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负极集流体、负极极片及电化学装置

阅读:1023发布:2020-07-08

专利汇可以提供负极集流体、负极极片及电化学装置专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种负极集 流体 、负极极片及电化学装置,负极集流体包括有机 支撑 层以及设置于有机支撑层的至少一个表面上的 铜 基导电层,铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm。本发明提供的负极集流体具有良好的 力 学性能,同时兼具较小的重量及良好的导电和集流的性能,从而能够提高负极集流体、负极极片及电化学装置的制备优率和使用过程中的安全性及可靠性,并且有利于使电化学装置具有较高的重量 能量 密度 以及良好的电化学性能。,下面是负极集流体、负极极片及电化学装置专利的具体信息内容。

1.一种负极集流体,其特征在于,包括有机支撑层以及设置于所述有机支撑层的至少一个表面上的基导电层,所述铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm。
2.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述铜基导电层的厚度D1与所述铜基晶粒尺寸d之间满足1≤D1/d≤300,优选为2≤D1/d≤100,更优选为3≤D1/d≤50;和/或,所述铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为30nm~300nm,优选为50nm~150nm。
3.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述有机支撑层的杨氏模量E为E≥
2GPa,优选为2GPa≤E≤20GPa。
4.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述负极集流体的断裂伸长率大于或等于3%。
5.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述铜基导电层的厚度D1为30nm≤D1≤3μm,优选为300nm≤D1≤2μm,优选为500nm≤D1≤1.5μm,更优选为600nm≤D1≤1.2μm;
和/或,
所述有机支撑层的厚度D2为1μm≤D2≤30μm,优选为1μm≤D2≤15μm,优选为1μm≤D2≤10μm,优选为1μm≤D2≤8μm,优选为2μm≤D2≤8μm,更优选为2μm≤D2≤6μm。
6.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述铜基导电层包括铜及铜合金中的一种或多种;
所述铜合金包含铜元素及添加元素,所述添加元素优选为、镍、铬、、钴、锰、锌、锆、钼、铌、钨、、钯及镉中的一种或多种,所述铜合金中铜元素的质量百分含量优选为
80wt%以上;
优选地,所述铜基导电层为气相沉积层或电层。
7.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,所述有机支撑层包括高分子材料及高分子基复合材料中的一种或多种;
所述高分子材料为聚酰胺、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚二甲酸乙二醇酯、聚酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚丙乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚乙烯醇、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、聚苯乙烯磺酸钠、聚乙炔、橡胶、聚甲、聚苯醚、聚苯硫醚、聚乙二醇、聚氮化硫类、聚苯、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚吡啶、纤维素、淀粉蛋白质、环树脂酚醛树脂、它们的衍生物、它们的交联物及它们的共聚物中的一种或多种;
所述高分子基复合材料包括所述高分子材料和添加剂,所述添加剂包括金属材料及无机非金属材料中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的负极集流体,其特征在于,进一步包括保护层,所述保护层设置于所述铜基导电层自身厚度方向上相对的两个表面中的至少一者上;
所述保护层包括金属、金属氧化物及导电碳中的一种或多种,优选包括镍、铬、镍基合金、铜基合金、氧化、氧化钴、氧化铬、氧化镍、石墨、超导碳、乙炔黑炭黑、科琴黑、碳点、碳纳米管石墨烯及碳纳米纤维中的一种或多种;
优选地,所述保护层的厚度D3为1nm≤D3≤200nm,且所述保护层的厚度D3与所述铜基导电层的厚度D1之间满足D3≤0.1D1。
9.一种负极极片,其特征在于,包括负极集流体以及设置于所述负极集流体上的负极活性物质层,其中所述负极集流体为权利要求1至8任一项所述的负极集流体。
10.一种电化学装置,其特征在于,包括正极极片、负极极片及电解质,其中所述负极极片为权利要求9所述的负极极片。

说明书全文

负极集流体、负极极片及电化学装置

技术领域

[0001] 本发明属于电化学装置技术领域,尤其涉及一种负极集流体、负极极片及电化学装置。

背景技术

[0002] 电化学装置,例如锂离子二次电池,具备良好的充放电性能、且环境友好,被广泛地应用于电动汽车以及消费类电子产品中。集流体是电化学装置中重要的组成部分,其既
为活性物质层提供支撑,又用于将活性物质层产生的电流汇集起来以便对外输出。因此,集
流体对电极极片及电化学装置的性能具有重要影响。
[0003] 基于此,本申请提出一种性能优良的负极集流体、负极极片及电化学装置。

发明内容

[0004] 本发明实施例提供一种负极集流体、负极极片及电化学装置,旨在提高负极集流体的学性能,并使其兼具较小的重量及良好的导电和集流的性能。
[0005] 一方面,本发明实施例提供一种负极集流体,负极集流体包括有机支撑层以及设置于有机支撑层的至少一个表面上的基导电层,铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为10nm
