专利汇可以提供Thin film solar cell专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE:To obtain thermal stability with large short circuit current by using at least one of Cd I n2O4-x or DC I n2-xSn O4 as an electrode material of a thin film solar cell. CONSTITUTION:CdO, I n2O3, cd, In is powdered and weighed to make a required composition and put in a quartz ampule and, after completly exhausted, is placed in a sealed heating furnace. The temperature is kept at 600 deg.C for the first five hours and then raised 50 deg. every hour until it reaches 1,100 deg. and is left at this temperature for 20 hours. Then the temperature is gradually lowered at the rate of 50 deg. per hour and cd I n2 O4-x is obtained. By the similar process CdIn2-x SnO4 is obtained from the composition of CdO, In2O3 Sn, Cd sealed in a quartz ampulse. One or both of them are formed with a thickness of about 2,000Angstrom on a glass substrate by sputtering.,下面是Thin film solar cell专利的具体信息内容。
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