一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺
专利汇可以提供一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及 碱 抛激光选择性发射极领域。一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+ 氧 化— 正面 氮化 硅 膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压 力 100-120mbar，沉积 温度 780-800℃，通大氮流量800-1000sccm，携磷源小氮流量600-800sccm，氧气流量550-650sccm，沉积时间15-18min，低温推进 PN结 ，推进压力100-120mbar，温度800-830℃，通大氮流量1400-1600 sccm，通氧气流量450-650sccm，时间5-8min。，下面是一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺专利的具体信息内容。
1.一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺，其特征在于：整体工艺按照，制绒—扩散制结—去背PSG+碱抛—前表面激光掺杂—扩散推进+氧化—正面氮化硅膜—背面氮化硅膜—背面开膜—印刷；在扩散制结过程中，首先进行磷源沉积，沉积压力100-120mbar，沉积温度780-800℃，通大氮流量800-1000sccm，携磷源小氮流量600-800sccm，氧气流量550-
650sccm，沉积时间15-18min，低温推进PN结，推进压力100-120mbar，温度800-830℃，通大氮流量1400-1600 sccm，通氧气流量450-650sccm，时间5-8min； 方阻控制在200-240Ω/□；前表面激光掺杂，使用532nm波长的绿光，调制频率200-220kHz，打标功率38-39W，光斑为120μm的正方形，打标速度24100mm/min，激光掺杂处方阻控制在150-180Ω/□；扩散推进+氧化，首先进行扩散推进，使用高温扩散炉，升温至845-855℃，炉管内压力100-120mbar，通大氮流量1500-1800 sccm，通氧气流量500-700sccm，时间20-25min；低温氧化：沉积温度
750-780℃，压力100-120mbar，通沉积氧流量5000-5500sccm，时间15-20min。
一种适用于碱抛激光选择性发射极的新型工艺
技术领域
背景技术
发明内容
120mbar，温度800-830℃，通大氮流量1400-1600 sccm，通氧气流量450-650sccm，时间5-
8min； 方阻控制在200-240Ω/□；前表面激光掺杂，使用532nm波长的绿光，调制频率200-
220kHz，打标功率38-39W，光斑为120μm的正方形，打标速度24100mm/min，激光掺杂处方阻控制在150-180Ω/□；扩散推进+氧化，首先进行扩散推进，使用高温扩散炉，升温至845-
855℃，炉管内压力100-120mbar，通大氮流量1500-1800 sccm，通氧气流量500-700sccm，时间20-25min；低温氧化：沉积温度750-780℃，压力100-120mbar，通沉积氧流量5000-
5500sccm，时间15-20min。
具体实施方式
800sccm，工艺氧气流量550-650sccm，沉积时间15-18min；低温推进PN结：推进压力100-
120mbar，温度800-830℃，通工艺大氮流量1400-1600 sccm，通工艺氧气流量450-650sccm，时间5-8min； 方阻控制在200-240Ω/□。
500-700sccm，时间20-25min；低温氧化：沉积温度750-780℃，压力100-120mbar，通沉积氧流量5000-5500sccm，时间15-20min。
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