~500nm。
[0006] 第二方面,本发明实施例提供一种负极极片,负极极片包括负极集流体以及设置于负极集流体上的负极活性物质层,其中负极集流体为根据本申请实施例一方面的负极集
流体。
[0007] 第三方面,本发明实施例提供一种电化学装置,电化学装置包括正极极片、负极极片及电解质,其中负极极片为根据本申请实施例第二方面的负极极片。
[0008] 本发明实施例提供的负极集流体、负极极片及电化学装置,负极集流体包括有机支撑层以及设置于有机支撑层上的铜基导电层,采用有机材料的支撑层其重量较轻,有利
于使得该负极集流体和负极极片具有较小的重量,从而使得电化学装置具有较高的重量能
密度;此外,采用有机材料的支撑层其韧性较高,同时铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为
10nm~500nm,使得铜基导电层与有机支撑层之间具有较高的界面结合力,并且铜基导电层
能够随有机支撑层的延展发生均匀变形,有效防止局部应力集中,大大减小铜基导电层发
生断裂的几率,从而大幅度提高负极集流体的断裂韧性,改善该负极集流体的力学性能,进
而显著提高负极集流体、负极极片及电化学装置在制备过程中的优率以及使用过程中的安
全性和可靠性;又由于铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm,同时保证了该负极
集流体具有良好的导电和集流的性能,从而有利于保证电化学装置具有良好的电化学性
能。
附图说明
[0009] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还
可以根据这些附图获得其他的附图。
[0010] 图1为根据本发明一个实施例的负极集流体的结构示意图。
[0011] 图2为根据本发明另一个实施例的负极集流体的结构示意图。
[0012] 图3为根据本发明另一个实施例的负极集流体的结构示意图。
[0013] 图4为根据本发明另一个实施例的负极集流体的结构示意图。
[0014] 图5为根据本发明另一个实施例的负极集流体的结构示意图。
[0015] 图6为根据本发明一个实施例的负极极片的结构示意图。
[0016] 标号说明:
[0017] 10、负极集流体;
[0018] 101、有机支撑层;
[0019] 101a、第一表面;101b、第二表面;
[0020] 1011、第一子层;1012、第二子层;1013、第三子层;
[0021] 102、铜基导电层;
[0022] 103、保护层;
[0023] 20、负极活性物质层;
[0024] 30、负极极片。

具体实施方式

[0025] 为了使本发明的发明目的、技术方案和有益技术效果更加清晰,以下结合实施例对本发明进行进一步详细说明。应当理解的是,本说明书中描述的实施例仅仅是为了解释
本发明,并非为了限定本发明。
[0026] 为了简便,本文仅明确地公开了一些数值范围。然而,任意下限可以与任何上限组合形成未明确记载的范围;以及任意下限可以与其它下限组合形成未明确记载的范围,同
样任意上限可以与任意其它上限组合形成未明确记载的范围。此外,尽管未明确记载,但是
范围端点间的每个点或单个数值都包含在该范围内。因而,每个点或单个数值可以作为自
身的下限或上限与任意其它点或单个数值组合或与其它下限或上限组合形成未明确记载
的范围。
[0027] 在本文的描述中,需要说明的是,除非另有说明,“以上”、“以下”为包含本数,“一种或多种”中“多种”的含义是两个以上。
[0028] 本发明的上述发明内容并不意欲描述本发明中的每个公开的实施方式或每种实现方式。如下描述更具体地举例说明示例性实施方式。在整篇申请中的多处,通过一系列实
施例提供了指导,这些实施例可以以各种组合形式使用。在各个实例中,列举仅作为代表性
组,不应解释为穷举。
[0029] 负极集流体
[0030] 本发明实施例的第一方面提供一种负极集流体10。图1为根据本发明实施例的一种负极集流体10的结构示意图,请参照图1,负极集流体10包括层叠设置的有机支撑层101
及铜基导电层102。
[0031] 其中,在有机支撑层101的厚度方向上具有相对的第一表面101a和第二表面101b,铜基导电层102设置于有机支撑层101的第一表面101a和第二表面101b。
[0032] 可以理解的是,铜基导电层102还可以是设置于有机支撑层101的第一表面101a及第二表面101b中的任意一者上,例如,铜基导电层102设置于有机支撑层101的第一表面
101a,当然,铜基导电层102也可以是设置于有机支撑层101的第二表面101b。
[0033] 并且,铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm。
[0034] 在本文中,铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d可以按如下测试方法进行测试:对负极集流体10进行X射线衍射分析,测定铜基导电层102的衍射峰,例如Cu(111)晶面的衍射
峰,根据衍射峰的衍射及半高宽,利用谢乐(Scherrer)公式计算得到铜基晶粒尺寸d。具
体公式为
[0035] d=Kγ/(Bcosθ)
[0036] 式中,K为谢乐常数,取K=0.89;B为衍射峰的半高宽,在计算过程中需转换为弧度(rad);θ为衍射角;γ为X射线波长,为0.154056nm。
[0037] 可以用本领域公知的仪器及方法对负极集流体10进行X射线衍射分析,例如采用X射线粉末衍射仪,依据JIS K0131-1996X射线衍射分析通则测定X射线衍射光谱。作为示例,
使用德国Bruker AxS公司的BrukerD8Discover型X射线衍射仪,以CuKα射线为辐射源,射线
波长 扫描2θ角范围为20°~80°,扫描速率为0.05°/s。
[0038] 本发明实施例的负极集流体10包括有机支撑层101以及设置于有机支撑层101上的铜基导电层102。
[0039] 由于有机支撑层101的密度比金属(例如铜)的密度小,因此较传统的铜箔集流体而言,根据本申请的负极集流体可有利于降低电化学装置的重量,从而使电化学装置的能
量密度得到显著提高。
