阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置专利检索-薄膜微电子学专利检索查询-专利查询网

阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置

阅读：494发布：2024-01-03

专利汇可以提供阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明实施例公开了一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置，该阵列基板应用于具有摄像头的显示装置，阵列基板包括基板、薄膜晶体管层、平坦化层、阳极层及金属连接层，其中，基板具有显示区和与摄像头对应的摄像区；薄膜晶体管层形成于基板上，薄膜晶体管层包括位于显示区内的薄膜晶体管和位于摄像区内的多层绝缘层；平坦化层形成于薄膜晶体管层上；阳极层形成于平坦化层上，阳极层包括位于显示区内并与薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于摄像区内的第二阳极；金属连接层将第二阳极与摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。本发明实施例改进了阵列基板的结构，在隐藏阵列基板下方的摄像头的同时，提高了阵列基板摄像区的透光率。，下面是阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种阵列基板，其特征在于，应用于具有摄像头的显示装置，所述阵列基板包括：
基板，所述基板具有显示区和与所述摄像头对应的摄像区；
薄膜晶体管层，形成于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述摄像区内的多层绝缘层；
平坦化层，形成于所述薄膜晶体管层上；
阳极层，形成于所述平坦化层上，所述阳极层包括位于所述显示区内并与所述薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于所述摄像区内的第二阳极；
金属连接层，将所述第二阳极与所述摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，与同一颜色子像素相对应的第一阳极和第二阳极通过所述金属连接层连接。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一阳极和所述第二阳极阵列分布于所述平坦化层上，位于同一行或同一列的第一阳极和第二阳极通过所述金属连接层连接。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属连接层形成于所述平坦层上。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层；所述金属连接层与所述栅极层、所述有源层或所述源漏极层同层设置。
6.如权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，所述金属连接层包括沿上下方向依次分布的多层子金属层，相邻两层所述子金属层之间形成有所述绝缘层或所述平坦化层，与同一颜色子像素相对应的第一阳极和第二阳极通过同一层子金属层连接。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括栅极介电层和层间介电层，所述子金属层的数量为三层，且三层所述子金属层分别形成于所述栅极介电层、层间介电层和所述平坦化层上。
8.如权利要求1至3中任意一项所述的阵列基板，其特征在于，在所述阳极层上还形成有像素定义层，所述像素定义层包括暴露出所述第一阳极和所述第二阳极的子像素开口，所述子像素开口内容纳有有机电致发光层。
9.一种阵列基板制造方法，其特征在于，包括：
提供基板，所述基板上具有显示区和与摄像头对应的摄像区；
在所述基板上形成薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括位于所述显示区的多个薄膜晶体管和位于所述摄像区的多层绝缘层；
在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层；
在所述平坦化层上形成阳极层，所述阳极层包括位于所述显示区内并与所述薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于所述摄像区内的第二阳极；
在所述绝缘层上和/或所述平坦化层上形成金属连接层，所述金属连接层将所述第二阳极与所述摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8中任意一项所述的阵列基板。

说明书全文

阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置。

背景技术

[0002] 有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)器件具有柔性显示的特性，被认为是新一代的显示技术，在智能手机、平板电脑等显示设备中具有广阔的应用前
景。现有技术中，可以将显示设备的前置摄像头隐藏在显示装置的下方，使显示装置对应摄
像头的区域能够正常显示，以提高显示设备的屏占比。

[0003] 这种将摄像头隐藏在显示装置下方的方式，会使得阵列基板对应摄像头的区域具有非晶硅(Amorphous silicon，A-Si)层、栅极(Gate Electrode，GE)层、源漏极(Source/
Drain，SD)层等大量的不透明金属走线，导致阵列基板对应摄像头的区域透光率较低，会对
前置摄像头的成像效果造成影响。

发明内容

[0004] 本发明实施例提供一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置，旨在改进阵列基板的结构，在隐藏阵列基板下方的摄像头的同时，提高阵列基板与摄像头相对应的摄像
区的透光率，提高摄像头的成像效果。

[0005] 为解决上述问题，第一方面，本申请提供一种阵列基板，应用于具有摄像头的显示装置，所述阵列基板包括：

[0006] 基板，所述基板具有显示区和与所述摄像头对应的摄像区；

[0007] 薄膜晶体管层，形成于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述摄像区内的多层绝缘层；

