磁头悬架的布线结构及其制造方法
阅读：1038发布：2020-08-08
专利汇可以提供磁头悬架的布线结构及其制造方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种包括挠曲件的磁头悬架的布线结构。所述挠曲件 支撑 磁头并附接到给磁头施加负载的负载梁，所述布线结构包括形成在挠曲件上并连接到磁头的写布线和读布线，每个都具有相反极性的 导线 。该布线结构还包括堆叠交错部件，堆叠交错部件具有电连接到写布线的各个导线的段，该段通过电绝缘层堆叠在导线上并面对它，从而面对的导线和段具有相反的极性。，下面是磁头悬架的布线结构及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种包括挠曲件的磁头悬架的布线结构，所述挠曲件支撑用于写数据到记录介质和从记录介质读数据的磁头并附接到给磁头施加负载的负载梁，所述布线结构包括：
形成在挠曲件上并连接到磁头的写布线和读布线，每个都具有相反极性的导线；和至少为写布线设置的堆叠交错部件，该堆叠交错部件包括在每个段的两端处电连接到写布线的各个导线的段，该段通过电绝缘层堆叠在写布线的导线上并面对它，从而面对的导线和段具有相反的极性以在堆叠交错部件处至少交错写布线。
2.根据权利要求1所述的布线结构，其中，挠曲件包括导电薄基材、形成在基材上的基底绝缘层和形成在基底绝缘层上的写布线和读布线，电绝缘层是形成在基底绝缘层上的中间绝缘层。
3.根据权利要求2所述的布线结构，其中，基材具有在与堆叠交错部件相对应的位置处的窗口，窗口的开口率是相对于堆叠交错部件设置的。
4.根据权利要求1所述的布线结构，其中，写布线的导线通过挠曲件的导电薄基材的一部分形成，堆叠交错部件的段形成在基底绝缘层上，基底绝缘层形成于导电薄基材上并用作电绝缘层。
5.根据权利要求1所述的布线结构，其中，堆叠交错部件的每个段通过穿过电绝缘层的导体电连接到写布线的相对应导线。
6.根据权利要求5所述的布线结构，其中：
堆叠交错部件的每个段包括面对段和设置在面对段的各个端部的第一及第二交叉段，面对段堆叠在相反极性的导线上并面对它，交叉段连接到相同极性的导线；
所述段中的一个的第一和第二交叉段分别交叉所述段中的另一个的第二和第一交叉段；
每个段的第一交叉段通过导体电连接到相同极性的导线；以及
每个段的第二交叉段包括导线侧的臂和面对侧的臂，导线侧的臂形成在基底绝缘层上并从相同极性的导线延伸，面对侧的臂形成在中间绝缘层上并从面对段延伸，导线侧的臂和面对侧的臂通过导体彼此连接并交叉另一段的第一交叉段。
7.根据权利要求1所述的布线结构，其中，堆叠交错部件的总布线宽度比设置有堆叠交错部件的布线的总布线宽度窄。
8.根据权利要求7所述的布线结构，其中，堆叠交错部件的每个段形成在相对应导线的横向中心、内侧和外侧中的一个上。
9.一种制造权利要求5所述的布线结构的方法，包括：
形成导线的布线步骤；
绝缘层形成步骤，其在导线上形成电绝缘层并在导线上形成导体，从而导体穿过电绝缘层并从电绝缘层的表面露出；以及
堆叠交错部件形成步骤，其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并将堆叠交错部件电连接到导体。
10.一种制造权利要求5所述的布线结构的方法，包括：
形成导线的布线步骤；
在导线上形成电绝缘层的绝缘层形成步骤；以及
堆叠交错部件形成步骤，其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并形成导体，从而导体穿过堆叠交错部件和电绝缘层并将堆叠交错部件电连接到导线。
11.一种制造权利要求5所述的布线结构的方法，包括：
形成第一和第二极性导线的布线步骤；
绝缘层形成步骤，其在导线上形成电绝缘层并在导线上形成穿过电绝缘层的孔；以及堆叠交错部件形成步骤，其在电绝缘层上形成堆叠交错部件并在孔中形成导体以将堆叠交错部件电连接到导线。
12.根据权利要求9所述的方法，其中导体通过镀铜形成。
磁头悬架的布线结构及其制造方法
