去不光滑的或者黑暗的。
[0017] 在优选
实施例中，第一层的表面起伏结构优选地具有范围从10nm到100μm、优选从20nm到5μm、特别优选从50nm到1000nm、更加特别优选从80nm到200nm的平均结构深度。该平均结构深度是表面粗糙度的度量。
[0018] 关于表面起伏结构，可以指定表面起伏结构的相关长度或者横向广度。导电元件的表面结构的相关长度和/或横向广度优选在50nm与100μm之间、优选在500nm与10μm之间的范围内。入射光不是被直接反射，而是被散射或者被表面吸收。例如，这里可以激发
等离子体激元。
[0019] 第一层优选具有20nm与1μm之间的层厚度。第一层可以通过常规的施加方法来提供，例如，以金属层的形式通过汽相沉积或溅射沉积来提供。
[0020] 在根据本发明的多层体的优选实施例中，第一层布置在支撑件上，该支撑件在面朝第一层的一侧具有第一表面起伏结构，该第一表面起伏结构至少在第一区域中具有足够大的结构深度，以使得第一层在背向该支撑件的上侧具有作为贯穿形成的第一表面起伏结构的、并且因此结构深度由第一表面起伏结构的结构深度决定的第二表面起伏结构，其中第二表面起伏结构的结构深度至少是第一表面起伏结构的结构深度的10％。
[0021] 通过其表面的凹凸不平，该支撑件可能看上去呈乳白色地混浊。为了抑制这种效应，可以在支撑件上、至少在不同于第一区域的第二区域中、并且因此在导电元件之间提供漆层，其中漆层的反射率与支撑件的反射率相差至多0.2、优选相差至多0.1。通过彼此协调支撑件和漆层的反射率，多层体因此看上去是透明的；然而，由于第一层剩余的凹凸不平，其表面保持其散射光的效果；导电材料的反射率特别优选不与漆层的反射率匹配；如果导电材料由金属构成，则在此处不必采取附加措施。
[0022] 具体地，支撑件可以由多层形成并且可以在实际的
基板或基板膜上包括复制漆层，其中第一表面起伏结构随后模制到此复制漆层中。
[0023] 第一表面起伏结构可以至少局部地形成为不光滑结构、规则结构、特别是光栅和/或折射结构。第一表面起伏结构还可以是不对称结构、类透镜结构、或以上提及的结构的组合。在一优选变型中，表面起伏结构是具有随机地分布的起伏结构和/或随机地选择的起伏参数的不光滑结构，其中这些起伏参数尤其涉及横向宽度尺寸、长度尺寸和结构深度。横向尺寸通常在50nm与400nm之间。平均结构深度在40nm与10μm之间。
[0024] 第二表面结构可以至少局部地形成为模制到第一层中的、通过衍射和/或反射来使入射光偏转的结构。在此方面，区域是可通过多层体的俯视图并且由此通过该层来标识的区域。在一实施例示例中，第二表面结构至少局部地是尤其具有200nm与100μm之间的相关长度、优选50nm到10μm、特别优选50nm到2000nm的平均结构深度的不光滑结构。在第二实施例中，第二表面至少局部地形成为衍射结构、尤其是全息图和/或 并且在第三实施例中，第二表面结构至少局部地模制到第一层中作为蛾眼结构、尤其作为光栅周期在100nm与400nm之间并且平均结构深度的范围在40nm与10μm之间的两维光栅和/或直线光栅。
[0025] 该表面结构可被形成，以使得导致凹凸不平的凹陷部从表面朝材料深度变窄。然而，该表面结构也可被形成，以使得在实际表面下方形成空腔，其中例如入射光经受较高程度的多次反射和吸收。
[0026] 附加的金属部分区域被形成为可视觉识别的标记(诸如举例而言标志、商标或安全元件(诸如举例而言 ))也是可能的。
[0027] 所提及的用于提供第二表面起伏结构的实施例也可以彼此组合：在一些区域中可以采取一种措施，在其他区域中可以采取另一措施。
[0028] 在此实施例中，第二表面起伏结构的模制可以直接实施到第一层的材料中，但是也可以通过支撑件的位于下方的表面起伏结构来确定。
