专利汇可以提供一种NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于 电子 陶瓷材料技术领域,具体涉及一种具有高磁导率、高品质因数的NFC手机支付 铁 氧 体磁屏蔽材料及其制备方法。该铁氧体磁屏蔽材料,其主晶相为 尖晶石 结构,分子结构表达式为Ni0.34‑xZn0.48+xCu0.18Fe1.98O4,其中0<x≤0.01;主配方由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比(0.34‑x)∶(0.48+x)∶0.18∶0.99构成; 掺杂剂 为Bi2O3:0.5wt%,Co2O3:0.4wt%和CaCO3:0.04wt%~0.06wt%。该铁氧体磁屏蔽材料在工作频点13.56MHz时起始磁导率195~205,品质因数50~60。预烧 温度 高于最终的 烧结 温度,收缩率有较大程度的下降,更好的保证了加工NFC磁片时不容易出现 翘曲 开裂。生产原料便宜,工艺简单,操作方便且成本低。,下面是一种NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料,其特征在于:该铁氧体材料的主晶相为尖晶石结构,分子结构表达式为Ni0.34-xZn0.48+xCu0.18Fe1.98O4,其中0
950℃,烧结温度为900℃,预烧温度高于最终的烧结温度;
主配方由分析纯的原料NiO、ZnO、CuO、Fe2O3按摩尔比:
NiO:ZnO:CuO:Fe2O3=(0.34-x):(0.48+x):0.18:0.99构成,其中0
0.06wt%。
2.如权利要求1所述NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料,其特征在于:在工作频点
13.56MHz时起始磁导率195~205,品质因数50~60。
3.如权利要求1所述NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料的制备方法,包括以下具体步骤:
步骤一:以NiO、ZnO、CuO和Fe2O3为初始原料,按摩尔比NiO:ZnO:CuO:Fe2O3=(0.34-x):
(0.48+x):0.18:0.99,0
步骤三:将步骤二所得的预烧料从坩埚中取出后放入研钵中进行粗粉粹,然后加入预烧料重量百分比0.5wt%Bi2O3、0.4wt%Co2O3和0.04~0.06wt%CaCO3三种掺杂剂后,在球磨机中进行二次球磨,球磨至粉料的平均粒度在1微米以下,然后将其烘干;
步骤四:在步骤三得到的二次球磨烘干料中加入相当于二次球磨烘干料重量的10%~
15%的PVA溶液进行造粒并压制成形;
步骤五:将步骤四所得样品放入烧结炉中,以2℃/分的升温速率升温至300℃保温1小时排水,然后再以2℃/分的升温速率升温至600℃保温1小时排胶,然后再以2℃/分的升温速率升温至900℃保温3~4小时,最后随炉冷却至室温即得NFC手机支付铁氧体磁屏蔽材料。
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