本发明涉及无机材料表面改性技术领域，特别涉及人工器官材料的改性技术。

人工器官的生物相容性和耐久性是人工器官用于临床的根本保证，尤其是人工心脏、 人工心脏瓣膜和左心室辅助泵等重要的心血管系统人工器官对耐久性和血液相容性有更 高的要求。用天然材料(猪，牛心胞)、高分子材料制成的人工心脏及人工心脏瓣膜由于 耐久性尚不能完全满足上述要求，见文献1(德永皓一等，繁用人工脏器现状将来， 一人工弁一，人工脏器，1990,19(3),100-102等)，而以热解碳、钛合金、钴合金和 不锈钢等无机材料为主体的人工心脏瓣膜目前还存在两方面问题：一是血液相容性尚不够 好，二是该类材料制成的瓣膜在植入人体后仍可能发生疲劳、腐蚀、磨损及脆性断裂。具 有最好血液相容性的热解碳代表了以机械瓣为主体的已用于临床的人工心脏瓣膜的最高 水平，但对临床要求来说，其血液相容性仍不是足够高，且其韧性仅为金属的1/100。本 领域的多年研究表明，在以金属等无机材料为主体的心血管系人工器官表面覆以血液相容 性极好的材料，可以综合其金属材料机械强度高、耐久性好和覆膜材料血液相容性好的优 点，从而成为有相当应用前景的人工器官材料发展的重要趋势。文献2(Mitamura.Y.et al,Development of a Ceramic Valve,Journal of Biomaterials Applications,1989, 4(11),33-55)论述了在钛人工心脏瓣膜表面用物理气相沉积方法覆膜氮化钛的技术。 目前，在心血管系人工器官上采用物理气相沉积、等离子体化学气相沉积等方法在心脏瓣 膜材料表面沉积氮化钛、类金钢石膜等现有覆膜技术存在两个方面的问题：一是经覆膜处 理后的材料的血液相容性的改善程度有限，二是由于沉积方法的物理本质局限性，薄膜同 基体的结合强度较低。文献3(中国专利号ZL 95111386.0)给出了用离子束增强沉积方 法(IBED)在心血管系人工器官上制备钛-氧/氮化钛复合膜的方法，这种方法只能实现对 平面的、简单的人工心血管器官覆膜，如人工心脏瓣膜的叶片，无法对形状复杂的、曲面 的人工心血管器官进行均匀的全方位覆膜，如人工心脏瓣膜的瓣架表面，而对人工器官的 所有与血液接触的表面都进行改性处理才是稳定、可靠提高人工器官性能和安全性的保 证。文献4的结果表明用离子束增强沉积方法获得的具有半导体特性的IBED--钛-氧表面 薄膜材料具有热解碳更为优异的血液相容性。(黄楠、杨萍等，离子束增强沉积钛氧化物 薄膜及其抗凝血性能的研究，高技术通讯1997,4,16-18)。

本发明的目的是提供一种人工器官表面改性技术，它能有效地提高人工心脏、人工心 脏瓣膜和左心室辅助泵等表面复杂的人工器官的血液相容性和力学耐久性。

本发明将氢元素或铌、钽等金属元素掺入人工器官表面的氧化钛表层内，形成掺杂的 钛-氧薄膜，以获得具有优异血液相容性的表面，其制备可以通过以下方案实现：

一、在钛氧薄膜中掺入气体元素氢

人工器官表面存在有二氧化钛薄膜，利用以下三种技术制备含氢钛-氧薄膜。

1．采用等离子体氢化工艺

把表面覆有二氧化钛的人工器官置于等离子体浸没离子注入装置(Plasma Immersion Ion Implantation,PIII)的真空室中，充入一定压力的氢气，放电产生氢等离子体，加 热人工器官，在人工器官上施加一定脉冲或直流负偏压，利用等离子体氢化工艺在人工器 官表面形成含氢钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是通入氢气的压力10-3～10帕，氢等离 子体密度108～1012厘米-3，加热温度100～600度，放电电压-0.2～-3千伏，放电电流0.1～ 10安，氢化时间0.1～2小时。