[0029] 通过改变导电元件的表面结构或粗糙度，得到还可以根据不平滑结构的选择来改变导电元件的
导电性的优点。因此优选地提出：由于第一层的尤其通过可变厚度进行的表面形成，该第一层具有局部变化的导电性。在此方面，区域是可通过多层体的俯视图并且由此通过该层来标识的区域。
[0030] 然而，在本发明的可与所提及的优选实施例同时实现的另一优选实施例中，第一层的导电材料具有金属，并且在第一层上布置该金属的非
金属化合物。该金属化合物不发光，从而呈现黑色或者具有减少反射的效果。
[0031] 通过金属的
氧化还原反应，可以直接产生该非金属化合物。例如，金属可被氧化，由此在第一层的金属上获得金属氧化物。相等地，可以使金属发生反应以形成硫化物，这特别是在金属包括
银或
铜的情况下很容易发生。随后，金属硫化物被布置在第一层的金属上。第一层的金属也可被铬酸盐化。此外，该金属可包括经
阳极化的
铝。此类化合物的示例为AgO、Ag2O、Ag2O3、Ag3O4、Ag2S、CuO、CuS、Cu2S、Al2O3(可任选地用
着色剂来着色)。
[0032] 取代金属上的化学化合物，至少一个金属层可替换地或附加地提供在第一层上。例如，可以使用比第一层的材料的表面粗糙度更大的金属或者比第一层的材料吸收更多光的金属。例如，如果第一层的导电材料包括银，则可以例如通过汽相沉积或溅射沉积将铬金属层施加到第一层，并且该铬随后呈现浅灰色且减少金属条形导体的反射。相等地，可以一次施加若干金属层。
[0033] 在根据本发明的类型的多层体中，可任选地与其他实施例之一相组合地提出：着色层位于第一层上或下方。通过该着色层来减少反射。
[0034] 在其优选变型中，提供在其上布置第一层的支撑件。与第一层相比，提供着色层的材料由于其化学性质和/或其表面结构和/或支撑件与第一层之间的结构化层而较差地粘附到支撑件。作为结果，着色层可以尤其布置在导电元件的区域中。
[0035] 具体地，着色层可包括光致抗蚀剂或者由光致抗蚀剂提供。光致抗蚀剂指的是在以高
能量辐射(例如，UV辐射或
电子辐射)辐照时在经辐照区域
固化并且在该经辐照区域中变得对稍后用
碱或酸进行的洗涤过程特别有抗
力或者变得对稍后用碱或酸进行的洗涤过程特别没有抗力的光敏漆。经着色的光致抗蚀剂可以尤其用于结构化，以使得提供着色层的相同的光致抗蚀剂还可在多层体的至少一个生产步骤中使用。
[0036] 在根据本发明的多层体的可与其他优选实施例相组合的另一实施例中，
半导体层至少局部地位于第一层上或者位于第一层下方。此类半导体层还可以在其中提供该半导体层的区域中减少反射。该半导体层可以由无机材料、优选由氧化锌或铝掺杂的氧化锌构成，并且相等地，该半导体层还可以由有机材料构成。
[0037] 在具有另一层(非金属化合物、金属层、着色层或半导体层)的所有实施例的优选变型中，在相应的附加层与第一层之间提供
中间层。
[0038] 在多层体中，另外在所有先前提及的实施例中，优选地提出：在第一层下方布置在一些区域中透光并且在一些区域中不透光的层。此类层可在使光致抗蚀剂曝光的
框架下使用并且保留在多层体中。该层优选包括具有银颗粒和氧化银颗粒的明胶层或者被提供为墨
水层。
[0039] 以公知的方式，导电材料包括来自由以下各项构成的组中的至少一者：银、金、铜、铬、铝、这些材料的混合物(尤其是
合金)、以及具有可移动
载荷子的合适的有机化合物(诸如聚苯胺或聚噻吩)和另一掺杂的
有机半导体材料。
[0040] 如开头部分提及的，优选以直线的、弯曲的、点状的、或网格化的条形导体的形式提供导电元件。
[0041] 为了实现该目的，还提供具有带有条形导体形式的导电元件的此类多层体的显示设备和/或触板设备。替换地，提供具有这种类型的多层体以提供电阻线功能性的玻璃嵌板。
