一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法
专利汇可以提供一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种提高 半导体 激光器 腔面 镀 膜 质量 的方法，通过激光淬火装置对bar条的前腔面和后腔面进行淬火，使膜层内部 原子 结构重新排列组合，得到致密的、应 力 小的高质量 薄膜 。在镀膜机内部直接进行激光淬火处理，工艺方法简单易操作，就可以得到致密性高、 应力 小的高质量薄膜。激光淬火的方式可以使材料材料表面迅速升温和降温，提高注入杂质的激活率与迁移率的同时不对腔面膜造成损伤。同时激光淬火具有加热速度快、热影响较小的优点，达到减小应力的目的。，下面是一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法专利的具体信息内容。
1.一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)将外延片放置于解理机中解理呈bar条，将解理后的的bar条放入真空镀膜机中；
b)开启真空镀膜机，使其内部抽至真空状态；
c)在真空镀膜机中使用低能大束离子流对bar条前腔面进行离子清洗；
d)开启镀膜机内的电流加热装置，将放置bar条的基板及膜料加热；
e)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条前腔面镀增透膜，前腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
f)开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条前腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
g)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条进行翻转，翻转后对bar条后腔面镀高反膜，后腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
h) 开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条后腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
i)打开水冷装置，使真空镀膜机的镀膜腔室降温，打开真空镀膜机放气阀，放气完毕后取出蒸镀好的bar条。
2.根据权利要求1所述的提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，其特征在于：步骤c)中的低能大束离子流的能量小于100eV。
3.根据权利要求1所述的提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，其特征在于：步骤c)中离子清洗的清洗时间为30秒-6分钟。
4.根据权利要求1所述的提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法，其特征在于：步骤d)中放置bar条的基板及膜料加热温度为180-250℃。
一种提高半导体激光器腔面镀膜质量的方法
技术领域
背景技术
发明内容
a)将外延片放置于解理机中解理呈bar条，将解理后的的bar条放入真空镀膜机中；
b)开启真空镀膜机，使其内部抽至真空状态；
c)在真空镀膜机中使用低能大束离子流对bar条前腔面进行离子清洗；
d)开启镀膜机内的电流加热装置，将放置bar条的基板及膜料加热；
e)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条前腔面镀增透膜，前腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
f)开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条前腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
g)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条进行翻转，翻转后对bar条后腔面镀高反膜，后腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
h) 开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条后腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
i)打开水冷装置，使真空镀膜机的镀膜腔室降温，打开真空镀膜机放气阀，放气完毕后取出蒸镀好的bar条。
具体实施方式
b)开启真空镀膜机，使其内部抽至真空状态；
c)在真空镀膜机中使用低能大束离子流对bar条前腔面进行离子清洗；
d)开启镀膜机内的电流加热装置，将放置bar条的基板及膜料加热；
e)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条前腔面镀增透膜，前腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
f)开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条前腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
g)开启膜料盖板及膜厚检测装置对bar条进行翻转，翻转后对bar条后腔面镀高反膜，后腔面镀膜完成后，关闭膜料盖板及膜厚检测装置；
h) 开启激光淬火装置，对激光出射角度进行调整，使激光直接照射在bar条后腔面上，使bar条前腔面升温至700-1200℃并保持5-30秒；
i)打开水冷装置，使真空镀膜机的镀膜腔室降温，打开真空镀膜机放气阀，放气完毕后取出蒸镀好的bar条。
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