专利汇可以提供一种光电二极管及显示屏专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 提供一种光电 二极管 及显示屏,该 光电二极管 包括:第一 电极 ; 电子 传输层,设于所述第一电极上;光转换层,设于所述电子传输层上;空穴传输层,设于所述光转换层上;第二电极,设于所述空穴传输层上;当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时,所述第一电极的材料为透明导电材料,所述第二电极的材料为金属材料;当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时,所述第二电极的材料为透明导电材料,所述第一电极的材料为金属材料。本发明的光电二极管及显示屏,能够提高光转换层的光吸收率和光电转换效率。,下面是一种光电二极管及显示屏专利的具体信息内容。
1.一种光电二极管,其特征在于,包括:
第一电极;
电子传输层,设于所述第一电极上;
光转换层,设于所述电子传输层上;
空穴传输层,设于所述光转换层上;
第二电极,设于所述空穴传输层上;
当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时,所述第一电极的材料为透明导电材料,所述第二电极的材料为金属材料;
当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时,所述第二电极的材料为透明导电材料,所述第一电极的材料为金属材料。
2.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述金属材料包括但不限于钼以及钛中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,
所述光电二极管的吸收峰位于第一波段范围内或者第二波段范围内。
4.根据权利要求3所述的光电二极管,其特征在于,
当所述光电二极管的入射光的方向为第一方向时,所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第一预设条件时,所述光电二极管的吸收峰位于所述第一波段范围内;
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第二预设条件时,所述光电二极管的吸收峰位于所述第二波段范围内。
5.根据权利要求4所述的光电二极管,其特征在于,
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第一预设条件时,所第一电极的厚度范围为160nm至190nm,所述电子传输层的厚度范围为140nm至180nm。
6.根据权利要求4所述的光电二极管,其特征在于,
当所述第一电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第二预设条件时,所第一电极的厚度范围为210nm至230nm,所述电子传输层的厚度范围为195nm至215nm。
7.根据权利要求3所述的光电二极管,其特征在于,
当所述光电二极管的入射光的方向为第二方向时,所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第三预设条件时,所述光电二极管的吸收峰位于所述第一波段范围内;
当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第四预设条件时,所述光电二极管的吸收峰位于所述第二波段范围内。
8.根据权利要求7所述的光电二极管,其特征在于,当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第三预设条件时,所述第二电极的范围为95nm至110nm,所述电子传输层的厚度范围为45nm至55nm。
9.根据权利要求7所述的光电二极管,其特征在于,当所述第二电极的厚度和所述电子传输层的厚度满足第四预设条件时,所述第二电极的范围为135nm至150nm,所述电子传输层的厚度范围为55nm至65nm。
10.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,
所述第一电极的厚度范围和所述第二电极的厚度范围均为40nm~300nm。
11.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,
所述电子传输层的厚度范围和所述空穴传输层的厚度范围均为20nm~300nm。
12.根据权利要求1所述的光电二极管,其特征在于,所述光转换层的厚度范围为40nm~1500nm。
13.一种显示屏,其特征在于,包括多个如权利要求1至12任意一项所述的光电二极管。
【技术领域】
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