技术领域
[0001] 本
发明涉及PCB加工制作技术领域，特别是涉及一种半固化片涨缩测量方法。
背景技术
[0002] 半固化片又称“PP片”，是多层板生产中的主要材料之一，主要由
树脂和
增强材料组成，增强材料又分为玻纤布、纸基、
复合材料等几种类型，而制作多层印制板所使用的半固化片(黏结片)大多是采用玻纤布做增强材料。
[0003] 半固化片经过高温高压的
层压处理后，因其含有树脂发生交联反应，由半固化状态转变为固化状态，此时随着交联的作用带来体积缩小，从而导致层压收缩，因此会首先给出预放系数(预补偿系数)到前工序并光成像进行曝光，从而保证PCB图形尺寸大小、
位置与设计图形接近一致，最终满足客户贴装要求。多层PCB在层压过程中会进行混压，也即相同或不同规格芯板结合不同树脂体系、玻布的半固化片进行压合，由于不同规格半固化片固化收缩引起的尺寸变化存在一定的差异，从而导致芯板尺寸涨缩差异，进而导致整个PCB层偏超差，最终给PCB带来内层
短路和内层开路等失效模式。
[0004] 传统为了给出预放系数，对于同种规格芯板对应同种规格半固化片的组合形式，其做法是结合各类因素，设计试验板，根据两到三个主要影响因素得到预拉伸系数，根据累积的生产涨缩数据不断更新，形成
数据库，最终达到消除涨缩带来的PCB尺寸超差，同样，混压也是如此。虽然这种方法在一定程度能够解决涨缩变化带来的报废，但是该方法没有考虑半固化片对芯板尺寸涨缩的影响，导致芯板容易受到PCB加工制程的影响而产生芯板尺寸涨缩超差带来的PCB涨缩超差报废。
发明内容
[0005] 基于此，有必要针对传统因半固化片对芯板尺寸涨缩的影响带来PCB涨缩超差报废的问题，提供一种可得到半固化片的涨缩变化值的半固化片涨缩测量方法。
[0006] 一种半固化片涨缩测量方法，包括步骤：
[0007] 1)提供至少四个金属片；
[0008] 2)将多个所述金属片间隔附于半固化片上，并加热所述金属片以使所述金属片粘附于所述半固化片上；
[0009] 3)在
选定位置测量每两个所述金属片之间的间距，记为初始间距；
[0010] 4)在所述半固化片上附上
铜箔并进行层压处理；
[0011] 5)剥去所述铜箔，并测量经层压处理后的所述半固化片上的每两个所述金属片的选
定位置之间的间距，记为最终间距；
[0012] 6)计算所述初始间距与所述最终间距之间的差值，记为所述半固化片的涨缩值。
[0013] 本发明
实施例提供的半固化片涨缩测量方法，通过附于半固化片上的金属片的最终间距与初始间距之间的差值，可以得出半固化片的涨缩值，在制作PCB板时根据半固化片的涨缩值考虑对芯板的影响，可以减少PCB板的涨缩报废。
[0014] 在其中一个实施例中，所述步骤1)及所述步骤2)之间还包括步骤：在半固化片上制作至少四个定位标示，使每个所述金属片分别粘附于对应的所述定位标示处。
[0015] 在其中一个实施例中，所述步骤在半固化片上制作至少四个定位标示具体包括步骤：
[0016] 提供矩形半固化片；
[0017] 沿所述半固化片的玻纤的经向与纬向制作至少四个定位标示。
[0018] 在其中一个实施例中，所述步骤在半固化片上制作至少四个定位标示具体包括步骤：
[0019] 提供圆形半固化片；
[0020] 沿所述半固化片的直径方向或圆周方向制作至少四个定位标示。
[0021] 在其中一个实施例中，所述步骤2)具体包括步骤：
[0022] 提供相同大小的圆形金属片；
[0023] 将每个所述金属片的圆心分别对准相对应的所述定位标示附于所述半固化片上，并加热所述金属片以使所述金属片粘附于所述定位标示处。
[0024] 在其中一个实施例中，所述金属片的直径为1mm-4mm。
[0025] 在其中一个实施例中，所述步骤3)具体包括步骤：
[0026] 测量每两个所述金属片之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为初始间距；
[0027] 和/或所述步骤5)具体包括步骤：
[0028] 测量经层压处理后的所述半固化片上的每两个所述金属片的选定位置之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为最终间距。
[0029] 在其中一个实施例中，所述步骤6)具体包括步骤：
[0030] 计算所述最终间距与所述初始间距之间的差值再比上所述初始间距，记为所述半固化片的涨缩值。
[0031] 在其中一个实施例中，重复所述步骤1)到所述步骤6)，以得到不同树脂体系及不同玻纤的半固化片的涨缩值。
[0032] 在其中一个实施例中，在PCB制作过程中根据不同所述半固化片的涨缩值选择半固化片。
附图说明
[0033] 图1为本发明一实施例提供的半固化片涨缩测量方法的
流程图。
具体实施方式
[0034] 为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
[0035] 需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“
水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0036] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的
说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0037] 参阅图1，本发明一实施例提供一种半固化片涨缩测量方法，包括步骤：
[0038] S110：提供至少四个金属片；
[0039] 具体地，提供的金属片的大小及形状不受限制，且金属片的数量为四个或者多于四个。
[0040] S120：将多个金属片间隔附于半固化片上，并加热金属片以使金属片粘附于半固化片上；