技术领域
背景技术
[0002] 最近硬盘驱动器被要求具有大容量和高传输率且在低功耗下运行。
[0003] 为了满足这些需求，尤其是，为了实现高速数据传输，磁头悬架必须能够处理宽带宽。与之相关的，公开号为H10-124837的日本待审专利申请披露了一种交错式布线结构。图22和23举例说明了应用了交错式布线结构的写布线101。写布线101形成于基底绝缘层上，包括第一极性导线101aa和101ab以及第二极性导线101ba和101bb，它们水平交错并具有相同宽度。第一极性导线101aa和101ab的第一端通过旁路导线101c彼此相连，第二极性导线101ba和101bb的第一端通过旁路导线101d彼此相连。第一极性导线101aa和101ab的第二端通过电桥101e彼此相连，第二极性导线101ba和101bb的第二端通过电桥101f彼此相连。
发明内容
[0005] 本发明的一个目标是提供一种磁头悬架的布线结构，能够应用交错式布线配置，同时阻止布线结构的整体宽度的增加，从而提高设计磁头悬架的自由度。
[0006] 为了实现该目标，本发明的一个方面提供一种磁头悬架的布线结构，包括挠曲件，其支撑用于写数据到记录介质及从记录介质读数据的磁头并附接到给磁头施加负载的负载梁。该布线结构包括形成在挠曲件上并连接到磁头的写布线和读布线，每个布线都具有相反极性的导线。该布线结构还包括至少为写布线设置的堆叠交错部件，该堆叠交错部件包括在每个段的两端电连接到写布线的各个导线的段。该段通过电绝缘层堆叠在写布线的导线上并面对它，从而相对的导线和段具有相反的极性以至少交错在堆叠交错部件处的写布线。
[0007] 本发明的该方面在堆叠交错部件处实现了交错的布线配置，从而阻止了整体布线宽度的增加，保证了设计磁头悬架的自由度。
[0008] 本发明的另一方面提供一种制造上述方面的布线结构的方法。该方法包括：形成第一和第二极性导线的布线步骤；在导线上形成电绝缘层并在导线上形成导体的绝缘层形成步骤，这样导体穿过电绝缘层并从电绝缘层的表面露出；以及在电绝缘层上形成堆叠交错部件并将堆叠交错部件电连接到导体的堆叠交错部件形成步骤。
[0010] 图1是图示采用了根据本发明的第一实施例的布线结构的磁头悬架的平面图；
[0011] 图2是沿图1的线II-II的截面图，图示了为根据第一实施例的磁头悬架的写布线设置的堆叠交错部件；
[0012] 图3是示意性地图示图2的堆叠交错部件的透视图；
[0013] 图4A至4D是图示制造图2的布线结构的方法的截面图，其中，图4A是布线步骤，图4B是绝缘层形成步骤，图4C是堆叠交错部件形成步骤，图4D是盖绝缘层形成步骤；
[0014] 图5A至5D是对应于图4A至4D的透视图，仅图示了堆叠交错部件处的布线；
[0015] 图6A至6F是图示图4A至4D的方法的变形的截面图，其中，图6A是布线步骤，图6B是绝缘层形成步骤，图6C至6E是堆叠交错部件形成步骤，图6D中，制作孔为了露出导线，图6F是盖绝缘层形成步骤；
[0016] 图7A至7D是图示图4A至4D的方法的另一变形的截面图，其中，图7A是布线步骤，图7B是绝缘层形成步骤，图7C是堆叠交错部件形成步骤，图7D是盖绝缘层形成步骤；
[0017] 图8A和8B是图示根据第一实施例的布线结构的传输损耗和频率之间的关系的图，其中，图8A是常规图，为具有堆叠交错部件的布线的传输损耗（GMAX），图8B是图8A的图的局部放大图；
[0018] 图9是图示根据本发明的第一实施例的第一变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图；
[0019] 图10是图示根据第一变形的导线宽度比和传输损耗下降（DIP）之间的关系的图；
[0020] 图11是图示根据本发明的第一实施例的第二变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图；
[0021] 图12是图示根据第二变形的导线宽度比和传输损耗下降（DIP）之间的关系的图，其中，区段45BA和43BA以及导线27和29每个间隔15μm；
