显示设备、用于驱动显示设备的方法以及电子装置
阅读：775发布：2020-05-08
专利汇可以提供显示设备、用于驱动显示设备的方法以及电子装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 申请 涉及显示设备、用于驱动显示设备的方法以及 电子 装置。该显示设备形成为布置有 像素 电路 ，像素电路具有：驱动发光单元的P 沟道 型驱动晶体管、对 信号 电压 进行 采样 的采样晶体管、控制发光单元的发光/非发光的发光控制晶体管、连接在驱动晶体管的栅 电极 与源电极之间并且保持通 过采样 晶体管的采样而被写入的信号电位的保持电容器、以及连接在驱动晶体管的源电极与固定电位 节点 之间的辅助电容器。显示设备设置有 电流 路径，电流路径使在发光单元的非发光时期内流入驱动晶体管的电流流入预定节点中。，下面是显示设备、用于驱动显示设备的方法以及电子装置专利的具体信息内容。
显示设备、用于驱动显示设备的方法以及电子装置
[0001] 本申请是申请号为201380067144.2(国际申请号为PCT/JP2013/079443)，申请日为2013年10月30日，发明创造的名称为“显示设备、用于驱动显示设备的方法以及电子装置”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本公开涉及显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置，更具体地，涉及其中均包括发光单元的每个像素以矩阵布置的平面型(平板型)显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及具有显示设备的电子装置。
背景技术
[0003] 平面型电子设备之一是使用电流驱动型电子光学元件作为像素的发光单元的显示设备，其中，发光亮度根据流入发光单元(发光元件)中的电流值而变化。例如，作为电流驱动型电子光学元件，已知利用当对有机薄膜施加电场时，有机薄膜通过使用有机材料的电致发光(EL)而发射光的现象的有机EL元件。
[0004] 由有机EL显示设备代表的一些平面型显示设备使用像素电路中的P沟道型晶体管作为用于驱动发光单元的驱动晶体管，并且具有校正驱动晶体管的阈值电压和迁移率的功能。除驱动晶体管之外，像素电路还具有采样晶体管、开关晶体管、保持电容器、以及辅助电容器(例如，参见专利文献1)。
[0005] 引用列表
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1：JP 2008-287141A
发明内容
[0008] 技术问题
[0009] 在根据上述所述常规实施例的显示设备中，当关注从校正准备时期至阈值电压的阈值校正时期的操作点时，发光单元的阳极电位超过了发光单元的阈值电压，而与非发光时期无关。因此，不管非发光时期，发光单元对于各个帧发射恒定亮度的光，而与信号电压的灰度无关，从而导致显示面板的对比度降低。
[0010] 本公开的目的是提供能够准确控制发光单元在非发光时期内处于非发光状态的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及具有显示设备的电子装置。
[0011] 问题的解决方法
[0012] 为了实现上述目的，根据本公开，提供一种其中布置有像素电路的显示设备，像素电路包括：P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间；显示设备包括：电流路径，电流路径使在发光单元的非发光时期内在驱动晶体管流动的电流流入预定节点。
[0013] 为了实现上述目的，根据本公开，提供一种用于驱动显示设备的方法。像素电路被布置在显示设备中，像素电路包括：P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间。该方法包括：当驱动显示设备时，使在发光单元的非发光时期内在驱动晶体管流动的电流流入预定节点。
[0014] 为了实现上述目的，根据本公开，提供一种包括其中布置有像素电路的显示设备的电子装置，像素电路包括：P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间；显示设备包括：电流路径，电流路径使在发光单元的非发光时期内在驱动晶体管流动的电流流入预定节点中。
[0015] 甚至当发光单元的阳极电位超过发光单元的阈值电压而不管发光单元的非发光时期时，允许在驱动晶体管流动的电流流入预定节点中可以防止电流流入发光单元中，从而防止发光单元在非发光时期内发射光。
[0016] 本发明的有利效果
[0018] 图1是示出了作为本公开前提的有源矩阵显示设备的基本配置的概况的系统配置图。
[0019] 图2是示出了作为本公开的前提的有源矩阵显示设备中的像素(像素电路)的电路实施例的电路图。
[0020] 图3是用于对作为本公开的前提的有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0021] 图4是示出了根据实施方式1的像素(像素电路)的电路实施例的电路图。
[0022] 图5是根据实施方式1的用于对包括像素的有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0023] 图6是示出了根据实施方式2的像素(像素电路)的电路实施例及包括像素的有源矩阵显示设备的概况的示图。
[0024] 图7是根据实施方式2的用于对包括像素的有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0025] 图8是根据实施方式3的用于对有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0026] 图9是根据实施方式4的用于对有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0027] 图10是集中于发光时期开始之前的发光转变时期的时序波形图。
[0028] 图11是示出了包括存在于驱动晶体管的栅电极与漏电极之间的寄生电容Cp的像素(像素电路)的电路图。
[0029] 图12A是示出了有机EL元件劣化之前和劣化之后的I-V特性的示图，并且图12B是示出了有机EL元件劣化之前和劣化之后的I-L特性的示图。
[0030] 图13是集中于烧损之前和之后的发光过渡时期的时序波形图。
[0031] 图14是集中于长期使用之后的有机EL元件劣化之前和劣化之后的发光过渡时期的时序波形图。
具体实施方式
[0032] 在下文中，将参考附图详细描述本公开的优选实施方式。应注意，在本说明书和附图中，以相同参考标号表示具有大致相同功能和结构的结构元件，并且省去对其结构元件的重复性说明。应注意，将按照下列顺序进行描述。
[0033] 1.对根据本公开的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置的整体说明
[0034] 2.作为本公开的前提的有源矩阵显示设备
[0035] 2-1.系统配置
