专利汇可以提供一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种交替反应制备 单层 和多层二硒化 钒 材料的方法。该方法通过交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物进行沉积反应,通过调节反应 温度 与时间来控制二硒化钒材料生长的层数与面积,得到高 质量 的层状二硒化钒材料。本发明的优点是:操作简单方便,生长条件精确可控,可实现二硒化钒材料的大面积制备。二硒化钒材料具有独特的化学、 电子 、磁和机械性能,在 光电子 学、 自旋电子学 、催化剂、 传感器 、 能量 收集和存储等科学技术领域有着广阔的应用前景。,下面是一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法专利的具体信息内容。
1.一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法,其特征在于方法如下:
将洁净的硅、石英、蓝宝石或长有二氧化硅薄膜的硅衬底置于反应腔内,控制反应温度为100-700℃,反应压力在100-2000帕;通过控制载气流量在1-500立方厘米/秒,交替注入一种或一种以上金属钒化合物和一种或一种以上含硒化合物,交替注入次数为1-1000次,不同反应物注入的间隔时间为1秒-10分钟,在衬底上获得单层和多层二硒化钒材料。
2.根据权利要求1所述的一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法,其特征在于:所述的金属钒化合物为四二甲基氨基钒,三异丙醇氧钒,四二乙基氨基钒或四甲乙氨基钒。
3.根据权利要求1所述的一种交替反应制备单层和多层二硒化钒材料的方法,其特征在于:所述的含硒化合物为二甲基硒醚,硒脲,二苯基二硒醚或二乙基二硒醚。
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