[0022] 图13是图示根据本发明的第一实施例的第三变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图；
[0023] 图14是图示根据第三变形的导线宽度比和传输损耗下降之间的关系的图，其中，区段45CA和43CA之间的间隔比导线27和29之间的间隔宽，其外边缘对准；
[0024] 图15A至15C是图示为根据本发明的第一实施例的布线结构设置的窗口的出现或不出现的透视图，其中，图15A没有窗口，图15B具有窗口率为50%的窗口，图15C具有窗口率为100%的窗口；
[0025] 图16是图示根据第一实施例的窗口率和传输损耗下降之间的关系的图；
[0026] 图17是图示根据第一实施例的布线宽度比和带宽之间的关系的图，其中布线长度为30mm；
[0027] 图18是图示根据第一实施例的布线宽度比和阻抗之间的关系的图，其中布线长度为30mm；
[0028] 图19是图示根据第一实施例的阻抗和带宽之间的关系的图，其中布线长度为30mm；
[0029] 图20是图示为根据本发明的第二实施例的磁头悬架的写布线设置的堆叠交错部件的截面图；
[0030] 图21A至21D是制造图20的布线结构的方法的截面图，其中，图21A至21C是布线步骤，图21D是堆叠交错部件形成步骤；
[0031] 图22是图示根据现有技术的水平交错式布线结构的透视图；
[0032] 图23是图示图22的现有技术的电路图。
具体实施方式
[0033] 将解释本发明的实施例。每个实施例实现磁头悬架的堆叠式和交错式布线结构，同时阻止布线的宽度的增加，从而保证设计磁头悬架的自由度。
[0034] 将参考附图详细解释本发明的第一实施例。
[0035] 图1是图示应用了根据本发明的第一实施例的布线结构的磁头悬架的平面图。
[0038] 弹性部件11与刚性部件9分离，并用例如弹性薄不锈钢轧制钢板制造。弹性部件11的弹簧常数比刚性部件的低，而且是精确的。弹性部件11的厚度是例如大约40微米。
弹性部件11的第一端通过例如激光焊接固定到刚性部件9的后端。弹性部件11的第二端与加强板13形成一体。
弹性部件11的第一端通过例如激光焊接固定到刚性部件9的后端。弹性部件11的第二端与加强板13形成一体。
[0040] 加强板13加强基板15，从而形成基座5。基座5附接到绕着主轴被驱动的托架的臂。
[0041] 挠曲件7包括用导电薄板制造的基材17，导电薄板比如弹性薄不锈钢轧制钢板（SST），该钢板具有大约15至30微米的厚度。在基材17上，布线图19穿过基底绝缘层35而形成，该绝缘层下文再解释。
[0042] 布线图19包括写布线19a和读布线19b。每个写布线19a和读布线19b都包括第一极性导线和第二极性导线，它们是相反极性的导线。也就是说，第一极性是正极性和负极性中的一个，而第二极性是其中的另一个。写布线19a和读布线19b中的导线有时被称为“轨迹”。根据第一实施例，写布线19a设置为具有堆叠交错部件31。
[0043] 挠曲件7通过例如激光焊接固定在负载梁3的刚性部件9上。布线图19的第一端电连接到磁头21，布线图19的第二端延伸到基座5的外部。也就是说，写和读布线19a和19b形成在挠曲件7上并连接到磁头21，每个都具有相反极性的导线。
[0044] 挠曲件7具有支撑用于磁头21的滑块的悬臂舌23。
[0045] 磁头21具有写元件和读元件，写元件比如磁感应换能器，读元件比如MR元件、GMR元件或者TuMR元件，以提高读灵敏度。
[0046] 将详细解释具有根据第一实施例的布线结构的堆叠交错部件31的挠曲件7的堆叠结构。
[0047] 图2是沿图1的线II-II的截面图，图示了具有堆叠交错部件31的堆叠结构，图3是示意性地图示具有堆叠交错部件31的堆叠结构的透视图。
[0048] 在磁头悬架1的布线结构中，挠曲件7的写布线19a在基材17上有第一极性导线（轨迹）27、具有与第一极性导线27相反极性的第二极性导线（轨迹）29和作为堆叠结构的堆叠交错部件31。