[0036] 2-2.像素电路
[0037] 2-3.基本电路操作
[0038] 2-4.阈值校正准备时期至阈值校正时期存在的问题
[0039] 3.实施方式的说明
[0040] 3-1.实施方式1
[0041] 3-2.实施方式2
[0042] 3-3.实施方式3
[0043] 3-4.实施方式4
[0044] 4.应用例
[0045] 5.电子装置
[0046] <1.对根据本公开的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置的整体说明>
[0047] 根据本公开的显示设备是被配置为布置像素电路的平面型(平板型)显示设备，除具有用于驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管之外，平面型显示设备还具有采样晶体管、发光控制晶体管、保持电容器、以及辅助电容器。
[0048] 在上述所述像素电路中，采样晶体管通过对信号电压进行采样以将信号电压写入保持电容器中。发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光。保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压。辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间。
[0049] 平面型显示设备的实施例包括有机EL显示设备、液晶显示设备、等离子体显示设备等。在这些显示设备之中，有机EL显示设备使用有机EL元件作为像素的发光元件(电子光学元件)，该有机EL元件利用当对有机薄膜施加电场时有机薄膜通过使用有机材料的电致发光而发射光的现象。
[0050] 使用有机EL元件作为像素的发光单元的有机EL显示设备具有下列特征。即，因为可以以10V或更低的应用电压驱动有机EL元件，所以有机EL显示设备消耗较低的功率。此外，因为有机EL元件是自发光元件，所以有机EL显示设备比液晶显示设备具有更高的图像可视性，液晶显示设备与有机EL显示设备一样是平面型显示设备。此外，因为不需要诸如背光等照明元件，所以容易使有机EL显示设备轻而薄。而且，因为有机EL元件的响应速度非常快，近似几微妙，所以有机EL显示设备在显示移动图像时并不产生余像。
[0052] 在包括显示单元的各种电子装置中，可以使用诸如有机EL显示设备等平面型显示设备作为显示单元(显示设备)。各种电子装置的实施例包括头戴式显示器、数码照相机、电视系统、数码照相机、录影机、游戏机、膝上型个人电脑、诸如电子束阅读器等移动信息设备、诸如个人数字助理(PDA)或蜂窝电话等移动通信设备等。
[0053] 作为前提，根据本公开的技术使用P沟道型晶体管作为驱动晶体管。使用P沟道型晶体管而非N沟道型晶体管的原因如下。
[0054] 假设晶体管不形成在诸如玻璃基板等绝缘体上，而是形成在诸如硅等的半导体上，晶体管不具有源极、栅极、以及漏极等三个端子，而是具有源极、栅极、漏极、以及背栅极(基极)等四个端子。因此，当使用N沟道型晶体管作为驱动晶体管时，背栅极(基板)电位变成0V，从而对用于校正各个像素中的驱动晶体管的阈值电压的变化的操作产生负面影响等。
[0055] 此外，就晶体管的特性变化而言，与具有轻掺杂漏极(LDD)区域的N沟道型晶体管相比较，不具有LDD区域的P沟道型晶体管较小，从而有利于使像素微型化，最终，有利于显示设备的高清晰度。因此，在假设晶体管形成在诸如硅等半导体上的前提下，优选为使用P沟道型晶体管代替N沟道型晶体管作为驱动晶体管。
[0056] 因此，在使用P沟道型晶体管作为驱动晶体管的显示设备中，根据本公开的技术包括允许在发光单元的非发光时期内在驱动晶体管流动的电流流入预定节点中的电流路径，或者被配置为允许在发光单元的非发光时期内流入驱动晶体管的电流流入预定节点中。
[0057] 在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，电流路径允许在驱动晶体管流动的电流流入发光单元的阴极电极的节点中。在这种情况下，电流路径允许开关晶体管连接在驱动晶体管的漏电极与发光单元的阴极电极的节点之间，以使开关晶体管在发光单元的非发光时期内处于导通状态。
[0058] 此外，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，开关晶体管由用于驱动采样晶体管的信号驱动。在这种情况下，发光单元的发光时期可被设置为从用于驱动发光控制晶体管的信号变得有效的时刻至用于驱动采样晶体管的信号变得有效的时刻的时期。即，由用于驱动采样晶体管的信号变得有效的时刻可确定发光单元消光的起始时间。
[0059] 可替代地，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，开关晶体管可由不同于用于驱动采样晶体管的信号的信号驱动。在这种情况下，发光单元的发光时期可被设置为从用于驱动发光控制晶体管的信号变得有效的时刻至用于驱动采样晶体管的信号变得有效的时刻的时期，或者从用于驱动发光控制晶体管的信号变得有效的时刻至用于驱动开关晶体管的信号变得有效的时刻的时期。即，由用于驱动采样晶体管的信号或者用于驱动开关晶体管的信号变得有效的时刻可确定发光单元消光的开始。
[0060] 此外，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，用于驱动开关晶体管的信号可在采样晶体管开始信号电压的写入时期之前进入非有效状态。因此，开关晶体管在信号电压的写入时期开始之前进入非导通状态，从而切断电流路径。
[0061] 此外，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，采样晶体管、发光控制晶体管、以及开关晶体管可被配置有与驱动晶体管相同的P沟道型晶体管。
[0062] 此外，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，像素电路可执行将驱动晶体管的源电位改变至通过从作为基准的驱动晶体管的栅电位的初始电压中减去驱动晶体管的阈值电压而获得的电位的操作。
[0063] 此外，在均包括上述所述优选配置的显示设备、用于驱动显示设备的方法、以及电子装置中，像素电路可通过使用根据在驱动晶体管流动的电流的反馈量(feedback amount)在采样晶体管的信号电压的写入时期内执行将负反馈施加给保持电容器的操作。
[0064] <2.作为本公开的前提的有源矩阵显示设备>
[0065] [2-1.系统配置]
[0066] 图1是示出了作为本公开的前提的有源矩阵显示设备的基本配置的概况的系统配置图。作为本公开的前提的有源矩阵显示设备也是根据专利文献1中描述的常规实施例的有源矩阵显示设备。
[0067] 有源矩阵显示设备是通过使用设置在与电光设备相同的像素电路中的有源元件而控制流入电光设备中的电流的显示设备，诸如，绝缘栅场效应晶体管。绝缘栅场效应晶体管的典型实施例包括薄膜晶体管(TFT)。
