一种硅晶圆制造方法及制造装置
专利汇可以提供一种硅晶圆制造方法及制造装置专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 硅 晶圆 制造方法及制造装置，首先通过 外延 沉积法在硅晶圆的 正面 上制备 薄膜 ，通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的 温度 加热硅晶圆的上表面，通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；利用双面 研磨 装置研磨预制硅晶圆的正面、背面以及 倒 角 面，得到第二预制硅晶圆；将第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到硅晶圆。本发明硅晶圆制造方法对硅晶圆表面进行 退火 处理，使得硅晶圆表面慢慢释放应 力 ，缓慢冷却得到接近平衡状态的稳定组织，从而减少硅晶圆表面的 缺陷 ，减少表面缺陷对晶圆表面的 电子 元件功能的不良影响。，下面是一种硅晶圆制造方法及制造装置专利的具体信息内容。
1.一种硅晶圆制造方法，其特征在于，所述硅晶圆制造方法包括以下步骤：
通过外延沉积法在硅晶圆的正面上制备薄膜；
通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，保持第一预设时间；
通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，保持第二预设时间；
以25℃/s-150℃/s的速度对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；
利用双面研磨装置研磨所述预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；
将所述第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将所述第二预制硅晶圆从板状构件剥
离，得到所述硅晶圆。
2.根据权利要求1所述的硅晶圆制造方法，其特征在于，所述第一加热器和第二加热器均为惰性气体灯。
3.根据权利要求1所述的硅晶圆制造方法，其特征在于，所述通过第一加热器以大于
1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，保持第一预设时间，所述通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，保持第二预设时间，以及，所述以25℃/s-150℃/s的速度对加热后的硅晶圆进行降温的过程均是处于真空中进行。
4.一种硅晶圆制造装置，其特征在于，所述装置用于对硅晶圆进行加热和降温，所述装置包括：底座（1）、升降支架（2）、加热降温器（3）、晶圆隔板（4）以及控制器（5），所述底座（1）用于支撑所述升降支架（2）、所述加热降温器（3）以及所述晶圆隔板（4），所述升降支架（2）、所述加热降温器（3）以及所述晶圆隔板（4）均设置于所述底座（1）的顶部，所述升降支架（2）包括升降汽缸（21）、悬挂梁（22）以及提升器（23），所述升降汽缸（21）对称设置于所述底座（1）的两端，所述升降汽缸（21）用于升降所述悬挂梁（22），所述悬挂梁（22）设置于两个所述升降汽缸（21）之间，所述提升器（23）的一端与所述悬挂梁（22）相连接，所述提升器（23）的另一端与所述加热降温器（3）相连接，所述升降汽缸（21）通过所述悬挂梁（22）和所述提升器（23）带动所述加热降温器（3）升降；
所述加热降温器（3）包括第一加热器（31）、第二加热器（32）以及降温器（33），所述第一加热器（31）、所述第二加热器（32）以及所述降温器（33）均包覆所述晶圆隔板（4）的顶部，所述第一加热器（31）和所述第二加热器（32）用于对硅晶圆进行加热，所述降温器（33）用于对硅晶圆进行降温，所述晶圆隔板（4）用于承托硅晶圆；
所述装置还包括温度传感器（6），用于检测硅晶圆表面温度，所述温度传感器（6）、所述第一加热器（31）、所述第二加热器（32）、所述降温器（33）以及所述升降汽缸（21）均与所述控制器（5）相连接，所述控制器（5）用于根据所述温度传感器（6）检测的硅晶圆表面温度，控制所述第一加热器（31）和所述第二加热器（32）的加热温度、所述降温器（33）的制冷温度以及所述升降汽缸（21）的升降。
5.根据权利要求4所述的硅晶圆制造装置，其特征在于，所述晶圆隔板（4）、所述第一加热器（31）、所述第二加热器（32）以及所述降温器（33）均呈半球形。
6.根据权利要求4或5所述的硅晶圆制造装置，其特征在于，所述第一加热器（31）的边线到所述晶圆隔板（4）的边线距离小于所述第二加热器（32）的边线到所述晶圆隔板（4）的边线的距离，所述第二加热器（32）的边线到所述晶圆隔板（4）的边线的距离小于所述降温器（33）的边线到所述晶圆隔板（4）的边线的距离。
7.根据权利要求5所述的硅晶圆制造装置，其特征在于，所述温度传感器（6）设置为两个，两个所述温度传感器（6）对称设置于所述晶圆隔板（4）的两端。
8.根据权利要求4所述的硅晶圆制造装置，其特征在于，所述底座（1）的底部设置有多个透气孔（11）。
一种硅晶圆制造方法及制造装置
技术领域
背景技术
发明内容
通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，保持第一预设时间；
通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，保持第二预设时间；
以25℃/s-150℃/s的速度对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；
利用双面研磨装置研磨所述预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；
将所述第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将所述第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到所述硅晶圆。
所述装置还包括温度传感器，用于检测硅晶圆表面温度，所述温度传感器、所述第一加热器、所述第二加热器、所述降温器以及所述升降汽缸均与所述控制器相连接，所述控制器用于根据所述温度传感器检测的硅晶圆表面温度，控制所述第一加热器和所述第二加热器的加热温度、所述降温器的制冷温度以及所述升降汽缸的升降。可选的，所述搅拌轴的端部与所述搅拌刀之间还设置有密封装置，所述密封装置与所述混捏外壳的内壁固定连接，所述密封装置包括密封外壳，所述搅拌轴贯穿设置于所述密封外壳的内部，所述密封外壳的内部设置有密封腔，所述密封空腔的内部设置有缓冲液。
图3为本发明优选实施例提供的硅晶圆制造装置的整体示意图；
图4为本发明实施例提供的硅晶圆制造装置的晶圆隔板的俯视示意图。
具体实施方式
S2：通过第一加热器以大于1200℃小于硅熔点的温度加热硅晶圆的上表面，保持第一预设时间；
S3：通过第二加热器以大于1000℃小于1200℃的温度加热硅晶圆的上表面，保持第二预设时间；
S4：以25℃/s-150℃/s的速度对加热后的硅晶圆进行降温，得到预制硅晶圆；
S5：利用双面研磨装置研磨所述预制硅晶圆的正面、背面以及倒角面，得到第二预制硅晶圆；
S6：将所述第二预制硅晶圆放入液体中进行加热，将所述第二预制硅晶圆从板状构件剥离，得到所述硅晶圆。
所述装置还包括温度传感器6，用于检测硅晶圆表面温度，所述温度传感器6、所述第一加热器31、所述第二加热器32、所述降温器33以及所述升降汽缸21均与所述控制器5相连接，所述控制器5用于根据所述温度传感器6检测的硅晶圆表面温度，控制所述第一加热器
31和所述第二加热器32的加热温度、所述降温器33的制冷温度以及所述升降汽缸21的升降。
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