[0049] 基材17具有穿过基材17形成的窗口33。窗口33具有宽度H和长度L（图15），并形成来增加阻抗以及加宽带宽。窗口33的宽度H被设为大于写布线19a的宽度，其长度L被设为与堆叠交错部件31相对应。也就是说，窗口33形成在与堆叠交错部件31相对应的位置处。窗口33相对于堆叠交错部件31的开口率或窗口率是可调的，从而调节将在下文解释的阻抗、带宽和传输损耗下降。根据第一实施例，窗口33相对于堆叠交错部件31的开口率（窗口率）是100%（图15）。
[0050] 在基材17上形成基底绝缘层35。基底绝缘层35是用挠性绝缘树脂制成的电绝缘层，挠性绝缘树脂如聚酰亚胺，具有大约5至20微米的厚度。在基底绝缘层35上，形成具有相反极性的导线27和29。
[0051] 在基底绝缘层35上的中间绝缘层37是用挠性绝缘树脂形成的电绝缘层，挠性绝缘树脂例如聚酰亚胺。在中间绝缘层37上形成堆叠交错部件31。在图2中，堆叠交错部件31的布线宽度等于具有相反极性的导线27和29的布线宽度。堆叠交错部件31的端部连接到导线27和29。堆叠交错部件31包括相对于导线27和29交替的面对的段43a和45a，这样彼此面对的面对段43a（45a）和导线29（27）具有相反的极性。
[0052] 堆叠交错部件31的端部和导线27和29之间的连接用穿过中间绝缘层37而形成的导体39a,39b,41a和41b来实施。
[0053] 堆叠交错部件31包括面对段43a和45a以及交叉段43b,43c,45b和45c。面对段43a和一对交叉段43b和43c形成电连接到第一极性导线27的第一极性段。面对段45a和一对交叉段45b和45c形成电连接到第二极性导线29的第二极性段。也就是说，堆叠交错部件31包括在每个段的两端电连接到写布线19a的各个导线27和29的段。
[0054] 第一极性的面对段43a堆叠在相反极性的第二极性的导线29上并面对它，中间绝缘层37插入在它们之间。第二极性的面对段45a堆叠在相反极性的第一极性的导线27上并面对它，中间绝缘层37插入在它们之间。第一极性的交叉段43b和43c在面对段43a的端部和相同极性的导线27之间伸展。第二极性的交叉段45b和45c在面对段45a的端部和相同极性的导线29之间伸展。也就是说，交叉段43b和43c（45b和45c）设置在面对段43a（45a）的各个端部。相反极性的交叉段43b和45c彼此交叉，相反极性的交叉段43c和
45b彼此交叉。
45b彼此交叉。
[0055] 这样，段通过中间绝缘层37堆叠在导线27和29上并面对着它们，从而使得面对的导线27（29）和段具有相反的极性，以在堆叠交错部件31处交错写布线19a。
[0056] 堆叠交错部件31的交叉配置在需要时是可调的。
[0057] 交叉段43b通过导体39a电连接到导线27，交叉段45b通过导体41a电连接到导线29。
[0058] 交叉段43c具有面对侧的臂43ca和导线侧的臂43cb，交叉段45c具有面对侧的臂45ca和导线侧的臂45cb。面对侧的臂43ca与形成在中间绝缘层37上的面对段43a是一体的，面对侧的臂45ca与形成在中间绝缘层37上的面对段45a是一体的。导线侧的臂43cb与形成在基底绝缘层35上的导线27是一体的，导线侧的臂45cb与形成在基底绝缘层
35上的导线29是一体的。
35上的导线29是一体的。
[0059] 面对侧的臂43ca和导线侧的臂43cb的端部通过导体39b彼此电连接。面对侧的臂45ca和导线侧的臂45cb的端部通过导体41b彼此电连接。结果，交叉段43b和45c彼此交叉，交叉段43c和45b彼此交叉。
[0060] 中间绝缘层37用盖绝缘层47来覆盖，盖绝缘层为由挠性绝缘树脂制成的电绝缘层，挠性绝缘树脂比如聚酰亚胺。盖绝缘层47的厚度大约是1至20微米。盖绝缘层47覆盖堆叠交错部件31的表面，从而保护它不受外力。
[0061] 将参照图4A至4D以及图5A至5D来解释制造根据第一实施例的布线结构的方法，其中，图4A是布线步骤，图4B是绝缘层形成步骤，图4C是堆叠交错部件形成步骤，图4D是盖绝缘层形成步骤。图5A至5D是仅图示了与图4A至4D相应的布线的透视图。