2．采用氢离子注入工艺

把表面覆有二氧化钛的人工器官置于等离子体浸没离子注入装置的真空室中，充入一 定压力的氢气，采用射频放电、灯丝放电或微波放电生成氢等离子体，在脉冲负高压下(如 -50千伏)向人工器官表面高能注入氢离子形成含氢钛-氧表面改性层。控制含氢钛-氧薄 膜性能的参数是真空室氢气压力10-3～100帕，氢等离子体密度108～1012厘米-3，氢离子能量 1～100千电子伏特，氢离子注入剂量1015～5×1018原子/厘米2，脉冲负高压重复频率10～ 5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值1～100千伏。

3．采用多重离子注入

把表面覆有二氧化钛薄膜的人工器官置于PIII装置的真空室中，充入一定压力的氢 气，采用一定方法生成氢等离子体，在脉冲负高压下(如-80千伏)采用等离子体浸没离 子注入技术向人工器官高能注入氢离子，注入一定时间后(0.1～2小时)，调低电压，在 一个较低的脉冲高压下(如-40千伏)采用等离子体浸没离子注入技术向人工器官高能注 入氢离子，注入一定时间后(0.1～2小时)后，再调低电压，在一个较低的脉冲高压下(如 -10千伏)采用等离子体浸没离子注入技术向人工器官表面注入氢离子。如此方法重复， 采用多重离子注入，使氢离子在二氧化钛薄膜中浓度沿薄膜深度方向均匀分布。控制含氢 钛-氧薄膜性能的参数是真空室氢气压力10-3～100帕，氢等离子体密度108～1012厘米-3，氢 等离子体能量1～100千电子伏特，氢离子注入剂量1015～5×1018原子/厘米2，脉冲负高压重 复频率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值1～100千伏，多重离子注 入实施次数2～10次，每次注入实施时间0.1～2小时。

利用上述三种方法处理后的人工器官再经一定温度(100～600度)、时间(0.1～2 小时)和真空度10-4～10-1帕的真空退火处理后，可合成性能优良的含氢钛-氧膜，其中的 氢原子含量为0.1％～20％，氧/钛比为1.5/1～1.95/1。 二、在钛-氧薄膜中掺入铌或钽元素

利用以下三种技术可以制备铌或钽元素掺杂的钛-氧薄膜。

(一)采用磁控溅射离子镀方式制备掺杂钛-氧薄膜

这种方法分为两步，

1．首先采用铌-钛或钽-钛的合金靶或镶嵌靶，利用磁控溅射这种高速低温的镀膜方 法，在人工器官表面沉积钛-钽或钛-铌合金薄膜。控制合金薄膜性能的参数是：铌原子含 量为0.1％～20％或钽原子含量为0.1％～20％的合金靶或镶嵌靶，溅射电压-100～-1000V， 溅射电流0.05～5安，基片加热温度100～500度，溅射时间0.1～2小时，溅射压力0.01～ 10帕，样品台偏压0～-600伏。

2．然后对合成的合金薄膜进行特定的氧化处理可得到钽或铌掺杂的钛-氧薄膜，可采 用以下两种工艺：

A．热氧化，将镀有钛-钽或钛-铌合金薄膜的人工器官置于真空石英玻璃管中，加热 到一定温度，同时向石英玻璃管中通入一定压力的氧气，这时合金膜经氧化就得到了钽或 铌掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数有：氧气压力0.1～10帕，加热温度400～900 度，氧化时间(1分钟～2小时)，钽-钛或铌-钛合金薄膜的成分铌原子含量为0.1％～20％ 或钽原子百分含量为0.1％～20％。

