专利汇可以提供发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且一种发光器件,包括:具有第一 电极 和第二电极的发光元件,和在其主表面具有其内部安装该发光元件的孔穴,并与发光元件电连接的的 半导体 构件,其中该半导体构件构造为稳定外部输入 电压 的电压调节 二极管 。结果,发光元件可得到保护以免受到静电或从外部流入的 浪涌电压 的影响,该系统的整体尺寸可显著减小以简化其结构,并且系统所产生的热可有效地向外发散。另外,通过在孔穴中设置反射部分,可有效地聚集发光元件发出的光。,下面是发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统专利的具体信息内容。
1.一种发光器件,包括:
具有第一电极和第二电极的发光元件;和
在其主表面具有内部安装发光元件的孔穴并与发光元件电连接的 电压调节二极管。
2.如权利要求1所述的器件,其中所述电压调节二极管在其主表 面上具有至少两个分别与第一电极和第二电极电连接的半导体区域;
3.如权利要求2所述的器件,其中所述半导体区域包括:
涂覆在主表面的部分并因此与第一电极电连接的p-型半导体扩散 区域;以及
对应于电压调节二极管除p-型半导体扩散区域以外的其余区域并 因此与第二电极电连接的n-型半导体区域。
4.如权利要求2所述的器件,其中所述半导体区域包括:
通过在主表面的一部分进行涂覆而形成并因此与第一电极电连接 的第一p-型半导体扩散区域;
通过在主表面的一部分进行涂覆而形成并因此与第二电极电连接 的第二p-型半导体扩散区域;以及
对应于电压调节二极管除第一和第二p-型半导体扩散区域以外的 其余区域的n-型半导体区域。
5.如权利要求2所述的器件,其中所述半导体区域包括:
通过在主表面的一部分进行涂覆形成的并因此与第一电极电连接 的p-型半导体扩散区域;以及
通过在p-型半导体扩散区域的一部分涂覆形成的并因此与第二电 极电连接的n-型半导体扩散区域。
6.如权利要求2所述的器件,其中整个主表面形成具有在其中形 成的接触孔的绝缘层,以将半导体区域分别与第一和第二电极电连接。
7.如权利要求6所述的器件,其中所述接触孔在位于从孔穴侧壁 的上端延伸的主表面上的绝缘层中形成,并且分别与第一和第二电极 电连接的半导体区域通过接触孔暴露。
8.如权利要求6所述的器件,其中所述接触孔在位于孔穴底部表 面的绝缘层中形成,并且分别与第一和第二电极电连接的半导体区域 通过接触孔暴露。
9.如权利要求6所述的器件,其中在绝缘层上形成一对连接电极 以使得半导体区域分别与第一和第二电极电连接,并与外部组件电连 接。
10.如权利要求6所述的器件,其中所述绝缘层由AIN,ZnO,BeO, 氧化硅和氮化硅之一制成。
11.如权利要求9所述的器件,其中所述一对连接电极沿孔穴侧 壁分别从孔穴底部表面向上延伸到主表面。
12.如权利要求9所述的器件,其中所述第一和第二电极通过位 于其间的安装部件与该对连接电极电连接。
13.如权利要求12所述的器件,其中所述安装部件由金属制成。
14.如权利要求1所述的器件,其中所述孔穴的深度大于安装在 孔穴中的发光元件的高度。
15.如权利要求1所述的器件,其中反射部分沿孔穴侧壁形成以 聚集发光元件发出的光。
16.如权利要求2所述的器件,其中所述的电压调节二极管与发 光元件并联电连接。
17.如权利要求2所述的器件,其中所述的电压调节二极管和发 光元件反电极电连接。
18.如权利要求1所述的器件,其中所述电压调节二极管由硅材 料制成。
19.如权利要求1所述的器件,其中在电压调节二极管的主表面 的反面安装有散热部件以将发光元件产生的热传递到外部。
20.如权利要求19所述的器件,其中所述散热部件由如铜或铁制 成。
21.如权利要求1所述的器件,其中所述发光元件是发光二极管 (LED)。
22.如权利要求1所述的器件,其中所述发光元件是激光二极管 (LD)。
23.一种发光器件,包括:
