一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构
专利汇可以提供一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种降低蓝光LED 缺陷 密度 的发光 二极管 结构，涉及 发光二极管 外延 技术领域。本 发明 从下至上依次包括图形化的蓝 宝石 衬底、AlN 缓冲层 、U型GaN层、N型GaN层、有源区、 电子 阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层的生长厚度为1-10um，U型GaN层中间插入一层AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层，其中Al的组分为0.01 现有技术 相比，本发明能有效降低位错密度，提高外延层的晶体 质量 ，提升蓝光LED的 发光效率 。，下面是一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构专利的具体信息内容。
1.一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，它从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）的生长厚度为1-10um，U型GaN层（3）中间插入一层AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层（10），其中Al的组分为0.01
3.根据权利要求1或2所述的降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于：
所述AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层（10）中AlxGa1-xN的厚度为10-5000埃，SiNx的厚度为
10-5000埃。
一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构
技术领域
背景技术
达10 cm 以上。因此，产生自发极化和压电效应，从而形成较强的内建电场，促使能带的弯曲，降低波函数的复合的几率，LED的发光效率也将明显的下降。
发明内容
层，使外延层缺陷密度可以降低到10 ~10 cm ，极大的提高外延层的晶体质量。本发明结构不仅可以将电压降低大约0.1-0.2V，同时，还可使内量子发光效率提升5%以上。同现有技术相比，本发明通过改变应力的变化，降低衬底与外延层之间晶格失配度，从而大大减低外延层中的缺陷密度，提高外延层的晶体质量，达到降低内建电场，减缓能带的弯曲，进而降低器件内部吸光的影响，提高蓝光LED的发光效率。
附图说明
具体实施方式
然后迅速升温，在1000℃生长U型GaN层3，生长大约10min，插入一层超晶格AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层10。在氢气或者氮气的情况下，温度在650℃下生长，先生长AlxGa1-xN厚度为10埃，再生长SiNX厚度为10埃，再在1000℃的温度下继续生长U型GaN层3，生长时间为20min。之后，在器件上表面生长N型GaN层4，生长温度为1000℃，生长厚度为0.5um。
厚度为1000埃，Mg的浓度为5x10 cm。
然后迅速升温，在1100℃生长U型GaN层3，生长大约40min，插入一层超晶格AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层10。在氢气或者氮气的情况下，温度在850℃下生长，先生长AlxGa1-xN厚度为1000埃，再生长SiNX厚度为300埃，再在1100℃的温度下继续生长U型GaN层3，生长时间为40min。之后，在器件上表面生长N型GaN层4，生长温度为1100℃，生长厚度为3um。
800℃，厚度为3000埃，Mg的浓度为5x10 cm。
5000埃，再生长SiNX厚度为5000埃，再在1200℃的温度下继续生长U型GaN层3，生长时间为90min。之后，在器件上表面生长N型GaN层4，生长温度为1200℃，生长厚度为10um。
1000℃，厚度为5000埃，Mg的浓度为1x10 cm。
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