专利汇可以提供一种省隔离器边发射光器件及制作方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种省隔离器边发射光器件及制作方法,包括如下步骤:S1,在 半导体 衬底上 外延 生长 缓冲层 和有源 波导 层;S2, 腐蚀 有源波导层的端部,制作无波导段;S3,在有源波导层和无波导段上作二次外延层生长;S4,在二次外延层上制作边发射光器件的条形结构,减薄衬底的背面,在光器件的 正面 和背面分别制作正面 电极 和背面电极;S5,在边发射光器件的出光端面蒸 镀 减反射介质膜I。本发明通过在边发射光器件的端面制作无波导段,使端面反射光和外部反射光失去波导的引导,减弱了对有源区的干扰;同时节省了光器件与光纤之间的光隔离器,减少了插入损耗。,下面是一种省隔离器边发射光器件及制作方法专利的具体信息内容。
1.一种省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1,在半导体衬底(1)上外延生长缓冲层(2)和有源波导层(3);
S2,腐蚀有源波导层(3)的端部,制作无波导段(4);
S3,在有源波导层(3)和无波导段(4)上作二次外延层(6)生长;
S4,在二次外延层(6)上制作边发射光器件的条形结构,减薄衬底(1)的背面,在光器件的正面和背面分别制作正面电极(7)和背面电极(8);
S5,在边发射光器件的出光端面蒸镀减反射介质膜I(9)。
2.根据权利要求1所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,所述边发射光器件包括FP激光器、SLD、SOA、DFB激光器、DBR激光器或波长可调谐激光器。
3.根据权利要求1或2所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,若所述边发射光器件为含光栅的光器件,则在步骤S3之前,增加在有源波导层(3)的悬浮光栅层上制作光栅(5)的步骤;所述含光栅的光器件包括DFB激光器、DBR激光器或波长可调谐激光器。
4.根据权利要求3所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,在步骤S1中,所述衬底(1)为InP、GaAs、GaN、SiC、AlN或ZnO衬底中的一种;所述缓冲层(2)中包含远场减小层(11);所述有源波导层(3)包括下限制层、多量子阱有源区结构层、上限制层和悬浮光栅层,所述有源波导层(3)生长在缓冲层(2)上。
5.根据权利要求4所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,所述缓冲层(2)的掺杂类型与衬底(1)的掺杂类型相同,缓冲层(2)的掺杂浓度为5×1018-5×1017cm-3,由下至上渐次递减;所述多量子阱有源区结构层不掺杂,上限制层和下限制层不掺杂或仅下限制层轻掺杂,当下限制层轻掺杂时,下限制层的掺杂类型与衬底(1)相同;所述悬浮光栅层的掺杂类型与衬底(1)相反,且悬浮光栅层的掺杂浓度为2×1017-6×1017cm-3。
6.根据权利要求1或5所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,在步骤S2中,所述无波导段(4)的长度为5-20μm。
7.根据权利要求6所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,在步骤S3中,所述二次外延层(6)包括从下至上依次生长的光栅填埋层或InP薄层、刻蚀停止层、包层、带隙过渡层和欧姆接触层,二次外延层(6)的掺杂类型与衬底(1)相反,掺杂浓度为2×
1017-2×1019cm-3,且掺杂浓度从下至上依次增加。
8.根据权利要求1或7所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,在步骤S4中,所述条形结构包括脊形波导条形结构和异质掩埋条形结构;所述无波导段(4)设置在边发射光器件的出光端或者对称设置在边发射光器件的两端。
9.根据权利要求8所述的省隔离器边发射光器件的制作方法,其特征在于,在步骤S5中,所述边发射光器件的背光端面蒸镀减反射介质膜II(9')或高反射介质膜(10),高反射介质膜(10)的反射系数为75% -95%;所述减反射介质膜I(9)的反射系数为0.01% -0.05%。
10.一种省隔离器边发射光器件,其特征在于,所述边发射光器件由权利要求1或9所述的省隔离器边发射光器件的制作方法所制作。
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