[0063] 在图4B和5B中，绝缘层形成步骤S2在具有导线27和29的基底绝缘层35上形成中间绝缘层37。由此，绝缘层37形成在导线27和29上。绝缘层37、孔39aa,41aa中的导体39a,39b,41a和41b等也通过镀铜形成。虽然图4B仅图示了用于导体39a和41a的孔39aa和41aa，但是用于导体39b和41b的孔也形成了。这些孔形成为穿过中间绝缘层37。导体39a,41a,39b和41b分别形成在导线27和29以及导线侧的臂43cb和45cb上，这样导体就穿过中间绝缘层37并从中间绝缘层37的表面露出。根据该实施例，导体露出来以与中间绝缘层37的表面基本齐平。
[0064] 在图4C和5C中，堆叠交错部件形成步骤S3在中间绝缘层37上形成堆叠交错部件31，并将堆叠交错部件31电连接到导体。也就是说，步骤S3通过例如在中间绝缘层37上镀铜形成面对段43a和45a、交叉段43b和45b和面对侧的臂43ca和45ca。交叉段43b和45b分别连接到导线27和29上的导体39a和41a。面对侧的臂43ca和45ca分别连接到导线侧的臂43cb和45cb上的导体39b和41b。
[0065] 图4C图示了交叉段43b和45b与导体39a和41a之间的连接，因此，从位置上而言，不同于图2，图2在没有导体出现的位置图示了导线27和29以及面对段43a和45a。
[0066] 在图4D和5D中，盖绝缘层形成步骤S4在中间绝缘层37上形成盖绝缘层47，从而覆盖堆叠交错部件31的表面。
[0067] 将参考图6A至6F解释图4A至4D和图5A至5D中说明的方法的变形，其中，图6A是布线步骤，图6B是绝缘层形成步骤，图6C至6E是堆叠交错部件形成步骤，图6F是盖绝缘层形成步骤。
[0068] 图6A的布线步骤S11、图6B的绝缘层形成步骤S12、图6C至6E的堆叠交错部件形成步骤S13至S15和图6F的盖绝缘层形成步骤S16分别对应于图4A的布线步骤S1、图4B的绝缘层形成步骤S2、图4C的堆叠交错部件形成步骤S3和图4D的盖绝缘层形成步骤S4。布线步骤S11和盖绝缘层形成步骤S16与布线步骤S1和盖绝缘层形成步骤S4基本相同。
[0069] 在图6B中，绝缘层形成步骤S12不形成孔。在图6D中，步骤S14形成孔39ab，41ab等，孔穿过堆叠交错部件31和电绝缘层，即交叉段43b和45b、面对侧的臂43ca和45ca、中间绝缘层37并到达导线27和29以及导线侧的臂43cb和45cb。虽然图6D仅图示了用于导体39a和41a的孔，但是用于导体39b和41b的孔也形成了。在图6E中，步骤S15通过例如像图5一样的镀铜在孔39ab,41ab等中形成导体39a,41a,39b和41b。
[0070] 将参考图7A至7D解释图4A至4D和图5A至5D中说明的方法的另一变形，其中，图7A是布线步骤，图7B是绝缘层形成步骤，图7C是堆叠交错部件形成步骤，图7D是盖绝缘层形成步骤。
[0071] 图7A的布线步骤S21、图7B的绝缘层形成步骤S22、图7C的堆叠交错部件形成步骤S23和图7D的盖绝缘层形成步骤S24分别对应于图4A的布线步骤S1、图4B的绝缘层形成步骤S2、图4C的堆叠交错部件形成步骤S3和图4D的盖绝缘层形成步骤S4。布线步骤S21和盖绝缘层形成步骤S24与布线步骤S1和盖绝缘层形成步骤S4基本相同。
[0072] 在图7B中，绝缘层形成步骤S22在导线27和29上形成穿过中间绝缘层37的孔39ac，41ac等。虽然图7B仅图示了用于导体39a和41a的孔，但是用于导体39b和41b的孔也形成了。在图7C中，步骤S23通过例如像图5一样的镀铜在孔内形成导体39a,39b,41a和41b，并一起形成堆叠交错部件31（尤其是其段）。
[0073] 也就是说，步骤S23在中间绝缘层37上通过镀铜形成面对段43a和45a、交叉段43b和45b、面对侧的臂43ca和45ca。与此同时，导体39a,41a,39b和41b形成在孔39ac,41ac等内。因此，步骤S23将堆叠交错部件31电连接到导线27和29。
