半导体硅片腐蚀液
阅读：746发布：2020-05-15
专利汇可以提供半导体硅片腐蚀液专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种 半导体 硅 片 腐蚀 液，涉及微 机械加工 ，按重量百分比，氢 氧 化 钾 20－30％，异丙醇10－15％，其余为 水 ，搅拌均匀制成品，异丙醇对(100) 硅片 的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不 变形 ，适用于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向，如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。，下面是半导体硅片腐蚀液专利的具体信息内容。
技术领域
背景技术
我们知道，现有的半导体硅片腐蚀液，是氢氧化钾(KOH)腐 蚀液，腐蚀(100)硅片时，晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀 速度相同，晶向线非正交方向与晶向线方向、晶向线非正交方向与垂 直于晶向线方向的腐蚀速度不同，晶向线非正交方向腐蚀速度慢，晶 向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度快。这种氢氧化钾腐蚀液， 只适用于腐蚀加工晶向线方向和垂直于晶向线方向的微机械结构，如 正方形微机械结构、正交长方形微机械结构，腐蚀加工晶向线非正交 方向的微机械结构，如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构等， 存在晶向线非正交方向与晶向线方向，晶向线非正交方向与垂直于晶 向线方向的腐蚀速度不同，晶向线非正交方向腐蚀速度慢，晶向线方 向和垂直于晶向线方向腐蚀速度快，造成腐蚀变形，腐蚀后的正六边 形微机械结构、正八边形微机械结构不等于原正六边形、正八边形， 不适用于腐蚀加工晶向线非正交方向的微机械结构，如正六边形微机 械结构、正八边形微机械结构等。
发明内容
本发明解决的技术问题是，解决晶向线非正交方向与晶向线方 向，晶向线非正交方向与垂直于晶向线方向的腐蚀速度不同，晶向线 非正交方向腐蚀速度慢，晶向线方向和垂直于晶向线方向腐蚀速度 快，造成腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构变形的问 题，提供一种晶向线非正交方向与晶向线方向，晶向线非正交方向与 垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐蚀如正六边形微机械结构、正 八边形微机械结构不变形的半导体硅片腐蚀液。
本发明的技术方案是，按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙 醇10-15％，其余为水。
本发明的有益效果是，由于异丙醇在(100)硅片的腐蚀过程中， 对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干 扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响 小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀的正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形，本发明适用 于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向， 如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。
实施方式
实施例1：
按重量百分比，氢氧化钾20％，异丙醇15％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正六边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的形状为正六边形的检波器质量块的微机械结构不变形，符合设 计要求。
实施例2：
按重量百分比，氢氧化钾30％，异丙醇10％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正八边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的正八边形的检波器质量块的微机械结构不变形，符合设计要 求。
实施例3：
按重量百分比，氢氧化钾25％，异丙醇12％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正五边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的正五边形检波器质量块的微机械结构不变形，符合设计要求。
本发明的技术方案是，按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙 醇10-15％，其余为水。
本发明的有益效果是，由于异丙醇在(100)硅片的腐蚀过程中， 对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干 扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响 小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀的正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形，本发明适用 于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向， 如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。
实施方式
实施例1：
按重量百分比，氢氧化钾20％，异丙醇15％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正六边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的形状为正六边形的检波器质量块的微机械结构不变形，符合设 计要求。
实施例2：
按重量百分比，氢氧化钾30％，异丙醇10％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正八边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的正八边形的检波器质量块的微机械结构不变形，符合设计要 求。
实施例3：
按重量百分比，氢氧化钾25％，异丙醇12％，其余为水，搅拌 均匀制成品。腐蚀形状为正五边形的检波器质量块，异丙醇对(100) 硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而 对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，在晶向线 方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐 蚀后的正五边形检波器质量块的微机械结构不变形，符合设计要求。
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