[0068] 此处，例如，通过将使用有源矩阵有机EL显示设备作为像素电路中的发光单元(发光元件)的情况作为实施例进行描述，在有源矩形有机EL显示设备中，有机EL元件(即，电流驱动型电光设备)的亮度根据流入设备中的电流值而变化。应注意，在下文中，“像素电路”还可被简称为“像素”。
[0069] 如图1所示，作为本公开的前提的有机EL显示设备10包括像素阵列单元30和驱动电路单元(驱动单元)，在像素阵列单元30中，每个均包括有机EL元件的多个像素20以二维方式布置成矩阵，并且驱动电路单元设置在像素阵列单元30的外围。例如，驱动电路单元包括安装在与像素阵列单元30相同的显示面板70上的写入扫描单元40、驱动扫描单元50、以及信号输出单元60，并且驱动电路单元驱动像素阵列单元30中的像素20中的每个。应注意，写入扫描单元40、驱动扫描单元50、以及信号输出单元60中的一些或者全部可设置在显示面板70的外部。
[0070] 在有机EL显示设备10能够用作彩色显示器的情况下，用作形成彩色图像的单元的一个像素(单位像素)包括多个子像素。在这种情况下，每个子像素均对应于图1中的像素20中的每个。更具体地，例如，在能够用作彩色显示器的显示设备中，一个像素包括三个子像素：发射红(R)光的子像素、发射绿(G)光的子像素、以及发射蓝(B)光的子像素。
[0071] 然而，一个像素中的子像素的组合并不局限于RGB三种主色，而且，除三种主色的子像素之外，一个像素可包括一种或者多种颜色的子像素或者多种颜色的子像素。更具体地，例如，一个像素可包括发射白(W)光以增加亮度的子像素，或者可包括发射互补色的光以扩大颜色再现的范围的至少一个子像素。
[0072] 在像素阵列单元30中，对于具有m行和n列的像素20的布置，扫描线31(311至31m)沿着行方向(像素行中的像素的布置方向/水平方向)布置，并且针对每个像素行布置驱动线32(321至32m)。此外，对于具有m行和n列的像素20的布置，沿着列方向(像素列中的像素的布置方向/垂直方向)针对每个像素列布置信号线33(331至33n)。
[0073] 扫描线311至31m各自连接至写入扫描单元40的对应行的输出端。驱动线321至32m各自连接至驱动扫描单元50的对应行的输出端。信号线331至33n各自连接至信号输出单元60的对应列的输出端。
[0074] 例如，写入扫描单元40由移位寄存器电路形成。当将图像信号的信号电压写入像素阵列单元30的像素20中的每个时，写入扫描单元40通过将写入扫描信号WS(WS1至WSm)顺次供应至扫描线31(311至31m)而在行单元中对像素阵列单元30中的像素20中的每个进行顺次扫描(即，写入扫描单元40执行线序列扫描)。
[0075] 例如，与写入扫描单元40相似，驱动扫描单元50由移位寄存器电路形成。驱动扫描单元50通过在写入扫描单元40执行线序列扫描的同时将发光控制信号DS(DS1至DSm)供应至驱动线32(321至32m)而控制像素20的发光/非发光(消光)。
[0076] 信号输出单元60根据从信号电源(未示出)供应的亮度信息、第一基准电压Vref、以及第二基准电压Vofs选择性地输出图像信号的信号电压Vsig(在下文中，也被简称为“信号电压”)。此处，第一基准电压Vref是用于确保像素20中的每个的发光单元(有机EL元件)消光的基准电压。此外，第二基准电压Vofs是对应于作为图像信号的信号电压Vsig的基准电压的电压(例如，对应于图像信号的暗电平的电压)，并且当执行下列描述的阈值校正操作时，使用第二基准电压Vofs。
[0077] 在通过由写入扫描单元40执行的扫描而选择的像素行的单元中，从信号输出单元60交替输出的信号电压Vsig、第一基准电压Vref、以及第二基准电压Vofs通过信号线33(331至
33n)被写入像素阵列单元30的像素20的每个中。即，信号输出单元60采用线序列写入的驱动模式，其中，信号电压Vsig被写入行(线性)单元中。
33n)被写入像素阵列单元30的像素20的每个中。即，信号输出单元60采用线序列写入的驱动模式，其中，信号电压Vsig被写入行(线性)单元中。
[0078] [2-2.像素电路]
[0079] 图2是示出了作为本公开的前提的有源矩阵显示设备中的像素(像素电路)的电路实施例的电路图，即，根据常规实施例的有源矩阵显示设备。像素20A中的每个的发光单元均包括有机EL元件21。有机EL元件21是其中亮度随着在设备中流动的电流值而变化的电流驱动型电光设备的实施例。
[0080] 如图2所示，像素20A包括有机EL元件21和通过将电流供应至有机EL元件21驱动有机EL元件21的驱动电路。有机EL元件21的阴极电极连接至通常布置在所有像素20上的共用电源线34。
[0081] 用于驱动有机EL元件21的驱动电路具有驱动晶体管22、采样晶体管23、发光控制晶体管24、保持电容器25、以及辅助电容器26。应注意，假设驱动晶体管22形成在诸如硅等半导体上，而未形成在诸如玻璃基板等的绝缘体上，作为前提，使用P沟道型晶体管作为驱动晶体管22。
[0082] 此外，在该实施例中，与驱动晶体管22相似，假设采样晶体管和发光控制晶体管24形成在半导体上，则采样晶体管和发光控制晶体管24也使用P沟道型晶体管。因此，驱动晶体管22、采样晶体管23、以及发光控制晶体管24不具有源极、栅极、以及漏极等三个端子，而是具有源极、栅极、漏极、以及背栅极等四个端子。将电源电压Vcc施加至背栅极。
[0083] 在具有上述配置的像素20A中，采样晶体管23对通过信号线33从信号输出单元60供应的信号电压Vsig进行采样，从而将信号电压Vsig写入保持电容器25。发光控制晶体管24连接在电源电压Vcc的电源节点与驱动晶体管22的源电极之间，并且由发光控制信号DS驱动，以控制有机EL元件21的发光/非发光。
[0084] 保持电容器25连接在驱动晶体管22的栅电极与驱动晶体管22的源电极之间并且保持通过采样晶体管23的采样而被写入的信号电压Vsig。驱动晶体管22根据保持电容器25的保持电压通过使驱动电流流入有机EL元件21中而驱动有机EL元件21。辅助电容器26连接在驱动晶体管22的源电极与具有固定电位的节点之间，例如，电源电压Vcc的电源节点。当写入信号电压Vsig时，辅助电容器26起到抑制驱动晶体管22的源电位的变化的作用，并且起到将驱动晶体管22的栅源电压Vgs设置为驱动晶体管22的阈值电压Vth的作用。
[0085] [2-3.基本电路操作]
[0086] 随后，通过使用图3中的时序波形图描述作为本公开的前提的具有上述所述配置的有源矩阵有机EL显示设备10的基本电路操作。
[0087] 图3中的时序波形图示出了扫描线31的电位(写入扫描信号)WS、驱动线32的电位(发光控制信道)DS、信号线33的电位Vref/Vofs/Vsig、驱动晶体管22的源电位Vs和栅电位Vg、以及有机EL元件21的阳极电位Vano中的每个的变化。
[0088] 应注意，因为采样晶体管23和发光控制晶体管24是P沟道型，所以写入扫描信号WS和发光控制信号DS的低电位状态指有效状态，并且其高电位状态指非有效状态，并且采样晶体管23和发光控制晶体管24在写入扫描信号WS和发光控制信号DS处于有效状态时进入导通状态，并且在写入扫描信号WS和发光控制信号DS处于非有效状态时进入非有效状态。