B．等离子体氧化，将镀有钛-钽或钛-铌合金薄膜的人工器官置于等离子体设备的真 空室中，充入一定压力的氧气，利用射频或微波放电产生氧等离子体，这时人工器官浸没 于氧等离子体气氛中，加热人工器官，并在人工器官上施加一定的脉冲电压，利用等离子 体氧化工艺在人工器官表面氧化得到钽或铌掺杂的氧化钛薄膜。控制薄膜性能的参数是氧 气压力10-2～10帕，氧等离子体密度108～1013厘米-3，加热温度100～600度，施加 脉冲负电压幅值0.2～3千伏，等离子体氧化时间1分钟～2小时，脉冲负高压重复频 率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，钛-钽或钛-铌合金薄膜的成分：铌原子含量 为0.1％～20％或钽原子含量为0.1％～20％。 (二)采用射频溅射方式制备掺杂钛-氧薄膜

采用五氧化二铌-二氧化钛或五氧化二钽-二氧化钛陶瓷作为溅射靶，五氧化二铌在 陶瓷中的分子含量为0.1％～10％或五氧化二钽在陶瓷中的分子含量为0.1％～10％。往射 频溅射设备真空室中通入一定压力的氩或氙，采用射频方式形成氩或氙等离子体，利用溅 射在人工器官表面合成钽或铌掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是：射频功率200～ 3000W，工作气体压力10-2～101帕，射频电压0.4～3千伏，样品加热温度为100～600 度，溅射时间0.1～3小时，五氧化二铌-二氧化钛或五氧化二钽-二氧化钛陶瓷靶的成分 为五氧化二铌在陶瓷中的分子含量为0.1％～10％或五氧化二钽在陶瓷中的分子含量为 0.1％～10％。 (三)采用PIII装置，利用离子注入方式合成钽或铌掺杂钛-氧薄膜，可采用以下两种方 式：

1)将钛及其合金、不锈钢或热解碳等无机材料的人工器官放入PIII装置的真空室内 样品台上。往真空室中通入氧气，在样品台上施加脉冲负高压，利用射频放电或微波放电 产生氧等离子体，同时利用一定方式向真空室同时引入钛、钽或钛、铌金属等离子体，工 件在脉冲负高压作用下，钛、钽、氧离子或钛、铌、氧离子同时轰击人工器官的表面， 形成铌或钽掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是：钛、钽或钛、铌二元金属等离 子体中铌离子含量为0.1％～20％或钽离子含量为0.1％～20％，钛、钽或钛、铌二元金属等 离子体密度108～1012厘米-3，氧等离子体密度108～1012厘米-3，真空室氧气压力10-3～ 100帕，脉冲负高压重复频率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值 0.1～100千伏。

2)将表面已镀有二氧化钛薄膜的人工器官放入PIII装置的真空室内样品台上。在样 品台上施加脉冲负高压，用钽或铌作金属源，打开钽或铌金属等离子体源，把钽或铌金属 等离子体引入真空室，在工件上脉冲负高压作用下，钽或铌离子轰击并注入人工器官的 表面，形成铌或钽掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是：钽或铌金属等离子体密度 108～1012厘米-3，钽或铌的注入剂量1015～5×1018原子/厘米2，脉冲负高压重复频率10～ 5000赫兹，脉冲宽度20μs～500μs，脉冲负电压幅值1～100千伏。

利用上述两种方法处理后的人工器官再经温度100～800度、时间0.1～2小时、真 空度10-4～10-6帕的真空退火处理后，可合成钽或铌掺杂的钛-氧膜，其中五氧化二铌或五 氧化二钽分子含量为0.1％～10％。

本发明与现有技术相比，采用上述方法所合成的掺氢、掺钽或铌的钛-氧薄膜，其优 点在于：所合成的氢、钽或铌掺杂的钛-氧薄膜血液相容性极好，对复杂形状的人工器官， 可以实现人工器官的全方位改性，均匀可靠，可实现工业化应用，这些掺杂氧化物表面改 性层的血液相容性显著优于目前临床使用的国际公认的人工心脏瓣膜材料——热解碳，改 性层成分容易控制，且重复性好，可靠度高。总之，采用本发明所述的方法处理所获得的 人工器官的血液相容性，抗疲劳、抗腐蚀和耐磨损性能得到全面提高。

