专利汇可以提供包括空沟槽结构的半导体器件及其制造方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 涉及包括空沟槽结构的 半导体 器件及其制造方法。该方法基于以下步骤:在包括衬底和至少一个绝缘层的本体(30)中形成沟槽(41);以及在本体上方沉积金属层(46),用于封闭沟槽的口。通过选择性地 刻蚀 本体形成沟槽,其中反应副产物在沟槽的壁上沉积并且形成沿着沟槽的壁的 钝化 层和在沟槽的口附近的限制元件(45)。,下面是包括空沟槽结构的半导体器件及其制造方法专利的具体信息内容。
1.一种用于制造微电子半导体器件(50)的方法,包括:
在本体(30)中形成沟槽(41),所述沟槽具有侧壁和口;以及
在所述本体上方沉积金属层(46),所述金属层封闭所述沟槽的所述口,其中形成沟槽包括执行对所述本体的选择性刻蚀,由此在所述沟槽的所述口附近形成限制元件(45)的情况下,形成反应副产物并且使得所述反应副产物在所述沟槽的壁上沉积。
2.根据权利要求1所述的方法,其中使得所述反应副产物在所述沟槽(41)的壁上沉积包括在所述沟槽的所述侧壁上形成钝化层(42),所述钝化层在所述沟槽的所述口附近形成所述限制元件(45)。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其中执行选择性刻蚀包括利用包括CF4和CHF3的气体流来执行干法RIE,其中CF4的流量大于CHF3的流量。
4.根据权利要求3所述的方法,其中CF4的所述流量是CHF3的所述流量的2到4倍。
5.根据权利要求4所述的方法,其中CF4的所述流量是CHF3的所述流量的3倍。
6.根据权利要求3所述的方法,其中使用磁约束刻蚀机器。
7.根据权利要求1-2和4-6中的任一项所述的方法,其中形成沟槽(41)包括:形成覆盖所述本体(30)并且具有开口(38)的金属材料的掩膜(40),以及通过所述掩膜的所述开口选择性地去除所述本体(30)。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所述金属层(46)沉积在所述掩膜(40)上方,并且在所述开口(38)内形成尖状部分(47)。
9.根据权利要求1-2、4-6和8中的任一项所述的方法,其中所述本体(30)包括半导体材料的衬底(31)和在衬底上方的至少一个绝缘层(33、35),并且所述选择性刻蚀去除所述绝缘层的一部分。
10.根据权利要求1-2、4-6和8中的任一项所述的方法,其中所述本体(30)包括半导体材料的衬底(31)和覆盖所述衬底的层的堆叠(32),并且刻蚀所述本体包括使用相同的刻蚀溶液刻蚀所述层的堆叠。
11.根据权利要求1-2、4-6和8中的任一项所述的方法,其中在真空条件下执行沉积金属层(46)以获得集成的微型真空管器件。
12.根据权利要求1-2、4-6和8中的任一项所述的方法,其中执行选择性刻蚀包括预刻蚀和清洗步骤。
13.一种微电子半导体器件(50),包括:
本体(30);
沟槽(41),在所述本体中延伸,所述沟槽具有侧壁和口;
限制元件(45),在所述沟槽的所述口附近延伸,所述限制元件由刻蚀反应副产物形成;
以及
金属层(46),在所述本体(30)上方,所述金属层封闭所述沟槽(41)的所述口而不穿透到所述沟槽中。
14.根据权利要求13所述的器件,包括聚合物材料的钝化层(42),所述钝化层(42)至少部分地涂覆所述沟槽(41)的所述侧壁并且与所述限制元件(45)连接。
15.根据权利要求13或14所述的器件,包括金属材料的掩膜层,所述掩膜层在所述本体(30)和所述金属层(46)之间延伸并且具有包围所述限制元件(45)的开口(38)。
16.根据权利要求13或14所述的器件,其中所述限制元件(45)具有面对所述金属层(46)的近似地突起的部分,并且所述金属层具有在所述限制元件的突起部分内延伸的尖状部分(47)。
17.根据权利要求13或14所述的器件,其中所述本体(30)包括半导体材料的衬底(31)以及覆盖所述衬底的至少一个绝缘层(33、35),所述沟槽(41)在所述绝缘层中延伸。
18.根据权利要求17所述的器件,形成集成的微型真空管,其中所述金属层(46)形成阴极区域,并且所述衬底(31)形成阳极区域。
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