[0042] 通过在第一区域中实现一种措施并且在第二区域中实现第二种措施，可以同时在同一个多层体上实现多层体的所提及的优选实施例。例如，在第一区域中第一层具有高表面粗糙度，并且在另一区域中可以提供附加层(例如，着色层或金属氧化物层)；或者可以在第一区域中提供金属氧化物层并且在另一区域中提供经着色的光致抗蚀剂等。具有两种以上不同区域的其他组合也是可能的。
[0043] 根据本发明的用于生产具有数个导电元件的多层体的过程，该数个导电元件通过导电材料提供在至少第一层中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度上延伸，为此目的在该生产过程中执行合适的结构化步骤，在每种情形中以不同方式实现减小导电元件的反射率的措施。
[0044] 根据本发明的第一方面的用于生产多层体的过程包括将导电材料施加到支撑件，其中根据本发明(a)该支撑件具有决定第一层的表面粗糙度的高表面粗糙度和/或(b)提供第一层的材料经受处理以增加其表面粗糙度。
[0045] 在两种替换方案中，得到第一层的相对较高的表面粗糙度并且因此得到第一层的反射率的适当减小。第一层的高表面粗糙度由支撑件决定，并且替换地或附加地，有针对性地在第一层上产生高表面粗糙度。
[0046] 优选地，在具有高表面粗糙度的支撑件(a)的情形中，施加漆层，其中由该漆层来抵消支撑件的不平坦，从而多层体不像支撑件本身看起来那样呈现乳白色地混浊。这里，漆层的折射率与支撑件的折射率相差至少0.2、优选相差至多0.1。
[0047] 支撑件可被选择成已经是合适的，但是在一优选实施例中，支撑件经受处理(尤其是通过机械刷光、用粗辊压延、通过离子束和/或等离子体处理)以增加其表面粗糙度。
[0048] 在一变型中，在施加第一层的导电材料之前，支撑件的表面变得微米结构化或纳米结构化，或者将微米结构化或纳米结构化的附加层施加到支撑件。
[0049] 此类结构化可以
热机械地进行或者通过
冲压和使用紫外光辐射进行，替换地或补充地，可以通
过喷墨印刷或另一印刷工艺(使用填充有
硅胶的漆)来喷射、施加附加层，并且进一步替换地或补充地，可以首先在整个表面上在至少一个部分区域中施加附加层并且随后使用光致抗蚀剂来结构化(负蚀刻或正蚀刻)该附加层。
[0050] 关于对第一层的处理，这可以通过激光化学地和/或机械地进行，后者尤其通过摩擦、砂磨和/或刷光进行。
[0051] 对提供第一层的材料的相应处理可以在进行结构化以形成导电元件之前、但是也可以随后(在此结构化之后)进行。
[0052] 根据本发明的第二方面，提供了用于生产所提及类型的多层体的过程，其中在第一层中通过金属来提供导电元件。根据本发明提出：(a)化学地处理用于第一层的金属的表面，以使得其看上去较黑暗和/或较显著地散射光，和/或(b)在第一层上方和/或下方提供比第一层的金属看上去更黑暗和/或更显著地散射光的另一层。
[0053] 对金属的表面的化学处理以及该另一层确保金属的反射率得以减小。
[0054] 在此实施例的第一变型中，第一层的金属经受化学处理、尤其是
氧化还原反应。
[0055] 用于氧化还原反应的反应剂可以从外部馈入，这可以具有最优地配置计量的优点，或者替换地，在该过程中可以将金属施加到已包括用于氧化还原反应的反应剂的下层。该反应剂随后从下层通往面朝该下层的金属表面。该规程可被促进，具体地，可以通
过热作用导致反应剂从下层释放，并且等效地还可以等待预定的时间段。
[0056] 在提供另一层的实施例中，根据第一变型，这可以通过涂敷、印刷、刮刀法和/或离心法来施加，并且这些工艺是特别高效的。