[0008] 平坦化层，形成于所述薄膜晶体管层上；

[0009] 阳极层，形成于所述平坦化层上，所述阳极层包括位于所述显示区内并与所述薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于所述摄像区内的第二阳极；

[0010] 金属连接层，将所述第二阳极与所述摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。

[0011] 在本申请一些实施例中，与同一颜色子像素相对应的第一阳极和第二阳极通过所述金属连接层连接。

[0012] 在本申请一些实施例中，所述第一阳极和所述第二阳极阵列分布于所述平坦化层上，位于同一行或同一列的第一阳极和第二阳极通过所述金属连接层连接。

[0013] 在本申请一些实施例中，所述金属连接层形成于所述平坦层上。

[0014] 在本申请一些实施例中，所述薄膜晶体管包括栅极层、有源层和源漏极层；所述金属连接层与所述栅极层、所述有源层或所述源漏极层同层设置。

[0015] 在本申请一些实施例中，所述金属连接层包括沿上下方向依次分布的多层子金属层，相邻两层所述子金属层之间形成有所述绝缘层或所述平坦化层，与同一颜色子像素相
对应的第一阳极和第二阳极通过同一层子金属层连接。

[0016] 在本申请一些实施例中，所述绝缘层包括栅极介电层和层间介电层，所述子金属层的数量为三层，且三层所述子金属层分别形成于所述栅极介电层、层间介电层和所述平
坦化层上。

[0017] 在本申请一些实施例中，在所述阳极层上还形成有像素定义层，所述像素定义层包括暴露出所述第一阳极和所述第二阳极的子像素开口，所述子像素开口内容纳有有机电
致发光层。

[0018] 第二方面，本申请提供一种阵列基板制造方法，包括：

[0019] 提供基板，所述基板上具有显示区和与摄像头对应的摄像区；

[0020] 在所述基板上形成薄膜晶体管层，该薄膜晶体管层包括位于所述显示区的多个薄膜晶体管和位于所述摄像区的多层绝缘层；

[0021] 在所述薄膜晶体管层上形成平坦化层；

[0022] 在所述平坦化层上形成阳极层，所述阳极层包括位于所述显示区内并与所述薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于所述摄像区内的第二阳极；

[0023] 在所述绝缘层上和/或所述平坦化层上形成金属连接层，所述金属连接层将所述第二阳极与所述摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。

[0024] 第三方面，本申请提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板，所述阵列基板应用于具有摄像头的显示装置，所述阵列基板包括：

[0025] 基板，所述基板具有显示区和与所述摄像头对应的摄像区；

[0026] 薄膜晶体管层，形成于所述基板上，所述薄膜晶体管层包括位于所述显示区内的薄膜晶体管和位于所述摄像区内的多层绝缘层；

[0027] 平坦化层，形成于所述薄膜晶体管层上；

[0028] 阳极层，形成于所述平坦化层上，所述阳极层包括位于所述显示区内并与所述薄膜晶体管连接的第一阳极，以及位于所述摄像区内的第二阳极；

[0029] 金属连接层，将所述第二阳极与所述摄像区预设距离范围内的第一阳极连接。

[0030] 有益效果：本发明实施例的阵列基板通过去掉与摄像头相对应的摄像区的薄膜晶体管结构及信号走线，大大提高了此区域透光率，使摄像头的成像效果更好。同时，摄像区
内的第二阳极与摄像区预设距离范围内的第一阳极连接，当对摄像区预设距离范围内的薄
膜晶体管施加电压后，能够使摄像区内的像素单元进行颜色显示，以隐藏阵列基板下方的
摄像头。
附图说明

[0031] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于
本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附
图。