发明的附图说明如下：

图1为本发明所用的等离子体浸没离子注入机(PIII)真空室示意图。

图2为本发明所用的射频磁控溅射台的真空室示意图。

图3为本发明所用的真空石英管加热炉。

以下结合附图对本发明作进一步说明：

一、制备氢掺杂的钛-氧薄膜：

人工器官表面存在有二氧化钛薄膜，利用以下三种技术制备氢掺杂的钛-氧薄膜。图1 为本发明所用的等离子体浸没离子注入机真空室示意图。

实施例：

方法1．采用等离子体氢化工艺

把表面覆有二氧化钛的人工器官7置于等离子体浸没离子注入机真空室1的样品台6 上，抽真空至气压小于10-4帕，充入氢气，加热人工器官7，把开关11拨至低压脉冲电源 12，在人工器官7上施加-0.2～-3千伏脉冲电压，打开灯丝电源8(或打开射频电源9、 微波放电电源10)，利用灯丝放电(或射频放电、微波放电)产生氢等离子体，等离子体氢 化0.1～2小时后，得到掺氢的钛-氧薄膜。可按表一所示四种工艺得到掺氢的钛-氧薄膜。 表一 实施例 氢气压力 (帕) 加热温度 (℃) 施加电压 (千伏) 氢等离子体密 度(厘米-3) 工作电流 (安) 工作时间 (小时)  一  0.001     100     -0.2     108     0.1     2  二    0.1     300     -0.8     5×109     1     1  三     1     400     -2     5×1011     7     0.5    四     10     600     -3     1012     10     0.2 控制薄膜性能的参数是通入氢气的压力(10-3～10帕)，氢等离子体密度(108～1012厘米 - 3)，加热温度(100～600度)，放电电压(-0.2～-3千伏)，放电电流(0.1～10安)，氢 化时间(0.1～2小时)。利用上述方法处理后的人工器官再经真空退火处理，真空度为 10-4帕，温度为600度，时间0.1～1小时，形成含氢钛-氧膜，其中的氢原子含量为0.1％～ 20％，氧/钛比为1.5/1～1.95/1。

方法2：采用氢离子注入工艺

把表面覆有二氧化钛的人工器官7置于等离子体浸没离子注入机真空室1的样 品台6上，抽真空至气压小于10-4帕，充入氢气，把开关11拨至高压脉冲电源13， 在人工器官上施加脉冲负高压，打开灯丝电源8(或者打开射频电源9、微波放电电 源10)，利用灯丝放电(或射频放电、微波放电)产生氢等离子体，采用等离子体浸 没离子注入技术向人工器官表面高能注入氢离子形成含氢钛-氧表面改性层。可按表 二所示四种工艺得到含氢钛-氧薄膜。控制含氢钛-氧薄膜性能的参数是真空室氢气压 力10-3～100帕，氢等离子体密度108～1012厘米-3，氢离子注入剂量1015～5×1018原子/ 厘米2，脉冲负高压重复频率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值1～ 100千伏。利用上述方法处理后的人工器官再采用图1所示的装置作真空退火处理， 将真空室1抽真空到10-4帕，用样品台6将人工器官7加热到100～600度0.1～1 小时真空退火处理后，可合成含氢钛-氧膜，其中的氢原子含量为0.1％～20％，氧/钛 比为1.5/1～1.95/1。 表二 实施例 氢气压 力(帕) 脉冲电压 (千伏) 脉冲宽度 (μs) 脉冲频率 (赫兹) 氢等离体密 度(厘米-3) 氢离子注入剂量 (原子/厘米2)  一   0.001     -1     20     5000     108    1015  二   0.01     -20     300     10     5×109  8×1016  三    0.1     -70     100     100     5×1011  4×1017  四     1     -100      500      500     1012  5×1018

