一种单片阵列式石英晶体微天平传感器及其制作方法
专利汇可以提供一种单片阵列式石英晶体微天平传感器及其制作方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种单片阵列式 石英 晶体微天平 传感器 及其制作方法，在一片石英晶片上呈矩阵式集成若干QCM单元，各QCM单元涂覆与测量相对应的敏感材料形成功能各异的QCM单元，配合低噪声振荡 电路 ，形成各自的 频率 信号 输出，各QCM单元设有退耦间隙用于隔离QCM单元之间的振动耦合，使QCM单元之间振动互不干扰各自独立工作。通过在一片石英 水 晶上集成多单元QCM，这些QCM单元组合成矩阵，拥有各自的振荡电路，构成独立的取向性各异的采集单元，可以同时测量多种气体或化学物质或 生物 细胞等，解决了QCM的功能单一问题，同时也具备成本低，集成度高，功能多样化的优点。，下面是一种单片阵列式石英晶体微天平传感器及其制作方法专利的具体信息内容。
1.一种单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：在一片石英晶片上呈矩阵式集成若干QCM单元，各QCM单元涂覆与测量相对应的敏感材料形成功能各异的QCM单元，配合低噪声振荡电路，形成各自的频率信号输出，各QCM单元设有退耦间隙用于隔离QCM单元之间的振动耦合，使QCM单元之间振动互不干扰各自独立工作。
2.根据权利要求1所述的单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：退耦间隙为在QCM单元振动区边缘开设的狭缝。
3.根据权利要求2所述的单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：所述狭缝对QCM单元振动区形成包围。
4.根据权利要求3所述的单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：所述狭缝为两条且呈[]型对称间隔布置。
5.根据权利要求3所述的单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：所述狭缝呈U形。
6.根据权利要求2所述的单片阵列式石英晶体微天平传感器，其特征是：所述狭缝的宽度和晶片厚度相同。
7.单片阵列式石英晶体微天平传感器制作方法，其特征是：采用机械加工方法，包括如下步骤：
1)选用AT切晶片，通过粗、中、细三道双面平面研磨至需要的频率；
2)对晶片表面进行化学抛光或物理抛光；
3)制作喷砂夹具；
4)将晶片放入喷砂夹具进入喷砂机，通过喷砂加工各QCM单元，在QCM单元振动区边缘开设狭缝；
5)采用磁控溅射在QCM单元镀覆金属电极和引线；
6)分别在各QCM单元的电极区涂覆相应被测物质的敏感材料。
8.单片阵列式石英晶体微天平传感器制作方法，其特征是：采用光刻加工方法，包括如下步骤：1)选用AT切晶片，通过粗、中、细三道双面平面研磨至需要的频率；
2)对晶片表面进行物理抛光；
3)制作光刻掩膜板；
4)采用光刻加工狭缝；
5)在晶片的正反两面被镀金属电极；
6)分别在各QCM单元的电极区涂覆相应被测物质的敏感材料。
一种单片阵列式石英晶体微天平传感器及其制作方法
技术领域
背景技术
发明内容
附图说明
具体实施方式
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