专利汇可以提供一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 属于光电探测技术领域,具体为一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法,所述探测器包括透明导电基底层(1)、新型空穴传输层(2)、探测光敏层(3)、 电子 传输层(4)和反射 电极 层(5),其特征在于:所述新型空穴传输层(2)为四层结构,包括第一介质层(201)、第二介质层(202)、第三纳米金属层(203)和第四介质层(204),且所述第一介质层(201)层叠在透明导电基底层(1)之上,所述第二介质层(202)层叠在第一介质层(201)之上,所述第三纳米金属层(203)层叠在第二介质层(202)之上,所述第四介质层(204)层叠在第三纳米金属层(203)之上。,下面是一种基于新型空穴传输层的光电探测器及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种基于新型空穴传输层的光电探测器,包括透明导电基底层(1)、新型空穴传输层(2)、探测光敏层(3)、电子传输层(4)和反射电极层(5),其特征在于:所述新型空穴传输层(2)为四层结构,包括第一介质层(201)、第二介质层(202)、第三纳米金属层(203)和第四介质层(204),且所述第一介质层(201)层叠在透明导电基底层(1)之上,所述第二介质层(202)层叠在第一介质层(201)之上,所述第三纳米金属层(203)层叠在第二介质层(202)之上,所述第四介质层(204)层叠在第三纳米金属层(203)之上,所述的第一介质层(201)为原子层沉积技术生长的Al2O3,Al2O3厚度为2nm,所述的第二介质层(202)为CH3NH3PbI3,CH3NH3PbI3的厚度为10-50nm,所述的第三纳米金属层(203)为金属铜的纳米颗粒,所述的第三纳米金属层(203)的名义厚度为2nm,金属铜的纳米颗粒的粒径在10-20nm,所述第四介质层(204)为PEDOT:PSS与NPB的复合材料制备而成,其中PEDOT:PSS与NPB的摩尔比为5:(1-
2),所述第四介质层(204)的厚度为30-50nm。
2.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器,其特征在于:所述透明导电基底层(1)包括第一玻璃基底以及沉积在第一玻璃基底之上的氧化铟锡构成,所述的第一玻璃基底的厚度0.5-7mm,所述氧化铟锡的厚度为100-300nm,所述透明导电基底层(1)的可见光透过率大于80%,方块电阻小于10欧姆。。
3.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器,其特征在于:所述的探测光敏层(3)为PIN型结构,包括第一P型层,第一I型层和第一N型层,所述第一P型层为空穴传输型有机材料,且空穴传输型有机材料的禁带宽度大于2eV,所述第一P型层的厚度为
20-50nm,所述第一N型层为电子传输型有机材料,且电子传输型有机材料的禁带宽度大于
2.4eV,所述第一N型层的厚度为20-50nm,所述的第一I型层为三元复合结构,包括摩尔比为
0.5:0.5:0.5的第一P型层材料、第一N型层材料和可见光敏层材料,所述的可见光敏层材料的禁带宽度范围为1-2eV,可见光敏材料的光吸收峰值波长范围为360-760nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器,其特征在于:所述的电子传输层(4)采用PC61BM或PC71BM制备而成,所述的电子传输层(4)的厚度为10-100nm。
5.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器,其特征在于:所述的反射电极层(5)采用铝、银或金制备而成,所述的反射电极层(5)的厚度为100-1000nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器的制备方法,其特征在于:探测器的制备包括以下步骤,
S1、透明导电基底层预处理;
S2、生长新型空穴传输层;
S3、生长探测光敏层;
S4、生长电子传输层;
S5、生长反射电极层。
7.根据权利要求6所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器的制备方法,其特征在于:步骤S1、透明导电基底层预处理包括步骤,透明导电基底层使用丙酮与乙醇棉球擦洗,再用丙酮、乙醇和去离子水各超声10分钟后,100℃烘干。
8.根据权利要求6所述的一种基于新型空穴传输层的光电探测器的制备方法,其特征在于:S2、生长新型空穴传输层包括步骤,
S21、生长第一介质层,在原子层沉积设备中生长2nm的Al2O3作为第一介质层;
S22、生长第二介质层,采用液相一步法,生长有第一介质层的基底80℃预热10分钟,将PbI2和CH3NH3I按照摩尔比例为1:1溶在二甲基亚砜和γ-丁内酯的混合溶剂中,PbI2和CH3NH3I占溶液总质量的10%,其中DMSO和GBL体积比是3:7,获得CH3NH3PbI3旋涂液,将CH3NH3PbI3旋涂液滴在第一介质层上,以2000rpm的转速立刻旋涂,,旋涂90s后,放置在90℃热台上退火60分钟;
S23、生长第三纳米金属层,真空镀膜机中蒸镀铜丝的方法,获得金属铜的纳米颗粒,蒸镀条件为速率0.05nm/s,本底真空度小于10-4Pa;
S24、生长第四介质层,将PEDOT:PSS与NPB的复合材料采用旋涂的办法生长在第三纳米金属层之上。
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