[0057] 该另一层可被促进以选择性地沉积在金属上，这尤其是通过以下方式进行的：(a)选择用于该另一层的材料，该材料由于选择性的化学反应而粘附到第一层的金属的表面，和/或(b)通过粘附到金属的固体颗粒、可任选地伴随有促进粘附行为的固体颗粒来提供该另一层，和/或(c)第一层的支撑件(第一层被施加于其上的支撑件)、第一层的金属和该另一层的材料彼此匹配，以使得支撑件的粘附行为确保该另一层的材料不粘附到支撑件并且金属的粘附行为确保该另一层的材料粘附到金属，其中优选支撑件的材料和/或其表面上的微米结构或纳米结构在此处确定粘附行为，和/或(d)导电元件的金属被加热到该另一层的材料
熔化的
温度，和/或(e)将光致抗蚀剂用于结构化。
[0058] 促进该另一层在金属上的沉积的所有这些优选变型导致该另一层以对应于金属结构的形式提供在多层体中。该另一层的结构化可以因此通过金属结构化预先确定。
[0059] 在所提及的变型中，可以在金属层的结构化之前施加该另一层并且与金属层的结构化一起结构化该另一层。特别高效的是：以(经着色并且因此比金属看上去更黑暗或者更显著地散射光的)光致抗蚀剂的形式提供该另一层以用于结构化，并且光致抗蚀剂在结构化之后进一步留在金属上。
[0060] 替换地，在金属层的结构化之后施加该另一层是可能的。这里同样地，可以使用光致抗蚀剂以提供该另一层，其中至少局部地不中断地、由此在整个表面上施加光致抗蚀剂，但是随后该光致抗蚀剂通过结构化的金属层曝光并且在曝光区域中被移除。这里同样地，光致抗蚀剂保留在金属上，但是光致抗蚀剂本身不被用于结构化，而是相反地金属层被用于相对于金属层配准的光致抗蚀剂的结构化。
[0061] 在该优选实施例的一替换变型中，该(至少一个)另一层包括在第一层的金属之前施加于支撑件并且在该支撑件上结构化的着色层，并且其中金属随后仅被施加到着色层的结构化部分上。例如，借助激光印刷过程来印刷具有已定义结构的黑暗层并且随后经由转移过程选择性地将金属转移到此黑暗层上以及因此产生(例如条形导体形式的)导电元件是可能的。其他转移层的使用在这里可能是必需的，并且例如可以使用热转移过程或者冷冲压过程。
[0062] 在根据第二实施例的过程的一变型中，通过尤其包括氧化锌或铝掺杂的氧化锌的半导体材料来提供该(至少一个)另一层。
[0063] 此外，可以在施加该另一层与施加第一层的金属之间施加中间层。(这里首先施加该另一层、随后施加中间层、并且之后施加金属，或者相反地，首先施加金属、随后施加中间层、并且之后施加该另一层。)该另一层通过中间层与金属分开。出于化学原因，这可以例如在该另一层包括金属氧化物的情况下是有利的。
[0064] 根据本发明的第三方面，提供了用于生产具有数个导电元件的多层体的过程，其中这些导电元件在该情形中是由银提供的并且在俯视图中查看时在宽度范围在1μm与40μm之间、优选5μm与25μm之间的扩展层上延伸，其中根据本发明，银连同油一起、优选连同石
蜡油或硅油一起
汽化并且导致沉积在支撑件上。通过将油添加至要被汽化的材料，使结果得到的银层呈现黑色，而不会不利地影响其电学性质。
[0065] 在本发明的第四方面，提供了用于生产具有数个导电元件的多层体，其中这些导电元件通过导电材料提供在第一层中并且在俯视图中查看时在至少一个扩展方向上在范围在1μm与40μm之间、优选5μm与25μm之间的宽度上延伸，其中根据本发明，具有透光和不透光区域的遮蔽层被施加于支撑件并且(a)光致抗蚀剂层被施加于遮蔽层并且金属层被施加到遮蔽层上或者(b)金属层被施加于遮蔽层并且光致抗蚀剂层被施加到金属层上，其中光致抗蚀剂进一步通过遮蔽层曝光并且(1)在曝光区域中被移除或者可任选地(2)在未曝光区域中也被移除。
[0066] 通过将遮蔽层提供为多层体本身的一部分，可以确保导电元件的特别精确的结构化。不透光区域保留在结构化的金属层下方并且确保与下方不具有遮蔽层的平滑金属层相比减小金属层的反射率。
