一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件
专利汇可以提供一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，包括设置于小 信号 链路侧的第一发射口、第一接收口、配置口和 开关 口，设置于天线侧的第二发射口和第二接收口，还包括发射链路和接收链路，发射链路设置于第一发射口与第二发射口间，接收链路设置于第一接收口与第二接收口间，配置口分别与发射链路和接收链路连接，对TR组件的幅相值进行配置，接收链路包括一射频开关，开关口与射频开关连接，控制射频开关进行TDD工作方式或FDD工作方式的切换，第二发射口和第二接收口与天线相连。本发明通过开关口控制射频开关进行TDD工作方式或TDD工作方式的切换，再配合外置配件，实现能同时适应TDD和TDD工作方式的TR组件。，下面是一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件专利的具体信息内容。
1.一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，包括设置于小信号链路侧的第一发射口、第一接收口、配置口和开关口，设置于天线侧的第二发射口和第二接收口，还包括发射链路和接收链路，所述发射链路设置于所述第一发射口与第二发射口间，所述接收链路设置于所述第一接收口与第二接收口间，所述配置口分别与所述发射链路和接收链路连接，对TR组件的幅相值进行配置，所述接收链路包括一射频开关，所述开关口与所述射频开关连接，控制所述射频开关进行TDD工作方式或FDD工作方式的切换，所述第二发射口和第二接收口与天线相连。
2.根据权利要求1所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述发射链路包括第一可调衰减器、第一移相器、功率放大器，其中：
所述第一可调衰减器的输入端与所述第一发射口相连，其输出端与所述第一移相器的输入端相连；
所述第一移相器的输出端与所述功率放大器的输入端相连；
所述功率放大器的输出端与所述第二发射口相连。
3.根据权利要求2所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述射频开关为射频单刀双掷开关。
4.根据权利要求3所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述接收链路还包括低噪声放大器、第二移相器、第二可调衰减器和负载，其中：
所述射频单刀双掷开关的输入端与所述第二接收口相连，其输出端分别与所述负载、低噪声放大器的输入端相连；
所述低噪声放大器的输出端与所述第二移相器的输入端相连；
所述第二移相器的输出端与所述第二可调衰减器的输入端相连；
所述第二可调衰减器的输出端与所述第一接收口相连。
5.根据权利要求4所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述配置口利用I2C总线或SPI总线或并行总线对TR组件的幅相值进行配置，所述配置口分别与所述第一可调衰减器、第一移相器、第二移相器和第二可调衰减器相连。
6.根据权利要求4所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述开关口具有两根开关线，其中一根与功率放大器相连，另一根与所述低噪声放大器和射频单刀双掷开关相连。
7.根据权利要求1所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，所述负载的阻抗为50Ω。
8.根据权利要求6所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，当TR组件处于TDD工作模式时，所述第二发射口与第二接收口连接有一环形器，所述环形器连接有一滤波器，所述滤波器与天线相连，其中：
当所述开关口控制所述功率放大器导通时，所述低噪声放大器关断且射频单刀双掷开关打向负载；
当所述开关口控制所述低噪声放大器导通且射频单刀双掷开关打向低噪声放大器时，所述功率放大器关断。
9.根据权利要求6所述的支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件，其特征在于，当TR组件处于FDD工作模式时，所述第二发射口与第二接收口连接有一双工器，所述双工器与天线相连，其中：
所述开关口控制所述功率放大器、低噪声放大器一直导通，所述射频单刀双掷开关一直打向低噪声放大器。
一种支持TDD和FDD工作方式的有源天线TR组件
技术领域
背景技术
发明内容
上述方案中，开关口通过控制射频开关控制TDD工作方式或FDD工作方式的切换，使TR组件同时适用于需要TDD与FDD工作方式的场合。
第一移相器的输出端与功率放大器的输入端相连；
功率放大器的输出端与第二发射口相连；
第一可调衰减器对发射信号进行一定程度上的衰减调节，衰减值通过配置口配置，第一移相器对发射信号相位进行一定精度下的移相，移相值通过配置口配置，功率放大器对发射信号信号进行放大。
低噪声放大器的输出端与第二移相器的输入端相连；
第二移相器的输出端与第二可调衰减器的输入端相连；
第二可调衰减器的输出端与第一接收口相连；
射频单刀双掷开关可打向低噪声放大器或负载，低噪声放大器对接收信号进行放大，第二移相器对接收信号相位进行一定精度下的移相，移相值通过配置口配置，第二可调衰减器对接收信号进行一定程度上的衰减调节，衰减值通过配置口配置。
当开关口控制低噪声放大器导通且射频单刀双掷开关打向低噪声放大器时，功率放大器关断。
附图说明
具体实施方式
对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。
发射链路包括第一可调衰减器、第一移相器、功率放大器，其中：
第一可调衰减器的输入端与第一发射口相连，其输出端与第一移相器的输入端相连；
第一移相器的输出端与功率放大器的输入端相连；
功率放大器的输出端与第二发射口相连；
射频开关为射频单刀双掷开关；
接收链路还包括低噪声放大器、第二移相器、第二可调衰减器和负载，其中：
射频单刀双掷开关的输入端与第二接收口相连，其输出端分别与负载、低噪声放大器的输入端相连；
低噪声放大器的输出端与第二移相器的输入端相连；
第二移相器的输出端与第二可调衰减器的输入端相连；
第二可调衰减器的输出端与第一接收口相连；
配置口可利用I2C总线或SPI总线或并行总线等成熟总线对TR组件的幅相值进行配置，配置口分别与第一可调衰减器、第一移相器、第二移相器和第二可调衰减器相连；
开关口具有两根开关线，其中一根与功率放大器相连，另一根与低噪声放大器和射频单刀双掷开关相连；
负载的阻抗为50Ω；
TR组件处于TDD工作模式时，还包括环形器和滤波器，环形器将第二发射口与第二接收口合二为一，并连接滤波器，滤波器与天线相连，其中：
当开关口控制功率放大器导通时，低噪声放大器关断且射频单刀双掷开关打向负载；
当开关口控制低噪声放大器导通且射频单刀双掷开关打向低噪声放大器时，功率放大器关断。
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