[0040] 另外,采用有机材料的支撑层其韧性较高,同时铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm,使得铜基导电层102与有机支撑层101之间具有较高的界面结合力,并且
铜基导电层102能够随有机支撑层101的延展发生均匀变形,有效防止局部应力集中,大大
减小铜基导电层102发生断裂的几率,从而大幅度提高负极集流体10的断裂韧性,改善了负
极集流体10的力学性能,防止在加工或使用过程中负极集流体10发生断裂或形成微裂纹,
进而显著提高负极集流体10、负极极片20及电化学装置在制备过程中的优率以及使用过程
中的安全性和可靠性。
[0041] 由于铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d为10nm~500nm,同时保证了铜基导电层102具有良好的导电性能,从而保证负极集流体10具有良好的导电和集流的性能,有利于使
负极极片20及电化学装置具有低阻抗、并减小负极极化,使得电化学装置具有较高的电化
学性能,其中电化学装置具有较高的倍率性能及循环性能。
[0042] 在一些可选的实施例中,铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d的上限值可以选自500nm、450nm、400nm、350nm、300nm、250nm、200nm、150nm、100nm、80nm、50nm,下限值可以选自380nm、320nm、280nm、240nm、180nm、120nm、90nm、70nm、30nm、10nm。铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d的范围可以是由前述任意下限与任意上限组合形成,也可以是由任意下限与
任意其它下限组合形成,同样可以是由任意上限与任意其它上限组合形成。
[0043] 优选地,铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d为30nm~300nm,更优选为50nm~150nm。铜基导电层102具有该种铜基晶粒尺寸d,能够使负极集流体10更好地发挥上述效
果。
[0044] 本发明实施例的负极集流体10,铜基导电层102的厚度D1优选为30nm≤D1≤3μm。
[0045] 本发明实施例的负极集流体10,将厚度较小的铜基导电层102设置于有机支撑层101的表面,较传统金属集流体(如铜箔)能够显著降低负极集流体10的重量,从而有利于降
低电化学装置的重量,使电化学装置的能量密度得到显著提高。
[0046] 另外,铜基导电层102的厚度D1优选为30nm≤D1≤3μm,使得铜基导电层102具有良好的导电性能,有利于保证负极集流体10具有良好的导电和集流的性能,从而保证电化学
装置的良好的电化学性能;并且使得铜基导电层102在加工及使用过程中不易发生断裂,使
负极集流体10具有较高的断裂韧性,保证负极集流体10具有较好的机械稳定性和工作稳定
性。此外,铜基导电层102的厚度D1在上述范围内,在电化学装置发生穿钉等异常情况下,铜
基导电层102产生的毛刺较小,从而可降低产生的金属毛刺与对电极接触险,进而改善
电化学装置的安全性能。
[0047] 在一些可选的实施例中,铜基导电层102的厚度D1的上限可以选自3μm、2.5μm、2μm、1.8μm、1.5μm、1.2μm、1μm、900nm、750nm、450nm、250nm、100nm,下限可以选自1.6μm、1μm、
800nm、600nm、400nm、300nm、150nm、100nm、80nm、30nm,铜基导电层102的厚度D1的范围可以是由前述任意下限与任意上限组合形成,也可以是由任意下限与任意其它下限组合形成,
同样可以是由任意上限与任意其它上限组合形成。
[0048] 更优选地,铜基导电层102的厚度D1为300nm≤D1≤2μm,优选为500nm≤D1≤1.5μm,进一步的为600nm≤D1≤1.2μm。
[0049] 在一些实施例中,铜基导电层102的厚度D1与铜基晶粒尺寸d之间满足1≤D1/d≤300。铜基导电层102的厚度D1与铜基晶粒尺寸d之间满足上述关系,能够使负极集流体10具
有更好的力学性能,并兼具更高的导电和集流的性能。
[0050] 在一些可选的实施例中,上述D1/d的上限值可选自300、280、250、230、220、200、190、170、150、120、100、80、60、50、48,下限值可选自1、2、3、5、6、8、10、12、15、18、20、22、25、
30、33、35、37、40、42、45。D1/d的范围可以是由前述任意下限值与任意上限值组合形成,也可以是由任意下限值与任意其它下限值组合形成,同样可以是由任意上限值与任意其它上
限值组合形成。
[0051] 优选地,铜基导电层102的厚度D1与铜基晶粒尺寸d之间满足2≤D1/d≤100,更优选地为3≤D1/d≤50。
[0052] 本发明实施例的负极集流体10,铜基导电层102包括铜(Cu)及铜合金中的一种或多种。
[0053] 铜合金是以铜为主元素且含有一种或多种添加元素的合金。作为优选地,添加元素选自(Ti)、(V)、镍(Ni)、铬(Cr)、(Fe)、钴(Co)、锰(Mn)、锌(Zn)、锆(Zr)、钼(Mo)、铌(Nb)、钨(W)、(Ag)、钯(Pd)及镉(Cd)。引入上述一种或多种添加元素,能够提高铜合金导
电层的力学性能、耐加工性能及耐蚀性能。
[0054] 进一步优选地,铜合金中铜元素的质量百分含量为80wt%以上,更优选地为90wt%以上,例如为90wt%~95wt%。铜合金中铜元素的质量百分含量在上述范围内,能够
使铜合金导电层兼具较高的导电性能、力学性能、耐加工性能及耐蚀性能。
[0055] 本发明实施例的负极集流体10,有机支撑层101的杨氏模量E优选为E≥2GPa,这使得有机支撑层101具有良好的韧性的同时,还具有适当的刚性,既满足有机支撑层101对铜
基导电层102的支撑作用,确保负极集流体10的整体强度,又能使有机支撑层101在负极集
流体10的加工过程中不会发生过大的延展或变形,更加有效地防止有机支撑层101及铜基
导电层102发生断带,同时有机支撑层101和铜基导电层102之间的结合牢固度更高,使铜基
导电层102不易发生剥离,提高负极集流体10的机械稳定性和工作稳定性,从而使电化学装
置的性能得到提高。