方法3：采用多重离子注入

把表面覆有钛-氧的人工器官7置于PIII装置的真空室1中样品台6上，抽真空至气 压小于10-1帕，充入氢气，把开关11拨至高压脉冲电源13，在人工器官7上施加-70～-100千 伏脉冲负高压，脉冲宽度为20～500μs，脉冲负高压重复频率为10～5000赫兹，打开灯丝 电源8(或打开射频电源9、微波放电电源10)，利用灯丝放电(或射频放电、微波放电) 产生氢等离子体，氢等离子体密度为108～1012厘米-3，氢等离子体能量为70～100千电子 伏特，采用等离子体浸没离子注入技术向人工器官7注入高能氢离子，注入0.1～2小时 后，调低高压脉冲电源13的电压，在人工器官7上施加-30～-60千伏脉冲负高压，采用 等离子体浸没离子注入技术向人工器官7注入高能氢离子，注入0.1～2小时后，再调低高 压脉冲电源13的电压，在人工器官7上施加-1～-20千伏脉冲负高压，采用等离子体源离子 注入技术向人工器官7注入氢离子。如此方法重复，采用多重离子注入，使氢离子在钛-氧薄 膜中浓度沿薄膜厚度方向均匀分布，氢离子注入剂量为1015～5×1018原子/厘米2。可按表三 所示四种工艺得到含氢钛-氧薄膜。控制含氢钛-氧薄膜性能的参数是真空室氢气压力10 - 3～100帕，氢等离子体密度108～1012厘米-3，氢离子注入剂量1015～5×1018原子/厘米2，脉冲 负高压重复频率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值1～100千伏，多 重离子注入实施次数2～10次，每次注入实施时间0.1～2小时。利用上述方法处理后的 人工器官再采用图1所示的装置作真空退火处理，将真空室1抽真空到10-4帕，用样品台 6将人工器官7加热到200～600度0.1～1小时真空退火处理后，可合成含氢钛-氧膜，其 中的氢原子含量为0.1％～20％，氧/钛原子比为1.5/1～1.95/1。 表三 实 施 例 氢气压 力帕 脉冲电压(千 伏)及工作时 间(小时) 脉冲电压(千 伏)及工作时间 (小时) 脉冲电压(千 伏)及工作时间 (小时) 脉冲 宽度 μs 脉冲频 率 赫兹 氢等离子 体密度 厘米-3 氢离子注入 剂量 原子/厘米2 一 0.001 -90千伏 1.5小时 -55千伏 1小时 -20千伏 0.4小时 80 10 108 1015 二 0.05 -80千伏 0.6小时 -50千伏 0.4小时 -15千伏 0.3小时 20 5000 5×109 8×1017 三 0.5 -85千伏 0.5小时 -40千伏 0.3小时 -10千伏 0.2小时 300 250 5×1011 5×1016 四 1 -70千伏 1.2小时 -30千伏 0.4小时 -5千伏 0.1小时 500 400 1012 5×1018 二、制备铌或钽元素掺杂的钛-氧薄膜可以通过以下方案实现：

利用以下三种方法可以制各铌或钽元素掺杂的钛-氧薄膜。

(一)采用磁控溅射离子镀方式制各掺杂二氧化钛薄膜，这种方法分为两步，首先制备 钛-铌或钛-钽合金薄膜，然后利用热氧化或等离子体氧化工艺对合金薄膜进行氧化，得到铌 或钽元素掺杂的钛-氧薄膜，图2为本发明所用的磁控溅射设备示意图，其实施例为：

