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磁头组件以及磁盘装置

阅读：852发布：2023-02-24

专利汇可以提供磁头组件以及磁盘装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且提供可以减少由动作时的驱动元件的翘曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地获得磁头元件的位移量的磁头组件以及磁盘装置。磁头组件(2)具备：第1缓冲部(55a)，连结第1增强部(51a)和第1位移传递部且弯曲刚性低于第1增强部(51a)以及第1位移传递部；第2缓冲部(56a)，连结第2增强部(52a)和挠性件的主体部(15a)且弯曲刚性低于第2增强部(52a)以及挠性件的主体部(15a)；第3缓冲部(55b)，连结第3增强部(51b)和第2位移传递部且弯曲刚性低于第3增强部(51b)以及第2位移传递部；第4缓冲部(56b)，连结第4增强部(52b)和挠性件的主体部(15a)且弯曲刚性低于第4增强部(52b)以及挠性件的主体部(15a)。，下面是磁头组件以及磁盘装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种磁头组件，其特征在于：
具备：
滑块支撑板，在设置于负载梁的前端部的支点突起周围旋转自如地支撑具有磁头元件的滑块并且被形成于挠性件；
第1以及第2驱动元件，对所述滑块支撑板赋予沿着其平面的旋转力；
第1位移传递部，将所述第1驱动元件的驱动力传递到所述滑块支撑板；
第2位移传递部，将所述第2驱动元件的驱动力传递到所述滑块支撑板；
第1驱动元件支撑部，支撑所述第1驱动元件；
第2驱动元件支撑部，支撑所述第2驱动元件，
所述第1驱动元件支撑部具有：第1以及第2增强部，位于所述第1驱动元件的两端；第1缓冲部，连结所述第1增强部和所述第1位移传递部且弯曲刚性低于所述第1增强部以及所述第1位移传递部；第2缓冲部，连结所述第2增强部和所述挠性件的主体部且弯曲刚性低于所述第2增强部以及所述挠性件的主体部，
所述第2驱动元件支撑部具有：第3以及第4增强部，位于所述第2驱动元件的两端；第3缓冲部，连结所述第3增强部和所述第2位移传递部且弯曲刚性低于所述第3增强部以及所述第2位移传递部；第4缓冲部，连结所述第4增强部和所述挠性件的主体部且弯曲刚性低于所述第4增强部以及所述挠性件的主体部。
2.如权利要求1所述的磁头组件，其特征在于：
所述第1缓冲部和所述第3缓冲部由将信号传递给所述磁头元件的磁头元件配线部构成，
所述第2缓冲部和所述第4缓冲部由将信号传递给所述第1驱动元件和所述第2驱动元件的驱动元件配线部构成，
所述第1位移传递部以及所述第1增强部、所述第2位移传递部以及所述第3增强部具有部分性地增强所述磁头元件配线部的增强板，
所述第2增强部和所述第4增强部具有部分性地增强所述驱动元件配线部的增强板。
3.如权利要求1所述的磁头组件，其特征在于：
所述第1缓冲部的所述第1增强部与所述第1位移传递部的连结方向上的长度等于所述第2缓冲部的所述第2增强部与所述挠性件的主体部的连结方向上的长度，所述第3缓冲部的所述第3增强部与所述第2位移传递部的连结方向上的长度等于所述第4缓冲部的所述第4增强部与所述挠性件的主体部的连结方向上的长度。
4.如权利要求2所述的磁头组件，其特征在于：
所述第1缓冲部的所述第1增强部与所述第1位移传递部的连结方向上的长度等于所述第2缓冲部的所述第2增强部与所述挠性件的主体部的连结方向上的长度，所述第3缓冲部的所述第3增强部与所述第2位移传递部的连结方向上的长度等于所述第4缓冲部的所述第4增强部与所述挠性件的主体部的连结方向上的长度。
5.如权利要求1～4中的任意一项所述的磁头组件，其特征在于：
所述第1缓冲部和所述第2缓冲部具有相对于所述第1驱动元件的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构，
所述第3缓冲部和所述第4缓冲部具有相对于所述第2驱动元件的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构。
6.一种磁盘装置，其特征在于：
具备权利要求1～5中的任意一项所述的磁头组件。

说明书全文

磁头组件以及磁盘装置

技术领域

[0001] 本发明涉及为了进一步使用于计算机的存储装置等的磁盘装置高记录密度化而具备微致动器等的磁头旋转机构的磁头组件以及磁盘装置。

背景技术

[0002] 近年来，相对于设置于磁盘装置的磁盘的记录密度正日新月异地朝着高密度化发展。在磁盘装置中设置有搭载有相对于磁盘进行数据的记录以及再生的磁头的滑块，该滑块被磁头组件支撑。

[0003] 磁头组件被搭载于磁头致动器臂并由音圈马达(VCM)而可旋转地构成磁头致动器臂。由该VCM，能够将搭载于滑块的磁头定位控制于磁盘上的任意的位置。

[0004] 然而，为了相对于磁盘进一步以高密度记录数据而有必要进一步对相对于磁盘的磁头的定位进行高精度化，即使单单由VCM使磁头致动器壁旋转并对磁头进行定位，也不能够使磁头的定位高精度化。

[0005] 例如，在专利文献1中公开有具备现有的磁头旋转机构的磁头组件的整体结构。薄膜压电体元件被固着于磁头组件的前端部的挠性件(flexure)，如果将电压施加于薄膜压电体元件的话则薄膜压电体元件发生伸缩，由此，滑块以支点突起为中心进行旋转并且磁头的位置发生微小位移而被精密定位控制于磁道(track)。

[0006] 另外，在专利文献2中提出了将平衡配重(counter balance)设置于在支点突起周围旋转自如地支撑滑块的万向节(gimbal)部的对称轴上来提高共振频率特性并高速地进行定位的技术。

[0007] 现有技术文献

[0008] 专利文献

[0009] 专利文献1：日本专利申请公开2011-138596号公报

[0010] 专利文献2：日本专利第5360129号公报

[0011] 可是，如专利文献1所公开的技术那样，在将旋转力赋予滑块的驱动元件为薄膜压电体元件的情况下，由驱动元件的翘曲而产生驱动元件的铅垂方向的反作用力，该驱动元件的翘曲由通过施加电压而进行伸缩位移的薄膜压电体元件和固着有薄膜压电体元件的磁头组件的前端部之间的位移差产生，前端部由挠性件的一部分构成且不进行伸缩。在由该反作用力激发起负载梁(load beam)的共振频率下的共振等的方面还有改善的余地。

[0012] 另一方面，在专利文献2中，通过由平衡配重将包含滑块的万向节部的重心匹配于成为旋转中心的支点突起从而最小地设定旋转部的惯性质量，通过旋转部的反作用不使负载梁所具有的固有频率激发从而抑制负载梁的不需要的振动，但是，关于由驱动元件的翘曲的反作用力引起的负载梁的不需要的共振的抑制，与专利文献1相同，还有改善的余地。