[0074] 将解释本发明的第一实施例的效果。
[0075] 根据第一实施例的磁头悬架1的布线结构包括挠曲件7，其支撑用于写数据到记录介质及从记录介质中读数据的磁头21并附接到施加负载到磁头21的负载梁3。
[0076] 布线结构具有形成在挠曲件7上并电连接到磁头21的写布线19a和读布线19b，每个布线具有相反极性的导线。
[0077] 挠曲件7具有导电薄基材17、形成在基材17上的基底绝缘层35和形成在基底绝缘层35上的写布线19a和读布线19b。布线19a设置有堆叠交错部件31。堆叠交错部件31包括形成在中间绝缘层37上的面对段43a和45a，中间绝缘层37形成在基底绝缘层35上。面对段43a和45b是在每个段的两端处电连接到各自的导线27和29的段。面对段
43a和45b通过中间绝缘层37堆叠在导线27和29上并面对它们，这样彼此面对的导线和面对段具有相反极性以在堆叠交错部件31处交错写布线19。
43a和45b通过中间绝缘层37堆叠在导线27和29上并面对它们，这样彼此面对的导线和面对段具有相反极性以在堆叠交错部件31处交错写布线19。
[0078] 相应地，布线结构通过堆叠交错部件31形成交错的布线结构，以阻止写布线19a的整体布线宽度的增加，从而保证设计磁头悬架1的自由度。
[0079] 如图4A至4D和5A至5D所示的根据第一实施例的磁头悬架1的布线结构的制造方法包括：形成与导线侧的臂43cb和45cb一体的导线27和29的布线步骤S1；绝缘层形成步骤S2，其在导线27和29上形成中间绝缘层37、以及在导线27和29和导线侧的臂43cb和45cb上的导体39a,41a,39b和41b，从而导体39a,41a,39b和41b穿过中间绝缘层
37并从中间绝缘层37的表面露出；堆叠交错部件形成步骤S3，其形成堆叠交错部件31，即中间绝缘层37上的面对段43a和45a、交叉段43b和45b和面对侧的臂43ca和45ca，从而交叉段43b和45b连接到导线27和29上的导体39a和41a，面对侧的臂43ca和45ca连接到导线侧的臂43cb和45cb上的导体39b和41b；以及形成覆盖中间绝缘层37的盖绝缘层
47的盖绝缘层形成步骤S4。
37并从中间绝缘层37的表面露出；堆叠交错部件形成步骤S3，其形成堆叠交错部件31，即中间绝缘层37上的面对段43a和45a、交叉段43b和45b和面对侧的臂43ca和45ca，从而交叉段43b和45b连接到导线27和29上的导体39a和41a，面对侧的臂43ca和45ca连接到导线侧的臂43cb和45cb上的导体39b和41b；以及形成覆盖中间绝缘层37的盖绝缘层
47的盖绝缘层形成步骤S4。
[0080] 该方法适当地形成了堆叠交错部件31。
[0081] 根据第一实施例，堆叠交错部件31的布线宽度等于包括如图2所示的导线27和29的写布线19a的布线宽度。这种配置展示了在图8A和8B的图中所示的传输损耗和频率的特性，其中，图8A是常规图，图8B是图8A的图的局部放大图。在图8A和8B中，纵坐标表示传输损耗，横坐标表示频率，特性曲线49表示具有相应于导线27和29的导线而没有堆叠交错部件31的标准布线，特性曲线51表示具有堆叠交错部件31的第一实施例的布线。
[0082] 在图8A和8B中，标准布线的曲线49是平滑的，而根据第一实施例的布线的曲线51包括传输损耗下降51a。
[0083] 下降51a起无意识的过滤器或使带宽变窄的作用。
[0084] 为了解决这个问题，将参考图9-14来解释第一实施例的第一至第三变形。
[0085] 图9是图示根据本发明的第一实施例的第一变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图，图10是图示根据第一实施例的第一变形的布线宽度比和传输损耗下降之间的关系的图。