[0056] 进一步地,有机支撑层101的杨氏模量E优选为2GPa≤E≤20Gpa,例如为2GPa、3GPa、4GPa、5GPa、6GPa、7GPa、8GPa、9GPa、10GPa、11GPa、12GPa、13GPa、14GPa、15GPa、16GPa、
17GPa、18GPa、19GPa、20GPa。该种有机支撑层101具有良好的韧性、适当的刚性,以及在加工过程中进行卷绕的柔性。
[0057] 有机支撑层101的杨氏模量E可以采用本领域已知的方法测定。作为示例,取有机支撑层101裁剪成15mm×200mm的样品,用万分尺量取样品的厚度h(μm),在常温常压(25℃、
0.1MPa)下使用高铁拉力机进行拉伸测试,设置初始位置使夹具之间样品为50mm长,拉伸速
度为50mm/min,记录拉伸至断裂的载荷L(N),设备位移y(mm),则应力ε(GPa)=L/(15×h),
应变η=y/50,绘制应力应变曲线,取初始线性区曲线,该曲线的斜率即为杨氏模量E。
[0058] 本发明实施例的负极集流体10,有机支撑层101的厚度D2优选为1μm≤D2≤30μm。有机支撑层101的厚度D2为1μm以上,有机支撑层101具有较高的机械强度,在加工及使用过程
中不易发生断裂,对铜基导电层102起到良好的支撑和保护作用,提高负极集流体10的机械
稳定性和工作稳定性;有机支撑层101的厚度D2为30μm以下,有利于使电化学装置具有较小
的体积及较低的重量,从而提高电化学装置的体积能量密度和重量能量密度。
[0059] 在一些可选的实施例中,有机支撑层101的厚度D2的上限值可以选自30μm、25μm、20μm、18μm、15μm、12μm、10μm、8μm,下限值可以选自1μm、1.5μm、2μm、3μm、4μm、5μm、6μm、7μm、
9μm、16μm。有机支撑层101的厚度D2的范围可以是由前述任意下限值与任意上限值组合形
成,也可以是由任意下限值与任意其它下限值组合形成,同样可以是由任意上限值与任意
其它上限值组合形成。
[0060] 更优选地,有机支撑层101的厚度D2为1μm≤D2≤15μm,优选为1μm≤D2≤10μm,优选为1μm≤D2≤8μm,优选为2μm≤D2≤8μm,更优选为2μm≤D2≤6μm。当有机支撑层101的厚度D2为1μm≤D2≤15μm,优选为不超过10μm,尤其是不超过8μm时,可以使得电化学装置的重量能量密度及体积能量密度更高,同时通过使铜基导电层102的d值及D1/d在上述范围内,将能够更好地改善负极集流体10的力学性能,并使得负极集流体10兼具较高的导电和集流的性
能,且此时铜基导电层102的d值、D1/d等对于负极集流体10的力学性能、机械性能等方面的
影响也更加明显。
[0061] 本发明实施例的负极集流体10,有机支撑层101采用高分子材料及高分子基复合材料中的一种或多种。
[0062] 作为上述高分子材料,例如是聚酰胺类、聚酰亚胺类、聚酯类、聚烯类、聚炔烃类、聚合物、聚醚类、聚醇类、聚砜类、多糖类聚合物、基酸类聚合物、聚氮化硫类、芳环聚合物、芳杂环聚合物、环氧树脂树脂、它们的衍生物、它们的交联物及它们的共
聚物中的一种或多种。
[0063] 进一步地,上述高分子材料例如是聚己内酰胺(俗称尼龙6)、聚己二酰己二胺(俗称尼龙66)、聚对苯二甲酰对苯二胺(PPTA)、聚间苯二甲酰间苯二胺(PMIA)、聚对苯二甲酸
乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酸酯(PC)、
聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚丙乙烯(PPE)、聚乙烯醇(PVA)、聚苯乙烯(PS)、聚氯乙烯(PVC)、聚偏氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTEE)、聚苯乙烯磺酸钠(PSS)、聚乙炔(Polyacetylene,简
称PA)、硅橡胶(Silicone rubber)、聚甲醛(POM)、聚苯醚(PPO)、聚苯硫醚(PPS)、聚乙二醇
(PEG)、纤维素、淀粉蛋白质、聚苯、聚吡咯(PPy)、聚苯胺(PAN)、聚噻吩(PT)、聚吡啶(PPY)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)、它们的衍生物、它们的交联物及它们的共聚物中的一
种或多种。
[0064] 作为上述高分子基复合材料,可以是包括上述的高分子材料和添加剂,添加剂可以是金属材料及无机非金属材料中的一种或多种。
[0065] 作为金属材料添加剂,例如是铝合金、铜、铜合金、镍、镍合金、钛、钛合金、铁、铁合金、银及银合金中的一种或多种。
[0066] 作为无机非金属材料添加剂,例如是碳基材料、氧化铝、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮化硅酸盐及氧化钛中的一种或多种,再例如是玻璃材料、陶瓷材料及陶瓷复合材
料中的一种或多种。其中碳基材料添加剂例如是石墨、超导碳、乙炔黑炭黑、科琴黑、碳点、碳纳米管石墨烯及碳纳米纤维中的一种或多种。
[0067] 作为上述添加剂,还可以是金属材料包覆的碳基材料,例如镍包覆的石墨粉及镍包覆的碳纤维中的一种或多种。
[0068] 优选地,有机支撑层101采用绝缘高分子材料及绝缘高分子基复合材料中的一种或多种。该种有机支撑层101的体积电阻率较高,有利于提高电化学装置的安全性能。
[0069] 进一步地,有机支撑层101包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚苯乙烯磺酸钠(PSS)及聚酰亚胺(PI)中的一种或
多种。
[0070] 本发明实施例的负极集流体10,有机支撑层101可以是单层结构,也可以是两层以上的复合层结构,如两层、三层、四层等。
[0071] 图2为根据本发明实施例的另一种负极集流体10的结构示意图,请参照图2,有机支撑层101是由第一子层1011、第二子层1012及第三子层1013层叠设置形成的复合层结构。
复合层结构的有机支撑层101具有相对的第一表面101a和第二表面101b,铜基导电层102层
叠设置在有机支撑层101的第一表面101a和第二表面101b。当然,铜基导电层102可以是仅
设置于有机支撑层101的第一表面101a,也可以是仅设置于有机支撑层101的第二表面