发明内容

[0013] 本发明是有鉴于该状况而完成的发明，其目的在于，提供一种可以减少由动作时的驱动元件的翘曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地获得磁头元件的位移量的磁头组件以及磁盘装置。

[0014] 本发明所涉及的磁头组件，其特征在于，具备：滑块支撑板，在设置于负载梁的前端部的支点突起周围旋转自如地支撑具有磁头元件的滑块并且被形成于具备挠性基板的挠性件；第1以及第2驱动元件，对滑块支撑板赋予沿着其平面的旋转力；第1位移传递部，将第1驱动元件的驱动力传递到滑块支撑板；第2位移传递部，将第2驱动元件的驱动力传递到滑块支撑板；第1驱动元件支撑部，支撑第1驱动元件；第2驱动元件支撑部，支撑第2驱动元件；第1驱动元件支撑部具有：第1以及第2增强部，位于第1驱动元件的两端；第1缓冲部，连结第1增强部和第1位移传递部且弯曲刚性低于第1增强部以及第1位移传递部；第2缓冲部，连结第2增强部和挠性件的主体部且弯曲刚性低于第2增强部以及挠性件的主体部；第2驱动元件支撑部具有：第3以及第4增强部，位于第2驱动元件的两端；第3缓冲部，连结第3增强部和第2位移传递部且弯曲刚性低于第3增强部以及第2位移传递部；第4缓冲部，连结第4增强部和挠性件的主体部且弯曲刚性低于第4增强部以及挠性件的主体部。

[0015] 根据本发明，第1驱动元件支撑部具有：第1以及第2增强部，位于第1驱动元件的两端；第1缓冲部，连结第1增强部和第1位移传递部且弯曲刚性低于第1增强部以及第1位移传递部；第2缓冲部，连结第2增强部和挠性件的主体部且弯曲刚性低于第2增强部以及挠性件的主体部；第2驱动元件支撑部具有：第3以及第4增强部，位于第2驱动元件的两端；第3缓冲部，连结第3增强部和第2位移传递部且弯曲刚性低于第3增强部以及第2位移传递部；第4缓冲部，连结第4增强部和挠性件的主体部且弯曲刚性低于第4增强部以及挠性件的主体部。因此，由弯曲刚性低的第1～第4缓冲部，能够减少由动作时的第1以及第2驱动元件的翘曲引起的反作用力。因此，通过减少第1以及第2驱动元件的铅垂方向的反作用力，从而能够抑制不需要的共振。另外，通过减少由第1以及第2驱动元件的铅垂方向的翘曲引起的反作用力，从而第1以及第2驱动元件的驱动力在平面方向上被传递并能够放大磁头元件的位移量。其结果，可以有效地获得磁头元件的位移量。

[0016] 优选可以为如下结构：第1缓冲部和第3缓冲部由将信号传递给磁头元件的磁头元件配线部构成，第2缓冲部和第4缓冲部由将信号传递给第1驱动元件和第2驱动元件的驱动元件配线部构成，第1位移传递部以及第1增强部、第2位移传递部以及第3增强部具有部分性地增强磁头元件配线部的增强板，第2增强部和第4增强部具有部分性地增强驱动元件配线部的增强板。通过成为该结构，从而由弯曲刚性低的第1～第4缓冲部来吸收由第1以及第2驱动元件的翘曲引起的反作用力，通过减少由第1以及第2驱动元件的铅垂方向的翘曲引起的反作用力从而能够抑制不需要的共振并且能够放大磁头元件的位移量。另外，因为第1～第4缓冲部可以在形成磁头元件配线部以及驱动元件配线部的时候一起进行加工形成，所以不需要追加新的工序并且能够抑制不需要的共振且能够放大磁头元件的位移量。

[0017] 优选可以为如下结构：第1缓冲部的第1增强部与第1位移传递部的连结方向上的长度等于第2缓冲部的第2增强部与挠性件的主体部的连结方向上的长度，第3缓冲部的第3增强部与第2位移传递部的连结方向上的长度等于第4缓冲部的第4增强部与挠性件的主体部的连结方向上的长度。通过成为该结构，从而由第1以及第2驱动元件的翘曲引起的铅垂方向的反作用力被均等地施加到第1以及第2位移传递部和挠性件的主体部，并且能够有效地减少反作用力。因此，能够进一步抑制不需要的共振并且能够进一步放大磁头元件的位移量。

[0018] 优选可以为如下结构：第1缓冲部和第2缓冲部具有相对于第1驱动元件的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构，第3缓冲部和第4缓冲部具有相对于第2驱动元件的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构。通过成为该结构，从而由第1以及第2驱动元件的翘曲引起的铅垂方向的反作用力被均等地施加到第1以及第2位移传递部和挠性件的主体部，并且能够有效地减少反作用力。因此，能够进一步抑制不需要的共振并且能够进一步放大磁头元件的位移量。

[0019] 本发明所涉及的磁盘装置，其特征在于，具备上述磁头组件。根据本发明，能够减少由动作时的驱动元件的翘曲引起的反作用力并抑制不需要的共振，并且能够得到具备可以有效地获得磁头元件的位移量的磁头组件的磁盘装置。

[0020] 根据本发明，能够提供一种可以减少由动作时的驱动元件的翘曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地获得磁头元件的位移量的磁头组件以及磁盘装置。附图说明

[0021] 图1是概略地表示具备本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的装载/卸载方式的磁盘装置的整体结构的图。

[0022] 图2是概略地表示本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的整体结构的立体图。

[0023] 图3是概略地表示本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的分解立体图。

[0024] 图4是表示本发明的优选的实施方式所涉及的挠性件的结构的分解立体图。

[0025] 图5a是具备本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的第1驱动构件的平面图。

[0026] 图5b是图5a中的A-A截面图。

[0027] 图5c是图5a中的B-B截面图。

[0028] 图6是从上面侧看本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的前端主要部分的平面图。

[0029] 图7是从下面侧看本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的前端主要部分的平面图。

[0030] 图8a是图6中的C-C截面图。

[0031] 图8b是图6中的D-D截面图。

[0032] 图8c是图6中的F-F截面图。

[0033] 图9a是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了第1驱动构件的粘结于挠性件的部分的截面图。

[0034] 图9b是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了第2驱动构件的粘结于挠性件的部分的截面图。

[0035] 图10是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了动作时的第1驱动构件的截面图。

[0036] 图11是表示实施例1的磁头组件以及比较例1的磁头组件的第1以及第2驱动构件的动作时的频率响应特性的图。

具体实施方式

[0037] 以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行说明。还有，本发明并不限定于下述的实施方式。另外，在以下所记载的结构要素中包括本领域技术人员能够容易设想的要素或实质上相同的要素。再有，以下所记载的结构要素能够适当组合。另外，在不脱离本发明的主旨的范围内，结构要素的各种省略和置换或者变更是可能的。