[0032] 图1是本发明实施例提供一种显示装置的一个实施例结构示意图；

[0033] 图2是本发明实施例提供一种阵列基板的一个实施例的横截面示意图；

[0034] 图3是本发明实施例提供一种阵列基板的第一阳极和第二阳极的连接关系图；

[0035] 图4是本发明实施例提供一种阵列基板的另一个实施例的横截面示意图；

[0036] 图5是本发明实施例提供一种阵列基板制造方法的一个实施例的流程示意图。

[0037] 显示装置10；阵列基板11；基板111；摄像区1111；显示区1112；缓冲层112；薄膜晶体管层113；栅极层1131；有源层1132；源漏极层1133；栅极介电层1134；层间介电层1135；平
坦化层114；阳极层115；第一阳极1151；第二阳极1152；金属连接层116；金属连接层116a；子
金属层1161；像素定义层117；有机电致发光层118；阴极层119；封装膜层120。

具体实施方式

[0038] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施
例，都属于本发明保护的范围。

[0039] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，
因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解
为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、
“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多
个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0040] 在本申请中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本申请中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任
何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列
出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况
下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必
要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合
本申请所公开的原理和特征的最广范围相一致。

[0041] 本发明实施例提供一种阵列基板，该阵列基板主要应用于具有摄像头的显示装置。以下分别进行详细说明。

[0042] 参照图1和图2，阵列基板11包括基板111，以及形成于基板111上的薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)层113、平坦化层(Planarization，PLN)114、阳极(Anode，
ANO)层115等等。

[0043] 其中，基板111具有显示区1112和摄像区1111。基板111的显示区1112与显示装置10用于显示画面的区域相对应，基板111的摄像区1111与显示装置10的摄像头(图中未示
出)相对应，以供显示装置10外部的光线穿过并进入到摄像头内。

[0044] 可选地，基板111为透明基板。其具体可以为透明玻璃基板，或由聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环烯烃共聚物(COC)、或聚醚砜树脂(PES)等材料制成的透明柔
性基板等等。

[0045] 薄膜晶体管层113形成于基板111上，该薄膜晶体管层113包括位于显示区1112内的薄膜晶体管和位于摄像区1111内的多层绝缘层。

[0046] 薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，具体可包括有源层1132、栅极层1131和源漏极层1133，该源漏极层1133包括与有源层1132的两侧接触的源极和漏极，栅极层1131
与有源层1132之间，以及栅极层1131与源漏极层1133分别通过绝缘层隔开。

[0047] 可选地，有源层1132的材质可以为非晶硅、低温多晶硅等半导体材料。

[0048] 可选地，栅极层1131的数量为两层，沿上下方向依次形成于有源层1132的上方，且栅极层1131与有源层1132之间，以及两个栅极层1131之间均设有栅极介电(Gate
Insulation，GI)层1134，栅极介电层1134为绝缘层，用于将栅极层1131与有源层1132之间，
以及两个栅极层1131之间隔开。

[0049] 在上方的栅极层1131上还依次设有层间介电层(Inter-leveldielectric，ILD)1136和源漏极层1133，层间介电层1136为绝缘层，用于将源漏极层1133和栅极层1131隔开，
源漏极层1133的源极和漏极穿过层间介电层1136、两层栅极介电层1134后分别与有源层
1132的两侧接触。

[0050] 需要说明的是，薄膜晶体管层113位于基板111的显示区1112内的薄膜晶体管由有源层1132、两层栅极介电层1134、两层栅极层1131、层间介电层1136和源漏极层1133等结构
构成；薄膜晶体管层113位于基板111的摄像区1111内的多层绝缘层可以包括栅极介电层
1134、层间介电层1136等等。

[0051] 平坦化层114形成于薄膜晶体管层113上，用于对薄膜晶体管层113进行平坦化。其中，平坦化层114包括氧化硅、氮化硅或有机树脂等等。

[0052] 阳极层115形成于平坦化层114上，该阳极层115包括位于显示区1112内并与薄膜晶体管连接的第一阳极1151，以及位于摄像区1111内的第二阳极1152。具体地，阳极层115
的第一阳极1151穿过平坦化层114和源漏极层1133的漏极接触，以使阳极层115的第一阳极
能够提供空穴。其中，阳极层115的组成材料可以为氧化铟锡等金属氧化物。

[0053] 在一些实施中，如图2所示，还可以在基板111和薄膜晶体管层113之间形成缓冲(Buffer Layer)层112，该缓冲层112用于缓冲阵列基板11弯曲时产生的应力，进而在显示
装置10处于弯折状态时使显示装置10的状态保持稳定。其中，缓冲层112可以形成于基板
111的显示区1112和摄像区1111。缓冲层112的材料为有机绝缘材料。