101b。
[0072] 当有机支撑层101为两层以上的复合层结构时,各子层的材料可以相同,也可以不同。
[0073] 本发明实施例的负极集流体10进一步可选地包括保护层103。请参照图3至图5,铜基导电层102在自身厚度方向上包括相对的两个表面,保护层103层叠设置于铜基导电层
102的两个表面中的任意一者或两者上,以保护铜基导电层102,防止铜基导电层102发生化
腐蚀或机械破坏等损害,保证负极集流体10的工作稳定性及使用寿命,从而有利于电化
学装置具有较高的安全性能及电化学性能。此外,保护层103还能够增强负极集流体10的强
度。
[0074] 可以理解的是,尽管图3至图5中示出了在有机支撑层101的单面具有铜基导电层102,在铜基导电层102自身厚度方向上相对的两个表面中的一者或两者上具有保护层103,
但在其他的实施例中,还可以在有机支撑层101相对的两个表面分别具有铜基导电层102,
可以是在任意一个铜基导电层102自身厚度方向上相对的两个表面中的一者或两者上具有
保护层103,也可以是在两个铜基导电层102自身厚度方向上相对的两个表面中的一者或两
者上具有保护层103。
[0075] 保护层103包括金属、金属氧化物及导电碳中的一种或多种。
[0076] 上述金属例如是镍、铬、镍基合金及铜基合金中的一种或多种。前述镍基合金是以纯镍为基体加入一种或几种其他元素所构成的合金,优选为镍铬合金。镍铬合金是金属镍
和金属铬形成的合金,可选的,镍铬合金中镍与铬的重量比为1:99~99:1,如9:1。前述铜基
合金是以纯铜为基体加入一种或几种其他元素所构成的合金,优选为镍铜合金。可选的,镍
铜合金中镍与铜的重量比为1:99~99:1,如9:1。
[0077] 上述金属氧化物例如是氧化铝、氧化钴、氧化铬及氧化镍中的一种或多种。
[0078] 上述导电碳例如是石墨、超导碳、乙炔黑、炭黑、科琴黑、碳点、碳纳米管、石墨烯及碳纳米纤维中的一种或多种,进一步地为炭黑、碳纳米管、乙炔黑及石墨烯中的一种或多种。
[0079] 进一步地,保护层103优选采用金属及金属氧化物中的一种或多种,能够提高负极集流体10的性能。
[0080] 金属保护层及金属氧化物保护层的耐腐蚀性能较高,且硬度高、比表面积大,能够有效防止铜基导电层102发生化学腐蚀或机械破坏等损害,并增强负极集流体10的强度,提
高负极集流体10的稳定性及使用寿命;同时还能够进一步改善铜基导电层102与有机支撑
层101或负极活性物质层20(如图6所示)之间界面,提高电化学装置的性能。
[0081] 作为一些示例,请参照图3,负极集流体10包括层叠设置的有机支撑层101、铜基导电层102和保护层103。其中,在有机支撑层101的厚度方向上具有相对的第一表面101a和第
二表面101b,铜基导电层102层叠设置于有机支撑层101的第一表面101a及第二表面101b中
的至少一者上,保护层103层叠设置于铜基导电层102的背向有机支撑层101的表面。
[0082] 在铜基导电层102的背向有机支撑层101的表面上设置保护层103(下文简称为上保护层),对铜基导电层102起到防化学腐蚀、防机械破坏的保护作用,还能够改善负极集流
体10与负极活性物质层20之间的界面,提高负极集流体10与负极活性物质层20之间的结合
力。若上保护层为金属保护层或金属氧化物保护层,可以更好地发挥上述效果。
[0083] 进一步地,若上保护层为金属保护层,则还可明显地降低界面电阻,提高负极集流体10与负极活性物质层201之间的导电性能,减小负极极化,提高电化学装置的性能。
[0084] 或进一步地,若上保护层为金属氧化物保护层,则可以更明显地起到防化学腐蚀、防机械破坏的保护作用。
[0085] 进一步地,上保护层可以为金属保护层和金属氧化物保护层的双层保护层,优选为在铜基导电层102的背向有机支撑层101的表面上设置金属保护层,并在该金属保护层的
背向有机支撑层101的表面上再设置金属氧化物保护层,从而更好地起到改善负极集流体
10的导电性能、耐腐蚀性能以及防机械破坏等作用。
[0086] 作为另一些示例,请参照图4,负极集流体10包括层叠设置的有机支撑层101、铜基导电层102和保护层103。其中,在有机支撑层101的厚度方向上具有相对的第一表面101a和
第二表面101b,铜基导电层102层叠设置于有机支撑层101的第一表面101a及第二表面101b
中的至少一者上,保护层103层叠设置于铜基导电层102的朝向有机支撑层101的表面。
[0087] 在铜基导电层102的朝向有机支撑层101的表面上设置保护层103(下文简称为下保护层),下保护层对铜基导电层102起到防化学腐蚀、防机械损害的保护作用的同时,还能
够提高铜基导电层102与有机支撑层101的结合力,防止铜基导电层102与有机支撑层101分
离,提高对铜基导电层102的支撑保护作用。
[0088] 进一步地,下保护层为金属氧化物保护层,金属氧化物保护层的比表面积更大、硬度更高,更加有利于提高铜基导电层102与有机支撑层101之间的结合力,以及提高负极集
流体10的强度。
[0089] 或进一步地,若下保护层为金属保护层,则可以在改善铜基导电层102与有机支撑层101之间的结合力、提高负极集流体10的强度的同时,更好地减小极片的极化,增强负极
集流体10的导电能力。
[0090] 下保护层优选为金属保护层。
[0091] 作为又一些示例,请参照图5,负极集流体10包括层叠设置的有机支撑层101、铜基导电层102和保护层103。其中,在有机支撑层101的厚度方向上具有相对的第一表面101a和
第二表面101b,铜基导电层102层叠设置于有机支撑层101的第一表面101a及第二表面101b
中的至少一者上,保护层103层叠设置于铜基导电层102的背向有机支撑层101的表面及朝
向有机支撑层101的表面上。
[0092] 在铜基导电层102的两个表面上均设置保护层103,更加充分地保护铜基导电层102,使负极集流体10具有较高的综合性能。
[0093] 可以理解的是,铜基导电层102的两个表面上的保护层103,其材料可以相同、也可以不同,其厚度可以相同、也可以不同。
[0094] 优选地,保护层103的厚度D3为1nm≤D3≤200nm、且D3≤0.1D1。如果保护层103太薄,则不足以起到保护铜基导电层102的作用;太厚,则会降低电化学装置的能量密度。