[0041] 具体地，每两个金属片之间分别间隔一定的距离设于半固化片上，且每两个金属片之间间隔的距离可以相同也可以不同。采用加热设备，如加热器对金属片加热，以使金属片粘在半固化片上，此时半固化片设有金属片的位置从半固化态呈现为固化态，在后续的层压过程中，半固化片设有金属片的位置处将不会产生流胶，从而很好的避免了后续的层压流
胶带来的测试误差。
[0042] S130：在选定位置测量每两个金属片之间的间距，记为初始间距；
[0043] 具体地，在每个金属片上设置一个选定位置，当多个金属片具有相同的大小及形状时，在每个金属片上的选定位置可以设置为相同，然后采用测量设备(如高
精度的二次元测量仪)测量每两个金属片的选定位置之间的间距，记载为初始间距。由于至少有四个金属片，则此时每两个金属片的选定位置之间形成一个测量间距，均记为初始间距。
[0044] S140：在半固化片上附上铜箔并进行层压处理；
[0045] 具体地，在半固化片的两侧均设附有铜箔，对铜箔与半固化片进行层压处理。更具体地，铜箔包括毛面及与背对毛面设置的光面，铜箔的光面与半固化片结合，金属片位于半固化片与铜箔之间，然后进行层压处理。
[0046] S150：剥去铜箔，并测量经层压处理后的半固化片上的每两个金属片的选定位置之间的间距，记为最终间距；
[0047] 具体地，将铜箔从半固化片剥去，并采用测量设备(该测量设备可以采用与上述的测量设备相同的测量设备，也可以采用与上述的测量设备不同的测量设备)测量每两个金属片的选定位置之间的间距，记载为最终间距。由于至少有四个金属片，则此时每两个金属片的选定位置之间形成一个测量间距，均记为最终间距。
[0048] S160：计算初始间距与最终间距之间的差值，记为半固化片的涨缩值。
[0049] 具体地，将最终间距减去相对应的初始间距得出的差值，记为半固化片的涨缩值，也可以采用最终间距减去初始间距所得出的差值的绝对值记为半固化片的涨缩值。
[0050] 本发明实施例提供的半固化片涨缩测量方法，通过附于半固化片上的金属片的最终间距与初始间距之间的差值，可以得出半固化片的涨缩值，在制作PCB板时根据半固化片的涨缩值考虑对芯板的影响，可以减少PCB板的涨缩报废。
[0051] 进一步，在本实施例中，在步骤S110与步骤S120之间还包括步骤：在半固化片上制作至少四个定位标示，使每个金属片相对应地粘附于定位标示处。具体地，半固化片为矩形，多个定位标示沿半固化片的玻纤的经向与纬向制作。在其他实施例中，半固化片为圆形，多个定位标示沿半固化片直径方向或圆周方向制作。
[0052] 在其他实施例中，可以在提供至少四个金属片之前，在半固化片上制作至少四个定位标示。
[0053] 进一步，步骤S120具体包括步骤：
[0054] 提供相同大小的圆形金属片；
[0055] 具体地，为了测量的精度，可以选择直径为1mm-4mm的圆形金属片。在其他实施例中，金属片也可以选择其他直径。
[0056] 将每个圆形金属片的圆心分别对准相对应的定位标示附于半固化片上，并加热金属片以使金属片粘附于定位标示处。
[0057] 在本实施例中，由于金属片为圆形，选定位置为金属片的圆心，测量每两个金属片之间的圆心之间的距离以记为初始间距，当层压后，对应测量每两个金属片之间的圆心之间的距离以记为最终间距。在其他实施例中，选定位置也可以不选择金属片的圆心，如选择在金属片的周缘。
[0058] 进一步，步骤S130具体包括步骤：
[0059] 测量每两个金属片之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为初始间距，以减少测量误差。
[0060] 且步骤S150具体包括步骤：
[0061] 测量经层压处理后的半固化片上的每两个金属片的选定位置之间的间距的次数为三次以上，取所有的测量数据的平均值作为最终间距，以减少测量误差。
[0062] 进一步，在本实施例中，计算最终间距与初始间距之间的差值再比上初始间距，记为半固化片的涨缩值，以提高测量精度。
[0063] 进一步，可以通过重复步骤S110到步骤S150，以得到不同树脂体系及不同玻纤的半固化片的涨缩值。
[0064] 在PCB制作过程中根据不同半固化片的涨缩值选择半固化片。具体地，可以根据不同树脂体系、玻纤的半固化片对应的涨缩值得到对应不同种类的半固化片的涨缩变化趋势曲线图，进而可通过观察不同树脂体系、玻纤的半固化片相应涨缩变化趋势图反推出每种半固化片对芯板尺寸涨缩影响的趋势，从而得出预放系数。
[0065] 在测量不同半固化片的涨缩值时(即在得到不同树脂体系及不同玻纤的半固化片的涨缩值的过程中)，可以选择在每次层压处理时所使用的层压装置为同一装置，且每次层压处理的压程相同，如此可避免在层压过程中层压装置自身及层压参数的误差对测量结果的影响，保证了每次层压处理后半固化片的尺寸变化都是来自自身属性的变化，不会因为所使用的层压装置不同或者层压参数不同而产生加工误差。
[0066] 对于混压，通过上述半固化片涨缩测试方法获取涨缩值，根据已有的相同规格芯板对应相同规格半固化
片层压前的预放系数，进而通过比较不同种类半固化片涨缩值，快速反推出相同规格芯板或不同规格芯板对应不同规格半固化片混压前的预放系数，从而确保芯板与半固化片经层压处理后整体涨缩一致，进而避免了因层压涨缩超差带来的内层短路与内层开路。
[0067] 当然，得到不同树脂体系、玻纤的半固化片涨缩变化趋势图不局限于曲线图，表格或其他合适方式也可以。
[0068] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
[0069] 以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明
专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干
变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附
权利要求为准。