具有第一电极和第二电极的发光元件;和
在主表面具有在其内部安装发光元件的孔穴并与发光元件电连接 的半导体构件,
其中半导体构件是电压调节二极管,其中在从孔穴侧壁上端延伸 的主表面上至少形成两个分别在主表面上与第一和第二电极电连接的 半导体区域。
24.如权利要求23所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
在主表面的部分涂覆并因此与第一电极电连接的p-型半导体扩散 区域;以及
与第二电极电连接并对应于半导体构件的除p-型半导体扩散区域 以外的其余区域的n-型半导体区域。
25.如权利要求23所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
通过在主表面的部分进行涂覆形成的并因此与第一电极电连接的 第一p-型半导体扩散区域;
通过在主表面的部分进行涂覆形成的并因此与第二电极电连接的 第二p-型半导体扩散区域;以及
对应于半导体构件的除第一和第二p-型半导体扩散区域以外的其 余区域的n-型半导体区域。
26.如权利要求23所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
通过在主表面的部分进行涂覆形成的并因此与第一电极电连接的 p-型半导体扩散区域;以及
通过在p-型半导体扩散区域的部分进行涂覆并因此与第二电极电 连接的n-型半导体扩散区域。
27.如权利要求23所述的器件,其中反射部分沿孔穴侧壁形成以 聚集发光元件发出的光。
28.一种发光器件,包括:
具有第一电极和第二电极的发光元件;和
在主表面中具有在其内部安装发光元件的孔穴并与发光元件电连 接的半导体构件,
其中半导体构件是电压调节二极管,其中在孔穴底部表面上至少 形成两个分别在主表面上与第一和第二电极电连接的半导体区域。
29.如权利要求28所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
在主表面的部分涂覆并因此与第一电极电连接的p-型半导体扩散 区域;以及
与第二电极电连接并对应于半导体构件除p-型半导体扩散区域以 外的其余区域的n-型半导体区域。
30.如权利要求28所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
通过在主表面的部分进行涂覆形成的并因此与第一电极电连接的 第一p-型半导体扩散区域;
通过在主表面的部分进行涂覆形成的并因此与第二电极电连接的 第二p-型半导体扩散区域;以及
与半导体构件除第一和第二p-型半导体扩散区域以外的其余区域 对应的n-型半导体区域。
31.如权利要求28所述的器件,其中所述的半导体区域包括:
通过在主表面的部分进行涂覆形成并因此与第一电极电连接的p- 型半导体扩散区域;以及
通过在p-型半导体扩散区域的部分进行涂覆形成并因此与第二电 极电连接的n-型半导体扩散区域。
32.如权利要求28所述的器件,其中反射部分沿孔穴侧壁形成以 聚集发光元件发出的光。
33.一种发光系统,包括:
发光器件,包含具有第一电极和第二电极的发光元件,和在主表 面中具有内部安装发光元件的孔穴并与发光元件电连接的半导体构 件,其中半导体构件是具有至少两个分别与主表面上的第一和第二电 极电连接的半导体区域的电压调节二极管;
其中安装有发光器件并具有一对与电连接到第一和第二电极及半 导体区域的引线框架的芯柱部分;以及
具有透明窗口并且用于覆盖芯柱部分以密封该发光器件的罩盖部 分。
34.如权利要求33所述的系统,其中沿孔穴侧壁形成有反射部分 以聚集发光元件发出的光。
35.如权利要求33所述的系统,其中在所述电压调节二极管的主 表面的反面安装有散热部件以将发光元件产生的热向外传送。
36.一种制造发光器件的方法,包括步骤:
在半导体衬底的主表面中形成孔穴;
在所述主表面上形成至少一个杂质扩散区域,从而形成多个半导 体区域;