[0038] 图1是概略地表示具备本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的装载/卸载方式的磁盘装置(HDD装置)的整体结构的图。根据图1，磁盘装置1由机壳(housing)4、以轴5为中心被主轴马达旋转驱动的磁盘6、具有磁头元件7的滑块3被安装于前端部的磁头组件2、在前端部支撑该磁头组件2的支撑臂8构成。

[0039] 在支撑臂8的后端部安装有音圈马达(VCM)的线圈部(没有图示)，支撑臂8能够以水平旋转轴9为中心与磁盘6的表面相平行地进行旋转。VCM由该线圈部和覆盖其的磁铁部10构成。从磁盘6的数据区域的外侧遍及到磁盘6的外侧设置有斜坡机构(ramp mechanism)
11，通过设置于磁头组件2的最前端的突片(tab)12搁浅于该倾斜的表面而使滑块3从磁盘6分开并成为卸载状态。

[0040] 在磁盘装置1的动作时(磁盘的高速旋转中)，滑块3与磁盘6的表面相对并以低上浮量进行上浮而处于装载状态。另一方面，在非动作时(磁盘的停止中或者启动以及停止时的低速旋转中)，因为磁头组件2的前端部的突片12处于斜坡机构11上，所以滑块3处于卸载状态。

[0041] 图2是概略性地表示本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的整体结构的立体图。还有，以下，为了便于说明，将附图的Z轴正方向称为磁头组件2的上面侧，将Z轴负方向称为磁头组件2的背面侧或者称为下面侧。滑块3在滑块3的后端(后缘，图2的Y轴正方向侧)面上具备由感应写入磁头元件、巨磁阻效应(GMR：Giant Magneto Resistance)读出磁头元件或者隧道磁电阻效应(TMR：Tunnel magneto-resistance)读出磁头元件等的MR读出薄膜磁头构成的磁头元件7。

[0042] 根据图2，磁头组件2具备作为其主要的结构要素的底板13、负载梁(load beam)14、挠性件(flexure)15、驱动元件16以及滑块3。另外，底板13以被安装于支撑臂8的前端部的形式进行构成。

[0043] 根据图2，负载梁14通过多个第一束焊接点(beam welding point)17a等而被固着于底板13。另外，板簧18被形成于负载梁14，并且以滑块3相对于写入信息的对象即记录媒介物的磁盘面给予负荷的形式进行构成。再有，负载梁14成为将折弯加工部19施加于两侧并提高强度的结构。挠性件15由多个第二束焊接点17b等而被固着于负载梁14。还有，在图2中，滑块3的姿势角的间距方向(pitch direction)以Dp表示，滚动方向(roll direction)以Dr表示，偏航方向(Yaw direction)以Dy表示。

[0044] 图3是概略性地表示本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的分解立体图。图4是表示本发明的优选的实施方式所涉及的挠性件的结构的分解立体图。还有，在图3中，表示将磁头组件2分解成底板13、负载梁14、挠性件15、驱动构件16、滑块3的状态。

[0045] 根据图3，滑块3被粘结固定于被形成于挠性件15的滑块支撑板20上。支点突起21在负载梁14的前端部附近的中心线上被一体地突出形成，支点突起21形成成为点接触于被第1突出支架(outrigger)22a和第2突出支架22b支撑的滑块支撑板20的枢轴(pivot)结构那样的结构。由此，滑块3以能够对应于磁盘面的起伏而平稳地追随上浮姿势的形式被构成。换言之，滑块支撑板20旋转自如地将滑块3支撑于支点突起21的周围。

[0046] 挠性件15一般来说由挠性(flexible)配线基板构成。挠性配线基板通过在挠性基板24上层叠绝缘层41和导体箔25而被形成，挠性基板24由20μm左右的薄不锈钢板构成并且具有弹性。在绝缘层41上，通过层叠镀敷有铜箔的素材而由导体箔25形成磁头元件配线25a(磁头元件配线部)。在此，具有挠性基板24和磁头元件配线25a的挠性(flexible)配线基板能够以蚀刻工艺将外形形状以及配线结构精密加工成任意的形状。还有，在图4中，本来是一体的挠性件15，但是，为了能够容易理解地进行表示，将不锈钢制挠性基板24和形成于绝缘层41上的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)分开来进行表示。

[0047] 驱动元件16为薄膜压电体元件，并具有对滑块支撑板20赋予沿着其平面的旋转力的功能。具体来说，驱动元件16由第1驱动构件16a(第1驱动元件)以及第2驱动构件16b(第2驱动元件)构成，并且分别被粘结并支撑于第1驱动元件支撑部23a以及第2驱动元件支撑部23b上。还有，第1驱动元件支撑部23a以及第2驱动元件支撑部23b仅由形成挠性件15的绝缘层41形成。

[0048] 图5a是本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件所具备的第1驱动构件的平面图。图5b是表示图5a中的A-A截面，图5c是表示图5a中的B-B截面。还有，因为第1驱动构件16a和第2驱动构件16b的结构相同，所以在此仅说明第1驱动构件16a的结构。第1驱动构件
16a通过上部电极27a被形成于薄膜压电体26的上面侧并且下部电极27b被形成于下面侧来进行构成。因为该第1驱动构件16a是非常薄而且容易破损的结构，所以设置作为增强材料的基台28。

[0049] 第1驱动构件16a为了保护薄膜压电体26而使元件整体被聚酰亚胺制的绝缘盖30覆盖。还有，绝缘盖30在图5a的C部、D部被除去一部分。具体来说，在C部，下部电极27b露出并与第1电极焊垫29a相导通。在D部，上部电极27a露出并与第2电极焊垫29b相导通。由此，通过电压施加于第1电极焊垫29a和第2电极焊垫29b，从而能够使第1驱动构件16a的薄膜压电体26伸缩。用箭头表示薄膜压电体26的极化方向。如果将负电压施加于第1电极焊垫29a并将正电压施加于第2电极焊垫29b的话则薄膜压电体26由压电常数d31而在压电膜的面内方向上进行收缩。还有，关于具有与第1驱动构件16a相同结构的第2驱动构件16b，虽然没有图示，但是如果将负电压施加于相当于第1电极焊垫29a的第3电极焊垫29c并且将正电压施加于相当于第2电极焊垫的第4电极焊垫29d的话则薄膜压电体26由压电常数d31而在压电膜的面内方向上进行收缩。

[0050] 图6是从上面侧(滑块侧)看本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的前端主要部分的平面图。图7是从背面侧看本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件的前端主要部分的平面图(从背面侧看图6的磁头组件的平面图)。还有，为了便于说明，从图中删除负载梁14。滑块3被粘结于滑块支撑板20上，并且设置有对应于磁头电极端子31的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)且通过焊料球而被连接。

