专利汇可以提供抗环境振动影响的旋转式微机械可变电容的结构专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种旋转式悬浮微机械可变电容及制作方法,其特征在于旋转式可变电容结构能够抵抗环境冲击或 加速 度的影响,可变电容的驱动 电极 沿着中 心轴 旋转方向运动,旋转 角 度为0-10度,可变电容的可动电极通过周围的连接梁 支撑 ,在器件的周围和中心处有连接支撑梁的固定端,下图中实心为固定电极,空心为可动电极,驱动部分和敏感电容部分均采用梳齿或 夹板 结构,本发明给出的旋转式结构适合于各种CMOS(互补金属 氧 化物 半导体 )、微机械类型加工。且制作的微机械可变电容抗环境振动和环境加速度的影响。,下面是抗环境振动影响的旋转式微机械可变电容的结构专利的具体信息内容。
1.一种旋转式悬浮微机械可变电容,其特征在于悬浮的可变电容的可 动电极沿中心轴旋转方向运动;悬浮的可动电极结构通过两部分梁支撑,一 部分连接到固定的器件外框,另一部分连接到固定的器件中心处;驱动部分 和敏感电容部分均采用梳齿结构或夹板结构。
2.按权利要求1所述的旋转式悬浮微机械可变电容,其特征在于所述 的可变电容的结构的整体布局为圆形或椭圆形。
3.按权利要求1所述的旋转式悬浮微机械可变电容,其特征在于器件 工作时,悬浮的可变电容的可动电极沿中心轴旋转的角度为0-10度。
4.按权利要求1所述的旋转式悬浮微机械可变电容,其特征在于驱动 部分与敏感电容部分的功能可以互换。
5.按权利要求1或2所述的旋转式悬浮可变电容的结构,其特征在于 悬浮的可变电容的可动电极与底部硅衬底的间隙为5~70微米。
6.制作如权利要求1所述的旋转式悬浮微机械可变电容的方法,其特 征在于:
(a)选用N型或P型(100)硅片经清洗后在硅片上形成氧化硅薄膜作 为器件支撑层,光刻出各向异性腐蚀区域,并去除该区域内氧化层;
(b)在硅片上溅射金属种子层,旋转涂胶,光刻出可变电容结构形状;
(c)电镀金属层,以形成器件结构层,并电镀一层防止金属氧化的薄 层,然后去除种子层;
(d)利用XeF2气体进行硅的各向同性腐蚀,电容周围区域的硅全部被 清除,使可变电容悬浮于硅片衬底。
7.按权利要求6所述的旋转式悬浮可变电容的制作方法,其特征在于 用作器件结构层的材料为硅、铜、镍、金或银,厚度为5-10微米;薄层金 的厚度为0.3-0.8微米。
8.按权利要求6所述的旋转式悬浮可变电容的制作方法,其特征在于 器件的结构层厚度为5-100微米。
9.按权利要求6所述的旋转式悬浮可变电容的制作方法,其特征在于:
(1)旋转涂胶的光刻胶厚度为8-15微米;
(2)所述氧化硅薄膜厚度为1-3微米。
10.按权利要求6所述的旋转式悬浮可变电容的制作方法,其特征在于 该结构适应于CMOS、表面微机械、体微机械、电镀成形或准LIGA加工方 式。
本发明涉及的是一种抗环境振动影响的旋转式悬浮可变电容的结构,所 述的这种结构能有效抑止环境加速度对器件性能的影响。属于射频元件和电 路技术应用领域。
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