[0095] 在一些实施例中,保护层103的厚度D3的上限值可以为200nm、180nm、150nm、120nm、100nm、80nm、60nm、55nm、50nm、45nm、40nm、30nm、20nm,下限值可以为1nm、2nm、5nm、
8nm、10nm、12nm、15nm、18nm。保护层103的厚度D3的范围可以是由前述任意下限值与任意上
限值组合形成,也可以是由任意下限值与任意其它下限值组合形成,同样可以是由任意上
限值与任意其它上限值组合形成。
[0096] 更优选地,保护层103的厚度D3为5nm≤D3≤200nm,更优选地为10nm≤D3≤200nm。
[0097] 进一步地,当铜基导电层102的两个表面均设置有保护层103时,上保护层的厚度Da为1nm≤Da≤200nm、且Da≤0.1D1;下保护层的厚度Db为1nm≤Db≤200nm、且Db≤0.1D1。优选地,Da>Db,有利于上保护层及下保护层协同对铜基导电层102起到良好的防化学腐蚀、防机
械损害的保护作用,同时使电化学装置具有较高的能量密度。更优选地,0.5Da≤Db≤0.8Da,
能够更好的发挥上保护层及下保护层的协同保护作用。
[0098] 本发明实施例中,负极集流体10的断裂伸长率大于或等于3%。断裂伸长率大于或等于3%的负极集流体10具有较高的断裂韧性,大大减小其在加工及使用过程中发生断裂
及铜基导电层102中产生裂纹的几率,从而提高负极集流体10、负极极片20及电化学装置在
制备过程中的优率以及使用过程中的安全性和可靠性。
[0099] 断裂伸长率可以采用本领域已知的方法测定,作为一个示例,取负极集流体10裁剪成15mm×200mm的样品,在常温常压(25℃、0.1MPa)下使用高铁拉力机进行拉伸测试,设
置初始位置使夹具之间样品长度为50mm长,拉伸速度为5mm/min,记录拉伸断裂时的设备位
移y(mm),最后计算断裂伸长率为(y/50)×100%。
[0100] 本发明实施例中,铜基导电层102可以是通过机械辊轧、粘结、气相沉积法(vapor deposition)、化学(Electroless plating)、电镀(Electroplating)中的至少一种手段
形成于有机支撑层101上,其中优选气相沉积法及电镀法,即铜基导电层102优选为气相沉
积层或电镀层,从而有利于使铜基导电层102中的铜基晶粒尺寸d在10nm~500nm的范围内,
以及使得铜基导电层102与有机支撑层101之间具有较高的结合力,提高负极集流体10的力
学性能及导电性能。
[0101] 上述气相沉积法优选为物理气相沉积法。物理气相沉积法优选蒸发法及溅射法中的至少一种,其中蒸发法优选真空蒸镀法、热蒸发法及电子束蒸发法中的至少一种,溅射法
优选磁控溅射法。
[0102] 作为一个示例,通过真空蒸镀法形成铜基导电层102,包括:将经过表面清洁处理的有机支撑层101置于真空镀室内,以1300℃~2000℃的高温将金属蒸发室内的金属丝熔
化蒸发,蒸发后的金属经过真空镀室内的冷却系统,最后沉积于有机支撑层101上,形成铜
基导电层102。
[0103] 当具有保护层103时,保护层103可以是通过气相沉积法、原位形成法及涂布法中的至少一种手段形成于铜基导电层102上。气相沉积法可以是如前文所述的气相沉积法。原
位形成法优选原位钝化法,即在金属表面原位形成金属氧化物钝化层的方法。涂布法优选
辊压涂布、挤压涂布、刮刀涂布及凹版涂布中的至少一种。
[0104] 优选地,保护层103通过气相沉积法及原位形成法中的至少一种手段形成于铜基导电层102上,有利于使铜基导电层102与保护层103之间具有较高的结合力,从而更好地发
挥保护层102对负极集流体10的保护作用,并保证负极集流体10的工作性能。
[0105] 当铜基导电层102与有机支撑层101之间设置有保护层103(即下保护层)时,还可以是先将下保护层形成于有机支撑层101上,再将铜基导电层102形成于下保护层上。下保
护层可以是通过气相沉积法及涂布法中的至少一种手段形成于有机支撑层101上,其中优
选气相沉积法。铜基导电层102可以是通过机械辊轧、粘结、气相沉积法及化学镀中的至少
一种手段形成于下保护层上,其中优选气相沉积法。
[0106] 负极极片
[0107] 本发明实施例第二方面提供一种负极极片30,图6为根据本发明实施例的一种负极极片30的结构示意图,请参照图6,负极极片30包括层叠设置的负极集流体10及负极活性
物质层20,其中负极集流体10为本发明实施例第一方面的负极集流体10。
[0108] 由于采用了本发明实施例第一方面的负极集流体10,本发明实施例的负极极片30具有较高的力学性能,以及较高的制备优率以及较高的使用安全性和可靠性,同时兼具低
重量及较高的电化学性能。
[0109] 作为一个示例,请参照图6,负极极片30包括层叠设置的负极集流体10及负极活性物质层20,负极集流体10在自身厚度方向包括相对的两个表面,负极活性物质层20层叠设
置于负极集流体10的两个表面上。
[0110] 可以理解的是,负极活性物质层20还可以是层叠设置于负极集流体10的两个表面中的任意一者上。
[0111] 本发明实施例的负极极片30,负极活性物质层20可以采用本领域任意的负极活性材料,本发明不做限制。
[0112] 例如用于锂离子二次电池的负极活性材料,可以为金属锂、天然石墨、人造石墨、中间相微碳球(简写为MCMB)、硬碳、软碳、硅、硅-碳复合物、SiO、Li-Sn合金、Li-Sn-O合金、Sn、SnO、SnO2、尖晶石结构的钛酸锂及Li-Al合金中的一种或多种。
[0113] 可选地,负极活性物质层20还可以包括导电剂,本发明对导电剂的种类不做限制。作为示例,导电剂为石墨、超导碳、乙炔黑、炭黑、科琴黑、碳点、碳纳米管、石墨烯及碳纳米纤维中一种或多种。
[0114] 可选地,负极活性物质层20还可以包括粘结剂,本发明对粘结剂的种类不做限制。作为示例,粘结剂为丁苯橡胶(SBR)、丙烯酸树脂(water-based acrylic resin)、羧甲
纤维素(CMC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、
聚乙烯醇(PVA)及聚乙烯醇缩丁醛(PVB)中的一种或多种。
[0115] 负极极片30可以按照本领域常规方法制备。通常将负极活性材料以及可选的导电剂、粘结剂及增稠剂分散于溶剂中,溶剂可以是NMP或去离子水,形成均匀的负极浆料,将负