[0067] 根据本发明的过程可以彼此组合，因为一种措施可以提供在多层体的部分区域中并且另一种措施可以提供在其他部分区域中。因此，优选地提供同时包括根据两组权利要求中的一个权利要求的特征的用于生产多层体的过程，其中第一组包括权利要求34-41，第二组包括权利要求42到55，第三组包括权利要求56，并且第四组包括权利要求57。
[0068] 在根据本发明的所有过程中，多层体优选作为整体转移到基板，其中最新近提供的层邻接该基板。以此方式，对于观察者而言，可以通过转移过程进行层序列的倒置。
[0069] 以下参照
附图更详细地描述本发明的优选实施例，其中：
[0070] 图1A到图1E用于参照多层体1的剖视图来解释根据本发明的第一方面的过程的个体步骤，
[0071] 图2A到图2C用于参照多层体2的剖视图来解释根据本发明的第二方面的过程的个体步骤，
[0072] 图3A到图3C用于参照多层体3的剖视图来解释根据本发明的第三方面的过程的个体步骤，
[0073] 图4A到图4B用于参照多层体4的剖视图来解释根据本发明的第四方面的过程的个体步骤，
[0074] 图5A到图5B用于参照多层体5的剖视图来解释根据本发明的第五方面的过程的个体步骤，
[0075] 图6A到图6E用于参照多层体6的剖视图来解释根据本发明的第六方面的过程的个体步骤，
[0076] 图7示出根据本发明的第七方面的通过多层体7的截面，
[0077] 图8示出根据本发明的第八方面的通过多层体8的截面，
[0078] 图9A到图9F用于参照多层体9的剖视图来解释根据本发明的第九方面的过程的个体步骤，
[0079] 图10A到图10G用于参照多层体10的剖视图来解释根据本发明的第十方面的过程的个体步骤，以及
[0080] 图11A到11C用于解释可能的表面结构。
[0081] 在当前情形中，要在例如用于触板设备的基板上提供由导电材料制成的数个条形导体，其中这些条形导体要具有范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度。条形导体因此对于人类裸眼是不可见的，但是作为整体仅轻微地造成设备透明度的降低。现在这里呈现措施以用于可以如何防止条形导体在镜面反射中过多地反射回光，以使得设备将保持轻微发光；确切地说，抑制这种发光。当在本
申请中引用上层和下层时，这与触板设备的布置有关：上层面朝观察侧，下层背向观察侧。然而，在生产过程中，各个层不必以从底到顶的次序来生产。确切而言，转移过程可以确保以与稍后布置这些层的方式严格相反的方式提供这些层。
[0082] 用于生产多层体1的过程的第一实施例以提供透明基板10开始。在后续处理步骤中，例如通过机械刷光、用粗辊压延、离子束处理、等离子体处理或化学蚀刻(例如使用三氯乙酸)来提供具有表面粗糙度的这种基板，从而得到图1B中所示的情况并且基板10变成基板10r(“粗糙”)。基板(10r)还可以任选地在过程开始时立即提供。现在，在整个表面上将金属层施加于基板10r并且随后通过已知的去金属化工艺(例如，蚀刻或洗涤)来结构化金属层，即，在表面的诸部分中移除金属层，从而得到条形电导体，参见图1C中的基板10r上所示的金属岛11l。通过结构化，金属岛11l位于多层体1的第一区域中，其之间的中间空间位于多层体1的第二区域中。
[0083] 例如，通过汽相沉积或喷溅沉积来施加金属，并且随后基板10r的表面粗糙度被反映在具有岛的金属层11l的相应表面粗糙度中。
[0084] 金属层11的粗糙度由范围从10nm到10μm、优选从20nm到2μm、进一步优选从30nm到500nm、更进一步优选从80nm到200nm的平均结构深度定义。