[0054] 在一些实施例中，如图2所示，阵列基板11还可以包括金属连接层116，该金属连接层116将第二阳极1152与摄像区1111预设距离范围内的第一阳极1151连接。由此，当对摄像
区1111预设距离范围内的薄膜晶体管施加电压后，能够使摄像区1111内的像素单元进行颜
色显示，以隐藏阵列基板11下方的摄像头。同时，由于基板111的摄像区1111内未设置薄膜
晶体管结构及信号走线，因此，提高了基板111的摄像区1111透光率，使更多的外部光线通
过基板111的摄像区1111进入到摄像头内，提高摄像头的成像效果。

[0055] 其中，摄像区1111预设距离范围可以是靠近摄像区1111边缘的第一阳极1151所对应的范围，具体可根据第一阳极1151和第二阳极1152的连接方式而定。

[0056] 在一些实施例中，可以使与同一颜色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接。

[0057] 具体地，如图3所示，像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，位于基板111的显示区1112内的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别对应不同的第一阳极
1151，位于基板111的摄像区1111内的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素分别对应不同
的第二阳极1152。与红色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152(图3中小正方形表
示)通过金属连接层116连接在一起；与绿色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152
(图3中长方形表示)通过金属连接层116连接在一起；与蓝色子像素相对应的第一阳极1151
和第二阳极1152(图3中大正方形表示)通过金属连接层116连接在一起。

[0058] 可以理解的是，通过将与同一颜色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接在一起，摄像区1111内的像素单元所显示的颜色，与摄像区1111预
设距离范围内的像素单元所显示的颜色保持一致，因此，对摄像区1111内的像素单元所显
示的颜色控制更加方便。

[0059] 当然，也可以将对应不同颜色子像素的多个第二阳极1152，与对应一种颜色的第一阳极1151通过金属连接层116连接在一起。具体例如：可以将对应红、绿、蓝三种不同颜色
子像素的三个第二阳极1152，与对应红色子像素的第一阳极1151通过金属连接层116连接
在一起。当向对应红色子像素的第一阳极1151施加电压后，对应红、绿、蓝三种不同颜色子
像素的三个第二阳极1152的电压相同，因此，摄像区1111内的像素单元所包括的红、绿、蓝
三种颜色子像素的亮度相同，从而使摄像区1111内的像素单元显示纯白色，以覆盖阵列基
板11下方的摄像头。

[0060] 或者，还可以使与不同颜色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接在一起。具体例如：可以使与红色子像素相对应的第一阳极1151和与绿色
子像素相对应的第二阳极1152通过金属连接层116连接在一起；与绿色子像素相对应的第
一阳极1151和与蓝色子像素相对应的第二阳极1152通过金属连接层116连接在一起；与蓝
色子像素相对应的第一阳极1151和与红色子像素相对应的第二阳极1152通过金属连接层
116连接在一起。

[0061] 当向摄像区1111预设距离范围内第一阳极1151施加相同大小的电压，对应不同颜色子像素的第二阳极1152施加的电压相同，从而使摄像区1111预设距离范围内的像素单元
与摄像区1111内的像素单元均显示纯白色。当然，也可以向摄像区1111预设距离范围内第
一阳极1151施加不同大小的电压，则摄像区1111预设距离范围内的像素单元显示的颜色，
与摄像区1111内的像素单元显示的颜色不同。

[0062] 在一些实施例中，第一阳极1151和第二阳极1152阵列分布于平坦化层114上，如图3所示，可以使位于同一行的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接，以使
平坦化层114上阳极层115的结构更加简单，形成更加方便。

[0063] 其中，可以使位于同一行且对应同一种颜色子像素的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接，也可以使位于同一行且对应不同种颜色子像素的第一阳极
1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接。当然，前者能够使摄像区1111预设距离范围
内的像素单元显示的颜色与摄像区1111内的像素单元显示的颜色保持一致。

[0064] 或者，也可以使位于同一列的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接，以使平坦化层114上阳极层115的结构更加简单，形成更加方便，此处不再赘述。