[0089] 像素20A的发光时期结束时，即，通过在扫描线31的电位WS从高电位转变至低电位的时刻(时间t8)确定有机EL元件21，以使采样晶体管23进入导通状态。具体地，当扫描线31的电位WS从高电位转变至低电位，并且将第一基准电压Vref从信号输出单元60输出至信号线33时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs变成驱动晶体管22的阈值电压Vth或者变小，以切断驱动晶体管22。
[0090] 当切断驱动晶体管22时，切断了到有机EL元件21的电流供应路径，从而使有机EL元件21的阳极电位Vano逐渐增加。因此，当有机EL元件21的阳极电位Vano达到有机EL元件21的阈值电压Vthel或者更小时，有机EL元件21完全进入消光状态。
[0091] 当扫描线31的电位WS在时间t1从高电位转变成低电位时，采样晶体管23进入导通状态。此时，因为将第二基准电压Vofs从信号输出单元60输出至信号线33，所以驱动晶体管22的栅电位Vg变成第二基准电压Vofs。
[0092] 此外，在时间t1，因为驱动线32的电位DS处于低电位状态并且发光控制晶体管24处于导通状态，所以驱动晶体管22的源电位Vs变成电源电压Vcc。此时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs变成Vgs＝Vofs-Vcc。
[0093] 此处，为了执行后面所描述的阈值校正操作(阈值校正处理)，需要保持驱动晶体管22的栅源电压Vgs高于驱动晶体管22的阈值电压Vth。因此，将每个电压值设置成满足|Vgs|＝|Vofs-Vcc|>|Vth|。
[0094] 同样，将驱动晶体管22的栅电位Vg设置为第二基准电压Vofs并且将驱动晶体管22的源电位Vs设置为电源电压Vcc的初始化操作是执行下一阈值校正操作之前的准备操作(阈值校正准备)。因此，第二基准电压Vofs和电源电压Vcc分别是驱动晶体管22的栅电位Vg和源电位Vs的初始化电压。
[0095] 接着，当驱动线32的电位DS从低电位转变至高电位，以在时间t2使发光控制晶体管24处于非导通状态时，驱动晶体管22的源电位Vs进入浮置状态，以开始阈值校正操作，同时，保持驱动晶体管22的栅电位Vg处于第二基准电压Vofs。即，驱动晶体管22的源电位Vs开始朝向通过从驱动晶体管22的栅电位Vg减去阈值电压Vth而获得的电位(Vg-Vth)递减(下降)。
[0096] 同样，使用驱动晶体管22的栅电位Vg的初始化电压Vofs作为参考并且将驱动晶体管22的源电位Vs改变至通过从初始化电压Vofs中减去阈值电压Vth而获得的电位(Vg-Vth)的操作是阈值校正操作。阈值校正操作继续，直至驱动晶体管22的栅源电压Vgs收敛于驱动晶体管22的阈值电压Vth。对应于阈值电压Vth的电压保持在保持电容器25中。
[0097] 因此，当扫描线31的电位WS从低电位转变至高电位，以在时间t3使采样晶体管32处于非导通状态时，阈值校正时期结束。之后，在时间t4，将图像信号的信号电压Vsig从信号输出单元60输出至信号线33，从而将信号线33的电位从第二基准电压Vofs切换至信号电压Vsig。
[0098] 接着，当扫描线31的电位WS从高电位转变至低电位，以在时间t5使采样晶体管23处于导通状态时，通过对信号电压Vsig进行采样将信号电压Vsig写入像素20A中。采样晶体管23对信号电压Vsig的写操作允许将驱动晶体管22的栅电位Vg设置为信号电压Vsig。
[0099] 一旦写入图像信号的信号电压Vsig，连接在驱动晶体管22的源电极与电源电压Vcc的电源节点之间的辅助电容器26则起到抑制驱动晶体管22的源电位Vs发生变化的作用。当通过图像信号的信号电压Vsig驱动驱动晶体管22时，通过对应于保持在保持电容器25中的阈值电压Vth的电压补偿驱动晶体管22的阈值电压Vth。
[0100] 此时，根据信号电压Vsig扩大(增加)驱动晶体管22的栅源电压Vgs，但是，驱动晶体管22的源电极Vs仍处于浮置状态。因此，根据驱动晶体管22的特性使保持电容器25的充电电荷放电。此时，流入驱动晶体管22的电流开始对有机EL元件21的等效电容器Cel进行充电。
[0101] 当对有机EL元件21的等效电容器Cel进行充电时，驱动晶体管22的源电位Vs随着时间逐渐减少。此时，已经抵消驱动晶体管22的阈值电压Vth中的各个像素的变化，并且驱动晶体管22的漏源电流Ids取决于驱动晶体管22的迁移率u。应注意，驱动晶体管22的迁移率u是构成驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的迁移率。
[0102] 此处，驱动晶体管22的源电位Vs的减少作用为使保持电容器25的充电电荷放电。即，驱动晶体管22的源电位Vs的减少(改变量)指将负反馈施加给保持电容器25。因此，驱动晶体管22的源电位Vs的减少对应于负反馈的反馈量。
[0103] 同样，当通过使用取决于驱动晶体管22的漏源电压Ids的反馈量将负反馈施加至保持电容器25时，可以抵制驱动晶体管22的漏源电压Ids对迁移率u的依赖性。该抵制操作(抵制处理)是对驱动晶体管22的迁移率u中的各个像素的变化进行校正的迁移率校正操作(迁移率校正处理)。
[0104] 更具体地，因为图像信号的信号振幅Vin(＝Vsig-Vofs)被写入驱动晶体管22的栅电极中越大，漏源电压Ids越大，所以负反馈的反馈量的绝对值也增加。因此，根据图像信号的信号振幅Vin执行迁移率校正操作，即，发光亮度级。此外，当图像信号的信号振幅Vin保持恒定时，因为驱动晶体管22的迁移率u越大，负反馈的反馈量的绝对值越大，所以可以除去迁移率u中的各个像素的变化。
[0105] 当扫描线31的电位WS从低电位转变至高电位，以在时间t6使采样晶体管23处于非导通状态时，信号写入和迁移率校正时期结束、在执行迁移率校正之后，当驱动线32的电位DS在时间t7从高电位转变至低电位时，发光晶体管24进入导通状态。因此，通过发光控制晶体管24将电流从电源Vcc的电源节点供应至驱动晶体管22。
[0106] 此时，因为采样晶体管23处于非导通状态，所以驱动晶体管22的栅电极与信号线33电分离，以处于浮置状态。此处，当驱动晶体管22的栅电极处于浮置状态时，因为保持电容器25连接在驱动晶体管22的栅极与源极之间，所以栅电位Vg随着驱动晶体管22的源电位Vs的变化而变化。
[0107] 即，在保持被保持在保持电容器25中的栅源电压Vgs的同时，使驱动晶体管22的源电位Vs与栅电位Vg增加。此外，驱动晶体管22的源电位Vs根据晶体管的饱和电流增加至有机EL元件21的发光电压Voled。
[0108] 同样，其中栅电位Vg随着驱动晶体管22的源电位Vs的变化而变化的操作是引导操作(bootstrap operation)。即，引导操作是在保持被保持在保持电容器25中的栅源电压Vgs的同时使驱动晶体管22的源电位Vs和栅电位Vg发生变化的操作，即，保持电容器25的两个结束电压。