[0085] 在此表面粗糙度的情形中，入射光被散射或吸收并且在任何情形中都不被平滑地反射回来，从而有效地防止了反射。该过程可任选地在导致图1C的步骤之后继续，其中施加漆层12(图1D)，漆层12具有与基板10r相同的折射率，从而区域10f中由于金属层11的结构化而仍为空的基板10r的表面不会削弱透明度。
[0086] 基板10r中提供的粗糙度可以是纯粹随机的，但是如图11A中所示，可以在载体基板110上提供规则的闪耀光栅结构110b；如图11B中所示，可以在基板110’上提供统计学上不平滑的结构110s，例如具有随机分布的起伏结构的不平滑结构；以及如图11C中那样，可以在基板110”的情形中提供示出蛾眼效果的表面结构110m。
[0087] 由于纳米多孔表面结构，在基板10r的情形中提供的粗糙度可以尤其用凹槽或凹陷以及空腔来提供。此类纳米多孔表面结构还可以通过物理过程(诸如举例而言等离子体处理)或者化学过程(诸如通过三氯乙酸处理的蚀刻/粗糙化)产生。
[0088] 图1E在一示例性情形中示出基板10r的此类表面；这里，在图1E中放大地表示来自图1D的截取部分IE。在当前情形中，通过漆12填充空腔10k，并且通过漆12抵达凹陷10h。在选择用于漆层12的漆时，必须注意选择其粘性(韧性)及其干燥行为，以使得在处理操作期间确保良好地填充凹谷、空腔10k和凹陷10h。例如，太粘的漆将以不充分的程度进入空腔并且将不会填满这些空腔。
[0089] 除了在其中漆具有与基板10r的折射率基本上相同的折射率(即漆的折射率与基板10r的折射率相差至多0.2并且优选相差至多0.1)的实施例，还可以提供漆的折射率在基板10r的折射率与周围空气的折射率之间。在这种情形中，空气与基板10r之间的折射率的变化分两个阶段并且因此较连续地发生。这决定附加的抗反射效果。然而，应当谨记，随着漆与基板10r的折射率之间的差异增大，所谓的霾度值(haze value)也增大。然而，取决于可以容忍的最大霾度值的规范，可以通过恰当地选择漆的折射率来使反射率最小化。
[0090] 在纳米多孔基板10r的情形中，形成厚度至少为100nm、优选150nm、但是通常小于200nm的金属层11l是可取的。由于入射光在显著高低不平的且覆盖金属的表面上的多次反射，产生金属层11l的期望的黑暗印象。在小于100nm的结构中的非常小尺寸的情形中，由于金属覆盖，因而假定等离子效应也相当有助于增加
电磁辐射的吸收。具有金属结构的数量级上的波长的电磁辐射在这里导致金属的电子气关于静止的
原子核的量化振荡的激发。此类等离子体激元的激发表示对可见光的非常有效的吸收机制，其中尤其在自相似的金属结构的情形中，存在于等离子体振荡中的能量特别良好地消散。
[0091] 除了金属层11l的充分厚度之外，还应当确保金属层中的各个岛的宽度显著大于纳米结构中的各个结构元件的宽度。在统计学纳米结构的50nm到100nm的横向尺寸以及范围从50nm到1μm的平均结构深度的情形中，期望金属岛11l具有范围在1μm与40μm之间、优选在5μm与25μm之间的宽度，以使得即使在金属膜被显著高低不平的表面中的纳米结构局部重复中断的情况下也能确保金属层11l中的连续导电性。
[0092] 表面粗糙度可以直接赋予基板10r或110、110’、110”，但是也可以冲压出施加于基板10、110、110’、110”的分开层，如虚线L所解说的。
[0093] 在对参照图1A到1E描述的过程的
修改中，金属层21还可以至少在部分区域中的整个表面上施加到具有平坦表面的支撑件20上(如图2A中所示)，随后行进至根据图2B的情况是可能的，其中金属层21再次具有根据以上提及的数值的较大的表面粗糙度。对金属层的表面的处理可以通过借助酸来蚀刻金属、通过表面的激光结构化、或者通过
机械表面处理(尤其是摩擦、砂磨和/或刷光)等进行。在
表面处理之后，产生根据图2C的情况，因此使层21结构化，从而得到条形导体元件21l。