[0051] 在图6中，在配置于滑块支撑板20的两侧的第1以及第2突出支架(outrigger)22a,22b上形成有一部分的第1折弯部32a和第2折弯部32b。再有，第1以及第2折弯部32a,32b以左右的第1以及第2折弯部32a,32b的各自的延长方向的交点与支点突起21相一致的形式进行构成。另外，滑块支撑板20成为由设置于第1以及第2突出支架(outrigger)22a,22b的中间位置的第1折弯部32a和第2折弯部32b的作用而以支点突起21为中心进行旋转的结构。

[0052] 在滑块支撑板20上形成有以包含滑块3的旋转部分的偏航方向(Yaw direction)的惯性轴与支点突起21相一致的形式被设定的平衡配重33。另外，用于在从磁盘上卸载滑块3的时候提起滑块3的T型限制部34被形成于滑块支撑板20并且卡合于被形成于负载梁14的孔部35。还有，在通常动作时，T型限制部34与孔部35经由间隙而不接触。

[0053] 磁头元件配线25a(磁头元件配线部)以围绕滑块3的形式被配置，其端部被连接于滑块3的磁头电极端子31。该磁头元件配线25a(磁头配线部)，固着有第1以及第2突出支架22a,22b(图6的C-C部)并且同样地也被固着于从滑块支撑板20延伸出的第1驱动肋36a和第
2驱动肋36b(图6的F-F部)。

[0054] 第1以及第2驱动构件16a,16b将电压施加于第1、第2、第3、第4电极焊垫29a,29b,29c,29d来进行驱动。驱动配线37a(驱动元件配线部)以将电压输入到第1驱动构件16a的第
1电极焊垫29a和第2驱动构件16b的第4电极焊垫29d的形式被配置，第2电极焊垫29b和第3电极焊垫29c由接地配线37b而被接地到挠性基板24。由此，如果将交变驱动信号输入到驱动配线37a的话则第1驱动构件16a和第2驱动构件16b在互相相反方向上进行伸缩运动。

[0055] 在图7中，设置作为第1位移传递部的第1链杆(link)部39a。第1链杆部39a连结于第1接头(joint)40a与第2接头40b之间而被配置，没有通过蚀刻工艺除去挠性件15的挠性基板24而成为包含挠性基板24的结构。第1接头40a以及第2接头40b由蚀刻除去了挠性件15的挠性基板24的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)形成，并成为不包含挠性基板24的结构。第1接头40a以及第2接头40b与第1链杆部39a相比较成为柔软的结构(弯曲刚性低)，并且以在第1驱动构件16a进行伸缩运动的时候第1链杆部39a以第2接头40b为中心进行微小旋转运动的形式进行构成。该第1链杆部39a担当将第1驱动构件16a的驱动力传递到滑块支撑板20的角色。同样的，作为第2位移传递部而设置第2链杆部39b，该第2链杆部39b连结于第3接头40c与第4接头40d之间而被配置，因为第3以及第4接头40c,40d是与第1以及第2接头40a,40b相同的结构，所以在第2驱动16b进行伸缩运动的时候第2链杆部39b以第4接头40d为中心进行微小旋转运动。该第2链杆部39b担当将第2驱动构件16b的驱动力传递到滑块支撑板20的角色。

[0056] 还有，磁头组件2的底板13或负载梁14在各个附图中相对于平行于Y轴方向的中心轴为线对称。另外，关于第1位移传递部即第1链杆部39a、第2位移传递部即第2链杆部39b、第1接头40a以及第2接头40b和第3接头40c以及第4接头40d、第1驱动构件16a和第2驱动构件16b等的结构，也同样地在各个附图中相对于平行于Y轴方向的中心轴成为线对称。

[0057] 在图6以及图7中，设置将第1驱动构件16a与第2接头40b以及挠性基板24分离的第1分离沟槽44a，再有，该第1分离沟槽44a沿着相当于薄膜压电体26的长度方向(图中Y轴方向)的长度的范围来进行形成。由该第1分离沟槽44a而从包含磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的第2接头40b与挠性基板24的束缚中解放薄膜压电体26的位移并且能够使位移最大化。还有，磁头组件2因为相对于平行于Y轴的对称轴为线对称的形状，所以根据图6，关于第2分离沟槽44b也相同。

[0058] 挠性件15，通过在厚度18μm的不锈钢材料之上形成聚酰亚胺等的绝缘层41并在其上蚀刻加工导体箔25从而形成磁头元件配线25a。再有，以配线的绝缘或者保护为目的而成为由聚酰亚胺等的配线盖42覆盖的结构。挠性件15通过将不锈钢制的挠性基板24蚀刻加工成任意形状而确保所必要的机构的功能。在几个截面的每个截面使用图8a～图8c来表示图6(图7)所表示的挠性件15的结构。图8a是表示图6中的C-C截面的截面图。图8b是表示图6中的D-D截面的截面图，图8c是表示图6中的F-F截面的截面图。根据图8a，第1突出支架22a由挠性基板24构成并被连结配置于滑块支撑板20。绝缘层41被形成于该第1突出支架22a上，在其上由导体箔25来形成磁头元件配线25a，以覆盖磁头配线25a的形式形成配线盖。根据图8b，处于磁头元件配线25a的背面侧的挠性基板24被蚀刻工艺去除，并且滑块支撑板20、第1突出支架22a以及磁头元件配线25a被分离。根据图8c，从滑块支撑板20延伸出的挠性基板24即第1驱动肋36a和磁头元件配线25a的一部分被固着。另一方面，第1突出支架22a和磁头元件配线25a被分离。

[0059] 图9a是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了第1驱动构件的粘结于挠性件的部分的截面图(图6中的E-E截面)。第1驱动构件16a被粘结于第1驱动元件支撑部23a上。第1驱动元件支撑部23a具有主体支撑部231、第1增强部51a、第2增强部52a、第1缓冲部55a、第2缓冲部56a。主体支撑部231位于第1驱动构件16a的正下方，并且仅由绝缘层41构成。该主体支撑部231构成粘结有第1驱动构件16a的主要部分。第1增强部51a被配置于第1驱动构件16a的磁头组件前端侧(滑块3侧)，并支撑第1驱动构件16a中的一方端的一部分。换言之，第1驱动构件16a以磁头组件前端侧重叠于第1增强部51a的状态被粘结于主体支撑部231。这是为了能够可靠地将第1驱动构件16a的薄膜压电体26的位移传递到第1增强部51a。该第1增强部51a残留挠性基板24来形成，并且由挠性基板24、绝缘层41以及导体箔
25构成。第2增强部52a被配置于第1驱动构件16a的磁头组件后端侧(底板13侧)，并支撑第1驱动构件16a中的另一方端的一部分。换言之，第1驱动构件16a以磁头组件后端侧重叠于第
2增强部52a的状态被粘结于主体支撑部231。该第2增强部52a残留挠性件15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板24、绝缘层41以及导体箔25构成。这样构成的第1以及第2增强部
51a,52a位于第1驱动构件16a的两端。更加具体来说，第1驱动构件16a的磁头组件前端侧的端部从铅垂方向看以与主体支撑部231以及第1增强部51a相重叠的形式进行定位，并且第1驱动构件16a的磁头组件后端侧的端部以与主体支撑部231以及第2增强部52a相重叠的形式进行定位。第1缓冲部55a被配置于由第1链杆部39a构成的第1位移传递部与第1增强部
51a之间，一方端被连接于第1链杆部39a，另一方端被连接于第1增强部51a。即，第1缓冲部
55a被配置于比第1增强部51a更靠近磁头组件前端侧的位置，并连结第1增强部51a和第1链杆部39a。该第1缓冲部55a通过蚀刻除去挠性件15的挠性基板24来形成，并且由绝缘层41和导体箔25构成。在此，第1链杆部39a残留挠性件15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板
24、绝缘层41以及导体箔25的磁头元件配线25a构成。由此，第1缓冲部55a成为弯曲刚性低于第1增强部51a以及由第1链杆部39a构成的第1位移传递部的结构。