[0109] 因此，当驱动晶体管22的漏源电流Ids开始流入有机EL元件21时，有机EL元件21的阳极电位Vano根据电流Ids而增加。当有机EL元件21的阳极电位Vano随着时间超过有机EL元件21的阈值电压Vthel时，驱动电流开始流入有机EL元件21中，以允许有机EL元件21开始发射光。
[0110] 在上述所述一系列电路操作中，例如，在1水平时期(1H)内执行阈值校正准备、阈值校正、信号电压Vsig的写入(信号写入)、以及迁移率校正中的每个操作。
[0111] 应注意，例如，此处已经描述了应用驱动方法(其中，仅执行阈值校正处理一次)的情况，但是，驱动方法仅是实施例并且并不受限制。例如，还可以应用执行分割阈值校正(division threshold correction)的驱动方法，其中，除执行阈值校正以及迁移率校正和信号写入之外的1H时期之外，在超过1H时期的多个水平时期内分开执行阈值校正多次。
[0112] 根据分割阈值校正的驱动方法，即使被分配为1水平时期的时间因高清晰度减少了多个像素，在多个水平时期内也可以确保作为阈值校正时期的充分的时间。因此，即使被分配为1水平时期的时间减少了，因为可以确保作为阈值校正时期的充分时间，所以可以确保执行阈值校正处理。
[0113] [2-4.阈值校正准备时期至阈值校正时期存在的问题]
[0114] 此处，将注意力集中于从阈值校正准备时期至阈值校正时期(时间t1至时间t3)的操作点。从上述所述操作说明证明，需要使驱动晶体管22的栅源电压Vgs高于驱动晶体管22的阈值电压Vth，以执行阈值校正操作。
[0115] 从而允许电流流入驱动晶体管22中，如图3中的时序波形图所示，在阈值校正准备时期至阈值校正时期的一部分，有机EL元件21的阳极电位Vano临时超过有机EL元件21的阈值电压Vthel。从而允许电流从驱动晶体管22流入有机EL元件21中，由此允许发光单元(有机EL元件21)对于各个帧以恒定的亮度发射光，与信号电压Vsig的梯度无关，且与非发光时期无关。因此，显示面板70的对比度降低。
[0116] <3.实施方式的说明>
[0117] 因此，在根据本公开的实施方式中，提供允许使在驱动晶体管22中流动的电流在作为发光单元的有机EL元件21的非发光时期内流入预定节点中的电流路径。即，在非发光时期内在驱动晶体管22中流动的电流被迫使通过电流路径流入预定节点中。
[0118] 甚至当电流在有机EL元件21的非发光时期内在驱动晶体管22中流动时，应用上述配置也可通过使流入驱动晶体管22的电流流入预定节点中而防止电流流入有机EL元件21。这可防止有机EL元件21在非发光时期内发射光，从而提供具有高对比度的显示面板70。
[0119] 在下文中，将描述用于抑制有机EL元件21在非发光时期内的发光的具体实施方式。
[0120] [3-1.实施方式1]
[0121] 图4是示出了根据实施方式1的像素(像素电路)的电路实施例的电路图，并且在图中，以相同参考标号表示与图2具有大致相同元件和功能的结构元件。
[0122] 如图4所示，根据实施方式1的像素20B包括构成用于驱动有机EL元件21的电路的电路元件，即，驱动晶体管22、采样晶体管23、发光晶体管24、保持电容器25、辅助电容器26，并且除此之外，像素20B还包括电流路径80。
[0123] 电流路径80被设置成用于允许在驱动晶体管22流动的电流在有机EL元件21的非发光时期内流入预定节点中，例如，与有机EL元件21的阴极电极连接的共用电源线34。电流路径80由开关元件，例如，开关晶体管27配置。开关晶体管27连接在驱动晶体管22的漏电极与有机EL元件21的阳极的共用连接节点与共用电源线34之间作为预定节点的实施例。
[0124] 开关晶体管27由与驱动晶体管22、采样晶体管23、以及发光控制晶体管24具有相同导电类型的P沟道型晶体管形成。并且开关晶体管27的栅电极连接至扫描线31。即，通过从写入扫描单元40给出的写入扫描信号WS经由扫描线31驱动开关晶体管27，以使开关晶体管27在采样晶体管23执行操作的同时进入导通状态。
[0125] 根据实施方式1的包括具有上述所述配置的像素20B的有源矩阵显示设备的基本电路操作与作为上述所述本公开的前提的有源矩阵有机EL显示设备10相似，但阈值校正准备时期至阈值校正时期的电路操作除外。
[0126] 此处，主要使用图5的时序波形图描述了不同于作为本公开的前提的有源矩阵有机EL显示设备10的电路操作，即，阈值校正准备时期至阈值校正时期的电路操作。图5是根据实施方式1的用于对包括像素的有源矩阵显示设备的电路操作进行说明的时序波形图。
[0127] 当扫描线31的电位WS在时间t1从高电位转变至低电位时，采样晶体管23进入导通状态。此时，因为信号线33的电位是第二基准电压Vofs，所以驱动晶体管22的栅电位Vg变成第二基准电压Vofs，并且因为发光晶体管24处于导通状态，所以驱动晶体管22的源电位Vs变成电源电压Vcc。
[0128] 即，当驱动线32的电位DS处于低电位状态，并且扫描线31的电位WS从高电位转变至低电位时，执行分别将驱动晶体管22的栅电位Vg初始化成第二基准电压Vofs并且将驱动晶体管22的源电位Vs初始化成电源电压Vcc的阈值校正准备操作。
[0129] 阈值校正准备操作，即，对驱动晶体管22的栅电位Vg和源电位Vs的初始化操作使得驱动晶体管22的栅源电压Vgs大于驱动晶体管22的阈值电压Vth。这是因为如果不能使得驱动晶体管22的栅源电压Vgs大于驱动晶体管22的阈值电压Vth，则不能正常执行阈值校正操作。
[0130] 当执行上述所述初始化操作时，因为有机EL元件21的阳极电位Vano超过了有机EL元件21的阈值电压，与有机EL元件21的非发光时期无关，所以电流从驱动晶体管22流入有机EL元件21中。此时，如上所述，与有机EL元件21的非发光时期无关，对于各个帧，有机EL元件21均以恒定的亮度发射光，无需考虑信号电压Vsig的梯度，这也是相关技术中存在的问题。
[0131] 相反，在根据实施方式1的像素20B中，当扫描线31的电位WS在时间t1从高电位转变至低电位时，电流路径80的开关晶体管27进入导通状态。因此，通过开关晶体管27在有机EL元件21的阳极与共用电源线34之间创建电流短路。此处，开关晶体管27的导通电阻比有机EL元件21的导通电阻小许多，从而迫使允许流入驱动晶体管22的电流流入共用电源线34中。
[0132] 同样，迫使因作为阈值校正准备操作的初始化操作而流入驱动晶体管22的电流在有机EL元件21的非发光时期内流入共用电源线34中，从而可防止电流流入有机EL元件21中。因此，可以确保控制有机EL元件21进入非发光状态，以防止有机EL元件21在非发光时期内发射光，从而提供具有高对比度的显示面板70。
[0133] 此外，应用在有机EL元件21的阳极与共用电源线34之间创建短路的配置允许有机EL元件21的阳极电位Vano变成共用电源线34的电位，即，有机EL元件21的阴极电位Vcath。从而使得驱动晶体管22在阈值校正操作时的漏源电压大于未在有机EL元件21的阳极与共用电源线34之间创建短路时的电压。
[0134] 即，在阈值校正操作时流入驱动晶体管22的电流值变得大于未在有机EL元件21的阳极与共用电源线34之间创建短路时的电流值，从而允许阈值校正操作更快的继续进行。因此，可以更准确地对驱动晶体管22的阈值电压Vth中的各个像素的变化进行校正，以致使驱动时间的裕量增加。