[0065] 在一些实施例中，如图2所示，金属连接层116可以形成于平坦化层114上。具体地，可以在形成平坦化层114后，在平坦化层114上形成金属连接层116，该金属连接层116的结
构可根据第一阳极1151和第二阳极1152的连接方式而定。

[0066] 例如：当位于同一行且对应同一种颜色子像素的第一阳极1151和第二阳极1152通过金属连接层116连接，则可以在平坦化层114上形成多条横向延伸的金属连接线，位于同
一行且对应同一种颜色子像素的第一阳极1151和第二阳极1152通过同一条金属连接线连
接。

[0067] 当然，金属连接层116也可以与薄膜晶体管层113的栅极层1131、有源层1132或源漏极层1133同层设置。

[0068] 以金属连接层116与源漏极层1133同层设置为例，可以在层间介电层1136上形成金属连接层116，第二阳极层115穿过金属连接层116上方的平坦化层114与层间介电层1136
上的金属连接层116连接。另外，可以使第一阳极层115穿过金属连接层116上方的平坦化层
114与层间介电层1136上的金属连接层116连接，或者使金属连接层116与源漏极层1133的
漏极接触，以使金属连接层116与第一阳极1151连接。

[0069] 在另一些实施例中，如图4所示，阵列基板11a的金属连接层116a可以包括沿上下方向依次分布的多层子金属层1161，相邻两层子金属层1161之间形成有绝缘层或平坦化层
114，以将相邻的两个子金属层1161隔开。其中，每层子金属层1161可以将一个或多个第二
阳极1152与对应的一个或多个第一阳极1151连接。

[0070] 可以理解的是，将金属连接层116a分为沿上下方向依次分布的多层子金属层1161，能够减少金属连接层116a所占用的面积，提高阵列基板11的摄像区1111的透光率。

[0071] 需要说明的是，绝缘层可以包括栅极介电层1134、层间介电层1136等等，具体可根据阵列基板11a的具体结构而定。另外，多层子金属层1161可以与有源层1132、两层栅极层
1131、源漏极层1133和阳极层115中的多层同层设置，具体可根据子金属层1161的数量和阵
列基板11的具体结构而定。

[0072] 可选地，可以使与同一颜色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过同一层子金属层1161连接，以使金属连接层116的结构更加简单。具体例如：可以使红色子像
素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过同一层子金属层1161连接。

[0073] 当然，与不同颜色子像素对应的第一阳极1151和第二阳极1152也可以通过同一层子金属层1161连接，具体可根据第一阳极1151和第二阳极1152的连接方式而定。

[0074] 在一些实施例中，子金属层1161的数量可以为三层，三层子金属层1161分别形成于栅极介电层、层间介电层1136和平坦化层114上，以保证摄像区1111内的三种颜色子像素
所对应的第二阳极1152与摄像区1111预设距离范围内的第一阳极1151连接的同时，使子金
属连接层116的数量尽可能少，从而减少金属连接层116的形成工艺。

[0075] 具体地，可以使红色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过第一层子金属层1161连接；绿色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过第二层子金属层
1161连接；蓝色子像素相对应的第一阳极1151和第二阳极1152通过第三层子金属层1161连
接。

[0076] 在一些实施例中，如图2所示，在阳极层115上还可以形成有像素定义(Pixel Defined Layer，PDL)层1161，该像素定义层1161包括暴露出第一阳极1151和第二阳极1152
的子像素开口，子像素开口内容纳有有机电致发光(Electro Luminescent，EL)层118。其
中，有机电致发光层118可以包括空穴传输层(Hole transport layer，HTL)、发光层
((Emitting layer，EML)、电子传输层(Electron transport layer，ETL)等，此处不再赘
述。

[0077] 可选地，在有机致电发光层118上还可以依次形成有阴极(Cathode)层119和封装膜层120，阴极层119用于提供电子，封装膜层120用于阴极层119和有机电致发光层进行保
护。