1．首先把铌-钛或钽-钛合金靶或镶嵌靶装在磁控溅射设备的靶台16上，人工器官7放 置在样品台6上，真空室抽真空至1×lO-4帕，加热人工器官7，打开气瓶18，向真空室通 入氩气，氩气压力为0.01～10帕，将转换开关17拨至直流电源15，在靶台16上加 一定负高压，形成氩等离子体，在负电压作用下，氩离子轰击钛-铌或钛-钽靶，产生 钛、铌原子或钛、钽原子沉积在人工器官7上，形成合金薄膜。为了提高薄膜质量， 沉积过程中，打开偏压电源19，在样品台6上施加一定负偏压。利用磁控溅射这种高 速低温的镀膜方法，可按表四所示四种工艺得到钛-钽或钛-铌合金薄膜。控制合金薄 膜性能的参数是：铌原子含量为0.1％～20％或钽原子含量为0.1％～20％的合金靶或镶 嵌靶，溅射电压-100～-1000V，溅射电流O.05～5安，样品加热温度100～500度， 溅射时间0.1～2小时，溅射压力0.0l～10帕，样品台偏压0～-600伏。 表四 实施 例 靶材成分中 钽或铌的原 子含量 溅射电压 伏 溅射电流     安 加热温度 度 溅射时间 小时 溅射压力     帕 样品台偏压     伏  一     0.1％ -300  0.05     100     1.5  0.05     -200  二     5％ -600     1     300     0.8     1     -300  三     15％ -1000     5     500     0.2     5     -600

2．然后对合成的合金薄膜进行热氧化处理或等离子体氧化可得到钽或铌掺杂的钛-氧 薄膜，图3为本发明所用的真空石英管示意图，其实施例分别为：

A．若采用热氧化处理，其实施例为，将镀有钛-钽或钛-铌合金薄膜的人工器官7置 于真空石英玻璃管23中，打开真空系统电源20，抽真空至1×10-3帕，打开电炉电源21， 加热真空石英玻璃管到700度，打开充气系统22，向石英玻璃管23中通入0.5帕的氧气， 热氧化10分钟，这时合金膜经氧化就得到了钽或铌掺杂的氧化钛薄膜。

B．若采用等离子体氧化，其实施例为，将镀有钛-钽或钛-铌合金薄膜的人工器官7 置于图1所示的等离子体设备的样品台6上，抽真空至1×10-4帕，充入氧气，打开射频电 源9(或微波电源10)产生氧等离子体，这时人工器官7浸没于氧等离子体气氛中，加热 人工器官7，打开低压脉冲电源12，在人工器官7上施加一定的脉冲负电压，利用等离子 体氧化工艺可按表五所示三种氧化工艺得到钽或铌掺杂的二氧化钛薄膜。控制薄膜性能的 参数是氧气压力0.01～10帕，氧等离子体密度108～1012厘米-3，加热温度100～600度， 脉冲负电压幅值0.2～3千伏，等离子体氧化时间1分钟～2小时，脉冲负高压重复频率10～ 5000赫兹，脉冲宽度20～500μs。

表五 实施例 氧气压力     帕 氧等离子体密度     厘米-3 加热温度     度 脉冲负电压     伏 时间 小时 重复频率 赫兹 脉冲宽度     μs  一     0.01     108  200   -0.2    2     10     500  二     1     109  400     -1   0.5     500     100  三     10     1012  600     -3   0.05    5000     20

(二)采用五氧化二铌-二氧化钛或五氧化二钽-二氧化钛陶瓷靶，利用射频溅射方式制备 铌或钽掺杂钛-氧薄膜，其实施例为：

首先把五氧化二铌-二氧化钛或五氧化二钽-二氧化钛陶瓷靶放在磁控溅射设备的靶 台16上，人工器官7放置在样品台6上，抽真空至1×10-4帕，加热人工器官7，打开气瓶 18，通入氩气，氩气压力为0.01～10帕，将转换开关17拨至射频电源14，在靶台16上 加一定的电压，形成氩等离子体，氩离子轰击五氧化二铌-二氧化钛或五氧化二钽-二氧化 钛陶瓷靶，产生钛、铌、氧原子或钛、钽、氧原子沉积在人工器官7上，合成钽或铌掺杂 的钛-氧薄膜。为了提高薄膜质量，沉积过程中，打开偏压电源19，在样品台6上施加一 定负偏压。可按表六所示三种工艺利用溅射在人工器官表面合成钽或铌掺杂的钛-氧薄 膜。控制薄膜性能的参数是：射频功率200～3000W，工作气体压力10-2～100帕，射频电压 0.4～3千伏，样品加热温度为100～600度，溅射时间0.1～3小时。