[0094] 在对根据图2A到图2C的实施例的修改中可以提出：在与图2A中的起始情况相同的起始情况下(其中金属31在支撑件30上)，首先结构化金属层31，从而得到条形导体元件31l，并且随后执行对金属层31的表面处理，以使得条形导体元件31随后具有如图3C中那样的粗糙表面，从而得到图2C中所示的情况。
[0095] 取代使金属层的表面粗糙化以确保使反射率最小化，除了金属之外提供的另一材料也可以确保使反射率最小化。
[0096] 因此，在图4A、4B所示的用于生产多层体4的过程的第四实施例中，首先将金属层施加于支撑件40，并且随后使金属层结构化，从而得到条形导体41l，并且随后使这些条形导体41l的表面经受氧化还原反应，以使得条形导体41l的金属层的一部分形成新的层43。例如，金属可被氧化，从而得到作为层43的氧化层；相等地，如果金属由银或铜构成，则可以产生这种材料的硫化物(因此氧化银或氧化铜)，金属可被铬酸盐化，并且最后铝可被阳极化作为条形导体41l的材料。
[0097] 如此形成的层43比位于其下方的金属结构更显著地散射并且更黑暗。
[0098] 作为对金属层的化学处理的替换，还可以容易地将另一层施加于金属层。这参照图5A和5B来解说：
[0099] 条形导体51l位于支撑件50上并且另一层54例如借助常规的涂敷方法、借助印刷、刮刀法、离心法等施加到条形导体51l上。具体地，将黑色选择用于该另一层54。
[0100] 基板50和金属51l例如具有不同的湿润性，其中提供层54的着色漆的湿润特性被选择成使得其极其良好地粘附到条形导体51l。用于提供层54的着色漆可以因与金属表面的选择性化学反应而粘附到条形导体。取代通过干燥固化的液体染料，固体的染料颗粒也可被施加于条形导体51l，这些染料颗粒粘附到条形导体51l并且还可任选地被处理以诸如举例而言通过暴露于温度来改善粘附性。也可以构想与静电印刷术或激光印刷工艺类似的应用，由此可以构想将暗色的调色剂颗粒选择性地静
电沉积到表面上。
[0101] 层54还可以借助热传递原理选择性地施加于条形导体51l，例如，条形导体可以通过灯选择性地加热，其中熔化的发色材料优选沉积在热的条形导体51l上。
[0102] 通过金属51l或支撑件50的表面的纳米结构化或微米结构化，其表面的湿润特性也可被改变并且由此要被印刷的材料的选择性积聚可被控制以改进着色漆的粘附性。
[0103] 最后，使用光致抗蚀剂(正蚀刻、负蚀刻、洗涤过程等)的结构化也是可能的。
[0104] 着色层54和条形导体51l的角色也可以交换(未示出，通过首先结构化施加于支撑件的着色层并且随后仅在用着色层印刷的那些
位置处构造条形导体)。例如，借助激光印刷工艺以已定义的结构来印刷较暗
颜色的层并且随后使用转移过程将金属选择性地转移到这些层上以及由此产生条形导体是可能的。
[0105] 取代单纯的着色层，层54也可以是半导体层，例如，由借助喷射来施加的氧化锌或铝掺杂的氧化锌构成的半导体层。
[0106] 例如，在由汽相沉积或喷溅沉积的银、铬构成的条形导体51l的情形中，层54也可以是另一种金属。
[0107] 施加于条形导体的层也可以是暗色的光致抗蚀剂层。这里，在多层体的生产中可以使用光致抗蚀剂的光敏性质，如参照图6A到6E变得清楚的：
[0108] 条形导体61l位于基板60上。图6A中示出了这种情况。如图6B中可见的，暗色的光致抗蚀剂层65现在施加于其整体上。
[0109] 借助灯LP(图6C)，光致抗蚀剂层65现在通过基板60的侧面曝光，以使得条形导体61l充当投影器。如图6D中可见的，条形导体61l上方的区域(即，区域65f)未曝光，而区域65b1曝光。如果现在移除经曝光的光致抗蚀剂65b1，则条形导体61l保留在基板60上，其中基板60上的光致抗蚀剂的区域65f以岛的形式存在。由此获得与图5B中的情况基本上相同的情况，其中以光致抗蚀剂层的形式提供层54。