[0078] 本发明实施例还提供一种阵列基板制造方法，如图2及图5所示，该阵列基板制造方法包括步骤S110至步骤S150，具体描述如下：

[0079] 110、提供基板111，该基板111上具有显示区1112和与摄像头对应的摄像区1111。

[0080] 120、在基板111上形成薄膜晶体管层113，该薄膜晶体管层113包括位于显示区1112的多个薄膜晶体管和位于摄像区1111的多层绝缘层。

[0081] 130、在薄膜晶体管层113上形成平坦化层114。

[0082] 140、在平坦化层114上形成阳极层115，阳极层115包括位于显示区1112内并与薄膜晶体管连接的第一阳极1151，以及位于摄像区1111内的第二阳极1152。

[0083] 150、在绝缘层上和/或平坦化层114上形成金属连接层116，金属连接层116将第二阳极1152与摄像区1111预设距离范围内的第一阳极1151连接。

[0084] 可以理解的是，通过上述阵列基板制造方法制造的阵列基板11，当对摄像区1111预设距离范围内的薄膜晶体管施加电压后，能够使摄像区1111内的像素单元进行颜色显
示，以隐藏阵列基板11下方的摄像头。同时，由于基板111的摄像区1111内未设置薄膜晶体
管结构及信号走线，因此，提高了基板111的摄像区1111透光率，使更多的外部光线通过基
板111的摄像区1111进入到摄像头内，提高摄像头的成像效果。

[0085] 需要说明的是，上述阵列基板制造方法中对各步骤的顺序并未进行限定，具体可根据阵列基板11的结构而定。步骤S150中的绝缘层包括栅极介电层1134、层间介电层1136
等等，可以在栅极介电层1134上形成金属连接层116，也可以在层间介电层1136上形成金属
连接层116。另外，薄膜晶体管层113、平坦化层114、阳极层115以及金属连接层116可以采用
溶液法、气相沉积法等形成，此处不再赘述。

[0086] 在一些实施例中，阵列基板制造方法还可以包括步骤S160至S190，具体描述如下：

[0087] 160、在阳极层115上形成像素定义层1161，所述像素定义层1161包括暴露出所述第一阳极1151和所述第二阳极1152的子像素开口。

[0088] 170、在像素定义层1161上形成有机电致发光层118，该有机电致发光层118可以包括空穴传输层、发光层、电子传输层等。

[0089] 180、在有机电致发光层118上形成阴极层119。

[0090] 190、在阴极层119上形成封装膜层120。

[0091] 其中，像素定义层1161、有机电致发光层118、阴极层119，以及封装膜层120可以采用溶液法、气相沉积法等形成。

[0092] 在一些实施例中，在基板111上形成薄膜晶体管层113之前还可以包括：在基板111上形成缓冲层112，该缓冲层112位于基板111和薄膜晶体管层113之间。

[0093] 本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括如上所述的阵列基板，或者，通过如上所述的阵列基板制造方法制得的阵列基板，该阵列基板的具体结构参照上述实施
例，由于本显示装置采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的
技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。

[0094] 其中，显示装置可以为柔性显示装置、微发光二极管显示装置、有机发光二极管显示装置等任何具有上述阵列基板的显示装置，此处不作限制。

[0095] 在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见上文针对其他实施例的详细描述，此处不再赘述。

[0096] 具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法
实施例，在此不再赘述。

[0097] 以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

[0098] 以上对本发明实施例所提供的一种阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例
的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据
本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不
应理解为对本发明的限制。

标题	发布/更新时间	阅读量
一种薄膜出膜收卷装置	2020-08-02	1
一种液滴喷射融合全过程体积控制方法、系统及打印机	2023-02-13	1
触控电极层以及触控显示装置	2021-10-29	1
一种半导体材料图形衬底、材料薄膜及器件的制备方法	2021-07-23	2
真空包装袋	2020-08-13	2
一种双层结构连栋膜温室	2022-05-30	1
一种用于生产石墨导热膜的聚酰亚胺薄膜固定模具	2020-10-29	0
一种防水且密封性好的包装用纸箱	2021-07-09	1
一种土地规划用平板电脑	2020-09-16	3
一种矩形直流滤波薄膜电容器	2020-09-15	1

阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置

阵列基板、阵列基板制造方法及显示装置

技术领域

背景技术

发明内容

具体实施方式

该功能需要专业版企业版VIP权限，您可以：