表六 实 施 例 靶材中五氧化 二钽或五氧化 二铌分子含量 加热温度 度 射频功率     W 气体压力     帕 射频电压     伏 溅射时间 小时 样品台偏压     伏  一     0.1％     200     200     5     400     2     0  二     2.5％     400     800    0.5     800     1     -300  三     8％     600     2500    0.01     2500     0.5     -500 (三)采用PIII装置，利用离子注入方式合成钽或铌掺杂二氧化钛薄膜，可采用以下两 种实施方案：

将钛、不锈钢或热解碳等无机材料的人工器官7放入PIII装置的真空室1内工作台6 上，将钛、钽或钛、铌合金作为阴极材料2安装在金属阴极弧等离子体源3的阴极。抽 真空至1×10-1帕，往真空室1中通入氧气，打开射频电源10(或微波电源14)产生氧等离 子体，将开关11拨至高压脉冲电源13，在工作台上施加一定的脉冲负高压，打开阴极弧 源3，打开金属阴极弧等离子体源的引出导管外的磁偏转线圈4及扫描线圈5的电源，向 真空室同时引入钛、钽(或钛、铌)金属等离子体，人工器官7在脉冲负高压作用下，钛、 钽、氧离子(或钛、铌、氧离子)同时轰击人工器官的表面，可按表七所示三种工艺得 到钽(或铌)掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是：钛、钽或钛、铌二元金属等 离子体中铌离子含量为0.1％～20％或钽离子含量为0.1％～20％，钛、钽或钛、铌二元金属 等离子体密度108～1012厘米-3，氧等离子体密度108～1012厘米-3，真空室氧气压力10-3～ 100帕，脉冲负高压重复频率10～5000赫兹，脉冲宽度20～500μs，脉冲负电压幅值 0.1～100千伏。

表七 实施 例 合金阴极成分钽 或铌原子含量 金属等离子体 密度(厘米-3) 氧等离子体密 度(厘米-3) 氧气压 力(帕) 脉冲频率 (赫兹) 脉冲宽度 (μs) 脉冲电压 (千伏)  一     0.1％     108     108     103     500     20     -0.1  二     1％     1010   2×1010   5×103     100     200     -2  三     5％  3×1010     1011   10-1     500     80     -10 四     10％  6×1011     1012     100     20     500     -100 1)将表面已镀有二氧化钛薄膜的人工器官7放入PIII装置的真空室1内工作台6上，用钽或 铌作为阴极材料2安装在金属阴极弧等离子体源3的阴极。抽真空至1×10-4帕，将开关11拨至 高压脉冲电源13，打开金属阴极弧源3，打开金属阴极弧等离子体源引出导管外的磁偏转线圈4 及扫描线圈5的电源，在工件台上施加一定脉冲负高压，把钽或铌金属等离子体引入真空室， 人工器官在脉冲负高压作用下，钽或铌离子轰击并注入人工器官的表面，可按表八所示三种工 艺得到铌或钽掺杂的钛-氧薄膜。控制薄膜性能的参数是：钽或铌金属等离子体密度108～1012 厘米-3，钽或铌的注入剂量1015～5×1018原子/厘米2，脉冲负高压重复频率10～5000赫兹， 脉冲宽度20μs～500μs，脉冲负电压幅值1～100千伏。

将上述两种方法获得的钽或铌掺杂的薄膜置于图1的PIII装置的真空室内抽真空至 1×10-3帕加热至600度1小时退火处理。

表八 实施例 钽或铌等离子体密度 (厘米-3) 钽或铌离子注入剂量 (厘米-2) 脉冲频率 (赫兹) 脉冲宽度 (μs) 脉冲电压 (千伏)     108     1015     20    20     5×109     1012    500    100     -50     1012     5×1018    5000    500    -100