[0060] 另外，第2缓冲部56a被配置于挠性件的主体部15a与第2增强部52a之间，一方端被连接于挠性件的主体部15a，另一方端被连接于第2增强部52a。即，第2缓冲部56a被配置于比第2增强部52a更靠近磁头组件后端侧的位置，并连结第2增强部52a和挠性件的主体部15a。该第2缓冲部56a通过蚀刻除去挠性件15的挠性基板24来形成，并且由绝缘层41和导体箔25构成。在此，挠性件的主体部15a残留挠性件15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板
24、绝缘层41、导体箔25的驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)构成。由此，第2缓冲部56a成为弯曲刚性低于第2增强部52a以及挠性件的主体部15a的结构。

[0061] 在本实施方式中，第1缓冲部55a的导体箔25和第1增强部51a的导体箔25通过延伸第1位移传递部即第1链杆部39a的导体箔25的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的一部分来构成。即，第1缓冲部55a的导体箔25由将信号传递到磁头元件7的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)构成。另外，第1链杆部39a的挠性基板24以及第1增强部51a的挠性基板24起到作为部分性地增强磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的增强板的作用。另外，在本实施方式中，第2缓冲部56a的导体箔25和第2增强部52a的导体箔25由挠性件的主体部15a的导体箔25即驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)而被一体地构成。即，第2缓冲部56a的导体箔25由将信号传递到第1驱动构件16a的驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线部)构成。另外，挠性件的主体部15a的挠性基板24以及第2增强部52a的挠性基板24起到作为部分性地增强驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线部)的增强板的作用。
还有，第1缓冲部55a的导体箔25和第1增强部51a的导体箔25中的至少任意一者也可以由与磁头元件配线25a不电连接的独立的虚设配线(dummy wiring)来构成。另外，第2缓冲部56a的导体箔25和第2增强部52a的导体箔25中的至少任意一者也可以追加设置与驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)不电连接的独立的虚设配线。

[0062] 另外，在本实施方式中，第1缓冲部55a的第1增强部51a以及由第1链杆部39a构成的第1位移传递部的连结方向(附图所示Y轴方向)上的长度和第2缓冲部56a的第2增强部52a以及挠性件的主体部15a的连结方向(附图所示Y轴方向)上的长度相等。即，第1缓冲部
55a和第2缓冲部56a的第1驱动构件16a的薄膜压电体26的长边方向的长度相等。再有，在本实施方式中，相对于第1缓冲部55a的第1驱动构件16a的分开距离与相对于第2缓冲部56a的第1驱动构件16a的分开距离相等，第1缓冲部55a和第2缓冲部56a均由绝缘层41和导体箔25构成。即，第1缓冲部55a和第2缓冲部56a相对于第1驱动构件16a的中心成为点对称的形状或者相对于中心线成为线对称的形状，并且具有相同的结构。

[0063] 图9b是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了第2驱动构件的粘结于挠性件的部分的截面图。第2驱动构件16b被连接于第2驱动元件支撑部23b上。第2驱动构件16b因为是与第1驱动构件16a相同的结构，所以第2驱动元件支撑部23b也成为与第1驱动元件支撑部23a相同的结构。即，第2驱动元件支撑部23b具有主体支撑部232、第3增强部51b、第4增强部52b、第3缓冲部55b、第4缓冲部56b。主体支撑部232位于第2驱动构件16b的正下方，并且仅由绝缘层41构成。该主体支撑部232构成粘结有第2驱动构件16b的主要部分。第3增强部51b被配置于第2驱动构件16b的磁头组件前端侧(滑块3侧)，并支撑第2驱动构件16b上的一方端的一部分。换言之，第2驱动构件16b以磁头组件前端侧重叠于第3增强部51b的状态被粘结于主体支撑部232。这是为了能够可靠地将第2驱动构件16b的薄膜压电体26的位移传递到第3增强部51b。该第3增强部51b残留挠性基板24来形成，并且由挠性基板24、绝缘层41以及导体箔25构成。第4增强部52b被配置于第2驱动构件16b的磁头组件后端侧(底板13侧)，并支撑第2驱动构件16b上的另一方端的一部分。换言之，第2驱动构件16b以磁头组件后端侧重叠于第4增强部52b的状态被粘结于主体支撑部232。该第4增强部52b残留挠性件15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板24、绝缘层41以及导体箔25构成。这样构成的第3以及第4增强部51b,52b位于第2驱动构件16b的两端。更加具体来说，第2驱动构件16b的磁头组件前端侧的端部从铅垂方向看以与主体支撑部232以及第3增强部51b相重叠的形式进行定位，并且第2驱动构件16b的磁头组件后端侧的端部以与主体支撑部232以及第4增强部52b相重叠的形式进行定位。第3缓冲部55b被配置于第3增强部51b与由第2链杆部39b构成的第2位移传递部之间，一方端被连接于第2链杆部39b，另一方端被连接于第3增强部51b。即，第3缓冲部55b被配置于比第3增强部51b更靠近磁头组件前端侧的位置，并连结第3增强部51b和第2链杆39b。该第3缓冲部55b通过蚀刻除去挠性件15的挠性基板24来形成，并且由绝缘层41和导体箔25构成。在此，第2位移传递部即第2链杆部39b残留挠性件
15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板24、绝缘层41以及导体箔25的磁头元件配线25a构成。由此，第3缓冲部55b成为弯曲刚性低于第3增强部51b以及由第2链杆部39b构成的第2位移传递部的结构。

[0064] 另外，第4缓冲部56b被配置于挠性件的主体部15a与第4增强部52b之间，一方端被连接于挠性件的主体部15a，另一方端被连接于第4增强部52b。即，第4缓冲部56b被配置于比第4增强部52b更靠近磁头组件后端侧的位置，并连结第4增强部52b和挠性件的主体部15a。该第4缓冲部56b通过蚀刻除去挠性件15的挠性基板24来形成，并且由绝缘层41和导体箔25构成。在此，挠性件的主体部15a残留挠性件15的挠性基板24来形成，并且由挠性基板
24、绝缘层41、导体箔25的驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)构成。由此，第4缓冲部56b成为弯曲刚性低于第4增强部52b以及挠性件的主体部15a的结构。