[0135] 此外，在根据实施方式1的像素20B中，还使用用于驱动采样晶体管23的写入扫描信号WS作为开关晶体管27的驱动信号。因此，在像素阵列单元30的电路尺寸不增加的情况下，可以实现所需目的。即，在不需要添加用于产生开关晶体管27的驱动信号的扫描单元和用于传输驱动信号的布线的情况下，可以利用仅将开关晶体管27添加到像素阵列单元30中的简单配置执行用于抑制有机EL元件21在非发光时期的发光的控制。
[0136] 应注意，在根据实施方式1的像素20B中，从图5中的时间波形证明，将发光时期设置为从用于驱动发光控制晶体管24的发光控制信号DS进入有效状态的时刻t7至用于驱动采样晶体管23的写采样信号WS进入有效状态的时刻t8的时期。因此，通过写入扫描信号WS进入有效状态的时刻(时间t8)确定消光开始时间。
[0137] [3-2.实施方式2]
[0138] 图6是示出了根据实施方式2的像素(像素电路)的电路实施例的电路图，并且在图中，以相同参考标号表示与图2具有大致相同元件和功能的结构元件。
[0139] 如图6所示，与根据实施方式1的像素20B相似，根据实施方式2的像素20C还配置有连接在驱动晶体管22的漏电极的共用连接节点与有机EL元件21的阳极之间的开关晶体管27与共用电源线34的节点。
[0140] 应注意，在根据实施方式1的像素20B中，还使用用于驱动采样晶体管23的写入扫描信号WS作为开关晶体管27的驱动信号，其中，在根据实施方式2的像素20C中，使用不同于写入扫描信号WS的信号作为开关晶体管27的驱动信号。
[0141] 具体地，作为像素阵列单元30的外围电路，除用于输出写入扫描信号WS的写入扫描单元40和用于输出发光控制信号DS的第一驱动扫描单元50之外，新提供了用于输出驱动信号AZ的第二驱动扫描信号90。并且通过驱动线35将从第二驱动扫描单元90输出的驱动信号AZ供给至开关晶体管27的栅电极。
[0142] 用于驱动开关晶体管27的驱动信号AZ是在包括有机EL元件21的发光时期与发光时期之前和之后的时期的时期内处于非有戏(高电位)状态并且在除该时期之外的时期内处于有效(低电位)状态的信号。具体地，如图7中的时间波形所示，驱动信号AZ仅在从时间t6至时间t7的时间t11直至时间t8之后的时间t12的时期内处于非有效状态。
[0143] 如同根据实施方式1的像素20B，通过写入扫描信号WS驱动开关晶体管27，当在写入扫描信号WS的有源时期内未完成阈值校正操作时，可能出现问题。即，如果驱动晶体管22的栅源电压Vgs在写入扫描信号WS的有源时期内部收敛于阈值电压Vth，则在开关晶体管27从导通状态转变至非导通状态之后，电流从驱动晶体管22流入有机EL元件21中，从而致使有机EL元件21发射光。
[0144] 相反，在根据实施方式2的像素20C中，可选地，通过使用不同于写入扫描信号WS的驱动信号AZ作为用于驱动开关晶体管27的驱动信号可设置驱动信号AZ的有源时期。此外，即使在阈值校正时期内未完成阈值校正操作，通过仍在阈值校正时期之后，即，时间t3之后，将驱动信号AZ设置为处于有效状态的信号，可以防止电流流入有机EL元件21中。
[0145] 应注意，在实施方式2中，因为驱动信号AZ仅在从时间t6至时间t7的时间t11直至时间t8之后的时间t12的时期内处于非有效状态的信号，所以通过写入扫描信号WS进入有效状态的时刻(时间t8)确定消光开始时间。
[0146] [3-3.实施方式3]
[0147] 就像素20的电路配置与使用驱动信号AZ作为用于驱动开关晶体管27的驱动信号而言，实施方式3与实施方式2相同，并且就驱动信号AZ的波形(时间关系)而言，实施方式3不同于实施方式2。具体地，如图8中的时序波形图所示，驱动信号AZ是仅在时间t6至时间t7的时间t21直至时间t8的时间t22的时期内处于非有效状态的信号。
[0148] 甚至当利用该波形的驱动信号AZ被用作用于开关晶体管27的驱动信号时，也可以获得与实施方式2中的情况相同的作用和效果。即，即使未在阈值校正时期内完成阈值校正操作，开关晶体管27的作用仍可以防止电流流入有机EL元件21中。
[0149] 应注意，在实施方式3的情况中，因为驱动信号AZ是仅在时间t6至时间t7的时间t21直至时间t8之前的时间t22的时期内处于非有效状态的信号，所以通过驱动信号AZ进入有效状态的时刻(时间t22)确定消光的开始时间。即，将发光时期设置为从用于驱动发光控制晶体管24的发光控制信号DS进入有效状态的时刻t7至用于驱动开关晶体管27的驱动信号AZ进入有效状态的时刻t22的时期。
[0150] [3-4.实施方式4]
[0151] 与实施方式3的情况相似，就像素20的电路配置和使用驱动信号AZ作为用于驱动开关晶体管27的驱动信号而言，实施方式4与实施方式2相同，并且就驱动信号AZ的波形(时间关系)而言，实施方式4不同于实施方式2。具体地，如图9中的时序波形图所示，时间关系指示驱动信号AZ进入非有效状态，即，开关晶体管27在信号写时期开始的时间t5之前进入非导通状态。如同实施方式2中的情况，写入扫描信号进入有效状态的时刻可在时间t8之后，如同实施方式3中的情况，写入扫描信号进入有效状态的时刻可在时间t8之前。
[0152] 除实施方式2的情况下的作用和效应之外，利用其中驱动信号AZ在信号写时期开始之前进入非有效状态的时间关系的实施方式4可获得抑制显示面板70的烧损劣化(恶化)的作用和效果。此处，通常，“烧损”指构成显示面板70的发光元件的亮度局部恶化的现象。
[0153] 构成显示面板70的发光元件(本实施方式中的有机EL元件21)具有与其发光量和发光时间成比列地恶化的特征。另一方面，通过显示面板70显示的图像内容并不均匀。因此，例如，在其中重复地显示固定图案的情况下，诸如，时间显示，具体显示区域中的发光元件的恶化程度容易继续发展。因此，与导致可视亮度不均匀的其他显示区域中的发光元件的亮度相比较，其中恶化程度继续发展的具体显示区域中的发光元件的亮度相对降低。发光元件的局部亮度恶化指烧损劣化(恶化)。
[0154] 此处，将描述发光时期开始之前的发光转变时期的操作。图10中示出了集中于发光转变时期的时序波形图。图10示出了发光控制信号DS、写入扫描信号WS、驱动信号AZ、驱动晶体管22的源电位Vs和栅电位Vg、与有机EL元件21的阳极电位Vano、以及驱动晶体管22的漏源电流Ids中的每个的变化。
[0155] 应注意，在图10的时序波形图中，时间关系指示驱动信号AZ在发光控制信号DS进入有效状态的时间t7之后进入非有效状态。因此，当驱动信号AZ在时间t11进入非有效状态，以使开关晶体管27处于非导通状态时，开始将电流从驱动晶体管22供应至有机EL元件21，从而开始发光转变时期。
[0156] 同时，如图11所示，实际显示面板70具有驱动晶体管22的栅电极与漏电极之间的寄生电容Cp。寄生电容Cp的存在致使有机EL元件21在发光时期内的阳极电位Vano的变化影响驱动晶体管22的栅电位Vg。如图10中的时序波形图所示，这种影响使驱动晶体管22的栅源电压Vg减少了ΔVgs。