在主表面上形成绝缘层并在绝缘层的部分形成接触孔图案,从而 由此暴露该多个半导体区域的两个区域;
沿孔穴侧壁形成从孔穴底部表面延伸到主表面上部的一对连接电 极以填充接触孔,从而将两暴露的半导体电极与随后安装的发光元件 电连接并与外部组件电连接;以及
将发光元件与该对连接电极进行连接从而在孔穴中定位该发光元 件。
37.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在从孔穴侧壁的上端延伸的主表面上形成一个p-型杂质扩散区 域。
38.如权利要求37所述的方法,其中在暴露两个半导体区域的步 骤中,形成绝缘层的接触孔图案以使得p-型杂质扩散区域的部分和n- 型半导体衬底的部分暴露到主表面上。
39.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在从孔穴侧壁的上端延伸的主表面上形成第一p-型杂质扩散区 域和第二p-型杂质扩散区域。
40.如权利要求39所述的方法,其中在暴露两个半导体区域的步 骤中,形成绝缘层的接触孔图案以使得第一p-型杂质扩散区域和第二 p-型杂质扩散区域分别暴露在主表面上。
41.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在从孔穴侧壁的上端延伸的主表面上分别形成p-型杂质扩散区 域和在p-型杂质扩散区域的部分涂覆的n-型杂质扩散区域。
42.如权利要求41所述的方法,其中在暴露两个半导体区域的步 骤中,形成绝缘层的接触孔图案以使得p-型杂质扩散区域和n-型杂质 扩散区域分别暴露在主表面上。
43.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在孔穴的底部表面上形成一个p-型杂质扩散区域。
44.如权利要求43所述的方法,其中在暴露两个半导体区域的步 骤中,形成绝缘层的接触孔图案以使得p-型杂质扩散区域的部分和n- 型杂质扩散区域的部分暴露在孔穴的底部表面上。
45.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在孔穴的底部表面上分别形成第一p-型杂质扩散区域和第二p- 型杂质扩散区域。
46.如权利要求45所述的方法,中在暴露两个半导体区域的步骤 中,形成绝缘层的接触孔图案以使得第一和第二p-型杂质扩散区域分 别暴露在孔穴的底部表面。
47.如权利要求36所述的方法,其中在形成多个半导体区域的步 骤中,在从孔穴的上端延伸的主表面上分别形成p-型杂质扩散区域和 在p-型杂质扩散区域的部分涂覆的n-型杂质扩散区域。
48.如权利要求46所述的方法,其中在暴露两个半导体区域的步 骤中,形成绝缘层的接触孔图案以使得p-型杂质扩散区域和n-型杂质 扩散区域分别暴露在孔穴的底部表面。
49.如权利要求36所述的方法,其中所述孔穴通过采用体微机械 加工技术形成。
50.如权利要求36所述的方法,其中所形成的孔穴的深度大于位 于该孔穴中的发光元件的高度。
51.如权利要求36所述的方法,其中在将发光元件与孔穴中的一 对连接电极进行连接的步骤中,通过采用倒装结合法将发光元件结合 到其中。
52.如权利要求36所述的方法,进一步包括在孔穴底部表面所形 成的连接电极的部分形成安装部分的步骤,以在形成该对连接电极的 步骤之后将发光元件结合到其中。
53.如权利要求36所述的方法,还包括在形成有连接电极的孔穴 的侧壁形成反射部分的步骤。
54.如权利要求36所述的方法,还包括在连接发光元件的步骤之 后在半导体衬底的主表面的反面安装散热部件。
本发明涉及发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统,具 体地说,涉及一种可简化结构、减小尺寸且可提高聚集和散热效率的 发光器件及其制造方法和采用该器件的发光系统。
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