专利汇可以提供一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种宽温区强 磁场 中 热电效应 的电学测试方法,包括以下步骤:(1)在基片上生长 磁性 绝缘体 薄膜 和金属薄膜组成待测样品;(2)将待测样品的磁性绝缘薄膜一侧用导电 银 胶和金属 块 粘接,在样品薄膜的金属薄膜一侧上涂上低温绝缘导热胶和加热贴片 电阻 粘接;(3)金属块和样品座相连,样品座放入到低温强磁场平台,测得磁性绝缘体薄膜一侧的 温度 ;(4)通过贴片电阻通电前后的阻值变化测得最终的温度差。本发明可在较大的温度范围(2K~400K)内,定量测量磁性绝缘体薄膜中的温度梯度,测试 信号 信噪比 好,能测到nV量级信号。,下面是一种宽温区强磁场中热电效应的电学测量方法专利的具体信息内容。
1.一种宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于包括以下步骤:
a、在基片(3)上生长磁性绝缘体薄膜(4)和金属薄膜(5)组成待测样品;
b、将待测样品的磁性绝缘薄膜(4)一侧用导电银胶(2)和金属块(1)粘接,在样品薄膜的金属薄膜(5)一侧上涂上低温绝缘导热胶(6),通过低温绝缘导热胶(6)将待测样品的金属薄膜一侧和加热贴片电阻(7)粘接;
c、金属块(1)和样品座(12)相连,样品座(12)通过低温强磁场平台样品腔(11)放入到低温强磁场平台的样品台(10),低温强磁场平台(9)的系统温度即为磁性绝缘体薄膜一侧的温度;
d、通过铝线(8)将贴片电阻(7)两端引出和印刷电路板(14)连接进而测试电学信号,贴片电阻(7)不通入电流时,待测样品金属薄膜(5)一侧温度与待测样品磁性绝缘体薄膜(4)温度一致,即低温强磁场平台(9)的温度。当贴片电阻通入电流时,通过测试此时金属薄膜(5)的阻值结合金属薄膜(5)的R-T曲线来确定待测样品金属薄膜(5)一侧的温度,得到最终的温度差。
2.根据权利要求1所述的宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于:金属块(1)采用导热性好的材料。
3.根据权利要求1所述的宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于:待测样品磁性绝缘薄膜(4)一侧与金属块(1)间的银胶均匀涂抹。
4.根据权利要求1所述的宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于:待测样品的外部设置罩子(15)将待测样品罩住。
5.根据权利要求1所述的宽温区强磁场中热电效应的电学测试方法,其特征在于:贴片电阻(7)的加热为稳定加热,低温绝缘导热胶(6)的导热过程为均匀导热且在低温状态下导热性能良好。
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