[0157] 此时，当被施加给有机EL元件21的电压为ΔVoled并且保持电容器25的电容值为Cs时，通过式(1)给出ΔVgs，如下：
[0158] ΔVgs＝Cp/(Cs+Cp)×ΔVoled (1)
[0159] 因此，最终，当驱动晶体管22的漏源电流Ids减小时，驱动晶体管22进入饱和状态，以开始发光时期。
[0160] 通过式(2)给出了驱动晶体管22的漏源电流Ids，如下：
[0161] Ids＝(1/2)×uCox×W/L×(Vgs)2 (2)
[0162] 其中，W是驱动晶体管22的沟道宽度，L是沟道长度，并且Cox是每单位面积的栅电容。
[0163] 长期使用导致有机EL元件21恶化，从而导致I-V特性(电流-电压特征)移位并且导致效率下降。图12A是示出了有机EL元件21恶化之前和恶化之后的I-V特性的示图，并且图12B是示出了有机EL元件21恶化之前和恶化之后的I-L特性(电流-亮度特征)的示图。在图
12A和图12B中，虚线代表恶化之前的特征，并且实线代表恶化之后的特征。
12A和图12B中，虚线代表恶化之前的特征，并且实线代表恶化之后的特征。
[0164] 图13是集中于烧损之前和烧损之后的发光转变时期的时序波形图。在图13中，虚线代表恶化之后的波形，并且实线代表恶化之前的波形。
[0165] 在发光转变时期内，考虑到I-V特性的移位影响，需要使有机EL元件21的阳极电位Vano增加多至ΔV，以获得相同电流。因为有机EL元件21的电压ΔVoled在烧损之后的发光时期内进一步增加了ΔV，所以驱动晶体管22的栅源电压Vgs进一步减小，直至驱动晶体管22的漏源电流Ids减少了比烧损之前更小的ΔIds。除有机EL元件21的效率降低之外，电流Ids的减小导致烧损退化。
[0166] 实施方式4被使得抑制因电流Ids的减小而导致的烧损劣化(恶化)。因此，如图9中的时序波形图所示，根据实施方式4的有源矩阵显示设备应用其中驱动信号AZ进入非有效状态的时间关系，即，开关晶体管27在信号写入时期开始之前进入非有效状态。
[0167] 将基于图9中的时序波形图描述根据实施方式4的有源矩阵显示设备的电路操作，特征在于驱动信号AZ的上述所述时间关系。
[0168] 在从时间t2至时间t3的阈值校正时期内，开关晶体管27在该时期内处于导通状态，驱动晶体管22的漏源电流Ids流入开关晶体管27的一端，从而防止有机EL元件21轻微地发射光。因此，因为在信号写入之前完成驱动晶体管22的阈值校正操作，所以对应于驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压被保持在保持电容器25中，并且驱动晶体管22处于切断状态。
[0169] 之后，驱动信号AZ在时间t31进入非有效状态，以使开关晶体管27处于非导通状态。然后，当从时间t5至时间t6开始信号写入和迁移率校正时期时，通过采样晶体管23的写入将作为发光信号的图像信号的信号电压Vsig从信号线33施加至驱动晶体管22的栅电极。
[0170] 此时，当辅助电容器26的电容值为Csub时，驱动晶体管22的栅源电压Vgs扩大了由式(3)给出的量，如下：
[0171] Vgs＝|Vsig-Vofs|×Csub/(Cs+Csub)+Vth＝a×|Vsig-Vofs|+Vth (3)[0172] 当使驱动晶体管22的栅源电压Vgs扩大时，电流流入驱动晶体管22中，以开始迁移率校正操作。因为在信号写入和迁移率校正处理中，开关晶体管27已经处于非导通状态，所以流入驱动晶体管22的所有电流流入有机EL元件21的一端。
[0173] 此处，从时间t5至时间t6的信号写入和迁移率校正时期具有数百[ns]的时期。此外，通过使用被施加给驱动晶体管22的栅电极的信号电压Vsig的式(4)表达在信号写入和迁移率校正时期内流入驱动晶体管22的漏源电流Ids，如下：
[0174] Ids＝1/2×uCox×W/L×{a×|Vsig-Vofs|}2 (4)
[0175] 通过背发光亮度至白发光亮度规定显示面板70的对比度。背发光时的图像信号的信号电压Vsig非常小，从而致使在迁移率校正时期内流入驱动晶体管22的漏源电流Ids非常小，从而防止有机EL元件21的阳极电位Vano达到发光阈值电压Vthel。因此，可以忽略黑发光亮度的影响，从而消除对比度的降低。
[0176] 在迁移率校正时期内，电流在有机EL元件21中流动。因此，因为根据由上述所述式(4)表达的电流Ids对有机EL元件21的等效电容器Cel进行充电，所以有机EL元件21的阳极电位Vano增加。在迁移率校正时期内，将驱动晶体管22的栅电位Vg固定至信号线33的电位，即，经由处于导通状态的采样晶体管23的信号电压Vsig。从而防止有机EL元件21的阳极电位Vano的增加影响栅电位Vg。
[0177] 之后，当发光控制信号DS在时间t7进入有效状态，以使发光控制晶体管24处于导通状态时，经由发光控制晶体管24将驱动晶体管22的源电位Vs固定至电源电压Vcc。因此，驱动晶体管22允许发光电流流入有机EL元件21中。此时，将有机EL元件21的等效电容器Cel充电成使得有机EL元件21的阳极电位Vano达到所需电位。因此，当驱动晶体管22的栅源电压Vgs变成特定电压值时，驱动晶体管22达到饱和状态，以开始发光时期。
[0178] 此处，将通过利用图14中的时序波形图描述长期使用、恶化之前和恶化之后使用的有机EL元件21的操作。图14是集中于长期使用之后的有机EL元件在恶化之前和恶化之后的发光过渡时期的时序波形图。在图14中，虚线代表恶化之后的波形，并且实线代表恶化之前的波形。
[0179] 如上所述，在迁移率校正时期内，电流(发光电流)根据漏源电流Ids在有机EL元件21中流动。在这种情况下，因为有机EL元件21在恶化之前和恶化之后的电流Ids取决于驱动晶体管22的栅源电压Vgs，所以恶化之前和恶化之后的电流相等。即，当恶化之前的电流Ids为Ids1，并且恶化之后的电流Ids为Ids2时，满足Ids1＝Ids2。
[0180] 尽管有机EL元件21根据相应的电流Ids1和Ids2使阳极电位Vano增加，然而，有机EL元件21在恶化之后比有机EL元件21在恶化之前使阳极电位Vano增加了多至I-V特性的移位部分ΔV。即，当恶化之后的阳极电位Vano为Vano1并且恶化之前的阳极电位Vano为Vano0时，满足Vano1＝Vano0+ΔV。
[0181] 即，在信号写时期开始之前，通过使开关晶体管27处于非导通状态，并且在迁移率校正时期内使电流流入有机EL元件21中，可将作为有机EL元件21的特征恶化的I-V特性的移位部分ΔV提前累积在有机EL元件21的等效电容器Cel中。之后，在发光转变状态，恶化之前和恶化之后的所需电压增加部分ΔVoled变得相等。从而防止因烧损而使电流Ids减少，从而允许对有机EL元件21的I-V特性的移位影响进行校正。
[0182] 如上所述，在信号写时期开始之前，通过将驱动信号AZ设置成非有效状态可对因有机EL元件21的恶化而造成的I-V特性的移位影响进行校正。从而可在抑制对比度恶化的同时，抑制因电流Ids的减小而导致的烧损劣化(恶化)。
[0183] <4.应用例>