[0086] 图11是图示根据本发明的第一实施例的第二变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图，图12是图示根据第一实施例的第二变形的布线宽度比和传输损耗下降之间的关系的图。
[0087] 图13是图示根据本发明的第一实施例的第三变形的磁头悬架的写布线的堆叠交错部件的截面图，图14是图示根据第一实施例的第三变形的布线宽度比和传输损耗下降之间的关系的图。
[0088] 图9中图示的第一变形的与图2中图示的第一实施例的相对应的部件用相同的附图标记或者相同的附图标记加“A”来表示。图11中图示的第二变形的与图2相应的部件用相同的附图标记或者相同的附图标记加“B”来表示。图13中图示的第三变形的与图2相应的部件用相同的附图标记或者相同的附图标记加“C”来表示。
[0089] 在图9、11和13的第一至第三变形中的每个中，堆叠交错部件31A（31B,31C）的面对段43Aa（43Ba，43Ca）和45Aa（45Ba,45Ca）的整体布线宽度比导线27和29的整体布线宽度窄。
[0090] 根据图9的第一变形，堆叠交错部件31A的面对段43Aa和45Aa形成在导线27和29的横向中心侧上。
[0091] 根据图11的第二变形，堆叠交错部件31B的面对段43Ba和45Ba形成在导线27和29的横向内侧上。
[0092] 根据图13的第三变形，堆叠交错部件31C的面对段43Ca和45Ca形成在导线27和29的横向外侧上。
[0093] 第一至第三变形的其余配置与图1至3的第一实施例相同。
[0094] 将参考图10、12和14的图解释每个变形的布线宽度比和传输损耗下降之间的关系。在每个图中，纵坐标表示传输损耗下降，横坐标表示布线宽度比。“布线宽度比”是面对段43Aa（43Ba，43Ca）和45Aa（45Ba,45Ca）的整体布线宽度与导线27和29的整体布线宽度的比。
[0095] 可以考虑优选0.1dB或更低的传输损耗下降。图9和10的第一变形展示了在45-70%的布线宽度比处，图11和12的第二变形在30-65%的布线宽度比处，图13和14的第三变形在50-70%的布线宽度比处，传输损耗下降是0.1dB或更低。相应地，这些布线宽度比对各自的变形而言是优选的。
[0096] 如果允许更大的传输损耗下降，布线宽度比的优选范围也会更宽。
[0097] 传输损耗下降还可以通过改变窗口33相对于堆叠交错部件31的开口率（窗口率）而调整。图15A至15C是图示为根据本发明的第一实施例的布线结构设置的窗口33的出现或不出现的透视图，其中，图15A没有窗口，图15B具有开口率为50%的窗口，图15C具有开口率为100%的窗口。
[0098] 图16是图示窗口率和传输损耗下降之间的关系的图。
[0099] 如图16所示，100%的窗口率展示了最小的传输损耗下降。最好是根据所需特性选择窗口率。
[0100] 第一实施例的第一至第三变形相对于导线27和29不同地布置了面对段43Aa（43Ba，43Ca）和45Aa（45Ba,45Ca），相应地，展示了不同的带宽。
[0101] 图17是图示布线宽度比和带宽之间的关系的图，图18是图示布线宽度比和阻抗之间的关系的图，图19是图示阻抗和带宽之间的关系的图。在图17中，纵坐标表示带宽，横坐标表示布线宽度比。在图18中，纵坐标表示阻抗，横坐标表示布线宽度比。在图19中，纵坐标表示带宽，横坐标表示阻抗。
[0102] 与图17的带宽相关，图11的将堆叠交错部件31B的面对段43Ba和45Ba布置在导线27和29的横向内侧上的第二变形的特性曲线53显示了最窄的带宽，图9的将堆叠交错部件31A的面对段43Aa和45Aa布置在导线27和29的横向中心侧的第一变形的特性曲线55显示了中间的带宽，图13的将堆叠交错部件31C的面对段43Ca和45Ca设置在导线27和29的横向外侧的第三变形的特性曲线57显示了最宽的带宽。
[0103] 与图18的阻抗相关，第二变形的特性曲线53显示了最高的阻抗，第三变形的特性曲线57显示了中间的阻抗，第一变形的特性曲线55显示了最低的阻抗。
[0104] 在图19的相同阻抗下，第三变形的特性曲线57显示了最宽的带宽。