极浆料涂覆在负极集流体10上,经烘干等工序后,得到负极极片30。
[0116] 电化学装置
[0117] 本发明实施例的第三方面提供一种电化学装置,电化学装置包括正极极片、负极极片和电解质,其中负极极片为本发明实施例第二方面的负极极片。
[0118] 上述电化学装置可以是锂离子二次电池、锂一次电池、钠离子电池、镁离子电池等,但并不限于此。
[0119] 由于电化学装置采用根据本发明实施例的第二方面提供的负极极片,本发明实施例的电化学装置具有较高的综合电化学性能,其具有较高的能量密度、倍率性能、循环性能
及安全性能。
[0120] 上述正极极片可以是包括正极集流体及正极活性物质层。
[0121] 正极集流体可以采用铝、铝合金、铜、铜合金、镍、镍合金、钛、钛合金、银及银合金中的一种或多种。
[0122] 正极活性物质层可以采用本领域任意的正极活性材料,本发明不做限制。
[0123] 例如用于锂离子二次电池的正极活性材料,可以为锂过渡金属复合氧化物、锂过渡金属复合氧化物添加其它过渡金属或非过渡金属或非金属得到的复合氧化物中的一种
或多种。其中过渡金属可以是Mn、Fe、Ni、Co、Cr、Ti、Zn、V、Al、Zr、Ce及Mg中的一种或多种。
[0124] 作为示例,正极活性物质可选自锂钴氧化物、锂镍氧化物、锂锰氧化物、锂镍锰氧化物、锂镍钴锰氧化物、锂镍钴铝氧化物、橄榄石结构的含锂磷酸盐中的一种或多种。例如,
锂过渡金属复合氧化物为LiMn2O4、LiNiO2、LiCoO2、LiNi1-yCoyO2(0
[0125] 可选地,正极活性物质层还可以包括粘结剂,本发明对粘结剂的种类不做限制。作为示例,粘结剂为丁苯橡胶(SBR)、水性丙烯酸树脂(water-based acrylic resin)、羧甲基
纤维素(CMC)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物(EVA)、聚
乙烯醇(PVA)及聚乙烯醇缩丁醛(PVB)中的一种或多种。
[0126] 可选地,正极活性物质层还可以包括导电剂,本发明对导电剂的种类不做限制。作为示例,导电剂为石墨、超导碳、乙炔黑、炭黑、科琴黑、碳点、碳纳米管、石墨烯及碳纳米纤维中一种或多种。
[0127] 正极极片可以按照本领域常规方法制备。通常将正极活性材料以及可选的导电剂及粘结剂分散于溶剂(例如N-甲基吡咯烷,简称为NMP)中,形成均匀的正极浆料,将正极
浆料涂覆在正极集流体上,经烘干等工序后,得到正极极片。
[0128] 本申请实施例的电化学装置中,电解质可以采用固体电解质,也可以采用非水电解液,如将电解质盐分散于有机溶剂中形成电解液。
[0129] 上述电解液中,有机溶剂作为在电化学反应中传输离子的介质,可以采用本领域任意的有机溶剂。电解质盐作为离子的供源,可以是本领域任意的电解质盐。
[0130] 例如用于锂离子二次电池的有机溶剂,可以为碳酸乙烯酯(EC)、碳酸丙烯酯(PC)、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸二乙酯(DEC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸二丙酯(DPC)、碳酸甲丙酯
(MPC)、碳酸乙丙酯(EPC)、碳酸丁烯酯(BC)、氟代碳酸乙烯酯(FEC)、甲酸甲酯(MF)、乙酸甲
酯(MA)、乙酸乙酯(EA)、乙酸丙酯(PA)、丙酸甲酯(MP)、丙酸乙酯(EP)、丙酸丙酯(PP)、丁酸
甲酯(MB)、丁酸乙酯(EB)、1,4-丁内酯(GBL)、环丁砜(SF)、二甲砜(MSM)、甲乙砜(EMS)、二乙砜(ESE)中的一种或多种。
[0131] 例如用于锂离子二次电池的电解质盐,可以为LiPF6(六氟磷酸锂)、LiBF4(四氟硼酸锂)、LiClO4(高氯酸锂)、LiAsF6(六氟砷酸锂)、LiFSI(双氟磺酰亚胺锂)、LiTFSI(双三氟
甲磺酰亚胺锂)、LiTFS(三氟甲磺酸锂)、LiDFOB(二氟草酸硼酸锂)、LiBOB(二草酸硼酸锂)、
LiPO2F2(二氟磷酸锂)、LiDFOP(二氟二草酸磷酸锂)及LiTFOP(四氟草酸磷酸锂)中的一种或
多种。
[0132] 电解液中还可选地包括添加剂,其中对添加剂的种类没有具体的限制,可根据需求进行选择。作为示例,添加剂碳酸亚乙烯酯(VC)、碳酸乙烯亚乙酯(VEC)、氟代碳酸乙烯酯
(FEC)、丁二腈(SN)、己二腈(ADN)、1,3-丙烯磺酸内酯(PST)、三(三甲基硅烷)磷酸酯(TMSP)
及三(三甲基硅烷)硼酸酯(TMSB)中的一种或多种。
[0133] 电化学装置采用电解液时,还需要在正极极片和负极极片之间设置隔离膜,起到隔离的作用。对隔离膜的种类没有特别的限制,可以选用任意公知的具有良好的化学稳定
性和机械稳定性的多孔结构隔离膜,例如玻璃纤维、无纺布、聚乙烯、聚丙烯及聚偏二氟乙
烯中的一种或多种。隔离膜可以是单层薄膜,也可以是多层复合薄膜。隔离膜为多层复合薄
膜时,各层的材料可以相同,也可以不同。
[0134] 将上述正极极片、隔离膜、负极极片按顺序堆叠好,使隔离膜处于正极极片、负极极片之间起到隔离的作用,得到电芯,也可以是经卷绕后得到电芯;将电芯置于包装外壳
中,注入电解液并封口,制备电化学装置。
[0135] 实施例
[0136] 下述实施例更具体地描述了本发明公开的内容,这些实施例仅仅用于阐述性说明,因为在本发明公开内容的范围内进行各种修改和变化对本领域技术人员来说是明显
的。除非另有声明,以下实施例中所报道的所有份、百分比、和比值都是基于重量计,而且实
施例中使用的所有试剂都可商购获得或是按照常规方法进行合成获得,并且可直接使用而
无需进一步处理,以及实施例中使用的仪器均可商购获得。
[0137] 制备方法
[0138] 负极集流体的制备
[0139] 选取预定厚度的有机支撑层并进行表面清洁处理,将经过表面清洁处理的有机支撑层置于真空镀室内,以1300℃~2000℃的高温将金属蒸发室内的高纯铜丝熔化蒸发,蒸
发后的金属经过真空镀室内的冷却系统,最后沉积于有机支撑层的两个表面,形成铜基导
电层。
[0140] 负极极片的制备
[0141] 将负极活性材料石墨、导电炭黑、增稠剂羧甲基纤维素钠(CMC)、粘结剂丁苯橡胶乳液(SBR)按96.5:1.0:1.0:1.5重量比在适量的去离子水中充分搅拌混合,使其形成均匀