[0184] 根据本公开的技术并不局限于上述所述实施方式，并且在本公开的范围内，各种变形和改造是可以的。例如，在上述所述实施方式中，已经描述了作为实施例的将根据本公开的技术应用于被配置为在诸如硅等半导体基板上形成构成像素20的P沟道型晶体管的显示设备的情况，而且，根据本公开的技术还可应用于被配置为在诸如玻璃基板等绝缘基板上形成构成像素20的P沟道型晶体管的显示设备。
[0185] <5.电子装置>
[0186] 可以使用根据本公开的上述所述显示设备作为各个领域中的电子装置中的显示单元(显示设备)，其中，将输入至电子装置中的图像信号或者在电子装置内产生的图像信号显示为图像或者移动图像。
[0187] 从上述所述实施方式的说明可以证明，根据本公开的显示设备可确保在非发光时期内将发光单元控制成处于非发光状态，从而提供具有高对比度的显示面板。因此，在各个领域的电子装置中，可以使用根据本公开的显示设备作为其实现显示单元的高对比度的显示单元。
[0188] 此外，使用根据本公开的显示设备作为显示单元的电子装置的实施例包括电视系统、头戴式显示器、数码照相机、录影仪、游戏机、膝上型个人电脑等。此外，还可使用根据本公开的显示设备作为电子装置中的显示单元，诸如，包括电子书设备和电子手表的移动信息装置、或者包括蜂窝电话和PDA的移动通信设备等。
[0189] 此外，本技术还可被配置成如下。
[0190] [1]一种其中布置有像素电路的显示设备，像素电路包括：
[0191] P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；
[0192] 采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；
[0193] 发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；
[0194] 保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及
[0195] 辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间；
[0196] 显示设备包括：
[0197] 电流路径，电流路径使在发光单元的非发光时期内在驱动晶体管流动的电流流入预定节点中。
[0198] [2]根据[1]所述的显示设备，
[0199] 其中，电流路径使在驱动晶体管流动的电流流入发光单元的阴极电极的节点中。
[0200] [3]根据[2]所述的显示设备，
[0201] 其中，电流路径包括开关晶体管，开关晶体管连接在驱动晶体管的漏电极与发光单元的阴极电极的节点之间，并且在发光单元的非发光时期内进入导通状态。
[0202] [4]根据[3]所述的显示设备，
[0203] 其中，开关晶体管由用于驱动采样晶体管的信号驱动。
[0204] [5]根据[3]所述的显示设备，
[0205] 其中，开关晶体管由不同于用于驱动采样晶体管的信号的信号驱动。
[0206] [6]根据[4]或[5]所述的显示设备，
[0207] 其中，发光单元的发光时期被设置为从用于驱动发光控制晶体管的信号变得有效的时刻至用于驱动采样晶体管的信号变得有效的时刻的时期。
[0208] [7]根据[5]所述的显示设备，
[0209] 其中，发光单元的发光时期被设置为从用于驱动发光控制晶体管的信号变得有效的时刻至用于驱动采样晶体管的信号变得有效的时刻的时期。
[0210] [8]根据[5]或[7]所述的显示设备，
[0211] 其中，用于驱动采样晶体管的信号在采样晶体管开始信号电压的写入时期之前进入非有效状态。
[0212] [9]根据[1]至[8]中任一项所述的显示设备，
[0213] 其中，采样晶体管、发光控制晶体管、以及开关晶体管由P沟道型晶体管构成。
[0214] [10]根据[1]至[9]中任一项所述的显示设备，
[0215] 其中，像素电路执行将驱动晶体管的源电位改变至以所述驱动晶体管的栅电位的初始电位为基准从所述初始电位中减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电位的操作。
[0216] [11]根据[1]至[10]中任一项所述的显示设备，
[0217] 其中，像素电路通过使用根据流入驱动晶体管的电流的反馈量在采样晶体管的信号电压的写入时期内执行将负反馈施加给保持电容器的操作。
[0218] [12]一种用于驱动显示设备的方法，
[0219] 其中，像素电路被布置在显示设备中，像素电路包括：
[0220] P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；
[0221] 采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；
[0222] 发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；
[0223] 保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及
[0224] 辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间；
[0225] 该方法包括：
[0226] 当驱动显示设备时，使在发光单元的非发光时期内流入驱动晶体管的电流流入预定节点中。
[0227] [13]一种包括其中布置有像素电路的显示设备的电子装置，像素电路包括：
[0228] P沟道型驱动晶体管，P沟道型驱动晶体管驱动发光单元；
[0229] 采样晶体管，采样晶体管对信号电压进行采样；
[0230] 发光控制晶体管，发光控制晶体管控制发光单元的发光/非发光；
[0231] 保持电容器，保持电容器连接在驱动晶体管的栅电极与源电极之间，并且保持通过采样晶体管的采样而被写入的信号电压；以及
[0232] 辅助电容器，辅助电容器连接在驱动晶体管的源电极与具有固定电位的节点之间；
[0233] 显示设备包括：
[0234] 电流路径，电流路径使在发光单元的非发光时期内流入驱动晶体管的电流流入预定节点中。
[0235] 参考标号列表
[0236] 10 有机LE显示设备
[0237] 20,20A,20B,20C 像素(像素电路)
[0238] 21 有机EL元件
[0239] 22 驱动晶体管
[0240] 23 采样晶体管
[0241] 24 发光控制晶体管
[0242] 25 保持电容器
[0243] 26 辅助电容器
[0244] 27 开关晶体管
[0245] 30 像素阵列单元
[0246] 31(311-31m) 扫描线
[0247] 32(321-32m) 驱动线
[0248] 33(331-33n) 信号线
[0249] 34 共用电源线
[0250] 40 写入扫描单元
[0251] 50 驱动扫描单元(第一驱动扫描单元)
[0252] 60 信号输出单元
[0253] 70 显示面板
[0254] 80 电流路径
[0255] 90 第二驱动扫描单元。
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