[0065] 在本实施方式中，第3缓冲部55b的导体箔25和第3增强部51b的导体箔25通过延伸第2位移传递部即第2链杆部39b的导体箔25的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的一部分来构成。即，第3缓冲部55b的导体箔25由将信号传递到磁头元件7的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)构成。另外，第2链杆部39b的挠性基板24以及第3增强部51b的挠性基板24起到作为部分性地增强磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的增强板的作用。另外，在本实施方式中，第4缓冲部56b的导体箔25和第4增强部52b的导体箔25由挠性件的主体部15a的导体箔25即驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)而被一体地构成。即，第4缓冲部56b的导体箔25由将信号传递到第2驱动构件16b的驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线部)构成。另外，挠性件的主体部15a的挠性基板24以及第4增强部52b的挠性基板24起到作为部分性地增强驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线部)的增强板的作用。
还有，第3缓冲部55b的导体箔25和第3增强部51b的导体箔25中的至少任意一者也可以由与磁头元件配线25a不电连接的独立的虚设配线构成。另外，第4缓冲部56b的导体箔25和第4增强部52b的导体箔25中的至少任意一者也可以追加设置与驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线)不电连接的独立的虚设配线。

[0066] 另外，在本实施方式中，第3缓冲部55b的第3增强部51b以及由第2链杆部39b构成的第2位移传递部的连结方向(附图所示Y轴方向)上的长度和第4缓冲部56b的第4增强部52b以及挠性件的主体部15a的连结方向(附图所示Y轴方向)上的长度相等。即，第3缓冲部
55b和第4缓冲部56b的第2驱动构件16b的薄膜压电体26的长边方向的长度相等。再有，在本实施方式中，相对于第3缓冲部55b的第2驱动构件16b的分开距离与相对于第4缓冲部56b的第2驱动构件16b的分开距离相等，第3缓冲部55b和第4缓冲部56b均由绝缘层41和导体箔25构成。即，第3缓冲部55b和第2缓冲部56b相对于第2驱动构件16b的中心成为点对称的形状，相对于中心线成为线对称的形状，并且具有相同的结构。

[0067] 还有，第1位移传递部也可以由第1驱动肋36a构成。此时，第1位移传递部即驱动肋36a如图8c所示由延伸出滑块支撑板20的一部分的挠性基板24、绝缘层41、导体箔25来进行构成。此时，被配置于第1位移传递部即第1驱动肋36a与第1增强部51a之间的第1接头40a为能够看作为第1缓冲部55a的结构。即，由蚀刻除去了挠性件15的挠性基板24的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)形成，第1缓冲部55a即第1接头40a与第1位移传递部即第1驱动肋
36a和第1增强部55a相比较，为弯曲刚性低的结构。还有，关于第2位移传递部也相同，也可以由第2驱动肋36b构成。

[0068] 图10是在本发明的优选的实施方式所涉及的磁头组件中放大了动作时的第1驱动构件的截面图。在图10中，表示作为第1驱动构件16a的动作状态，将正电压施加于第1电极焊垫29a并且将负电压施加于第2电极焊垫29b的状态。即，第1驱动构件16a的薄膜压电体26为由电压施加而伸长的状态。因为薄膜压电体26伸长而处于薄膜压电体26的下面侧的第1驱动元件支撑部23a不伸长，所以由于位移差而以在第1驱动构件16a的上面侧(附图中Z轴正方向)成为凸的形式发生弯曲并产生翘曲。此时，第1增强部51a和第2增强部52a因为一体地固定连结于第1驱动构件16a，所以沿着第1驱动构件16a的弯曲进行位移。

[0069] 如以上所述，第1缓冲部55a成为蚀刻除去了挠性基板24的结构，与成为包含挠性基板24的结构的第1增强部51a以及由第1链杆部39a构成的第1位移传递部相比较，在其截面方向上成为柔软的结构。因此，由第1驱动构件16a的弯曲产生的力矩(图10中的-M)由产生于第1缓冲部55a和第2缓冲部56a的相反方向的力矩(M)来进行平衡。因为第1以及第2缓冲部55a,56a其弯曲刚性小，所以第1以及第2缓冲部55a,56a的弯曲刚性越小，则在相反方向上产生的力矩M越是被缓和减轻。另外，在第1以及第2缓冲部55a,56a的弯曲刚性相等的时候，加到连结于第1缓冲部55a的一方端的第1链杆部39a的铅垂方向的反作用力(F)变成极小。如以上所述，第1位移传递部即第1链杆部39a与滑块支撑板20相机械连结，该滑块支撑板20以被粘结固定于上面侧的滑块3对应于磁盘面的起伏而能够平稳地追随上浮姿势的形式形成为在下面侧与设置于负载梁14的支点突起21相点接触的枢轴(pivot)结构。因此，通过减小第1链杆部39a的反作用力(F)从而减少铅垂方向的位移或不需要的振动，并且能够抑制激发负载梁14的摇摆模式(sway mode)等的共振而减少不需要的振动。再有，能够抑制激发包含滑块3的旋转部被构成的挠性件15的前端部的共振，并且滑块3的上浮姿势的稳定化的控制成为可能。

[0070] 同样的，在第1以及第2缓冲部55a,56a的弯曲刚性相等的时候，加到连结于第2缓冲部56a的一方端的挠性件的主体部15a的铅垂方向的反作用力(F)也变成极小。挠性件的主体部15a作为挠性件15的一部分来构成，并设置有第2束焊接点(beam welding point)17b。挠性件的主体部15a由该第2束焊接点17b而被固着于负载梁14。因此，通过减小挠性件的主体部15a的反作用力(F)从而能够抑制激发负载梁14的摇摆模式等的共振并减少不需要的振动。还有，在第1缓冲部55a和第2缓冲部56a的弯曲刚性不相等的情况下，会产生铅垂方向的反作用力(F)。因此，第1以及第2缓冲部55a,56a的弯曲刚性更小，并且在该弯曲刚性相等的时候反作用力(F)能够减小到最小。