[0105] 考虑到布线中的校正误差，采取中心侧布置的图9的第一变形的特性曲线55是最优选的。
[0106] 根据所需特性，可以选择面对段对43Aa和45Aa、43Ba和45Ba以及43Ca和45Ca中的一种布置。
[0107] 将参考图20-21详细解释本发明的第二实施例。
[0108] 图20是图示根据本发明的第二实施例的为磁头悬架的写布线设置的堆叠交错部件的截面图。图20中与图2的第一实施例相对应的部件用相同的附图标记加“D”来表示。
[0109] 根据第二实施例，写布线19Da的相反极性的导线27D和29D用挠曲件7D的导电薄基材17D的一部分来形成。
[0110] 基底绝缘层35D是形成在基材17D上的电绝缘层，在基底绝缘层35D上形成了堆叠交错部件31D。堆叠交错部件31D的端部电连接到导线27D和29D。堆叠交错部件31D包括分别面对导线29D和27D的面对段43Da和45Da，以及与第一实施例相同的其他元件。
[0111] 第二实施例与第一实施例的不同在于第二实施例部分地使用挠曲件7D的基材17D来形成导线27D和29D，省略了第一实施例的中间绝缘层37，在基底绝缘层35D上形成了堆叠交错部件31D。
[0112] 第二实施例的其余配置与图1至3所示的第一实施例相同。
[0113] 根据第二实施例的布线结构可以类似于第一实施例制造。也就是说，基底绝缘层35D以及导体39Da和41Da形成在基材17D上，堆叠交错部件31D形成在基底绝缘层35D上。
[0114] 第二实施例提供与第一实施例所提供的效果类似的效果。第二实施例省略了第一实施例的中间绝缘层37，从而使得布线结构更薄更简化。
[0115] 图21A至21D是图示图20的布线结构的制造方法的截面图，其中，图21A至21C是布线步骤，图21D是堆叠交错部件形成步骤。绝缘层形成步骤和盖绝缘层形成步骤没有图示。
[0116] 图21A至21C的步骤S31至S33相应于图4A的布线步骤S1，图21D的步骤S34相应于图4C的堆叠交错部件形成步骤S3。
[0117] 图21A的布线步骤S31从基材17D形成导线27D和29D。图21B的布线步骤S32形成孔39Daa，41Daa等。虽然图21B仅图示了用于导体39Da和41Da的孔，但是也形成了用于与导体39b和41b（图5）相应的导体的孔。图21C的布线步骤S33通过例如镀铜形成导体39Da和41Da等。
[0118] 这样，根据第二实施例的布线结构制造方法与第一实施例类似地实施，从而在基材17D上形成基底绝缘层35D和导体39Da、41Da等，并在基底绝缘层35D上形成堆叠交错部件31D。
[0119] 导体39Da和41Da等可以根据图6A至6F以及7A至7D中图示的任一方法来形成。
[0120] 如果采用了图6A至6F的方法，步骤S32就不形成孔39Daa，41Daa等。步骤S34通过例如镀铜形成堆叠交错部件31D（包括交叉段43Db和45Db）。穿过堆叠交错部件31D的孔和基底绝缘层35D类似于图6D的步骤S14形成。导体39Da、41Da等通过例如镀铜形成在孔中，从而将堆叠交错部件31D电连接到导线27D和29D。
[0121] 如果采用了图7A至7D的方法，步骤S32就形成孔39Daa，41Daa等。省略步骤S33。步骤S34通过例如镀铜形成导体39Da、41Da等，与堆叠交错部件31D（包括交叉段43Db和
45Db）一起。
45Db）一起。
[0122] 第二实施例适用于形成翻转配置的布线结构。也就是说，堆叠交错部件31D的面对段43Da和45Da等通过部分地利用基材17D形成。导线27D和29D通过例如镀铜形成在基底绝缘层35D上。导体39Da、41Da等如上述形成。
[0123] 根据实施例，堆叠交错部件31（31A-D）仅为写布线19a设置。但是，堆叠交错部件也可以用于读布线19b。既然这样，用于读布线的堆叠交错部件就可以用与写布线19a相同的结构来实现。
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