的负极浆料;将负极浆料涂覆于负极集流体上,经烘干等工序后,得到负极极片。
[0142] 正极集流体的制备
[0143] 采用厚度为12μm的铝箔。
[0144] 常规正极极片的制备
[0145] 将正极活性材料LiNi1/3Co1/3Mn1/3O2(NCM333)、导电炭黑、粘结剂聚偏二氟乙烯(PVDF)按93:2:5的重量比在适量的N-甲基吡咯烷酮(NMP)溶剂中充分搅拌混合,使其形成
均匀的正极浆料;将正极浆料涂覆于正极集流体上,经烘干等工序后,得到正极极片。
[0146] 电解液的制备
[0147] 将体积比为3:7的碳酸乙烯酯(EC)和碳酸甲乙酯(EMC)混合均匀,得到有机溶剂,然后将1mol/L的LiPF6均匀溶解在上述有机溶剂中。
[0148] 锂离子二次电池的制备
[0149] 将正极极片、隔离膜、负极极片依次层叠设置,其中隔离膜采用PP/PE/PP复合薄膜,然后卷绕成电芯并装入包装外壳中,将上述电解液注入到电芯中,并封口,得到锂离子
二次电池。
[0150] 测试部分
[0151] 1.负极集流体的测试
[0152] 1)铜基导电层中的铜基晶粒尺寸d的测试
[0153] 使用德国Bruker AxS公司的Bruker D8Discover型X射线衍射仪,以CuKα射线为辐射源,射线波长 扫描2θ角范围为20°~80°,扫描速率为0.05°/s,测定铜基
导电层的X射线衍射光谱。根据X射线衍射光谱中Cu(111)晶面的衍射峰的衍射角及半高宽,
利用谢乐公式计算得到铜基晶粒尺寸d。
[0154] 2)有机支撑层的杨氏模量E的测试
[0155] 取有机支撑层裁剪成15mm×200mm的样品,用万分尺量取样品的厚度h(μm),在常温常压(25℃、0.1MPa)下使用高铁拉力机进行拉伸测试,设置初始位置使夹具之间样品为
50mm长,拉伸速度为50mm/min,记录拉伸至断裂的载荷L(N),设备位移y(mm),则应力ε(GPa)
=L/(15×h),应变η=y/50,绘制应力应变曲线,取初始线性区曲线,该曲线的斜率即为杨
氏模量E。
[0156] 3)负极集流体的断裂伸长率测试
[0157] 取负极集流体裁剪成15mm×200mm的样品,在常温常压(25℃、0.1MPa)下使用高铁拉力机进行拉伸测试,设置初始位置使夹具之间样品长度为50mm长,拉伸速度为5mm/min,
记录拉伸断裂时的设备位移y(mm),最后计算断裂伸长率为(y/50)×100%。
[0158] 2.电池的性能测试
[0159] (1)循环性能测试
[0160] 在45℃下,将锂离子二次电池以1C的倍率恒流充电至4.2V,再恒压充电至电流小于等于0.05C,再以1C的倍率恒流放电至2.8V,此为一个充放电循环,此次的放电容量即为
第1次循环的放电容量。将锂离子二次电池按照上述方法进行1000次充放电循环,记录第
1000次循环的放电容量,计算锂离子二次电池1C/1C循环1000次后的容量保持率。
[0161] 锂离子二次电池1C/1C循环1000次的容量保持率(%)=第1000次循环的放电容量/第1次循环的放电容量×100%
[0162] (2)倍率性能测试
[0163] 在25℃下,将锂离子二次电池以1C的倍率恒流充电至4.2V,再恒压充电至电流小于等于0.05C,再以1C倍率恒流放电至3.0V,测试得到锂离子二次电池1C倍率放电容量。
[0164] 在25℃下,将锂离子二次电池以1C的倍率恒流充电至4.2V,再恒压充电至电流小于等于0.05C,再以4C倍率恒流放电至3.0V,测试得到锂离子二次电池4C倍率放电容量。
[0165] 锂离子二次电池4C倍率容量保持率(%)=4C倍率放电容量/1C倍率放电容量×100%
[0166] 测试结果
[0167] 1.本申请负极集流体在改善电化学装置的重量能量密度方面的作用
[0168] 表1
[0169]
[0170] 表1中,负极集流体重量百分数是单位面积负极集流体重量除以单位面积常规负极集流体重量的百分数。
[0171] 相较于传统的铜箔负极集流体,采用本申请的负极集流体的重量都得到不同程度的减轻,从而可提升电池的重量能量密度。
[0172] 2.保护层对于本申请的负极集流体及电化学装置的电化学性能方面的作用
[0173] 表2
[0174]
[0175]
[0176] 表2中的负极集流体是在表1中负极集流体7的基础上设置保护层。
[0177] 负极集流体7-14的上保护层采用双层保护层,具体为在铜基导电层的背向有机支撑层的表面上设置有25nm厚的镍保护层(即下层),并在镍保护层的背向有机支撑层的表面
上设置有25nm厚的氧化镍保护层(即上层)。
[0178] 表3
[0179]
[0180]
[0181] 表4
[0182]
[0183] 由表4可知,采用本申请实施例负极集流体的电池的循环寿命及倍率性能良好,与采用常规负极集流体电池的循环性能及倍率性能相当。这说明采用本申请实施例的负极集
流体不会对负极极片和电池的电化学性能有明显的不利影响。尤其是设置有保护层的负极
集流体制成的电池,45℃、1C/1C循环1000次后的容量保持率及4C倍率容量保持率进一步获
得提升,说明电池的可靠性更好。
[0184] 3.铜基导电层的铜基晶粒尺寸d、以及厚度D1与铜基晶粒尺寸d的比值等对于负极集流体的影响
[0185] 通过调节生产铜基导电层的沉积温度、沉积速率、沉积时间等,得到不同铜基晶粒尺寸d、及不同厚度D1的铜基导电层。
[0186] 表5
[0187]
[0188] 表5中铜合金的成分为:铜95wt%和镍5wt%。
[0189] 从表5的结果可看出,若铜基导电层的铜基晶粒尺寸d值过小,则负极集流体的力学性能较差,断裂伸长率较小,易于断裂,因此负极集流体、负极极片及电化学装置在制备
过程中的优率较差,并导致负极集流体、负极极片及电化学装置在使用过程中的安全性和
可靠性较差。此外,D1/d值也会对负极集流体的力学性能产生影响。
[0190] 以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到各种等效的修改或替
换,这些修改或替换都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利
要求的保护范围为准。
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