[0071] 还有，关于以在负载梁14的中心线上成为线对称的方式配置并且分别具有同样的结构的第2驱动构件16b、第3增强部51b、第3缓冲部55b、第2位移传递部即第2链杆部39b、第4增强部52b以及第4缓冲部56b，虽然没有图示，但是如以上所述，第1驱动构件16a和第2驱动构件16b作为通过在互相相反的方向上进行伸缩运动而旋转滑块3的结构，所以动作时的第2驱动构件16b的弯曲方向成为与第1驱动构件16a相反的方向。即，在第1驱动构件16a伸长并以在上面侧成为凸的形式进行弯曲的情况下，第2驱动构件16b以在下面侧成为凸的形式进行弯曲，由第2驱动构件16b的弯曲产生的铅垂方向的反作用力(F)成为与第1驱动构件
16a相反的方向并且相对于磁头组件2的中心线成为左右非对称，所以减轻由第1驱动构件
16a和第2驱动构件16b的弯曲而产生的铅垂方向的反作用力(F)能够有效地抑制激发负载梁14的摇摆模式或一次以及二次扭转模式等的共振。另外，第1链杆部39a和第2链杆部39b分别与第1驱动构件16a和第2驱动构件16b相机械连结，所以会沿着第1驱动构件16a和第2驱动构件16b的弯曲而朝着互相相反的方向进行位移。即，因为加到第1链杆部39a和第2链杆部39b上的反作用力(F)成为相反方向，所以由第1缓冲部55a以及第3缓冲部55b的作用来减轻由第1驱动构件16a以及第2驱动构件16b的弯曲而产生的第1位移传递部即第1链杆部
39a以及第2位移传递部即第2链杆部39b的铅垂方向的位移或反作用力(F)，能够有效地抑制激发负载梁14的摇摆模式或一次以及二次扭转模式等的共振、或包含滑块3的旋转部被构成的挠性件15的前端部的共振，并且能够有效地进行滑块3的上浮姿势的稳定化的控制。

[0072] 如以上所述，在本实施方式所涉及的磁头组件2中，第1驱动元件支撑部23a具有位于第1驱动构件16a的两端的第1以及第2增强部51a,52a、连结第1增强部51a和由第1链杆部39a构成的第1位移传递部并且弯曲刚性低于第1增强部51a以及由第1链杆部39a构成的第1位移传递部的第1缓冲部55a、连结第2增强部52a和挠性件的主体部15a并且弯曲刚性低于第2增强部52a以及挠性件的主体部15a的第2缓冲部56a，第2驱动元件支撑部23b具有位于第2驱动构件16b的两端的第3以及第4增强部51b,52b、连结第3增强部51b和由第2链杆部
39b构成的第2位移传递部并且弯曲刚性低于第3增强部51b以及由第2链杆部39b构成的第2位移传递部的第3缓冲部55b、连结第4增强部52b和挠性件的主体部15a并且弯曲刚性低于第4增强部52b以及挠性件的主体部15a的第4缓冲部56b。因此，由弯曲刚性低的第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b来减少由动作时的第1以及第2驱动构件16a,16b的翘曲引起的铅垂方向的反作用力。因此，通过减少第1以及第2驱动构件16a,16b的铅垂方向的反作用力从而能够抑制不需要的共振。另外，通过减少由第1以及第2驱动构件16a,16b的铅垂方向的翘曲引起的反作用力(F)从而第1以及第2驱动构件16a,16b的位移能够在平面方向上被传递并能够放大磁头元件7的位移量。其结果，可以有效地获得磁头元件7的位移量。

[0073] 另外，在本实施方式所涉及的磁头组件2中，第1缓冲部55a和第3缓冲部55b由将信号传递到磁头元件7的磁头元件配线25a(磁头元件配线部)构成，第2缓冲部56a和第4缓冲部56b由将信号传递到第1驱动构件16a和第2驱动构件16b的驱动配线37a(驱动元件配线部)和接地配线37b构成，第1增强部51a以及由第1链杆部39a构成的第1位移传递部和第3增强部51b以及由第2链杆部39b构成的第2位移传递部具有部分性地增强磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的增强板，第2增强部52a和第4增强部52b具有部分性地增强驱动配线37a(驱动元件配线部)的增强板。因此，用弯曲刚性低的第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b来吸收由第1以及第2驱动构件16a,16b的翘曲引起的铅垂方向的反作用力，因为通过减少由第1以及第2驱动构件16a,16b的铅垂方向的翘曲引起的反作用力从而能够抑制不需要的共振并且能够有效地传递驱动元件的变形，所以能够放大磁头元件7的位移量。另外，因为第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b能够在形成磁头配线25a(磁头元件配线部)以及驱动配线37a(驱动元件配线部)的时候一起加工形成，所以不需要追加新的工序，能够抑制不需要的共振并且能够放大磁头元件7的位移量。

[0074] 再有，在本实施方式所涉及的磁头组件2中，第1缓冲部55a的第1增强部51a与由第1链杆部39a构成的第1位移传递部的连结方向上的长度等于第2缓冲部56a的第2增强部52a与挠性件的主体部15a的连结方向上的长度，第3缓冲部55b的第3增强部51b与由第2链杆部
39b构成的第2位移传递部的连结方向上的长度等于第4缓冲部56b的第4增强部52b与挠性件的主体部15a的连结方向上的长度。因此，第1缓冲部55a、第2缓冲部56a、第3缓冲部55b以及第4缓冲部56b的弯曲刚性相等。由此，能够减少由第1以及第2驱动构件16a,16b的翘曲引起的铅垂方向的反作用力。因此，能够进一步抑制不需要的共振并且能够更进一步放大磁头元件7的位移量。

[0075] 另外，在本实施方式所涉及的磁头组件2中，第1缓冲部55a和第2缓冲部56a具有相对于第1驱动构件16a的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构，第3缓冲部55b和第4缓冲部56b具有相对于第2驱动构件16b的中心为点对称或者相对于中心线为线对称的形状以及相同的结构。因此，由第1以及第2驱动构件16a,16b的翘曲引起的铅垂方向的反作用力均等地加到了由第1以及第2链杆部39a,39b构成的第1以及第2位移传递部和挠性件的主体部15a，并且能够有效地减少反作用力。因此，能够进一步抑制不需要的共振并且能够进一步放大磁头元件7的位移量。

[0076] 以下，根据本实施方式，由实施例1和比较例1来具体地表示减少由动作时的薄膜压电元件的弯曲引起的翘曲的反作用力并抑制不需要的共振从而能够有效地获得磁头元件的位移量。作为实施例1，使用本实施方式所涉及的磁头组件2。在实施例1中，将第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b的薄膜压电体26的长边方向(图9中Y轴方向)的长度L1设定为0.145mm。第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b由绝缘层41、导体箔25以及配线盖构成，第1～第4增强部51a,52a,51b,52b、第1位移传递部即第1链杆部39a、第2位移传递部即第2链杆部
39b、以及挠性件的主体部15a由挠性基板24、绝缘层41、导体箔25以及配线盖构成。第1以及第2缓冲部55a,56a和第1以及第2增强部51a,52a的绝缘层41的宽度(图9中X轴方向)以成为与粘结维持第1驱动构件16a的第1驱动元件支撑部23a的主体支撑部231相同的宽度的形式进行构成，导体箔25的宽度以与构成第1驱动构件16a的薄膜压电体26相同的宽度来构成。
同样的，第3以及第4缓冲部55b,56b和第3以及第4增强部51b,52b的绝缘层41的宽度(图9中X轴方向)以与粘结维持第2驱动构件16b的第2驱动元件支撑部23b的主体支撑部232相同的宽度来构成，导体箔25的宽度以与第2驱动构件16b的薄膜压电体26相同的宽度来构成。另外，第1～第4增强部51a,52a,51b,52b的挠性基板24的宽度以构成各个增强部的绝缘层41相同的宽度来构成。还有，构成第1缓冲部55a和第3缓冲部55b的导体箔25通过延伸磁头元件配线25a(磁头元件配线部)的一部分来构成，但是不与薄膜压电体26相电连接。另外，构成第2缓冲部56a和第4缓冲部56b的导体箔25由驱动配线37a以及接地配线37b(驱动元件配线部)构成。