[0110] 暗色层不必在层序列中跟随金属层。因此，如图7中所示，可以在支撑件70上提供数个条形导体71l，随后可以在条形导体71l上提供中间层76并且在中间层76上提供附加层74。
[0111] 暗色层也可以提供在金属层下方，如图8中的示例所示的。
[0112] 着色层84位于支撑件80上，中间层86在着色层84上，并且随后条形导体81l位于中间层86上。如果由此构造的多层体现在从方向R来查看并且如果从方向S来照明该多层体，则着色层84防止所谓的幻像。这是因为在没有着色层84的情况下，金属层的背面上的反射以及其例如在基板边界表面上的再次反射可能在前向方向上导致不期望的光学印象。附加层84b也可任选地位于金属层81l上并且由此防止反射光的不期望的反射。例如，氧化层形式的层84b还可以作为阻挡层来保护免受环境影响(氧化、水、UV辐射)。
[0113] 在图9A到9F中所示的用于生产多层体9的过程的第九实施例中，具有透光区域971d和不透光区域971u的遮蔽层97首先被施加于基板90，对照图9B。
[0114] 如图9B中所示，光致抗蚀剂95被施加于此遮蔽层97，从而得到图9C中所示的情况，并且金属层91在下一步骤中被施加于光致抗蚀剂95以产生图9D中所示的情况。
[0115] 根据图9D的层结构现在使用灯LP从下方根据箭头来曝光，从而在光致抗蚀剂层中得到经曝光的区域95bl和未经曝光的区域95u。
[0116] 现在，可以在使用剥离工艺的框架下例如通过简单的洗涤液或者通过化学手段来移除，从而产生图9F中所示的情况：光致抗蚀剂的岛95u位于不透光区域97lu中，并且形成期望的条形导体的岛91l位于岛95u上。
[0117] 此处的遮蔽层95或其不透光区域97lu使条形导体911看上去不过多地反射。遮蔽层97因此具有双重功能，因为一方面其在多层体的生产中具有作用并且另一方面在已完成的多层体9中具有作用。
[0118] 在对用于生产多层体9的第九过程的修改中，可以执行用于生产多层体10的过程，该过程在以下参照图10A到10F来描述：
[0119] 为基板100提供作为遮蔽层的层107，该层107具有透光区域107ld和不透光区域107lu。与第九过程中不同，在第十过程中，现在首先将金属层101施加于层107，从而得到图10C中所示的情况，并且随后将完整的光致抗蚀剂层105施加于金属层101以产生图10D中所示的情况。如果现在借助灯LP根据箭头从下方实施照明，则遮蔽层107由此看起来像掩膜，但是光同样穿透金属层101，以使得光致抗蚀剂在区域105bl中曝光并且在区域
105u中未曝光，其中区域105u在不透光区域107lu的阴影中。(为此，金属层可以例如由银构成并且厚度为100nm。)
[0120] 在移除经曝光的光致抗蚀剂并且随后执行蚀刻步骤时，图10E中示出的这种情况为图10F中所示的情况替代。这里同样，获得岛状的条形导体，其中与图9F中不同，光致抗蚀剂105u位于条形导体101l上方而不是下方。
[0121] 然而，在当前情形中，不取决于光致抗蚀剂，因为不透光区域107lu确保条形导体不会看上去令人不快地反射。
[0122] 所提及的根据本发明的十个过程还可以彼此组合，例如可以在多层体的一个区域中提供第一层结构并且在第二区域中提供第二层结构。不同的生产过程可以随后被用于每个层结构。
[0123] 在当前情形中，讨论了条形电导体由金属构成。该金属可以尤其是银、金、铜、铬、或铝。替换地，可以提供这些金属的合金。也可以提供非金属但是导电的条形导体，例如，由经掺杂的半导体材料构成的条形导体。除了包含金属的氧化还原反应的过程之外，所有其他过程可以用此半导体材料来执行。