[0077] 作为比较例1，为了与实施例1进行特性比较而使用在本实施方式所涉及的磁头组件2中没有由蚀刻工艺来除去第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b的下面侧的挠性基板24而残留的磁头组件。即，第1～第4缓冲部55a,56a,55b,56b由挠性基板24、导体箔25、绝缘层41以及配线盖构成。换言之，第1位移传递部即第1链杆部39a、第1缓冲部55a以及第1增强部51a具有相同的截面结构并一体化，不设置第1缓冲部55a和第1增强部51a，并能够看作为延伸第1链杆部39a的一部分来支撑第1驱动构件16a。第2增强部52a、第2缓冲部56a以及挠性件的主体部15a的结构为具有相同的截面结构并一体化，不设置第2增强部52a和第2缓冲部
56a，并能够看作为延伸挠性件的主体部15a来支撑第1驱动构件16a。同样的，第2位移传递部即第2链杆部39b、第3缓冲部55b以及第3增强部51b具有相同的截面结构并一体化，不设置第3缓冲部55b和第3增强部51b，并能够看作为延伸第2链杆部39b的一部分来支撑第2驱动构件16b，第4增强部52b、第4缓冲部56b以及挠性件的主体部15a的结构为具有相同的截面结构并一体化，不设置第4增强部52b和第4缓冲部56b，并能够看作为延伸挠性件的主体部15a来支撑第2驱动构件16b。

[0078] 图11是表示实施例1的磁头组件以及比较例1的磁头组件的第1以及第2驱动构件的动作时的频率响应特性的图。由第1以及第2驱动构件16a,16b使滑块3进行微小位移的时候的反作用力会激发负载梁14的共振频率下的共振，并且会出现如图11中所示那样的由负载梁14的横荡(sway摇摆)模式决定的共振点fr1。另外，图11中的fr2为滑块3的偏航方向(Yaw direction)的共振点中的1个。在此，在利用由第1以及第2驱动构件16a,16b旋转驱动滑块3的机构来对磁头元件7的位置进行微小调整的情况下，优选其共振的峰值增益小。比较例1的情况下，由摇摆模式决定的共振点的fr1的峰值在24.2kHz附近大约为13dB，滑块3的偏航方向的共振点中的1个的fr2的峰值在27.3kHz附近大约为13dB，但是，在实施例1中，可知没有fr1以及fr2的峰值而被抑制。即，在实施例1中能够确认，第1以及第2驱动构件16a,16b的动作时的由负载梁14激发的摇摆模式所引起的共振振动、包含滑块3和滑块支撑板20的旋转部被构成的挠性件15的前端部的共振振动，被第1～第4缓冲部55a,56a,55b,
56b大幅抑制。

[0079] 此时，作为驱动信号，施加了±1.0V的电压的时候的实施例1中的垂直于磁头元件7的磁头组件2的中心轴的方向(图2中的X轴方向)的磁头位移量x1为5.9[nm/V]，比较例1中的磁头位移量为5.4[nm/V]。该状况能够确认，第1以及第3缓冲部55a,55b是弯曲刚性低于第1以及第2位移传递部即第1以及2链杆部39a,39b和第1以及第3增强部51a,51b的结构，所以通过第1以及第2缓冲部55a,55b发生变形来吸收由第1以及第2驱动构件16a,16b的弯曲引起的反作用力，并且由第1以及第2驱动构件16a,16b的伸缩产生的力有效地作用于磁头组件2的平面方向，从而能够放大磁头位移量。

[0080] 符号的说明

[0081] 1 磁盘装置

[0082] 2 磁头组件

[0083] 3 滑块

[0084] 4 机壳

[0085] 5 主轴马达的轴

[0086] 6 磁盘

[0087] 7 磁头元件

[0088] 8 支撑臂

[0089] 9 VCM的水平旋转轴

[0090] 10 磁铁部

[0091] 11 斜坡机构

[0092] 12 突片

[0093] 13 底板

[0094] 14 负载梁

[0095] 15 挠性件

[0096] 15a 挠性件的主体部

[0097] 16a 第1驱动构件(薄膜压电体元件)

[0098] 16b 第2驱动构件(薄膜压电体元件)

[0099] 17a 第一束焊接点

[0100] 17b 第二束焊接点

[0101] 18 板簧

[0102] 19 折弯加工部

[0103] 20 滑块支撑板

[0104] 21 支点突起

[0105] 22a 第1突出支架

[0106] 22b 第2突出支架

[0107] 23a 第1驱动元件支撑部

[0108] 23b 第2驱动元件支撑部

[0109] 231 主体支撑部(第1驱动构件)

[0110] 232 主体支撑部(第2驱动构件)

[0111] 24 挠性基板

[0112] 25 导体箔

[0113] 25a 磁头元件配线

[0114] 26 薄膜压电体

[0115] 27a 上部电极

[0116] 27b 下部电极

[0117] 28 基台

[0118] 29a 第1电极焊垫

[0119] 29b 第2电极焊垫

[0120] 29c 第3电极焊垫

[0121] 29d 第4电极焊垫

[0122] 30 绝缘盖

[0123] 31 磁头电极端子

[0124] 32a 第1折弯部

[0125] 32b 第2折弯部

[0126] 33 平衡配重

[0127] 34 T型限制部

[0128] 35 负载梁的孔部

[0129] 36a 第1驱动肋

[0130] 36b 第2驱动肋

[0131] 37a 驱动配线

[0132] 37b 接地配线

[0133] 39a 第1链杆

[0134] 39b 第2链杆

[0135] 40a 第1接头

[0136] 40b 第2接头

[0137] 40c 第3接头

[0138] 40 d 第4接头

[0139] 41 绝缘层

[0140] 42 配线覆盖层

[0141] 44a 第1分离沟槽

[0142] 44b 第2分离沟槽

[0143] 51a 第1增强部

[0144] 51b 第3增强部

[0145] 52a 第2增强部

[0146] 52b 第4增强部

[0147] 55a 第1缓冲部

[0148] 55b 第3缓冲部

[0149] 56a 第2缓冲部

[0150] 56b 第4缓冲部

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